「anti- parallel」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The nickel iron layer 32 is magnetized in a second direction in anti-parallel with the first direction.例文帳に追加

ニッケル鉄層３２は第１の方向とは反平行の第２の方向に磁化されている。 - 特許庁

The anti-jamming part 17 has a condenser furnished with a varistor connected in parallel.例文帳に追加

前記妨害対抗部１７が、並列接続されたバリスタを備えたコンデンサを有している。 - 特許庁

The first and second series arrays are connected and operated in anti-parallel.例文帳に追加

前記第１及び第２の直列アレイは、互いに逆並列で連結されて動作する。 - 特許庁

To provide an MTJ element which can write set/reset states in addition to the two values of spin parallel state/spin anti-parallel states.例文帳に追加

スピン平行／反平行状態の２値に加えて、リセット／セット状態の書き込みを可能とするＭＴＪ素子を提供する。 - 特許庁

A magnetic moment of the anti-parallel layer 220 is substantially anti-parallel to a magnetic moment of the ferrimagnetic layer 210 at least within a prescribed temperature range of the magnetic tunnel junction device 200.例文帳に追加

反平行層２２０の磁化モーメントは磁気トンネル接合デバイス２００の少なくとも所定温度内でフェリ磁性層２１０の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている。 - 特許庁

According to the invention, the free layer 205 includes a ferrimagnetic layer 210 and an anti-parallel layer 220.例文帳に追加

本発明によると、フリー層２０５はフェリ磁性層２１０と反平行層２２０を備えている。 - 特許庁

To increase an anti-parallel coupling strength of a fixed magnetization layer of a GMR sensor or TMR sensor.例文帳に追加

ＧＭＲセンサ及びＴＭＲセンサの、固定磁化層の反平行結合強度を増大させる。 - 特許庁

SENSOR HAVING ANTI-PARALLEL FIXED MAGNETIZATION LAYER USING THIN RUTHENIUM SPACER AND FERROMAGNETIC FIELD HEAT TREATMENT例文帳に追加

薄いルテニウムスペーサおよび強磁場熱処理を用いた反平行固定磁化層を有するセンサ - 特許庁

A booster circuit (150) is provided with an inductor (250), the transformer switch (262) of the transformer, and the anti-parallel diode (271).例文帳に追加

ブースタ回路（１５０）は、インダクタ（２５０）、変換器の変換スイッチ（２６２）、逆並列ダイオード（２７１）を備える。 - 特許庁

A fixed layer 56 is formed as a single layer having one magnetizing direction or as a plurality of sub-layers having the parallel and anti-parallel magnetizing direction.例文帳に追加

固定層５６は、一つの磁化方向を有する単一層として、あるいは、平行および反平行の磁化方向を有する複数の副層として形成する。 - 特許庁

A switch 3, a diode 4 and a capacitor 5 are connected to one winding 2 of the transformer 1 and anti-parallel-connected light emitting diodes(LED) 10 are connected to the other wiring 9 of the transformer.例文帳に追加

変成器１の一方の巻線２側に、スイッチ３とダイオード４とコンデンサ５が接続される。 - 特許庁

Magnetizing direction of the fixed magnetic material layers 31a, 31b, 33a and 33b contiguous in the vertical direction are anti-parallel and magnetizing direction of the free magnetic material layers 24 and 26 contiguous in the vertical direction are anti-parallel.例文帳に追加

上下方向で接する階層の固定磁性材料層３１ａ，３１ｂ、３３ａ，３３ｂ同士の磁化方向は反平行で、上下方向で接する階層のフリー磁性材料層２４，２６の磁化方向は反平行である。 - 特許庁

To provide a joint structure of a parallel link mechanism of simple construction having sufficient rigidity, accuracy, and anti-abrasiveness.例文帳に追加

構造が簡単で十分な剛性および精度と耐摩耗性を備えたパラレルリンク機構の継手構造を提供すること。 - 特許庁

The anti-leakage wall 14 is constituted by overlapping a plurality of folded pleats F in a step-like manner and to be in parallel mutually.例文帳に追加

防漏壁１４は複数の折りひだＦが階段状に且つ互いに平行に重ねられて構成されている。 - 特許庁

The conductive pattern 12 forms capacitance for anti-crosstalk as well as anti-reflection with the use of a parallel part within a single side of the board 11 and a polymerized part between both sides of the board 11.例文帳に追加

導体パターン１２は、基板１１の片面内の平行部分と、基板１１の両面間の重合部分とを利用して漏話対策用、反射対策用の容量を形成する。 - 特許庁

A switch SW31 in which a diode D31 is connected in an anti- parallel is connected in series with the primary winding 21 of a transformer 2.例文帳に追加

逆並列にダイオードＤ３１が接続されたスイッチＳＷ３１を変圧器２の一次巻線２１に直列に接続する。 - 特許庁

The detection curve correction diode 2 is anti-parallel connected to the detection diode 1, that is, the cathode of the diode 2 is connected to the anode of the diode 1.例文帳に追加

検波曲線補正ダイオード２は、検波ダイオード１に対してアノードとカソードの極性が反転されて並列接続される。 - 特許庁

Battery current Ib flowing inside the battery 20 flows in the anti-parallel diode 70 and bypasses this battery cell 80.例文帳に追加

バッテリ２０の内部を流れるバッテリ電流Ｉｂは、その逆並列ダイオード７０を流れて、上記のバッテリセル８０をバイパスする。 - 特許庁

The the first fixed magnetization region 11a and second fixed magnetization region 11b have magnetization fixed in mutually anti-parallel directions.例文帳に追加

第１磁化固定領域１１ａ及び第２磁化固定領域１１ｂは、互いに反平行方向に固定された磁化を有する。 - 特許庁

This inverter is provided with flywheel diodes 31, 32 connected in anti-parallel to a pair of switching elements 41, 42 that are controlled in such a way as to be conducted alternately.例文帳に追加

交互に導通するように制御される一対のスイッチング素子４１・４２と逆並列にフライホイールダイオード３１・３２を備える。 - 特許庁

To provide a switching element containing a high speed diode which has no need of outside-attaching an anti-parallel diode in an SiC cascode element.例文帳に追加

ＳｉＣカスコード素子において、逆並列ダイオードを外付けする必要がない、高速のダイオードを内蔵するスイッチング素子を提供する。 - 特許庁

A monopole vertical head 300 is obtained by an induction type writing head structure constituted by a structure obtained by alternately laminating a plurality of anti-parallel coupling layers 403, 406 and 410 and a plurality of ferromagnetic layers 402, 404, 408 and 412 for forming an anti-parallel coupling ferromagnetic stack.例文帳に追加

単極垂直書込ヘッド３００は、アンチパラレル結合強磁性スタックを形成するために、複数のアンチパラレル結合層４０３，４０６，４１０と、複数の強磁性層４０２，４０４，４０８，４１２を交互に積層した構造で構成される誘導型書込ヘッド構造により得られる。 - 特許庁

A TMR device comprises: a shield layer; a seed layer; an antiferromagnetic layer; a second anti-parallel layer including a portion subjected to plasma processing; a ruthenium layer having a thickness of 4 Å; a CoFex layer; a first anti-parallel layer; a tunnel barrier layer; a magnetic free layer; and a cap layer, in order.例文帳に追加

本発明のＴＭＲデバイスは、シールド層と、シード層と、反強磁性層と、プラズマ処理部分を含む第２の反平行層と、４Åの厚さを有するルテニウム層と、ＣｏＦｅx 層と、第１の反平行層と、トンネルバリア層と、磁気フリー層と、キャップ層とを順に備える。 - 特許庁

First and second resistors R1, R2 are connected in series and connected in parallel with the anti-parallel circuit of the 1st and 2nd diodes D1, D2 between a couple of the output terminals of the circuit.例文帳に追加

第１及び第２の抵抗Ｒ１及びＲ２は、互いに直列接続されて、一対の出力端子間に、第１及び第２のダイオードＤ１及びＤ２の逆並列回路に並列に接続される。 - 特許庁

The first magnetic conductor 3 of the first spin injection section 10 is fixed by a first anti-ferromagnetic conductor 4 and the second magnetic conductor 8 of the second spin injection section 11 is fixed by a second anti-ferromagnetic conductor 4 so that their directions of magnetization become anti-parallel to each other.例文帳に追加

第一のスピン注入部１０の第一の磁性導電体３は第一の反強磁性導電体４によって、第二のスピン注入部１１の第二の磁性導電体８は第二の反強磁性導電体４によって、互いの磁化の方向が反平行になるように固定する。 - 特許庁

Conventional anti-aliasing applied in a direction parallel with stripes of pixel sub-components at the time of character rendering is made to meet requirements peculiar to individual character font sizes so that much anti-aliasing may be provided for large font sizes and little anti-aliasing may be provided for characters of small font sizes.例文帳に追加

文字のレンダリング時に、ピクセル・サブ・コンポーネントのストライプに平行な方向で適用される従来のアンチ・エイリアシングを、大きいフォント・サイズに多量のアンチ・エイリアシングを、小さいフォント・サイズの文字には少量のアンチ・エイリアシングを提供するように、個々の文字フォント・サイズに特有の要件に適合させる。 - 特許庁

Accordingly, an actual process for writing to the anti-fuse element 330 can be performed in parallel for the plurality of chips, and as a result, the process for writing to the anti-fuse element 330 can be performed speedily.例文帳に追加

これにより、アンチヒューズ素子３３０への実際の書き込み処理については、複数のチップについて並列に実行することができ、結果的にアンチヒューズ素子３３０への書き込み処理を高速に行うことが可能となる。 - 特許庁

A magnetoresistive laminated film 10 is formed by laminating a substrate film 14, an anti-ferromagnetic film 11, a ferromagnetic fixed layer 15, a non-magnetic intermediate layer 12, a soft magnetic free layer 13, a long distance anti-parallel coupling laminated film 17, and a differential soft magnetic free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗効果積層膜10は、下地膜14、反強磁性膜11、強磁性固定層15、非磁性中間層12、軟磁性自由層13、長距離反平行結合積層膜17、差動軟磁性自由層16を積層してなる。 - 特許庁

In the storage cell 12Ev, inductive magnetic fields are strengthened mutually, magnetization of each magneto-sensitive layer of the magnetic resistance effect elements 12A, 12B are anti-parallel mutually.例文帳に追加

記憶セル１２Ｅｖでは、誘導磁界が互いに強め合い、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの各感磁層の磁化を互いに反平行とする。 - 特許庁

The transformer (180) is provided with a transformer switch (261-264) and an anti-parallel diode (271-274) to generate output voltage of a high power factor transformer system.例文帳に追加

変換器（１８０）は、変換器スイッチ（２６１−２６４）、逆並列ダイオード（２７１−２７４）を備え、高力率変換器システムの出力電圧を発生する。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

The converter includes two switching elements connected in series, two diodes connected in anti-parallel with the two switching elements respectively, and a reactor.例文帳に追加

コンバータは、直列に接続された２つのスイッチング素子と、２つのスイッチング素子にそれぞれ逆並列に接続される２つのダイオードと、リアクトルとを含む。 - 特許庁

To reduce voltage applied in the direction opposite to a self- extinguishing semiconductor device which is connected anti-parallel to a free- wheel diode, and to suppress cost increase.例文帳に追加

フリーホイールダイオードと逆並列接続されている自己消弧型半導体素子の逆方向の印加電圧を低減し、コストの上昇を抑制することである。 - 特許庁

A magnetization direction of the ferromagnetic body B for bias is aligned in a specified direction nearly parallel to the direction of the external magnetic field Z by the anti-ferromagnetic body A.例文帳に追加

そしてこの反強磁性体Ａによって、バイアス用強磁性体Ｂの磁化方向が外部磁界Ｚに略平行となる一方向に決定される。 - 特許庁

When any battery cell 80 within a battery 20 becomes in a back charging state, an anti-parallel diode 70 connected with the battery cell 80 in parallel is turned on because inter-terminal voltage of the battery cell 80 becomes negative.例文帳に追加

バッテリ２０内の何れかのバッテリセル８０が逆充電状態になると、そのバッテリセル８０に並列に接続されている逆並列ダイオード７０は、そのバッテリセル８０の端子間電圧が負になったことにより、オンする。 - 特許庁

The sensor includes a pair of free magnetic layers, and by a thin non-magnetic coupling layer sandwiched between the free magnetic layers, these free magnetic layers are anti-parallel coupled.例文帳に追加

センサは、一対の自由磁性層を有し、これらの自由磁性層の間に挟まれた薄い非磁性の結合層によってこれらの自由磁性層は反平行結合される。 - 特許庁

At that time, the RFIC 40, the anti-fuse element 50, and the piezoelectric element 60 are connected in parallel between the first wiring conductor 22A and the second wiring conductor 22B.例文帳に追加

この際、ＲＦＩＣ４０、アンチヒューズ素子５０、および圧電素子６０は、第１配線導体２２Ａと第２配線導体２２Ｂとの間に並列接続されている。 - 特許庁

To provide a spin transistor having a sufficiently high resistance change rate between a source electrode and a drain electrode, when the magnetization directions of a spin polarized carrier injection layer and a spin filter layer are parallel and anti-parallel, and its manufacturing method.例文帳に追加

スピン偏極キャリア注入層とスピンフィルタ層の磁化の向きが平行の場合と反平行の場合における、ソース・ドレイン電極間の抵抗変化率が十分に大きなスピントランジスタ、及びこのようなスピントランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the magnetic memory element stays in a parallel state/anti-parallel state once the value is written by supplying a current, and electric power need not be continuously supplied so as to continuously obtain the power, so that the power consumption is reduced.例文帳に追加

また磁気メモリ素子は一度電流を流して値を書き込めば平行状態／反平行状態を維持するものであり、従って動力を継続して得るにあたり電力を与え続ける必要性はなく、この面で低消費電力化が図られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing the semiconductor switching element of a wide gap semiconductor that eliminates the need for a snubber capacitor having been externally mounted and connected in parallel with a flywheeling diode of the wide gap semiconductor in anti-parallel connection to the semiconductor switching element.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体の半導体スイッチング素子を用いた半導体装置において，半導体スイッチング素子に逆並列接続されるワイドギャップ半導体のフリーホイーリングダイオードに外付けで並列に接続されるスナバコンデンサをなくすこと。 - 特許庁

To provide a reverse conducting thyristor which has, with a diode anti-parallel jointed to a GTO thyristor, no variation in insulating characteristics, with a small area at a separation part.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとが逆並列接合された逆導通サイリスタにおいて、分離部の面積が小さくかつ絶縁特性にばらつきのない逆導通サイリスタを提供する。 - 特許庁

The differential variable capacitance circuit 150 has a configuration wherein at least a set of varactor diodes 115a, 115b are connected in an anti-parallel manner and are separated in a DC manner by means of capacitors 113a, 113b, 114a, 114b.例文帳に追加

差動可変容量回路１５０は、少なくとも１組のバラクタダイオード１１５ａ，１１５ｂを逆並列に接続し、コンデンサ１１３ａ，１１３ｂ，１１４ａ，１１４ｂで直流的に分離した構成とする。 - 特許庁

The anti-parallel circuit consisting of 1st and 2nd diodes D1, D2 is bridged over output terminals at the output of the 1st and 2nd constant current elements Z1, Z2.例文帳に追加

第１及び第２のダイオードＤ１及びＤ２の逆並列回路は、第１及び第２の定電流素子Ｚ１及びＺ２の出力側の出力端子間に橋架して接続される。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

In a wide band dynamic range slice circuit, an anti-parallel connected diode couple is connected between points N0 and N1, a peak hold capacitor C1 is connected between the point N1 and the ground, a gamma correcting circuit 6E21 is parallel connected to the diode couple, and an injection component adjusting circuit 6E22 is parallel connected to the peak hold capacitor C1.例文帳に追加

本発明の広帯域広ダイナミックレンジ・スライス回路は、点Ｎ０とＮ１との間に逆並列接続ダイオード対が接続され、点Ｎ１とグランドとの間にピークホールドコンデンサＣ１が接続され、ダイオード対に対してガンマ補正回路６Ｅ２_１が並列に、ピークホールドコンデンサＣ１に対して注入成分調節回路６Ｅ２_２が並列に接続される。 - 特許庁