「bipolar transistor amplifier」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND POWER AMPLIFIER EMPLOYING IT例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びこれを用いた電力増幅器 - 特許庁

MULTIFINGERED BIPOLAR TRANSISTOR AND ANALOG SIGNAL AMPLIFIER例文帳に追加

マルチフィンガ型バイポーラトランジスタおよびアナログ信号増幅器 - 特許庁

HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND AMPLIFIER PROVIDED WITH IT例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを備える増幅器 - 特許庁

POWER AMPLIFIER USING BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

バイポーラトランジスタを用いた電力増幅器とその製造方法 - 特許庁

The distortion generator 19 has an amplifier including a bipolar transistor 23.例文帳に追加

歪み発生器１９は、バイポーラトランジスタ２３を含む増幅器を有する。 - 特許庁

The amplifier circuit is provided with an emitter-grounded first bipolar transistor and a bias circuit of the first bipolar transistor.例文帳に追加

増幅回路は、エミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのバイアス回路とを備える。 - 特許庁

This amplifier circuit includes a grounded-emitter first bipolar transistor, and a bias circuit of the first bipolar transistor.例文帳に追加

増幅回路は、エミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのバイアス回路と、を備える。 - 特許庁

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND POWER AMPLIFIER USING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法、及びそれを用いた電力増幅器 - 特許庁

FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, AND AMPLIFIER例文帳に追加

半導体装置の製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法、並びに増幅器 - 特許庁

To develop a bipolar transistor for power amplifier in a short time and at a low cost.例文帳に追加

電力増幅器用バイポーラトランジスタを短期かつ低費用で開発する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor and a radio frequency amplifier circuit capable of preventing thermal runaway in the bipolar transistor without affecting the radio frequency amplifier circuit.例文帳に追加

高周波増幅回路に悪影響を与えること無く、バイポーラトランジスタの熱暴走を防止することが可能なバイポーラトランジスタおよび高周波増幅回路の提供を目的とする。 - 特許庁

The high-frequency amplifier comprises a first bipolar transistor having a collector with a power voltage applied thereto and also having an emitter grounded, a resistor connected to the emitter of the first bipolar transistor, and a capacitor connected to the emitter of the first bipolar transistor in parallel to the resistor.例文帳に追加

高周波増幅器は、コレクタに電源電圧が印加されるエミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗と、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに、抵抗と並列に接続されたコンデンサと、を備える。 - 特許庁

In this semiconductor device, an amplifier 101 and a frequency mixer 102 are composed of a heterojunction bipolar transistor (HBT).例文帳に追加

この半導体装置では、増幅器１０１および周波数混合器１０２がヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）で構成された。 - 特許庁

A power amplifier 1002 is provided with a bipolar transistor Tr1, a variable impedance element 1, a resistor Rx and a capacitor Cx.例文帳に追加

電力増幅器１００２は、バイポーラトランジスタＴｒ１、可変インピーダンス素子１、抵抗素子Ｒｘおよびキャパシタンス素子Ｃｘを備える。 - 特許庁

An input-stage RF amplifier 11 inputs the RF reception signal of a digital terrestrial broadcasting wave and amplifies it by a bipolar transistor 112.例文帳に追加

入力段ＲＦアンプ１１では、地上デジタル放送波のＲＦ受信信号を入力してバイポーラトランジスタ１１２によって増幅する。 - 特許庁

To attain a desired high frequency performance when a bipolar transistor is employed as the oscillation amplifier of an oscillation circuit while reducing the size and cost.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを発振回路の発振アンプとして用いた場合に、所望の高い高周波性能を得ると共に、小型、低コスト化を図る。 - 特許庁

To provide a high frequency amplifier capable of preventing destruction of a bipolar transistor due to an overcurrent without deteriorating a high frequency characteristic.例文帳に追加

高周波特性を劣化させることなく、バイポーラトランジスタの過電流によるり破壊を防ぐことができる高周波増幅器を提供する - 特許庁

To improve the linearity of a high frequency power amplifier employing a bipolar transistor in high output operation.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器において、高出力動作における線形性を改善する。 - 特許庁

To provide a hetero junction bipolar transistor capable of reducing the collector voltage dependency of a gain and an amplifier provided with it.例文帳に追加

利得のコレクタ電圧依存性を低減できるヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびそれを備える増幅器を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that a heterojunction bipolar transistor applied to a high-frequency transmission power amplifier is required to have a high breakdown voltage.例文帳に追加

高周波用送信パワーアンプに適用されるヘテロ接合バイポーラトランジスタには、高耐圧性が要求される。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor having improved breakage resistance without deteriorating the distortion characteristics and efficiency of a power amplifier.例文帳に追加

パワーアンプの歪特性及び効率を悪化させずに耐破壊性を向上させることが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること - 特許庁

In this case, a feedback amplifier circuit employs a bipolar transistor (Q1) so as to be easily driven by the low power.例文帳に追加

この場合、低電力で簡易かつ駆動できるように帰還増幅回路にバイポーラトランジスタ（Ｑ１）を適用する。 - 特許庁

The broadband amplifier circuit includes: a first bipolar transistor 11 whose input terminal receives an RF signal; a transistor output circuit 22 connected to the collector of the first bipolar transistor 11; and a feedback circuit connected between an output terminal of the transistor output circuit 22 and the base of the first bipolar transistor 11.例文帳に追加

この広帯域増幅回路は、入力端にＲＦ信号が入力される第一のバイポーラトランジスタ１１と、前記第一のバイポーラトランジスタ１１のコレクタに接続されたトランジスタ出力回路２２と、前記トランジスタ出力回路２２の出力端と前記第一のバイポーラトランジスタ１１のベースとの間に接続された帰還回路とを備える。 - 特許庁

The distortion generators 19 and 20 generate corresponding distortion components of a driver amplifier having a MOS transistor using an amplifier comprising a bipolar transistor.例文帳に追加

歪み発生器１９および２０は、バイポーラトランジスタを含む増幅器を用いて、ＭＯＳトランジスタを有するドライバアンプの応じた歪み成分を発生する。 - 特許庁

A technique for mounting a bipolar transistor and a field-effect transistor on the same substrate enables a power amplifier including a power amplifier module and a regulator module 801 to be configured with one chip.例文帳に追加

パワーアンプモジュールとレギュレータモジュール８０１を含むパワーアンプをバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとを同一基板上に備える技術によって１チップで構成する。 - 特許庁

The broadband amplifier circuit includes: a first bipolar transistor 11 whose base receives an RF signal; an FT doubler circuit 22 connected to the collector of the first bipolar transistor 11; and a feedback circuit 27 connected between an output terminal of the FT doubler circuit 22 and the base of the first bipolar transistor 11.例文帳に追加

この広帯域増幅回路は、ベースにＲＦ信号が入力される一方のバイポーラトランジスタ１１と、一方のバイポーラトランジスタ１１のコレクタに接続されたＦＴダブラー回路２２と、ＦＴダブラー回路２２の出力端と一方のバイポーラトランジスタ１１のベースとの間に設けられた帰還回路２７とを具備する。 - 特許庁

The differential amplifier 50A has a differential amplifier stage 54 configured to comprise a couple of bipolar transistors(TRs) 55, 56, an unbalanced input signal is applied to a base of the bipolar transistor 55 and a couple of output nodes 63, 66 output differential signals.例文帳に追加

本差動増幅器５０Ａは、一対のバイポーラトランジスタ５５、５６を含んで構成される差動増幅段５４を有し、バイポーラトランジスタ５５のベースに不平衡入力信号が印加され、一対の出力ノード６３、６６から差動信号を出力する。 - 特許庁

This power amplifier 100 includes: a bipolar transistor 102 for amplifying a signal input to the base and outputs the amplified signal from the collector; and an inductor 107 between the emitter of the bipolar transistor 102 and the ground.例文帳に追加

本発明の電力増幅器１００は、ベースに入力された信号を増幅し、コレクタから増幅された信号を出力するバイポーラトランジスタ１０２と、バイポーラトランジスタ１０２のエミッタと接地との間にインダクタ１０７とを備える。 - 特許庁

A current mirror circuit 110 utilizes a bipolar transistor Q2 to generate, in an amplifier circuit 10, an inspection current for inspecting characteristics of the amplifier circuit 10.例文帳に追加

カレントミラー回路１１０は、バイポーラトランジスタＱ２を利用して、増幅回路１０の特性を検査するための検査電流を、増幅回路１０において生じさせる。 - 特許庁

To provide a high-frequency amplifier in which breakdown of a bipolar transistor caused by an excess current can be prevented without impairing a high-frequency characteristic of the amplifier.例文帳に追加

増幅器の高周波特性を損ねることなくバイポーラトランジスタの過電流による破壊を防ぐことができる高周波増幅器を提供する。 - 特許庁

This amplifier circuit 1 is provided with two bipolar transistors T1 and T2 and the emitter of the transistor T1 is connected with the collector of the transistor T2.例文帳に追加

増幅回路１には、２個のバイポーラトランジスタＴ１及びＴ２が設けられており、トランジスタＴ１のエミッタとトランジスタＴ２のコレクタとが接続されている。 - 特許庁

To realize efficient operation through RF output in a wide range by varying the collector bias voltage of a transistor for amplification in a high frequency power amplifier using a heterojunction bipolar transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器において、増幅用トランジスタのコレクタバイアス電圧を変化させることによって、広範囲のＲＦ出力にわたって高効率動作を可能とすること。 - 特許庁

The carrier discharging circuit 30 is connected to the base of the bipolar transistor Q1 included in the amplifier 10 and the base of a bipolar transistor Q4 included in the amplifier 20, and charges a carrier stored in the bases, when the photodiode PD 1 is on, and discharges the carrier when the photodiode PD 1 is off.例文帳に追加

キャリア排出回路３０は、増幅器１０に含まれるバイポーラトランジスタＱ１のベースと増幅器２０に含まれるバイポーラトランジスタＱ４のベースとに接続されており、フォトダイオードＰＤ１のオン時にこれらのベースに蓄積されるキャリアを、フォトダイオードＰＤ１のオフ時に排出する。 - 特許庁

In this amplifier, an emitter of a bipolar transistor Q1, a gate and drain of an NMOS transistor Q2, and a gate of an NMOS transistor Q3 are connected, and a source of Q2 and a source of Q3 are connected to a grounding terminal 3, and a current mirror circuit is formed of Q2 and Q3.例文帳に追加

増幅器において、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタと、ＮＭＯＳトランジスタＱ２のゲートおよびドレインと、ＮＭＯＳトランジスタＱ３のゲートとが接続され、Ｑ２のソースとＱ３のソースとが接地端子３に接続され、Ｑ２とＱ３とでカレントミラー回路が構成される。 - 特許庁

An output part (20) a bipolar transistor (BT3) having a base to which the output of the differential amplifier is applied, a resistor (R4) connected in series with the transistor, a current mirror circuit (21; MT1, MT2) for transferring current flowing in the transistor and a resistor (R5) and a diode (BT4) for converting the transferred current to voltage.例文帳に追加

出力部（２０）は、差動増幅回路の出力がベースに印加されるバイポーラトランジスタ（ＢＴ３）と、トランジスタと直列接続された抵抗（Ｒ４）と、トランジスタ電流を転写するカレントミラー回路（２１；ＭＴ１，ＭＴ２）と、電圧変換する抵抗（Ｒ５）およびダイオード（ＢＴ４）とを有する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor suitable for being integrated monolithically to constitute a differential amplifier for amplifying a high frequency signal.例文帳に追加

モノリシックに集積回路化されて高周波信号を増幅する差動増幅器を構成するに好適なヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

This power amplifier is provided with a bipolar transistor Tr1, a variable impedance element 1, a resistor element Rx and a capacitance element Cx.例文帳に追加

本発明による電力増幅器は、バイポーラトランジスタＴｒ１、可変インピーダンス素子１、抵抗素子Ｒｘおよびキャパシタンス素子Ｃｘを備える。 - 特許庁

To raise power gain and power efficiency in a whole RF power amplifier where a power bipolar transistor (HBT) for amplifying an RF signal is adopted and which adopts an emitter ballast system as countermeasures for thermorunaway.例文帳に追加

熱暴走対策としてエミッタバラスト方式を採用するＲＦ信号増幅用のパワーバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を採用したＲＦ電力増幅器全体の電力利得と電力効率とを改善すること。 - 特許庁

Using that capacitance as at least a part of a balance capacitance constituting an oscillation circuit, a bipolar transistor having a small operating region 2 and functioning as an oscillation amplifier is fabricated in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

この容量を、発振回路を構成するバランス容量の少なくとも一部として、半導体製造工程で、トランジスタ動作領域２の小さい、発振アンプとして機能するバイポーラトランジスタに取り込む。 - 特許庁

To provide a logarithmic amplifier by which logarithmic conversion is performed with sufficient precision without depending on base current amplification factor β of a bipolar transistor which performs logarithmic amplification and suitable to an integrated circuit.例文帳に追加

対数増幅を行うバイポーラトランジスタのベース電流増幅率βに依存せず、精度良く対数変換を行うことができ、集積回路化に適した対数増幅器の提供。 - 特許庁

A 1st switch 18 is provided at a collector C of the bipolar transistor type positive power supply power amplifier 11 to apply a voltage to the collector earlier than its base B in order to switch the transmission.例文帳に追加

送信切り替えをするためには、バイポーラトランジスタ型正電源電力増幅器11のコレクタＣ側に第１のスイッチ18を設け、ベースＢよりも早く電圧を印加する。 - 特許庁

A delay element 68 to delay an output signal of the differential amplifier is connected between an output terminal 65 and the output node 63 of the bipolar transistor 55 to which the unbalanced input signal is applied.例文帳に追加

この差動増幅器では、不平衡入力信号が印加されるバイポーラトランジスタ５５側の出力ノード６３と出力端子６５との間に、出力信号を遅延させる遅延素子６８が接続されている。 - 特許庁

To provide a light receiving amplifier circuit whereby a gain as a designed value can be obtained by preventing a collector-emitter voltage from being applied to an input terminal in the case of using a bipolar transistor for a gain changeover switch.例文帳に追加

ゲイン切替え用スイッチとしてバイポーラトランジスタを用いた際に、コレクタ−エミッタ間電圧が入力端子に加わるのを防止し、設計値通りのゲインが得られる受光増幅回路を提供する。 - 特許庁

To solve the problem where a power amplifier composed of a bipolar transistor in multi-cell structure is broken as a collector output side thermally runs away as the collector output side becomes high in a heat distribution at high output time.例文帳に追加

多セル構造のバイポーラトランジスタからなる電力増幅器では、高出力時に熱分布上コレクタ出力側が高くなるため、コレクタ出力側が熱暴走し、破壊に到る。 - 特許庁

To provide a high frequency power amplifier for suppressing nonuniformity in output power relying on temperature even in the case of a low output through the use of the saturation area of a bipolar transistor(TR).例文帳に追加

バイポーラトランジスタの飽和領域を利用する低出力時にも、温度に依存した出力電力のばらつきを抑制できる高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁