| 例文 |
an AUの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 844件
At least a part of the surface to be fastened of the semiconductor element is coated with Au, and the semiconductor element is placed on an electrode containing at least one material selected from among a group of Au, Ag and Al.例文帳に追加
特に半導体素子が発光素子である場合に、発光効率の低下を来すことなく半導体素子を電極上に固着する。 - 特許庁
After a base material Au layer 3d1 is formed by permutation gilding, an upper-side Au layer 3d2 is formed by autocatalysis type nonelectrolytic plating.例文帳に追加
また、置換金めっきにより下地Au層3d1を形成した後、自己触媒型無電解めっきにより、上側Au層3d2を形成する。 - 特許庁
A surface layer covering the elastic layer is formed with Au, and the protrusion 23 is formed with any one of: an alloy of Cu and Ni; Ni; and Au.例文帳に追加
弾性層を覆う表面層はAuで形成されており、突出部23はCuとNiの合金、NiまたはAuのいずれかで形成される。 - 特許庁
First, metal bumps made of Au or containing Au as a main component are formed on each of electrode pads of an SAW element 3 by a ball bonding method.例文帳に追加
まず、弾性表面波素子3の各電極パッド上にAuまたはAuを主成分とした金属バンプをボールボンディング法により形成する。 - 特許庁
To provide a production method of an Au-Sn alloy foil which efficiently and inexpensively produces a high-quality, ultra-thin Au-Sn alloy foil.例文帳に追加
高品質の極薄膜Au・Sn合金箔を効率的にかつ安価に製造することが可能なAu・Sn合金箔の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a polyimide metal foil laminated plate, which is free from pinholes as it uses the metal foil, does not cause wiring slippage on packaging a chip by Au-Au joining or Au-Sn joining, and allows an underfill packing.例文帳に追加
金属箔を使用するためにピンホールが無く、Au−Au接合あるいはAu−Sn接合によるチップ実装時でも配線ずれが無く、アンダーフィル充填が可能となるポリイミド金属箔積層板を提供する。 - 特許庁
Therefore, by bringing both Ir and Au to composite colloid in a nano- level, NO_x is adsorbed on Ir to be dissociated into N and O, and O remaining after the dissociation of N_2 is considered to be discharged using hardly oxidizable Au as an outlet.例文帳に追加
そのため両者をナノレベルで複合化した複合コロイドとすることで、Ir上にNO_x が吸着してNとOに解離され、N_2の脱離後に残留するOは難酸化性のAuを出口として放出されると考えられる。 - 特許庁
The complex can be produced by the method containing that an Au-containing compound is adsorbed by the carbon type carrier, subsequently, the carbon type carrier which adsorbs the Au-containing compound is subjected to plasma treatment and, thereby, the Au-containing compound is converted to Au fine particles.例文帳に追加
該複合体は、炭素系担体に金含有化合物を吸着させ、次いで前記金含有化合物を吸着させた炭素系担体をプラズマ処理することにより、前記金含有化合物を金微粒子に変換させることを含む方法により製造することができる。 - 特許庁
In the electrical contact member which is composed of a conductive base metal having the electrically contacting surface plated with Au or an Au alloy, a PdCo alloy plating layer is interposed between the base metal and the Au or Au alloy plating layer.例文帳に追加
導電用基体金属の電気的接触表面にAuまたはAu合金めっきを施してなる電気的接触用部材において,該基体金属とAuまたはAu合金めっき層の間にPdCo合金めっき層を介在させたことを特徴とする電気的接触用部材である。 - 特許庁
The Au strike plating are applied on the dental material made of stainless steel or Ni-Ti alloy that has been defatted alkali- electrolytically and an Au-Ag alloy including 50-65 mass % of Au and the rest of Ag are plated on the resultant Au strike plated layer.例文帳に追加
アルカリ電解脱脂したステンレス鋼あるいはNi−Ti合金の歯科用材料上ににAuストライクめっきを施し、このAuストライクめっき層の上にAu50〜65質量%、残部AgからなるAu−Ag合金をめっきする歯科用材料の製造方法。 - 特許庁
In step S105, an unwanted Au film is removed, and in step S106, an unwanted TiW film is removed.例文帳に追加
ステップS105で不要なAu膜を除去して、ステップS106で不要なTiW膜を除去する。 - 特許庁
The minus pole of a power source 7 is connected to an Au electrode 6, and the plus pole is connected to an ITO electrode 3.例文帳に追加
Au電極6には電源7の−極が、ITO電極3には+極が接続される。 - 特許庁
To improve the soldering properties of an Au-Ge alloy soldering ball for joining and sealing of an electronic component or the like.例文帳に追加
電子部品などの接合、封止用半田付け用AuGe合金球の半田付け特性向上。 - 特許庁
An Au electrode 103 for mounting is formed on a surface of the insulating layer 102.例文帳に追加
絶縁層102の表面に、実装用であるAu電極103を形成する。 - 特許庁
The Cr thin film 231 and the Au thin film 232 function as an ohmic electrode 230.例文帳に追加
Cr薄膜231及びAu薄膜232はオーミック電極230として機能する。 - 特許庁
These semiconductor chips are connected to a lead 8 via an Au wire 9 electrically.例文帳に追加
これらの半導体チップは、Auワイヤ9を介してリード8と電気的に接続されている。 - 特許庁
The light receiving integrated circuit 4 is die-bonded to a conductive pattern 2b with an Au paste 10.例文帳に追加
受光集積回路4はAuペースト10で導電パターン2bにダイボンドされている。 - 特許庁
An Au stud bump electrode 43A is arranged on the emitter main electrode terminal 42A.例文帳に追加
エミッタ主電極端子42AにはAuスタッドバンプ電極43Aが配設されている。 - 特許庁
The Ni layer 26 prevents the formation of an Al-Au alloy.例文帳に追加
このNi層26の存在により、AlとAuとの合金が形成されることを防止する。 - 特許庁
An inorganic acid salt of Sn is used as the Sn source of the Au-Sn alloy plating solution.例文帳に追加
Au−Sn合金めっき液のSn源として、Snの無機酸塩を用いること。 - 特許庁
Then, polishing of the back surface, formation of an Au layer 23, etc., are performed as processing for the back surface.例文帳に追加
次に、裏面の処理として、裏面の研磨及びAu層23の形成等を行う。 - 特許庁
The method for producing the hyperfine particles of an alloy of Au and Pd by irradiating an aqueous solution containing Au (III) ions, Pd (II) ions and a nonionic surfactant with ultrasonic waves, the method for producing the core-cell type hyperfine particles of Au and Pt from Au (III) ions and Pt (IV) ions similarly or the like is provided.例文帳に追加
Au(III)イオンとPd(II)イオンと、ノニオン系界面活性剤とを含む水溶液に、超音波を照射し、AuとPdとの合金の超微粒子を製造し、また、Au(III)イオンとPt(IV)イオンとから同様にしてAuとPtとのコアセル型超微粒子を製造する等の方法を提供する。 - 特許庁
In the wiring board 1, a metal terminal pad 17 has its top surface part made of an Au-plating layer 54 and also has an Ni-plating layer 53 right below the Au-plating layer 54 in contact with the Au-plating layer 54, and the thickness of the Au-plating layer 54 is set to ≥0.2 μm and ≤0.7 μm.例文帳に追加
配線基板1において、金属端子パッド17は、最表面部がAuメッキ層54からなり、該Auメッキ層54の直下に当該Auメッキ層54と接する形で配置されたNiメッキ層53とを有し、Auメッキ層54の厚さを0.2μm以上0.7μm以下の範囲に設定する。 - 特許庁
To provide a contact material improved in wear resistance and suitable for a micromotor commutator capable of prolonging the service life of a micromotor by improving an Au-based clad composite material having Au or an Au alloy arranged on the outermost surface layer.例文帳に追加
最表層にAu又はAu合金が設けられたAu系クラッド複合材を改良することで、耐摩耗性を向上し、マイクロモータの長寿命化を図ることができるマイクロモータ整流子用として好適な接点材料を提供する。 - 特許庁
The metallic wire layer 20 has at its uppermost layer an Au layer 22 made of Au with which an alloy can be formed with an Sn component being a component of the solder bump 40, the Sn component being diffused by heat produced at the solder reflow.例文帳に追加
金属配線層20は、はんだリフロー時の熱によりはんだバンプ40を構成するSn成分が拡散して合金を形成可能なAuよりなるAu層22を最表層に備える。 - 特許庁
On an upper portion surface to the step 8, a semiconductor light emitting device 1 is mounted via an AuSn solder layer 2 and the electrode of this semiconductor light emitting device 1 is connected with a terminal for the electrode wiring using an Au wire.例文帳に追加
段差8の上側面にはAuSn系半田層2を介して半導体発光素子1をマウントし、この半導体発光素子1の電極を電極配線用ターミナルとAuワイヤーにより接続する。 - 特許庁
An Au layer 19a and an Sn layer 19b are provided on the surface of the electrode pad and the connection part of the wire 6 for wire bonding, and the electrode pad 13a is connected through an Au-Sn alloy layer.例文帳に追加
その電極パッド表面にAu層19aとSn層19bとが設けられ、ワイヤボンディング用のワイヤ6と電極パッド13aとの接続部がAu-Sn合金層を介して接続されている。 - 特許庁
A Ti/Pt/Au laminated metallic layer 30 connected with an Au plate layer having an exposed face through an Fe doped InP layer 20 to an outside atmosphere is formed on the side face of the active layer of the columnar part.例文帳に追加
柱状部の活性層の側面に、FeドープInP層20を介して外部雰囲気に露出面を有するAuメッキ層に接続されたTi/Pt/Au積層金属層30が形成されている。 - 特許庁
An Ni plating layer 2 is formed on a Cu electrode part 1 by nonelectrolytic plating, Au is deposited on the Ni plating layer 2 by a sputter film forming method, and an Au layer 6 is formed.例文帳に追加
Cu電極部1上に無電解めっきによりNiめっき層2を形成し、スパッタ成膜法によりNiめっき層2上にAuを堆積させAu層6を形成した。 - 特許庁
Succeedingly, the sapphire substrate 101 is separated, an Au upper electrode 108 is formed on the AIN thin film surface, and the resonator is formed, wherein an air gap 111 is formed under the AIN layer 103.例文帳に追加
続いてサファイア基板101を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極108を形成し、AlN層103下方に空隙111が形成された共振器を形成する。 - 特許庁
An Au surface layer conductor 16 is formed on the surface of a ceramic wafer 11, and this Au surface layer conductor 16 is directly connected to an Ag via conductor 14 of the top layer.例文帳に追加
セラミック基板11の表面にAu系表層導体16を形成し、このAu系表層導体16を最上層のAg系ビア導体14に直接接続する。 - 特許庁
To obtain an HIV-1 replication inhibitor useful for the development of a new-type anti-AIDS drug and prepared based on the fact that HIV-1 genom RNA exhibits the same behavior as AUUUA (AU sequence or AU-rich element; ARE) mRNA.例文帳に追加
HIV−1ゲノムRNAがAUUUA(AUシークエンス又はAU-rich element;ARE)mRNAと同様の動態を示す点に着目した、新しいタイプのエイズ薬剤の開発に有用なHIV−1複製抑制剤を提供すること。 - 特許庁
In distribution parts 15, 42 and selection parts 16, 41, processing for distributing an AU-4 signal into three systems of AU-3 signals is performed and the AU-3 signals in the respective systems are distributed to the service system switch parts 31 to 33, respectively.例文帳に追加
分配部15、42および選択部16、41において、AU−4信号を3系統のAU−3信号に分配する処理を行ない、各系統のAU−3信号をサービス系スイッチ部31〜33にそれぞれ分配する。 - 特許庁
To provide a method for bonding an element, having high bonding strength by soldering the element on an Au electrode formed on a substrate of aluminum nitride or the like at a low temperature, using a soft solder metal having low melting point, such as an Au-Sn solder containing 10 wt% of Au.例文帳に追加
窒化アルミニウム等の基板上に形成されたAu電極に、Au含有量10重量%のAu−Sn系ハンダのような低融点で柔らかいハンダ金属を用いて低温でハンダ付けを行ない、高接合強度で素子を接合する方法を提供すること。 - 特許庁
A metal 24 for forming an alloy interface is arranged on an Au pad electrode 21 when a metallic bump is fabricated.例文帳に追加
金属バンプの製造の際に、Auパッド電極21の上に、合金界面形成用金属24を配置する。 - 特許庁
An Ni film is formed on the rear of a semiconductor substrate 1, and an Au film is formed on the surface of the Ni film.例文帳に追加
半導体基板1の裏面にNi膜を形成した後、そのNi膜の表面にAu膜を形成する。 - 特許庁
Film thickness t1, t3 of the Au films 12a and 12c is designed such that the thickness t1 of the outermost Au film 12c is less than twice of the thickness t3 of an Au film 11a touching an aluminum electrode and the substrate region 10a on the periphery thereof.例文帳に追加
各Au膜12a,12cの膜厚t_1,t_3は、最外層のAu膜12cの膜厚t_1が、アルミニウム電極およびその周辺の基板領域10aに接触するAu膜11aの膜厚t_3の2倍以下になるように設計されている。 - 特許庁
After depositing an Au-Sn alloy plating on a conductor made of an Fe or Ti metallic material which shows low adhesion to the Au-Sn alloy, the Au-Sn alloy foil is peeled off from the conductor and processed.例文帳に追加
Au・Sn合金と密着しにくいFe系あるいはTi系金属材からなる導電体にAu・Sn合金めっきを施した後、前記導電体からAu・Sn合金箔を剥離し、剥離したAu・Sn合金箔を加工することを特徴とする。 - 特許庁
To propose a thermocouple attachment technique capable of surely attaching a thermocouple to a measurement target portion of an Au-made or Au-alloy-made glass dissolving apparatus.例文帳に追加
Au又はAu合金製ガラス溶解用装置における測定対象部位に熱電対を確実に取り付けることができる熱電対の取付技術を提案する。 - 特許庁
The electrode film for feeding the plating power is composed of a film specifically made of at least one metal selected among Au, Pt, Rh, Ru and Pd, or an alloy thereof.例文帳に追加
メッキ給電用電極膜は、具体的には、Au、Pt、Rh、RuもしくはPdから選択された少なくとも一種又はそれらの合金の膜によって構成することができる。 - 特許庁
The brazing filler metal is an alloy mainly consisting of Au and Sn, and the weight ratio of Sn to Au is set in a range of 16-25 wt.%.例文帳に追加
AuとSnを主成分とした合金であり、Auに対するSnの重量比率が16w%〜25w%の範囲に設定されているろう材である。 - 特許庁
When the resistance of rewiring is a problem, an Au film is formed on the Pd film and a rewiring structure having Ti film/Pd film/Au film from a lower layer is obtained.例文帳に追加
再配線の抵抗が問題となる場合には、Pd膜上にAu膜を形成し、下層からTi膜/Pd膜/Au膜を有する再配線構造とする。 - 特許庁
The p pad electrode 15 comprising Ni/Au is formed on the transparent electrode 14 and the n electrode 16 comprising Ni/Au similarly is formed on an n-type layer 11 simultaneously.例文帳に追加
透明電極14上にNi/Auからなるpパッド電極15を、n型層11上に同じくNi/Auからなるn電極16を、同時に形成した。 - 特許庁
As a result, output density is improved and corrosion resistance is improved by an effect of Au.例文帳に追加
その結果、出力密度が向上するとともにAuの効果で耐食性が向上する。 - 特許庁
In an alcohol organic solvent, Au salt or complex and a P-containing compound are dissolved.例文帳に追加
アルコール有機溶媒中に,Auの塩または錯体とP含有化合物をを溶解させる。 - 特許庁
An Au wire 4 electrically connects the wiring pattern 8 to the light emitting element 1.例文帳に追加
配線パターン8と発光素子1とを電気的に接続するためのAuワイヤ4を設ける。 - 特許庁
Next, the film layer 10 of Au is made as an adhesion-improved layer on the p-side electrode 8.例文帳に追加
次に、p側電極8上に密着改善層としてAuの薄膜層10を形成する。 - 特許庁
The electrode 6a of the chip capacitor 6 is connected to the conductive pattern 2b with an Au paste 12.例文帳に追加
チップコンデンサ6の電極6aはAuペースト12で導電パターン2bに接続されている。 - 特許庁
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