「buried via」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This tank having a permeation tube is buried underground, and water is let flow into the tank via the permeation tube.例文帳に追加

地下に埋設される槽において、浸透管を介して槽内に水を流入させる槽。 - 特許庁

A gate electrode 8 is buried in the trench groove 6 via an insulating film 7.例文帳に追加

トレンチ溝６の内部に絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されている。 - 特許庁

A buried metal via is disposed right under a body region and is aligned with a gate.例文帳に追加

埋め込み金属ビアはボディ領域の直下に配置され、ゲートと位置合せされる。 - 特許庁

Then, a conductive material 12 is buried in the via hole 9 and wiring trench 10.例文帳に追加

次に、ビアホール９及び配線トレンチ１０に導電材料１２を埋め込む。 - 特許庁

In each trench 3, a conductive material 5 is buried via an insulating film 4.例文帳に追加

トレンチ３内に絶縁膜４を介して導電性物質５が埋め込まれている。 - 特許庁

The buried electrode 34 is connected to a ground via a contact and a wiring 35 to obtain a ground potential.例文帳に追加

埋込電極３４を、コンタクト及び配線３５によりグランドに接続し接地電位とする。 - 特許庁

In a ceramic multilayer substrate with a plurality of buried resistors disposed in multiple layers, the buried resistors are directly connected to each other via a plurality of via electrodes.例文帳に追加

また、複数の内層抵抗体が多層に配されたセラミックス多層基板では、内層抵抗体同士を複数のビア電極によって相互に直接接続する。 - 特許庁

Glass fibers 40 projected from different positions of the sidewall of a via hole 60 to the via hole 60 side are joined with each other, and buried in a via conductor 50 which coats the sidewall of the via hole 60.例文帳に追加

ビアホール６０の異なる箇所の側壁からビアホール６０側へ突出したガラス繊維４０が互いに接合された状態で、ビアホール６０の側壁を被覆するビア導体５０に埋め込まれている。 - 特許庁

This method pumps up underground water flowing inside a pumping casing pipe 2 buried in the ground 1, and returns the pumped-up underground water again underground via a return casing pipe 3 buried in the ground 1.例文帳に追加

地盤１に埋設した揚水用ケーシング管２の内部に流入した地下水を揚水すると共に揚水した地下水を地盤１に埋設した返送用ケーシング管３を通じて再び地下に返送する方法である。 - 特許庁

A via hole 24 passing through the first insulation film 13 is formed in each first insulation film 13, and a via 23 is buried in each via hole 24.例文帳に追加

そして、各第１絶縁膜１３には、第１絶縁膜１３を貫通するビアホール２４が形成され、各ビアホール２４には、ビア２３が埋設されている。 - 特許庁

A plurality of via-holes 13 are formed piercing the semiconductor wafer 30A; buried electrodes 14 are formed therein; and bump electrodes 15 are further formed.例文帳に追加

そして、半導体ウェハ３０Ａを貫通して複数のビアホール１３を設けて埋め込み電極１４を形成し、さらにバンプ電極１５を形成する。 - 特許庁

A water flow between its upstream side and the downstream side existing underground buried pipe conduit is secured via the bypass pipe 4.例文帳に追加

バイパス管４を通して、その上流側と下流側の既設の地下埋設管渠の間の水の流れを確保する。 - 特許庁

Lastly, such wiring film 5 as not buried in the via hole 1a and the wiring groove 1b is removed to form a wiring 5a.例文帳に追加

最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 - 特許庁

Via layers 9A, 9B having higher elastic modulus than that of an adhesive layer 1D are buried in the adhesive layer 1D in the outermost material 10D.例文帳に追加

最外郭基材１０Ｄの接着剤層１Ｄ中には、接着剤層１Ｄよりも弾性率が高いビア層９Ａ，９Ｂが埋設されている。 - 特許庁

The buried layer 7 is connected to a contact face 8 and an external ground potential via a grounding conductor 10 arranged and installed on the inside of the semiconductor substrate 4.例文帳に追加

この埋込み層７は、半導体基板４の内部に配設した接地線１０を介して、接触面８と外部接地電位とに接続されている。 - 特許庁

A conductive material is buried in the wiring groove 9 and the second via hole 10 to form damascene wiring.例文帳に追加

そして、この配線溝９および第２ビアホール１０に導電体材料を埋め込んでデュアルダマシン配線を形成する。 - 特許庁

Then a Ta film 28 is formed in the via groove 27a and wiring groove 27b after the plasma irradiation, and buried with Cu.例文帳に追加

そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。 - 特許庁

The connection terminals 22 are formed so as to be buried in the upper part of the via holes 18x or projected from the insulating film 18.例文帳に追加

接続端子２２は、ビアホール１８ｘ内の上部に埋め込まれるか、絶縁膜１８から突出して形成される。 - 特許庁

Further, a rewiring layer 21 is formed so that the inside of the via hole 18 is buried completely or incompletely.例文帳に追加

さらに、ビアホール１８内を完全もしくは不完全に埋め込むようにして、再配線層２１が形成されている。 - 特許庁

A pressure measuring means 12 can measure pressure information in the interior of the body cavity via a pathway buried in the insertion section 20.例文帳に追加

圧力測定手段１２は、挿入部２０に埋設される経路を介して体腔内の圧力情報を測定可能である。 - 特許庁

A buried thermally conductive layer is formed inside the thermally insulative layer and has a vertical via to connect through the substrate to an external heat extracting layer.例文帳に追加

断熱層の内部には埋込み式の熱伝導層が形成され、これは、基板を介して外部の熱抽出層へ接続される垂直バイアを有する。 - 特許庁

In an underground fire hydrant construction, a fire hydrant is attached to a buried water pipe via a repair valve 10.例文帳に追加

地中埋設の水道用配管に補修弁１０を介して消火栓を付設した地下式消火栓構造である。 - 特許庁

In forming the buried resistor 7 inside a ceramic multilayer substrate 10, pad electrodes which have been used in the conventional laminate are eliminated and the buried resistor 7 and external electrodes (top electrode 32 and bottom electrode 34) are directly connected via a plurality of via electrodes 3a and 3b.例文帳に追加

セラミックス多層基板１０内に内層抵抗７を形成する際、従来の積層体において採用していたパッド電極をなくし、複数のビア電極３ａ，３ｂによって内層抵抗体７と外部電極（上面電極３２、下面電極３４）とを直接接続する。 - 特許庁

The upper metal wire groove is buried and an upper metal wire electrically connected to the lower metal wire via the via hole is arranged.例文帳に追加

前記上部金属配線のグルーブを埋め込み、前記ビアホールを介して前記下部金属配線に電気的に接続された上部金属配線が配置される。 - 特許庁

After a via hole 33 reaching lower-layer wiring 30 is formed and a barrier metal layer 34 and a seed layer 35a are formed, a plating layer is buried in the via hole 33 by an electrolytic plating method.例文帳に追加

下層配線３０に達するビアホール３３を形成し、バリアメタル層３４及びシード層３５ａを形成した後、電解めっき法により、ビアホール３３内をめっき層で埋め込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a structure, wherein, when a via hole is buried with a plug, the plug is filled in the via hole in a stable state and with variations in the resistance of the plug lessened, the yield of the manufacture of the device is raised.例文帳に追加

ビアホールをプラグで埋め込む際、安定した状態でプラグを埋め込み、プラグ抵抗のバラツキを少なくすると共に、歩留まりを向上せしめた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a pogo block constituted so as to connect a plurality of wires to a plurality of pogo pins via a socket, a penetration type noise measures member for the pogo pins is buried into the pogo block, and the socket is buried into the penetration type noise measures member for the pogo pins.例文帳に追加

複数のワイヤと複数のポゴピンをソケットを介して接続するように構成されたポゴブロックにおいて、ポゴブロック内にポゴピン用貫通型ノイズ対策部材を埋め込むとともに、ポゴピン用貫通型ノイズ対策部材に前記ソケットを埋め込んだ。 - 特許庁

To provide rainwater storage and penetration facilities which make rainwater etc. stored in a storage tank buried under the soil and/or make the rainwater etc. penetrate into the soil via the storage tank, which enable the storage tank to be deeply buried, and which can enhance storage efficiency.例文帳に追加

地下に埋設された貯留槽に雨水等を貯留及び／又は該貯留槽を介して雨水等を土中に浸透させる雨水貯留浸透施設において、貯留槽の深埋設を可能にするとともに、貯留効率を上げることが可能な雨水貯留浸透施設を提供する。 - 特許庁

To provide a plating method for burying the inside of a through hole and a via hole employing electrolytic method or buried plating method excellent in production cost and reduced in positional deviation between the surface of the buried metal plating layer and the surface of external layer of the printed circuit.例文帳に追加

電解法を用いてスルーホール及びビアホールの内部を埋設するめっき方法であって、生産コストに優れ、埋設金属めっき層の表面とプリント配線の外層表面の位置とのズレの少ない埋設めっき方法を提供する。 - 特許庁

This device for re-laying the new pipe 10 being mounted via a crushing head adapter 13 at the rear part of a crushing head 12 to be passed in the existing buried pipe 2 for crushing the buried pipe 2 into the diameter- enlarged condition has the crushing head 12 rockingly connected to the new pipe 10 via the crushing head adapter 13.例文帳に追加

既設埋設管２の内部に通されて埋設管２を拡径状態に破砕可能な破砕ヘッド１２の後方に破砕ヘッドアダプタ１３を介して取り付けられている新管１０を布設する新管１０の布設替え装置において、破砕ヘッド１２が破砕ヘッドアダプタ１３を介して新管１０に対して揺動可能に接続される。 - 特許庁

After the Emperor's funeral, Emperor Meiji's coffin was put on a hearse and it was carried to the Fushimi Momoyama Mausoleum in the southern suburb of Kyoto via the Tokaido Main Line and buried on September 14. 例文帳に追加

大葬終了後、明治天皇の柩は霊柩車に乗せられ、東海道本線経由で京都南郊の伏見桃山陵に運ばれ、9月14日に埋葬された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Consequently, when electrolytic plating using the seed layer 35a is performed, the frontage is closed before the plating layer is buried in the via hole 33 to avoid the formation of a void.例文帳に追加

これにより、そのシード層３５ａを用いた電解めっき時に、ビアホール３３内がめっき層で埋まる前にその間口が塞がってボイドが発生するのを回避する。 - 特許庁

A trench 6 with a gate electrode 8 buried via a gate insulation film 7 is formed by digging from the surface of the epitaxial layer 3 in a way that it penetrates the body region 5 and its deepest section reaches the N^--type region 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が埋設されるトレンチ６は、エピタキシャル層３の表面から掘り下げて形成され、ボディ領域５を貫通して、その最深部がＮ^−型領域４に達している。 - 特許庁

This structure includes a metal interconnection right under a device in which one or a plurality of interconnection layers are in contact with a silicon insulating film from under the device via a buried oxide film.例文帳に追加

この構造はデバイスの直下に金属相互接続を含み、そこでは１層または複数の相互接続層が埋め込み酸化膜を介してデバイスの下からシリコン絶縁膜と接触している。 - 特許庁

To prevent heat generation caused by a current flowing between terminal electrodes via a green compact, in a coil sealed dust core where the two terminal electrodes are buried in the green compact.例文帳に追加

２つの端子電極を圧粉体に埋め込んだコイル封入圧粉磁芯において、圧粉体を経由して端子電極間を流れる電流に起因する発熱を防止する。 - 特許庁

A positive type resist 1 is applied so that space on the lower layer reflection prevention film 2 and the lower layer reflection prevention film 2 in the via hole 9 is buried.例文帳に追加

次に、下層反射防止膜２上及びビアホール９内における下層反射防止膜２上の空間を埋めるようにポジ型のレジスト１を塗布する。 - 特許庁

Each electronic component 2 is buried in each recession 13, and a terminal is bonded to the wall surface opposite to the terminal via solder 3 to complete the lead frame 1 having the built-in electronic components.例文帳に追加

この凹部１３内に電子部品２を埋設し、各端子と該端子に対向する壁面との間をはんだ３で接合して、電子部品内蔵リードフレームとする。 - 特許庁

When the data received by the first communication part is the layer-3 or higher monitor packet, the first transmission processing part transmits the layer-2 frame in which the information of the monitor packet is buried via the second communication part in place of the monitor packet.例文帳に追加

第１送信処理部は、第１通信部により受信したデータがレイヤ３以上の監視パケットであるとき、当該監視パケットに代えて、監視パケットの情報を埋め込んだレイヤ２フレームを、第２通信部から送信させる。 - 特許庁

A drift N^--region 3 is laminated in a semiconductor substrate 1 via a buried oxide film 2 and a high breakdown strength device is formed in the drift N^--region 3.例文帳に追加

ドリフトＮ^−領域３が埋め込み酸化膜２を介して半導体基板１に貼り合わされ、高耐圧デバイスがドリフトＮ^−領域３に形成されている。 - 特許庁

A buried layer 12 composed of Si-doped GaN is formed on a c-plane sapphire substrate 10 having an uneven depth of 1 to 2 μm via a buffer layer 11.例文帳に追加

凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。 - 特許庁

The via hole VH is tapered forward and a wiring layer 64 of the silicon chip 51A is buried and connected electrically with the pad electrode 53.例文帳に追加

このビアホールＶＨは順テーパーの形状を呈しており、シリコンチップ５１Ａの配線層６４が埋め込まれ、パッド電極５３と電気的に接続される。 - 特許庁

A stacked via structure 9 is provided immediately below the second region by laminating first vias, which are respectively buried in the multiple organic resin layers, in the thickness direction of the multiple organic resin layers.例文帳に追加

第２の領域の直下方には、複数の有機樹脂層の各々に埋め込まれた第１のビアが、複数の有機樹脂層の厚さ方向に積層されることで構成されるスタックドビア構造体９が設けられている。 - 特許庁

A barrier metal film 11 is formed on the interlayer insulating film 10, and a wiring film 13 is formed on the barrier metal film 11 so as to be buried in a via hole 10a and a wiring trench 10a.例文帳に追加

層間絶縁膜１０上にはバリアメタル膜１１が形成されており、バリアメタル膜１１上にはビアホール１０ａ及び配線溝１０ａに埋め込まれるように配線膜１３が形成されている。 - 特許庁

A stabilizer 12 mounted on and concentric with a widely- bottomed bucket 8 is placed via support 32 on a casing 13 buried in the surface of the ground around a vertical hole excavated from above the ground.例文帳に追加

地面から掘削された縦穴の地表部に埋設されたケーシング１３上に、支持具３２を介して、拡底バケット８上に拡底バケット８と同心に取付けられたスタビライザ１２を載置しておく。 - 特許庁

To suppress increase in junction depth of source and drain diffusion layers connected to a second storage node electrode via an embedded strap in a high-temperature process, after forming the buried strap.例文帳に追加

埋込みストラップ形成後の高温工程における、埋込みストラップを介して第２ストレージノード電極に接続したソース／ドレイン拡散層の接合深さの増加を抑制すること。 - 特許庁