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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > buried viaの意味・解説 > buried viaに関連した英語例文

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buried viaの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 116



例文

To provide a gas-insulated switchgear for suppressing temperature increase in foundation concrete in the gas-insulated switchgear, where the plurality of points of a conductive tank 1 for accommodating a conduction conductor by sealing an insulation gas are grounded to a ground mesh 5 buried in the foundation concrete at multiple points via a grounding wire 6.例文帳に追加

絶縁ガスを封入し通電導体を収納した導電性タンク1の複数箇所が、基礎コンクリート中に埋設された接地メッシュ5に接地線6を介して多点接地されたガス絶縁開閉装置において、基礎コンクリートの温度上昇を抑えることができるガス絶縁開閉装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises: semiconductor chips 2, 3 mounted on a support substrate 1; an insulating film 4 provided on the support substrate 1 in a state that these semiconductor chips 2, 3 are buried; and a wire 6 provided on the insulating film 4 in a state of being connected to the respective semiconductor chips 2, 3 via a connection hole 5 formed in this insulating film 4.例文帳に追加

支持基板1上に搭載された半導体チップ2,3、これらの半導体チップ2,3を埋め込む状態で支持基板1上に設けられた絶縁膜4、この絶縁膜4に形成された接続孔5を介して各半導体チップ2,3に接続する状態で絶縁膜4上に設けられた配線6を備えている。 - 特許庁

In a semiconductor device where an MOSFET is formed in a semiconductor thin film (3), which is formed into a semiconductor substrate (1) via a buried insulation film (2), a heavily-doped region (22) for restraining etching of a source/drain region is provided near the surface of source/drain regions (3b), (3c) of the semiconductor thin film (3).例文帳に追加

半導体基板(1)に埋込み絶縁膜(2)を介して形成された半導体薄膜(3)にMOSFETを形成した半導体装置において、半導体薄膜(3)のソース・ドレイン領域(3b),(3c)の表面近傍にソース・ドレイン領域のエッチングを抑制するための高濃度不純物注入領域(22)が設けられている。 - 特許庁

In the pneumatic radial tire for heavy load, a carcass ply 2 is constituted by a body part extending from a tread part to a bead part via a side wall part; and a wound/returned part 2b wound/returned from the inner side to the outside in a tire width direction around a bead core 4 buried in the bead part and having an approximately hexagonal lateral cross section.例文帳に追加

カーカスプライ2が、トレッド部からサイドウォール部を経てビード部まで延在する本体部と、前記ビード部に埋設された、横断面略六角形を有するビードコア4の周りにタイヤ幅方向の内側から外側に向けて巻き返されてなる巻返し部2bとで構成された重荷重用空気入りラジアルタイヤである。 - 特許庁

例文

An insert 8 where a pair of screw sections 7 being opened on an end face 2a is buried to one concrete member 1a of adjacent concrete members that are joined by the end faces 2a and 2b, and a bolt 5 is screwed to a pair of screw sections 7 via the other concrete member 1b to clamp both the concrete members 1a and 1b.例文帳に追加

端面2a、2bで接合される隣接するコンクリート部材の一方1aに、端面2aに開口する一対のネジ部7が形成されたインサート8が埋設され、コンクリート部材の他方1bを介して一対のネジ部7にボルト5を螺着して双方のコンクリート部材1a、1bを緊締する。 - 特許庁


例文

An insert 8 where a pair of screw sections 7 open onto an end face 2a is buried into at least one segment 1a out of the adjacent segments 1a and 1b being joined by end faces 2a and 2b, and a bolt 5 is clamped to the pair of screw sections 7 via the other concrete member to clamp both the concrete members 1a and 1b.例文帳に追加

端面2a、2bで接合される隣接するコンクリート部材の一方1aに、端面2aに開口する一対のネジ部7が形成されたインサート8が埋設され、コンクリート部材の他方1bを介して一対のネジ部7にボルト5を螺着して双方のコンクリート部材1a、1bを緊締する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board is configured in such a way that a first rigid substrate having a surface-mounted component, a second rigid substrate having an escape portion corresponding to the position and profile of this component, and a flexible substrate formed to be longer than the first and second rigid substrates, are each integrally stacked via an insulating layer; and the component is buried in the rigid insulating layer.例文帳に追加

多層プリント配線板は、部品が表面実装された第1のリジッド基板と、この部品の位置及び外形に対応した逃げ部を有する第2のリジッド基板と、第1及び第2のリジッド基板よりも長く形成されたフレキシブル基板とが、それぞれ絶縁層を介して積層一体化され、部品がリジッドな絶縁層内に埋設されている。 - 特許庁

A conductor pattern 4 is formed in the layer spirally as prescribed, a via hole 6 is formed at a prescribed position of a film layer of a nonmagnetic body 5, and a conductor pattern 4 is connected to form coils A and B, which are disposed to operate electrically complementarily and also incorporated in a buried state in the film layer of the nonmagnetic body 5.例文帳に追加

導体パターン4は渦巻き形状を該当層に所定に形成し、非磁性体5の膜層の所定位置にビアホール6を設けて導体パターン4を接続させてコイルA,Bを形成し、2つのコイルは電気的に相補動作する配置にして非磁性体5の膜層に埋め込み状態に内蔵する。 - 特許庁

The buried oxide films 12 and 14 are formed so that their widths are smaller than the widths of single-crystal semiconductor layers 13 and 15, and a supporter 18 for supporting the semiconductor layers 13 and 15 on a single-crystal semiconductor substrate 11 is arranged so as to enter in below the semiconductor layers 13 and 15 via the sidewalls of the semiconductor layers 13 and 15.例文帳に追加

埋め込み酸化膜12、14の幅を単結晶半導体層13、15の幅よりも狭くなるように構成し、単結晶半導体基板11上で単結晶半導体層13、15を支持する支持体18を、単結晶半導体層13、15の側壁を介して単結晶半導体層13、15下に回り込むように配置する。 - 特許庁

例文

The MOS power device 600 comprises a substrate 601 having an upper layer 602 having an upper surface 605 and a drain region 603 underlying it, a first conductance type well region 604 on the drain region in the upper layer, and a plurality of gates buried in trenches 607 extending from the upside of the upper layer into the drain region via the well region.例文帳に追加

上部表面605とその下に在るドレイン領域603とを有する上部層602を含む基板601と、ドレイン領域の上に在って上部層内に配置された第1のコンダクタンス型の井戸領域604と、上部層の上部表面から井戸領域を通ってドレイン領域内に延びるトレンチ607に埋め込まれた複数のゲートを含むMOSパワーデバイス600。 - 特許庁

例文

In a slope failure sensing device 2, an inclinometer 11 with a semiconductor circuit is buried in the ground of slope S, and a transmitter 14 is disposed at a position away from the surface of the slope S and transmits the measuring data showing a displacement of the slope S measured by an inclinometer via an antenna 14b by radio.例文帳に追加

この斜面崩壊感知装置2では、半導体回路を有する傾斜計11が、斜面Sの地中に埋設されるとともに、斜面Sの地表から離れた位置に、傾斜計によって計測された斜面Sの変位を表す計測データをアンテナ14bを介して無線で送信する送信機14が配置されている。 - 特許庁

The insulation performance of an insulation flange part 22 between the underground buried pipe 20 and an indoor pipe 21 can be examined by impressing a low-frequency exciting signal generated by the signal generator 12 on surfaces of the pipe 20 and on the pipe 21, separately, via two contacts 8, 9, and measuring by a magnetometric sensor 3 a magnetic field set up by an exciting current.例文帳に追加

地中埋設管20と屋内配管21との間の絶縁フランジ部22での絶縁性能の調査は、信号発生器12で発生する低周波励磁信号を、2つの接触子8,9で地中埋設管20および屋内配管21の表面にそれぞれ印加し、磁気センサ3で励磁電流によって発生する磁界を計測して行うことができる。 - 特許庁

The gate electrode includes a plurality of first conductive films 12, formed in between the embedded insulating films 14 on the semiconductor substrate 10 via the trap film 11 and having substantially the same height as that of the embedded insulating film 15; and a second conductive film 16, formed across on the buried insulating film 15 and the first conductive film 12 and electrically connecting the first conductive films 12.例文帳に追加

ゲート電極は、半導体基板10上における埋め込み絶縁膜15同士の間にトラップ膜11を介して形成され、埋め込み絶縁膜15の高さとほぼ等しい高さを有する複数の第1の導電膜12と、埋め込み絶縁膜15及び第1の導電膜12の上に掛けて形成され、第1の導電膜12同士を電気的に接続する第2の導電膜16とを有している。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a network logic circuit block having a MOS transistor which performs a logic operation constituted of a pass transistor logic, a buffer circuit block which amplifies an output signal of the network logic circuit block, and MOS transistors 44 and 50 which are formed in a semiconductor layer of a fully-depleted type SOI substrate wherein the semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate 51 via a buried insulation layer 52.例文帳に追加

パストランジスタロジックにて構成される論理演算を実現するMOSトランジスタを有するネットワーク論理回路ブロックと、ネットワーク論理回路ブロックの出力信号を増幅するバッファ回路ブロックとを備え、半導体基板51上に埋込み絶縁層52を介して半導体層が形成された完全空乏型SOI基板の半導体層に形成されたMOSトランジスタ44、50を有する。 - 特許庁

A semiconductor device, where a gold bump electrode 57 is formed on a pad 53 formed above a semiconductor substrate, comprises the pad 53 consisting of a plurality of openings provided in a passivation film 52 covering a pad forming region, a conductive film 55 that is buried in the openings to constitute the pad 53, and the gold bump electrode 57 that comes into contact with the pad 53 via the conductive film 55.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたパッド部53上に金バンプ電極57が形成されて成る半導体装置において、パッド部形成領域上を被覆するパッシベーション膜52に設けられた複数個の開口から成るパッド部53と、前記パッド部53を構成する開口内に埋設された導電性膜55と、前記導電性膜55を介して前記パッド部53にコンタクト接続される金バンプ電極57とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

例文

Susanoo said, "There is gold and silver in the islands of Karakuni (considered to be a part of present-day Korea), so it is not good that the country controlled by my children doesn't have any ships." Then, he pulled out some hairs of his beard and scattered them, and then, they turned into cedars. He continued pulling out some hairs from parts of his body. The hairs he picked from his chest turned into hinoki (Japanese cypresses), the hairs he picked from his buttocks turned into maki (Japanese yew pines), and his plucked eyebrows turned into camphor trees. After that, he decided on the use of each tree and suggested, "Cedars and camphor trees should be used for making ships, Japanese cypresses should be used for constructing palaces, Japanese yew pines should be used for coffins when the body is buried. Everyone should join together to sow seeds of many trees used for these various purposes and grow many more trees." Around this time, he had a son, Isotakeru, and two daughters, Oyatsu-hime and Tsumatsu-hime. These three gods contributed to sowing seeds and growing trees all across the nation, and then they moved to Kii Province (the southern part of present-day Mie and Wakayama Prefectures) where they were enshrined. After that, Susanoo finally entered Ne-no-kuni (underworld) via Kumanarinotake. 例文帳に追加

一書曰素戔嗚尊曰韓郷之嶋是有金銀若使吾兒所御之國不有浮寶者未是佳也乃拔鬚髯散之即成杉又拔散胸毛是成檜尻毛是成柀眉毛是成櫲樟已而定其當用乃稱之曰杉及櫲樟此兩樹者可以爲浮寶檜可以爲瑞宮之材柀可以爲顯見蒼生奥津棄戸將臥之具夫須噉八十木種皆能播生于時素戔嗚尊之子號曰五十猛命妹大屋津姫命次枛津姫命凡此三神亦能分布木種即奉渡於紀伊國也然後素戔嗚尊居熊成峯而遂入於根國者矣棄戸此云須多杯柀此云磨紀 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

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