「an AU」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Continuously, a metal film 11b of Au is formed on an inner wall surface 17a of the resist layer 16 forming the recessed part 17 by deposition, etc.例文帳に追加

続いて、蒸着等により凹部１７を形成するレジスト層１６の内壁面１７ａにＡｕの金属膜１１ｂを形成する。 - 特許庁

The metallic pieces are preferably consist of any metal selected from Cu, Ag, Au and Al or an alloy essentially consisting these metals.例文帳に追加

上記本発明では金属片はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌの何れかの金属またはこれらを主体とする合金であることが好ましい。 - 特許庁

Connection parts between electrode pads 11 of the semiconductor chip 1 and wiring lines 21 are jointed each other by means of an Au-Sn alloy layer 3.例文帳に追加

この半導体チップ１の電極パッド１１と配線２１との接続部が、Ａｕ-Ｓｎ合金層３により接合されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that enables an Au-series fine metal wire to be formed with proper line width controllability.例文帳に追加

Ａｕ系微細金属配線を線幅制御性良く形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The NOx sensor, which has a pump cell 240, a monitor cell 260 and a sensor cell 250 each of which includes a pair of electrodes and uses an electrode 241 containing an Au material in the pump cell 240 and an electrode 251 the sensor cell 250 of which contains an Rh material includes heating means (212 and 214) capable of heating an object to temperature higher than the melting point of Au.例文帳に追加

それぞれが対の電極を備える、ポンプセル２４０、モニタセル２６０及びセンサセル２５０を有し、ポンプセル２４０がＡｕ材料を含む電極２４１、及びセンサセル２５０がＲｈ材料を含む電極２５１を用いているＮＯｘセンサにおいて、Ａｕの融点以上に加熱可能な加熱手段（２１２、２１４）を備える。 - 特許庁

The solid lubricating film as the 2nd layer is an MoS2 film, a WS2 film, an NbS2 film, a mica film, an Sb203 film, a BN film, a WSe film, an MoSe2 film, an Au film or an Ag film formed by an ion plating method, sputtering method or a shot peening method.例文帳に追加

第２層の固体潤滑膜は、イオンプレーティング法、スパッタリング法か、ショットピーニング法によって形成された、ＭｏＳ_2膜、ＷＳ_2膜、ＮｂＳ_2膜、雲母膜、Ｓｂ_2Ｏ_3膜、ＢＮ膜、ＷＳｅ膜、ＭｏＳｅ_2膜、Ａｕ膜、または、Ａｇ膜である。 - 特許庁

To provide an Au fine particle catalyst that is active to an oxidation-reduction reaction and inactive to a methanol oxidation reaction as an oxygen electrode catalyst for a direct methanol fuel cell and that is carried by a carbon substrate.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池の酸素極触媒として、酸素還元反応には活性で、メタノール酸化反応には不活性であるＡｕ微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

To provide an optical communication device having low loss and high reliability by providing a method of forming a reflector which makes an Au thin film layer a reflection surface on an optical medium with high adhesion.例文帳に追加

Ａｕ薄膜層を反射面とする反射器を光学媒体に高い付着力で形成する方法を実現して低損失で高い信頼性を有する光通信デバイスを提供する。 - 特許庁

An LED chip 44 is mounted in the through-hole on a pattern 46 of the first substrate 42 and connected to an electrode 45b with an Au wire 47 via a pattern 48.例文帳に追加

貫通溝内における第１基板４２のパターン４６上には、ＬＥＤチップ４４がマウントされ、Ａuワイヤ４７によってパターン４８を介して電極４５bに接続されている。 - 特許庁

To provide an Au-alloy bonding wire improved in junction reliability owing to low electric resistance to an Al electrode for a semiconductor device, and the semiconductor device joined with an Al-electrode pad by the wire.例文帳に追加

半導体装置のＡｌ電極に対する低電気抵抗で接合信頼性を向上したＡｕ合金ボンディングワイヤ及び該ワイヤによりＡｌ電極パッドに接合した半導体装置。 - 特許庁

An upper electrode 11 connected to an Au bump 10 and an intermediate electrode 12 formed between the ground electrode 8 and the upper electrode 11 are formed on the ground electrode 8.例文帳に追加

アース電極８上に、Ａｕバンプ１０と接続される上部電極１１と、アース電極８と上部電極１１の間に形成された中間電極１２とを形成する。 - 特許庁

To provide a method of mounting components to a semiconductor device which is hardly deteriorated by the diffusion of Au-Al, and has no corrosion of an Au/Al contact part, and flip-chip bonds an Al electrode by a highly-reliable technique in terms of cost, and the mounting components of the semiconductor device.例文帳に追加

Ａｕ−Ａｌの拡散による強度劣化がなく、Ａｕ／Ａｌ接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でＡｌ電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。 - 特許庁

To improve productivity by improving the adhesiveness of a resist by subjecting an Au layer of an Au/Cr corrosion resistant film formed on a substrate before resist coating to a short-lasting surface modification treatment using ozonized water, in a process for producing a quartz crystal device.例文帳に追加

水晶デバイスを製造する工程において、レジスト塗布前の基板上に形成されたＡｕ／Ｃｒ耐蝕膜のＡｕ層を短時間のオゾン水により表面の改質処理を施すことで、レジストの付着性を向上させることにより、生産性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulative wiring board, by which the deposition or the formation of bridges on the outside of a pattern can be suppressed by inactivating an adsorbed chelating agent and at the same time, inhibiting trapping of Au ion and formed Au-nuclei in a substitution or reduction plating method.例文帳に追加

本発明は、吸着したキレート剤を不活性化するとともに、置換及び還元めっき法のＡｕイオン及び生成したＡｕ核を捕捉しないようにし、パターン外の析出やブリッジ発生がない、絶縁性配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The conductive ceramic and the electrode terminal are joined to each other by forming a Ni film on the joint part of the conductive ceramic to the electrode terminal and the electrode terminal in contact with the joint part, coating the surface part of the Ni film with an Au film and interposing a brazing filler metal between the Au films.例文帳に追加

導電性セラミックの電極端子との接合部および該接合部と接する電極端子にＮｉ膜が形成され、該Ｎｉ膜の表層部がＡｕ膜で被覆され、該Ａｕ膜の間にろう材が介在して両者が接合されている。 - 特許庁

Especially, the alloy layer 20 of the cathode 2 preferably contains an Al-Au intermediate phase and is composed of a first layer containing the Al-Au intermediate phase being contact with the surface of the solid electrolyte and a second layer containing the metal Al phase covering the first layer.例文帳に追加

特に、カソードの合金層は、Ａｌ−Ａｕ中間相を含むものがよく、固体電解質表面に接するＡｌ−Ａｕ中間相を含む第１層と、該第１層を覆う金属Ａｌ相を含む第２層とから構成される。 - 特許庁

When a viewer AU operates a client terminal AC and makes a browsing request of an electronic album disclosed on a server TS in another region T, the server TS in the another region T specifies a server AS in a region A of the viewer AU.例文帳に追加

閲覧者ＡＵがクライアント端末ＡＣを操作して、他の領域ＴのサーバＴＳ上に公開された電子アルバムの閲覧要求を行った場合、他の領域ＴのサーバＴＳは、閲覧者ＡＵの領域ＡのサーバＡＳを特定する。 - 特許庁

A SAW element 21 is packaged on a ceramic multilayer substrate 10 by Au-Au bonding while confronting an interdigital electrode formation face 28 to a component packaging face 11 of the multilayer substrate 10 so that a void can be formed with the component packaging face.例文帳に追加

ＳＡＷ素子２１を、櫛型電極形成面２８をセラミック多層基板１０の部品搭載面１１に対向させ、部品搭載面との間に空隙が形成されるようにし、Ａｕ−Ａｕ接合により多層基板１０上に実装する。 - 特許庁

The Ti/Au film 36 and the Au layer 38 on an SiN film 32 is etched back over its entirety by means of ion milling process, and a gate electrode 40 is formed as shown in Fig. (f) only on the gateopening 34 except for the metal layers 36, 38.例文帳に追加

続いて、ＳｉＮ膜３２上のＴｉ／Ａｕ積層膜３６及びＡｕ層３８をイオンミリング法で全面エッチバッグし、図２（ｆ）に示すように、ゲート開口３４のみに金属層３６／３８を残してゲート電極４０を形成する。 - 特許庁

The electrically conductive layer preferably comprises at least one metal selected from Au, Pt, Ni, Cu, Ag and Ta and/or an alloy containing one or more metals of Au, Pt, Ni, Cu, Ag and Ta, diamond-like carbon or silicon carbide.例文帳に追加

導電層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｇおよびＴａから選択される少なくとも１種の金属および／または上記金属を１種以上含む合金、あるいは、ダイヤモンドライクカーボン、もしくは、炭化ケイ素より構成されていると良い。 - 特許庁

A thin film made of only a Cr is formed on the entire surface of a crystal wafer for which outer shape forming is completed and a pattern is formed by photolithographic work, and a film of (Cr+Au) is newly formed on the Cr thin film on only a mount pad portion and weight portion which need an Au film.例文帳に追加

外形形成が終了した水晶ウエハの全面にＣｒのみの薄膜を成膜してホトリソ加工でパターンを形成後、Ａｕ膜が必要なマウントパッド部と錘部のみに、Ｃｒ薄膜の上にあらたに（Ｃｒ＋Ａｕ）膜を成膜する。 - 特許庁

The metal layer 16 is a metal selected from a group consisting of Cu, Ni, Ag, Au, Pt, Rh, Ru, Pd and V or an alloy containing at least two elements selected among Cu, Ni, Ag, Au, Pt, Rh, Ru, Pd and V.例文帳に追加

また、金属層１６は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｖからなる群から選択される金属、またはＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｖから選択される少なくとも２種の元素を含む合金とされている。 - 特許庁

To provide an open/close lid through which "Oden" (Japanese pot-au-feu) ingredients in an "Oden" heat insulation container for sale can be seen so that the internal "Oden" can be surely viewed from outside through the lid.例文帳に追加

おでん保温販売容器の中のおでんの具を閉めた蓋を透視して外部から中のおでんが確実に見ることが可能となる開閉蓋を提供する。 - 特許庁

Such an ultrathin plated Au layer is formed by immersing a material to be plated in a plating solution to which a predetermined amount of Fe ions have been added, and by passing an electric current to the material.例文帳に追加

また、この様な極薄のＡｕめっき層は、所定量のＦｅイオンが添加されためっき液に被めっき材を浸漬して通電させることで形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plastic package capable of assuring an airtight reliability by preventing a crack of a copper plated resin board by an Au-Sn alloy for bonding a solder ball.例文帳に追加

半田ボール接着のＡｕＳｎ合金による銅張り樹脂基板のクラックを防止し、気密信頼性を確保することができるプラスチックパッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

An Al-containing ohmic electrode 2, a barrier metallic layer 5 made of TiWN, and an Au wire electrode 7 are sequentially formed on one side of a GaN group semiconductor layer 1.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層１の一面上に、Ａｌ含有オーミック電極２と、ＴｉＷＮからなるバリアメタル層５と、Ａｕ配線電極７とが順に形成されている。 - 特許庁

Further, an unjoined surface of the CdTe monocrystal wafer 11 and an unjoined surface of the p-type Si monocrystal substrate 14 are evaporated with Au to form electrodes 15 and 16.例文帳に追加

さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。 - 特許庁

At an interface between the contact layer 113 and the p side electrode 115, there is formed an alloy layer 120, consisting of elements which constitute Ni, Au, Zn and the contact layer 113.例文帳に追加

上記コンタクト層１１３とｐ側電極１１５との界面に、ＮiとＡuとＺnおよびコンタクト層１１３を構成する元素とからなる合金層１２０を形成する。 - 特許庁

To obtain an inexpensive bonding wire W exhibiting excellent bondability to an electrode (a) coated with Ni/Pd/Au having excellent high temperature reliability, and reducing damage on a fragile chip.例文帳に追加

高温信頼性の高いＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａへの接合性が高く、かつ脆弱なチップに対するダメージも少なく安価なボンディングワイヤＷとする。 - 特許庁

On the rear surface of the GaN semiconductor 1, an electrode formed of a multilayer metal film of a Ti film 4 and an Au film 5 is formed so as to oppose the organic electrode 2.例文帳に追加

ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。 - 特許庁

To provide a metal coating Si substrate which prevents Au of an Au layer formed on an Si substrate from being diffused into the Si substrate even when a high-temperature heat treatment is carried out in an element manufacturing process, and to provide a junction type light-emitting element using the metal coating Si substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子製造過程において高温の熱処理を施した場合であっても、Ｓｉ基板上に形成されたＡｕ層のＡｕがＳｉ基板に拡散することのない金属被膜Ｓｉ基板、ならびに、この金属被膜Si基板を用いた接合型発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a underlying layer of Cu, or the like, formed on a substrate body, an Ni film or an Ni alloy film, a Pd film or a Pd alloy film, and an Au film are deposited sequentially and then heat treated at 200-300°C, for not longer than 120 sec, thus alloying the Pd film or the Pd alloy film and the Au film.例文帳に追加

基板本体上に形成されたＣｕなどからなる下地層に、順にＮｉ膜またはＮｉ合金膜、Ｐｄ膜またはＰｄ合金膜、Ａｕ膜を成膜し、これを２００℃から３００℃の温度で１２０秒以下の時間で熱処理して、前記Ｐｄ膜またはＰｄ合金膜と前記Ａｕ膜とを合金化する。 - 特許庁

This organometallic paste of the present invention contains an organo-gold (Au) compound, an organo-rhodium (Rh) compound, and an organo-vanadium (V) compound in proportions of Au:10-50 wt.%, Rh:0.005-0.2 wt.%, and V:0.01-2.0 wt.%, in terms of elements respectively, and substantially contains no lead (Pd).例文帳に追加

本発明の有機金属ペーストは、有機金（Ａｕ）化合物、有機ロジウム（Ｒｈ）化合物および有機バナジウム（Ｖ）化合物を、それぞれ元素換算でＡｕ：１０〜５０wt％、Ｒｈ：０．００５〜０．２wt％、およびＶ：０．０１〜２．０wt％、となる割合で含有し、かつ鉛（Ｐｂ）を実質的に含有しないことを特徴とする。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

An Ni/Au-plated layer 3 is formed on the thick conductor layer 2, so that the surface of the thick conductor layer 2 is completely covered without any space.例文帳に追加

この厚膜導体層２の上にＮｉ／Ａｕメッキ層３が形成され、厚膜導体層２の表面が隙間なく完全に覆われている。 - 特許庁

Or, in the semiconductor package, the metallization layer for sealing cover bonding is provided, where the surface layer of Au of 0.001-0.8 μm is provided on an Ni layer.例文帳に追加

あるいは、半導体パッケージには、Ｎｉ層上にＡｕの表面層を０．００１〜０．８μｍ設けたシールカバー接着用メタライズ層を設ける。 - 特許庁

To solve a problem that when an Au film is formed on a semiconductor chip, the adhesive strength between the semiconductor chip and a wafer sheet increases and it is difficult to peel the wafer sheet.例文帳に追加

半導体チップにＡｕ膜を形成すると、半導体チップとウエハシートとの粘着力が高まり、ウエハシートを剥離し難くなる。 - 特許庁

A Cu film layer 6 is formed on an organic substrate 5, and Ni plating 7 and Au plating 8 are conducted, to form a film structure of a wiring pattern 10.例文帳に追加

有機基板５上に、Ｃｕ膜層６を形成し、Ｎｉめっき７，Ａｕめっき８を施して、配線パターン１０の膜構成とする。 - 特許庁

The metal material contains at least one selected from a group (A) of Ga, In, Pb, Bi, Cd, Mg, Zn, Ag, Au, each element in an amount of 0.01 to 1 mass%.例文帳に追加

（Ａ）Ｇａ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｕの群から選ばれる少なくとも１種を、１種あたり０．０１質量％以上１質量％以下含有する。 - 特許庁

Then, an average value of the thickness of the Au plating 16 is made uneven in the first and second areas of the semiconductor laser elements 10a and 10b.例文帳に追加

そして、各半導体レーザ素子１０ａ，１０ｂの第１領域と第２領域でＡｕメッキ１６の厚みの平均値を不均一にする。 - 特許庁

The conductor lead 25 and the bump 11 are thermocompressed by means of a bonding tool 31 and bonded each other while forming an Au/Sn eutectic alloy 15.例文帳に追加

導体リード２５とバンプ１１は、ボンディングツール３１により、加熱及び加圧されて、Ａｕ／Ｓｎ共晶合金１５を形成して接合する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor capable of preventing diffusion of Au from an upper electrode layer in a solder bump by a simple method at a low cost.例文帳に追加

上部電極層からハンダバンプへのＡｕの拡散を防止することができる薄膜コンデンサを簡単かつ安価な方法で提供する。 - 特許庁

Then, a second photo-resist 105 is applied to form a photo-resist opening part 106, and a plated Au layer 107 is formed by an electroless plating method.例文帳に追加

次に、第２のホトレジスト１０５を塗布し、ホトレジスト開口部１０６を形成し、無電解メッキ法によりメッキＡｕ層１０７を形成する。 - 特許庁

Then a bonding pad 5 of the surface acoustic wave element 1 and a signal terminal of the support substrate 2 are bonded via an Au bump 10.例文帳に追加

そして、弾性表面波素子１のボンディングパッド５と支持基材２の信号端子８ａとが、Ａｕバンプ１０を介して接合されている。 - 特許庁

The plating layer 9 as the light reflection layer is formed on a region other than an Au pad terminal 7 portion for chip connection on the main surface of the substrate 2.例文帳に追加

光反射層である銀鏡メッキ層９は、基板２主面のチップ接続用Ａｕパッド端子７部を除く領域に形成される。 - 特許庁