「an AU」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Thickness of the Pt layer 11 is set such that the Pt layer 11 is left when the AuSn layer 9 is melted in order to bond that semiconductor laser chip depending on the thickness of an Au electrode layer formed on the lower surface of a semiconductor laser chip (not shown), the thickness of the Au layer 8, the thickness of the AuSn layer 9, and the composition.例文帳に追加

Ｐｔ層１１の厚さは、図示しない半導体レーザチップの下面に設けられたＡｕ電極層の厚さ、Ａｕ層８の厚さ、ＡｕＳｎ層９の厚さおよび組成比に応じて、その半導体レーザチップを接合するためのＡｕＳｎ層９の溶融時にＰｔ層１１が残存するように設定されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical device comprises the steps of providing the substrate electrode made of an Au film on the uppermost surface layer, providing the electrode made of the Au film on the uppermost surface layer on the semiconductor light- emitting element or the intermediate member, and applying the ultrasonic vibration to the electrode of the light-emitting element or the intermediate member to the substrate electrode for connecting them.例文帳に追加

基板に、最表面層がＡｕ膜などからなる基板電極を設け、一方、半導体発光素子あるいは中間部材に、最表面層がＡｕ膜などからなる電極を設け、半導体発光素子あるいは中間部材の電極と基板電極とを超音波振動を印加して接合して製造する。 - 特許庁

The thickness of the Pt layer 11 is set so that the Pt layer 11 remains, when the AuSn layer 9 for bonding the semiconductor chip is melted, according to the thickness of an Au electrode layer not shown and provided on the lower surface of the semiconductor laser chip, the thickness of the Au layer 8, the thickness and a composition ratio of the AuSn layer 9.例文帳に追加

Ｐｔ層１１の厚さは、図示しない半導体レーザチップの下面に設けられたＡｕ電極層の厚さ、Ａｕ層８の厚さ、ＡｕＳｎ層９の厚さおよび組成比に応じて、その半導体レーザチップを接合するためのＡｕＳｎ層９の溶融時にＰｔ層１１が残存するように設定されている。 - 特許庁

To solve such a problem that the resin of a lower layer is softened by a heat generated in a flip chip mounting step, in an electrode pad of an interposer substrate that is formed on the external electrode of an electronic device to receive an Au stud bump, for the electrode pad to sag, resulting in connection failure or degradation of reliability.例文帳に追加

電子デバイスの外部電極上に形成されたＡｕスタッドバンプを受けるインターポーザー基板の電極パッドは、フリップチップ実装工程の熱によって下層の樹脂が軟化するため、電極パッドが沈み込み、接続不良や信頼性の低下が発生する。 - 特許庁

After an electrode 3 on the surface of the chip 2 and the inner end of the lead frame 1b are electrically connected with each other through an Au wire 4, the lead frames 1a and 1b, the chip 2 and the wire 4 are covered and sealed with a resin 5.例文帳に追加

半導体チップの表面電極３とリードフレーム１ｂの内端部とをＡｕワイヤ４により電気的に接続した後、リードフレーム１ａ、１ｂ、半導体チップ２およびＡｕワイヤ４をレジン５で覆い封止する。 - 特許庁

The cut angle of the θ rotation Y-X substrate of LiTaO3 or LiNbO3 is optimized at an angle higher than that in the conventional practice with respect to the added mass of an Au or Cu electrode formed on a substrate surface.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ３ あるいはＬｉＮｂＯ３ のθ回転Ｙ−Ｘ基板のカット角を、基板表面に形成されたＡｕあるいはＣｕ電極の付加質量に対して、従来よりも高角度側に最適化する。 - 特許庁

This solar cell is composed of a board 1, an FTO layer 2, a shield TiO2 layer 3, a TiO2 layer 4 which is equipped with a fluoride layer and sensitized, a hole transport material (HTM) 5, and an Au layer 6.例文帳に追加

本発明の太陽電池において、基板１、ＦＴＯ層２，遮蔽ＴｉＯ２層３、フッ素化物層を備え増感されたＴｉＯ２層４、ホール輸送材料（ＨＴＭ）５、及びＡｕ層６とから構成されている。 - 特許庁

The IDT is composed of Au having a normalized film thickness H/λ=0.001 to 0.05 on a LiTaO_3 substrate having an Euler angle (0°, 125° to 137°, 0°±5°), and an SH wave having a small propagation loss is excited.例文帳に追加

オイラー角（０ー，１２５ー〜１４６ー，０ーア５ー）であるＬｉＴａＯ_3基板上に、規格化膜厚Ｈ／λ＝O．００１〜０．０５のＡｕによりＩＤＴを構成して伝搬損失の少ないＳＨ波を励振する。 - 特許庁

On a non-magnetic disk substrate 1 made of an Al alloy, a first NiP layer 2, an intermediate layer 3 made of either Au or Pd, and a second NiP layer 4 are formed in this order.例文帳に追加

Ａｌ合金からなるディスク状の非磁性基体１上に、ＮｉＰ第１層２、Ａｕ或いはＰｄの少なくとも一方からなる中間層３、及びＮｉＰ第２層４がこの順に形成されている。 - 特許庁

After formation of a barrier metal 4 on an electrode pad 2, it is patterned with resist 5, and an Au electrode 6 which has a height equal to the thickness of the film of the resist 5 or under is made on the electrode pad 2.例文帳に追加

電極パッド２上にバリアメタル層４を形成した後に、レジスト５でパターニングをし電極パッド２上にレジスト５の膜厚と同等かそれ以下の高さを有するＡｕバンプ電極６を形成する。 - 特許庁

The anisotropic electroconductive film contains the tubular metal powder which has been formed by using Au as the main metal, and has an average length of the chain adjusted to less than distance between electrodes to be electrically connected, as an electroconductive component.例文帳に追加

異方導電フィルムは、主材金属としてＡｕを用いて形成した、鎖の平均長さを、導電接続する電極間の距離未満に調整した管状金属粉末を、導電成分として含有させた。 - 特許庁

Further, by using the catalytic particles formed by an activation treatment as nuclei, a cylindrical electrode membrane consisting of the electroless plated layer of such as a Cu layer, a Ni-P alloy layer, an Au layer, etc., is formed by the electroless plating.例文帳に追加

さらに、活性化処理により形成される触媒粒子を核として、無電解めっきにより、Ｃｕ層，Ｎｉ−Ｐ合金層，Ａｕ層などの無電解めっき層からなる筒状電極膜を形成する。 - 特許庁

Then, the electrode 25 for external connections of an acceleration sensor element A of a sensor element, and an electrode 53 for connecting sensors at the side of the inner bottom surface of the packaging substrate 5, are jointed at normal temperature via the first Au bump 9.例文帳に追加

次に、センサ素子である加速度センサエレメントＡの外部接続用電極２５と実装基板５の内底面側のセンサ接続用電極５３とを第１のＡｕバンプ９を介して常温接合する。 - 特許庁

A board 1 is equipped with electrode pads 5 as the exposed parts of a metal layer formed on a board main body 2, an NI plating layer 9 formed on the surface of the board main body 2, and an Au plating layer 10 formed on the Ni plating layer 9.例文帳に追加

基板１は、基板本体２に形成された金属層のうち露出部分である電極パッド５と、この表面に形成されたＮｉメッキ層９及びこの上に形成されたＡｕメッキ層１０と備える。 - 特許庁

The performance of a TPH can be enhanced by a heating resistance formed of an MO-Au conductive material and a heating part 51 constituted of a meandered conductor.例文帳に追加

本発明のＴＰＨはＭＯ−Ａｕ導体材料で構成された発熱抵抗、ミアンダ形状による導体で製造された発熱部５１でＴＰＨの性能を高めることが出来る。 - 特許庁

Then, the back surface side of the sample 20 is polished to provide a thickness through which X-rays is transmitted, then an X-ray absorption film 23 made of metal such as Au is formed on the back surface of the sample 20.例文帳に追加

次に、試料２０の裏面側を研磨してＸ線が透過する厚さにした後、試料２０の裏面にＡｕ等の金属からなるＸ線吸収膜２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing wiring board by which an Au plating layer with a specified thickness can be formed surely and individually at connection terminals on first and second main surfaces.例文帳に追加

第１主面および第２主面の接続端子にそれぞれ所要の厚みのＡｕメッキ層を個別に且つ確実に形成するための配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The pad 18 consists of a two-layer film where an Au film 19b is laminated on a Ni film 19a, and is formed integrally to cover the top face and the side face of the rewiring 15.例文帳に追加

パッド１８は、Ｎｉ膜１９ａの上部にＡｕ膜１９ｂを積層した２層膜からなり、再配線１５の上面および側面を覆うように一体形成されている。 - 特許庁

The performance of a TPH can be enhanced by a heating resistance formed of an MO-Au conductive material, and a heating part 51 constituted of a meandered conductor.例文帳に追加

本発明のＴＰＨはＭＯ−Ａｕ導体材料で構成された発熱抵抗、ミアンダ形状による導体で製造された発熱部５１でＴＰＨの性能を高めることが出来る。 - 特許庁

Rectangular image indicating an access unit is provided on the coordinate surface to indicate arrival time of the access unit AU and time of a time stamp PTS/DTS by sides of the rectangular display.例文帳に追加

この座標面上にアクセスユニットを示す矩形状表示を設け、矩形状表示の辺で該アクセスユニットＡＵの到着時間とタイムスタンプＰＴＳ／ＤＴＳの時間を示すようにする。 - 特許庁

A connection electrode 31 of a ceramic package with which the crystal oscillator body 2 is joined is made of plated thick films whose first layer is a metalized layer 31a and whose second layer is an Au 31b.例文帳に追加

水晶振動体２を接合するセラミックパッケージの接続電極３１は、第一層がメタライズ層３１ａ、第二層がＡｕ３１ｂでありメッキにより形成されている厚膜である。 - 特許庁

The semiconductor device includes a flip-chip type semiconductor light emitting element 10 in which p-type first bumps 14, 15 are respectively provided at p-type element side electrodes 11, 12 so that the bumps are each an Au plated bump.例文帳に追加

フリップチップ型の半導体発光素子１０に設けられたｐ型の素子側電極１１、１２にｐ型等の第１のバンプ１４、１５を設け、該バンプはＡｕのメッキバンプである。 - 特許庁

To provide a highly reliable light-emitting device and an illumination device capable of preventing high cost by using gold (Au) for a power feeding terminal layer that is a part of a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの一部である給電端子層に金（Ａｕ）を用いることにより、高コストを抑制し、信頼性の高い発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sheet connector 1 is structured of a rectangular parallelepiped rubber sheet 2, an adhesive sheet coating the rubber sheet, and a plurality of Au films 4 attached on both sides of the adhesive sheets at a constant pitch.例文帳に追加

シートコネクタ１は、直方体状のゴムシート２と、ゴムシートを被覆する粘着シート３と、粘着シートの両側に一定のピッチで貼付された複数のＡｕ膜４とから構成される。 - 特許庁

A metal film, for example a laminated metallic film 36 of 20 nm thickness Ti film and 200 nm thickness Au film is deposited, for example by means of an electron beam irradiation.例文帳に追加

本製造方法は、ＧａＡｓ基板１２全面に例えば電子ビーム法で金属膜、例えば膜厚２０ｎｍのＴｉ膜／膜厚２００ｎｍのＡｕ膜の積層金属層３６を堆積する。 - 特許庁

For the separator 10 formed in this manner, the Au plating film 12 is formed at the main surface 10a, and an end face 16 following the main surface 10a is used as a cutting face 16.例文帳に追加

このように形成されたセパレータ１０は、主表面１０ａにＡｕメッキ膜１２が形成されるとともに、該主表面１０ａに続く端面１６が切断面１６とされる。 - 特許庁

A reverse side of an insulation member 21 which is composed of a diamond and has a metal layer 22 is fixed to a sub-mount 20 made of copper with a solder material 12 composed of Au/Sn superior in thermal conductivity.例文帳に追加

ダイヤモンドより成り、金属層２２を有する絶縁部材２１の裏側は、熱伝導性に優れるＡｕ／Ｓｎより成る半田材１２により、銅製のサブマウント２０に固定されている。 - 特許庁

An Au film 7 is partially formed as a metal film on a light emitting layer section 9 constituted of a material expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP(wherein, 0<x≤1 and 0<y≤1).例文帳に追加

（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）により構成された発光層部９上に、金属膜としてのＡｕ膜７が部分的に形成されている。 - 特許庁

Conductor bumps 60, 60,... and so on are formed on the wiring pads 41b, 41b of a double-layer plate 52, barrier metal layer 61 and an Au layer 62 are also formed, and a semiconductor element 70 is also formed thereon.例文帳に追加

２層板５２の配線パッド４１ｂ，４１ｂ上に導体バンプ６０，６０，…を形成し、バリアメタル層６１とＡｕ層６２を形成し、その上に半導体素子７０を実装する。 - 特許庁

The metal layers 18, 28 and 19, 29 are each configured of a laminated film of a Ti film and an Au film on insulating films 16, 23.例文帳に追加

各封止用接合金属層１８，２８および各接続用接合金属層１９，２９は、それぞれ、絶縁膜１６，２３上のＴｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成されている。 - 特許庁

An electrode layer 28 is connected to a magneto-resistive element 25, a lead film 35 is connected to this electrode layer 28, and the lead film 35 constitutes the magneto-resistive head consisting of Au film.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子２５に電極膜２８が接続され、この電極膜２８にリード膜３５が接続され、このリード膜３５がＡｕ膜から成る磁気抵抗効果型ヘッドを構成する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing having high adhesiveness to Ag, Pd, Pd-Au, etc. and capable of suppressing release after hygroscopic re-flow, and a semiconductor device using the composition.例文帳に追加

Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕ等との接着性が高く、さらに吸湿リフロー後の剥離も抑制できる封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then a plated metal, for example, a plated Au layer 8 which is formed in a prescribed pattern and becomes the gate electrode of an MESFET is grown from the lower power feeding layer (laminated metal layer 4).例文帳に追加

そして、初め下層の給電層（積層メタル層４）でもって所定のパターンのメッキ金属、例えばＭＥＳＦＥＴのゲート電極となるＡｕメッキ層８を成長させる。 - 特許庁

The first catalyst: The catalyst containing metals of at least one kind of the elements selected from Cu, Cr, Fe, Pt, Pd, Au, Ag, Rh, and Ru or the oxide as an indispensable component.例文帳に追加

第１触媒：Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕから選ばれる少なくとも１種の元素の金属またはその酸化物を必須成分として含有する触媒。 - 特許庁

The bonding pad 5 of the wiring board 2 and the electrode 6 of the semiconductor chip 3 are connected using a wire 7 such as an Au-line etc. via a stud bump 9 formed on the bonding pad 5.例文帳に追加

配線基板２のボンディングパッド５と、半導体チップ３の電極６とは、ボンディングパッド５に形成されたスタッドバンプ９を介してＡｕ線等のワイヤ７で結線されている。 - 特許庁

The wireless IC chip 5 is connected to a feeder circuit 15, which is formed on the sheet 10 and has a prescribed resonance frequency and a prescribed impedance, through an Au bump 6.例文帳に追加

無線ＩＣチップ５はシート１０上に形成された所定の共振周波数及び所定のインピーダンスを有する給電回路１５にＡｕバンプ６を介して接続されている。 - 特許庁

An Au wire 5 and a resin sealing part 4 for protecting the semiconductor chip 3 are formed at the through hole part 2a to be higher than the surface of wiring pattern of the wiring board 2.例文帳に追加

貫通孔部２ａにはＡｕワイヤ５及び半導体チップ３を保護する樹脂封止部４が配線基板２の配線パターン表面よりも高くなるように形成されている。 - 特許庁

To inexpensively provide a smoothed solder face constituted of Au-Sn eutectic alloy, suitable for packaging an electronic component when packaging the electronic component on the solder face of a substrate.例文帳に追加

基板のはんだ面に電子部品を搭載する場合に、電子部品を搭載するに適したＡｕ−Ｓｎ共晶合金からなる平滑化されたはんだ面を安価に提供する。 - 特許庁

To prevent defective InGaP etching which occurs when the surface of an electrode is composed of a noble metal, such as Au, etc., at the time of etching InGap by using the electrode as a mask.例文帳に追加

電極をマスクにしてＩｎＧａＰのエッチングを行う際に、電極の表面がＡｕ等の貴金属である場合に発生するＩｎＧａＰのエッチング不良を防止すること。 - 特許庁

The semiconductor chip 1 with an external lead-out electrode 12 containing Al has furthermore a projection electrode 15 containing Au on the surface of the external lead-out electrode 12 containing Al.例文帳に追加

このＡｌを含む外部引出電極１２を有する半導体チップ１は、Ａｌを含む外部引出電極１２の表面にＡｕを含む突起電極１５をさらに有している。 - 特許庁

The bump electrode 1, formed by melting an Au wire 14 with this bump electrode forming tool 2, is formed larger in volume of its protrusive part than in volume of its base part 1a.例文帳に追加

この突起電極形成ツール２により金ワイヤ１４を溶融成形した突起電極１は、その基底部１ａの体積より突出部１ｂの体積が大きく形成される。 - 特許庁

Since the light is prevented from being made incident on the electrode 10 and an Au wire 11 or the incident light is reflected in a direction where it goes away from the optical fiber F, the returning light quantity is restrained.例文帳に追加

電極１０およびＡｕワイヤ１１に光が入射しないようにし、または入射した光を光ファイバＦから離れる方向に反射するので、戻り光量を抑制できる。 - 特許庁

To provide a circuit board that can be directly subjected to bonding junction via an Au wire to a surface wiring conductor 2 using Ag as a main constituent, and, furthermore, has stable junction strength.例文帳に追加

本発明は、Ａｇを主成分とする表面配線導体２に、直接Ａｕワイヤを介してボンディング接合でき、しかも、その接合強度が安定した回路基板を提供する。 - 特許庁

In the wiring board 1, the metal terminal pad 10, 17 comprises a Cu plating layer 52, an Ni plating layer 53 and an Au plating layer 54 formed sequentially from the first major surface CP side wherein the Ni plating layer 53 is an electrolytic Ni plating layer 53.例文帳に追加

配線基板１において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３及びＡｕメッキ層５４がこの順序で積層されるとともに、Ｎｉメッキ層５３が電解Ｎｉメッキ層５３とされる。 - 特許庁

Preferably, the mixture layer is provided in such a manner that vapor deposition by resistance heating, using the Au-containing gold-based material as an evaporation source, and vapor deposition by an electronic beam, using Ti as an evaporation source, are performed in the same apparatus.例文帳に追加

また、混在層は、Ａｕを含む金系材料を蒸発源として用いた抵抗加熱による蒸着と、Ｔｉを蒸発源として用いた電子ビームによる蒸着とを同一装置内で行うことにより設けられたものであるのが好ましい。 - 特許庁