「buried via」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

It is presumed that an oil separator portion 13 and an intake manifold 10 are connected via an internal passage, and a PCV valve 16 is buried in the internal passage.例文帳に追加

オイルセパレータ部１３と吸気マニホルド１０とを内部通路を介して接続し、その内部通路内にＰＣＶバルブ１６を埋設配置することを前提とする。 - 特許庁

In such a case, a stress relaxing layer 16b is formed which is buried in the insulating layers and relaxes stress that generates between the semiconductor device and the mounting substrate when the semiconductor device is mounted on the mounting substrate via the bump.例文帳に追加

ここで、絶縁層中に埋め込まれて、半導体装置がバンプを介して実装基板に実装されたときに半導体装置及び実装基板間に生じる応力を緩和する応力緩和層１６ｂが形成されている構成とする。 - 特許庁

To provide a substrate with a built-in electronic component which has a structure capable of establishing interlayer connection by easily burying a conductive body into via hole formed at an insulating layer of a thick film into which the electronic component is buried.例文帳に追加

電子部品が埋設される厚膜の絶縁層に設けられるビアホールに容易に導電体を埋め込んで層間接続できる構造の電子部品内蔵基板を提供する。 - 特許庁

After boring a plurality of through-holes in a peripheral body part of the buried manhole, the manhole is fixed to the ground side by driving a leg driving material in the outer diameter direction from the inside of the manhole via these through-holes.例文帳に追加

埋設されたマンホールの周胴部に複数の通孔を明けてのち、これら通孔を通じてマンホール内から外径方向に打脚材を打設してマンホールを地盤側に固定する。 - 特許庁

The metal core substrate 100 further has, in the through hole 1 of the metal core 2, a buried resin portion 9 disposed to fill the gap between an inner peripheral surface of the metal core 2 defining the via hole 1 and an outer peripheral surface of the through hole 7.例文帳に追加

このメタルコア基板１００は、メタルコア２の貫通孔１内に、該貫通孔１を画成するメタルコア２の内周面とスルーホール７の外周面との間を埋めるように配置された埋設樹脂部９を更に備えている。 - 特許庁

A snow-melting board 12 is provided on the fire prevention water tank which enables a manhole 5 provided on the top section 3 of a water tank body 2 buried underground to be closed with the manhole cover 9 via a cover retainer member 6.例文帳に追加

地下埋設の水槽本体２の頂部３に設けられたマンホール５を、蓋受部材６を介してマンホール蓋９で閉蓋可能となされた防火水槽に、融雪板１２を設ける。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n-type region 3 is formed on a surface of a silicon support board via a dielectric film 2, and an n-type high concentration buried region 5 is formed in contact with the film 2 on a bottom of the region 3.例文帳に追加

シリコン支持基板の表面上に誘電体膜２を介してｎ形領域３を形成すると共に、ｎ形領域３の底面には誘電体膜２に接してｎ形高濃度埋込み領域５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which organic buried plugs in all via holes in a chip can be formed in uniform heights by a via-first dual damascine method and favorable wiring can be formed.例文帳に追加

ヴィアファースト方式によるデュアルダマシン法において、チップ内のすべてのヴィアホール内の有機系埋め込みプラグの高さを均一に形成することができ、良好な配線を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

the embedded metal layer 105 is formed inside the via hole 103, and a plated heat sink(PHS) layer 106, to which the buried metal layer 105 formed inside the via hole 103 is electrically connected, is formed on the rear of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

そして、上記バイアホール３内に埋め込み金属層１０５を形成し、半導体基板１の裏面に、バイアホール３内に形成された埋め込み金属層１０５が電気的に接続されるＰＨＳ(プレーテッドヒートシンク)層１０６を形成する。 - 特許庁

In manufacturing semiconductor device where upper metallic wiring and a lower conductive layer are coupled witch each other by a via, plasmaless ozone ashing is performed to prevent charges from being accumulated on the surface of a metallic plug where the above via is buried after patterning the above upper metallic wiring.例文帳に追加

上部金属配線と下部導電層とをビアに連結する半導体装置の製造方法において、前記上部金属配線をパターニングした後、前記ビアを埋め込んでいる金属プラグの表面に電荷が蓄積されることを防止するために無プラズマ（plasmaless）オゾンアッシングを実施する。 - 特許庁

This printed circuit board is characterized by including: a first insulation layer 20; a first via 22 that penetrates the first insulation layer 20; and a first pad 14 formed on one surface of the first insulation layer 20, wherein the whole or a part thereof is buried in the first via 22.例文帳に追加

本発明に係る印刷回路基板は、第１絶縁層２０と、第１絶縁層２０を貫通する第１ビア２２と、第１絶縁層２０の一面に形成され、全部または一部が第１ビア２２に埋め込まれる第１パッド１４と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A waterbearing member body 2 is formed from the waterbearing material such as a burnt material, concrete mortar and a soil wall, and the waterbearing member body 2 is infiltrated with water via a header 3a or via a water feed pipe 3b buried in the body 2.例文帳に追加

焼成材料、コンクリートモルタル或いは土壁等、含水性のある素材により含水部材本体２を形成し、かつこの含水部材本体２に対してヘッダ３ａを介して、或いは本体２内に埋設配置した給水管３ｂを介して当該含水部材本体２に対して水を浸潤させる。 - 特許庁

In a semiconductor device 10; a buried n well 12 is formed on a p-type Si substrate 11, a floating p well 13 is formed on the buried n well 12, a source and a drain are formed in the surface of the floating p well 13, and a gate electrode is further formed via a gate oxide film.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１１上には、埋め込みＮウェル１２が形成され、この埋め込みＮウェル１２上にフローティングＰウェル１３が形成され、このフローティングＰウェル１３表面にソースおよびドレインが形成され、更にゲート酸化膜を介してゲート電極が形成された半導体装置１０において、フローティングＰウェル１３と埋め込みＮウェル１２間の接合界面に、凹部１２ａが形成されている。 - 特許庁

A plug 114 composed of a copper film is buried through a barrier layer composed of a second β-tantalum film 111 into a via hole formed in the first interlayer dielectric film 106, and an upper-layer wiring 115 composed of a copper film is buried through the barrier layer composed of the second β-tantalum film 111 into the a wiring groove formed on the second interlayer dielectric film 108.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０６に形成されたヴィアホールには第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなるプラグ１１４が埋め込まれ、第２の層間絶縁膜１０８に形成された配線溝には第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなる上層配線１１５が埋め込まれている。 - 特許庁

A steel frame 2 buried in reinforced concrete 1 and a metallic separator 4 for formwork fixation are connected electrically with each other via a conductive metallic body 5, and this steel frame 2 is connected electrically to the foundational steel frame 5 of a foundation pile 7 buried in the ground, and noise current due to thunder, static electricity, and electromagnetic waves are made to flow from this foundation pile 7.例文帳に追加

鉄筋コンクリート１内に埋設される鉄筋２と型枠止め用の金属製セパレータ４とを導電性金属体５を介して電気的に接続すると共に、この鉄筋２を大地に埋設された基礎杭７の基礎鉄筋５に電気的に接続し、この基礎杭７から雷、静電気、電磁波によるノイズ電流を大地に流す。 - 特許庁

In addition, in a method for manufacturing the semiconductor device where the semiconductor chip is buried between several substrates, the convexoconcave part is formed on the surface of the semiconductor chip 2, and then the semiconductor chip 2 is buried via a resin between several substrates (the bare substrate 10, the window frame substrate 11, and the upper substrate 12).例文帳に追加

また、導体パターンが形成された複数枚の基板の間に半導体チップを埋め込んで成る半導体装置の製造方法においては、半導体チップ２の表面に凹凸を形成した後、その半導体チップ２を複数枚の基板（ベア基板１０、窓枠基板１１、上部基板１２）の間に樹脂を介して埋め込む方法である。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board is so constituted that it takes, as a terminal to which the electrode of an electronic component is electrically connected, a portion including an electroless thick plating film formed on the wall of a blind via provided in the multilayer printed wiring board, and an electrolytic plating film buried in the opened blind via and formed on the electroless thick plating film and forming the surface of the blind via in a flattened manner.例文帳に追加

多層プリント配線板に設けたブラインドビアの穴壁上に形成した無電解厚付けメッキ膜と、この無電解厚付けメッキ膜上に形成され開口している前記ブラインドビア内を埋めるとともに、このブラインドビアの表面を平坦状に形成する電解メッキ膜とを備えた部位を、電子部品の電極が電気的に接続される端子部とする多層プリント配線板である。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: a semiconductor substrate 5; buried word lines 9 formed via insulating films 7A in trenches 7 formed over the semiconductor substrate 5; and insulating layers 20 composed of first liner films 10, first buried insulating films 11, second liner films 10a, and second buried insulating films 11a, which are sequentially stacked on the word lines 9 in the trenches 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置１は、半導体基板５と、前記半導体基板５の一面に形成されたトレンチ７内にゲート絶縁膜７Ａを介して形成された埋込ワード線９と、前記トレンチ７内の前記埋込ワード線９上に順次積層された第一のライナー膜１０、第一の埋込絶縁膜１１、第二のライナー膜１０ａおよび第二の埋込絶縁膜１１ａからなる絶縁層２０と、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

An identification section 460 buried with a metal chip is provided on the winch rope 46, and a swirl detector 25 arranged on the winch mechanism 50 outputs a detection signal to a controller 30 when it detects the identification section 460 via the winding of the winch rope 46.例文帳に追加

ウィンチロープ４６には金属チップが埋め込まれた識別部４６０が設けられており、ウィンチ機構５０に配設された過巻き検出器２５は、ウィンチロープ４６の巻き取りにより識別部４６０が検出されたときに検出信号をコントローラ３０に出力する。 - 特許庁

To detect failure of an electronic component wherein inner electrodes 12, 13 opposed via an insulator layer are buried in an inside of an insulator 11, an electronic component 1 with one end of the inner electrode 13 exposed to an edge face 111 of the insulator 11 is prepared.例文帳に追加

絶縁体１１の内部に、絶縁体層を介して対向する内部電極１１、１３を埋設した電子部品の欠陥を検出するにあたり、内部電極１３の一端を、絶縁体１１の端面１１１に露出させた電子部品１を準備する。 - 特許庁

A body 2 is mounted to a belt 3, a heat radiation member 14 is mounted to a heat transfer belt 11 being buried into the belt 3 at a constant interval, and heat generation parts 6 in a case 4 of the body 2 are connected to the heat transfer belt 11 via heat connection parts 8 and 13.例文帳に追加

本体２をベルト３に取り付け、ベルト３に埋設した熱伝導ベルト１１に一定間隔をおいて放熱部材１４を取り付け、本体２のケース４内の発熱部品６を熱伝導フィルム９と熱接続部８，１３を介して熱伝導ベルト１１に接続する。 - 特許庁

Buried via masks at an etching stop level 311 are merged with rectangular windows which are aligned so as to be perpendicular to the major axes of conductive features M1 under a first metal level, and have openings which include misalignment error regions 315 of at least two adjacent vias.例文帳に追加

エッチング停止レベル(311)にある埋め込みビアマスクは、第１の金属レベルの下層導電性フィーチャ(M1)の長軸に直交して整列された矩形窓にマージされ他２つ以上の近接するビアのミスアライメントエラー領域(315)を有する開口を備える。 - 特許庁

A nail support section is provided adjacent to a body section, at a position lower than that of the adjacent body section by substantially the same height as the that of the head of the nail to be driven so that the nail can be driven via the concrete buried member.例文帳に追加

コンクリート埋設部材を介して釘を打ち込むことができるように、本体部に隣接して釘支持部が設け、この釘支持部を、打ち込まれる釘の頭部の高さと略同一の高さだけ隣接する本体部より低い位置に設けた。 - 特許庁

The pipe closing implement 1 is fixed to the pipe opening 11a; the fluid filler is injected into the unused buried pipe 11 through the inside of the pipe via a hose 12 which is connected to one end of the pipe 2; and a backflow of the filler is stopped by a check valve 5 which is provided inside the pipe 2.例文帳に追加

この管口閉塞具１を、管口１１ａに固定し、パイプ２の一端に接続するホース１２経由で流動性のある充填材をパイプの内部に通して遊休埋設管１１に注入し、その充填材の逆流をパイプ２の内部に設けた逆止弁５で止めるようにした。 - 特許庁

The fuel feeder 10 has the lower end of a conductor 18 connected with a ground electrode 16 buried under the ground 24 and the upper end of the conductor 18 connected with a frame or the like via a grounding circuit 30 provided inside an enclosure of a meter 12.例文帳に追加

燃料供給装置１０では、導線１８の下端が地中２４に埋設された接地電極１６に接続されており、導線１８の上端が計量機１２の筐体内部に設けられたアース回路３０を介してフレーム等に接続されている。 - 特許庁

For the vibrating motor 1, a rotor 30, where a coil 34 is buried in a frame 32, is accommodated in a case C, and the rotor 30 is rotated by letting a current flow to the coil 34 connected to a commutator 31 via brushes 15a and 15b sliding on the commutator 31 of the rotor 30.例文帳に追加

振動モータ１は、フレーム３２にコイル３４が埋設されたロータ３０がケースＣ内に収容されており、ロータ３０の整流子３１に摺動接触するブラシ１５ａ，１５ｂを介して、整流子３１と接続されたコイル３４に電流を流すことでロータ３０を回転させる。 - 特許庁

The system is composed so that the underground pipe 9 is buried in the ground beneath a house 4, air is sent into the underground pipe 9 by a blower 10, heat exchange with heat of soil 6 is carried out in the underground pipe 9, and the room is air-conditioned by sending air into the room via an air flow passage 13.例文帳に追加

家屋４の地下に地中パイプ９を埋設し、該地中パイプ９に送風機１０により風を送り、地中パイプ９内で、地中６の熱と熱交換し、その後気流通路１３を介して室内へと送風して室内を空調する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is formed with a separation trench 2 buried with an insulation member 2a and an element 3, and is thinned until a bottom part of the insulation member 2a is projected from a side of a reverse face 1b, and next the reverse face 1b is joined to a support body 6 via an insulation layer 4.例文帳に追加

絶縁部材２ａで埋設された分離溝２と素子３とが形成された半導体基板１を、裏面１ｂ側から絶縁部材２ａの底部が突出するまで半導体基板１を薄厚化した後、絶縁層４を介して裏面１ｂを支持体６と接合する。 - 特許庁

The light irradiation unit is optionally installed so as to be suspended from the upper side of the panel via a light irradiation unit driving mechanism which makes the light irradiation unit approach to or part from the panel, or so as to be buried under a work stage in the decompression chamber, on which the panel is put.例文帳に追加

光照射ユニットは、パネルの上方からパネルに対して光照射ユニットを接近離間させる光照射ユニット駆動機構を介して吊り下げるように設けても良いし、パネルが載置される減圧室内のワークステージに埋め込むようにして設けても良い。 - 特許庁

In the circuit board with a glass plate 16, the through-holes 18 penetrating the glass plate 16 and the via electrodes 20 buried into the through-holes 18, the opening widths of the through-holes 18 are minimized in the glass plate 16, and increased approaching both surfaces of the glass board 16.例文帳に追加

ガラス基板１６と、ガラス基板１６を貫く貫通孔１８と、貫通孔１８に埋め込まれたビア電極２０とを有する回路基板において、貫通孔１８の開口幅が、ガラス基板１６の内部で最小となっており、ガラス基板１６の両表面に近づくに従って大きくなっている。 - 特許庁

The second insulating film 105 is etched, using the third insulating film 106 as a mask to form a wiring groove 108 and a via hole 109, and after a barrier metal 110 and a metal for wiring 111 are adhered, unwanted parts are removed to obtain a buried wiring.例文帳に追加

第３の絶縁膜１０６をマスクとして第２の絶縁膜１０５をエッチングして配線溝１０８とビアホール１０９を形成し、バリアメタル１１０と配線用メタル１１１を被着した後、不要部分を除去して埋め込み配線とする。 - 特許庁

On a substrate 1, the multilayer structure comprises a surface layer 3 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom is laminated via a buried layer 2 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom on the substrate is substituted, and its work function ϕ is set at 3 eV or less.例文帳に追加

金属基板１上に、基板表面の金属原子をアルカリ金属原子で一原子層以上置換した埋込み層２を介して、前記アルカリ金属原子が１原子層以上積層された表面層３を備えて、仕事関数φを３ｅＶ以下とした多層構造体。 - 特許庁

To provide rainwater storage and penetration facilities with a structure of two upper and lower layers which make rainwater etc. stored in a storage tank buried under the soil and/or make the rainwater etc. penetrate the soil via the storage tank, and which can prevent the collapse of upper and lower structures.例文帳に追加

地下に埋設された貯留槽に雨水等を貯留及び／又は該貯留槽を介して雨水等を土中に浸透させる上下２層構造の雨水貯留浸透施設において、上下構造の崩れを防止することが可能な雨水貯留浸透施設を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for resist lower-layer film formation that forms a resist lower-layer film which is suitably buried in a via or trench, easily formed based upon a desired pattern, and superior in etching resistance, and a method of forming a dual-damascene structure using the same.例文帳に追加

ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the power semiconductor device comprising a gate electrode 11 buried in a groove via a gate insulating film, a p-type depletion region enlargement layer 4 is provided between two n-type drift layers 3 and 5, and the groove is formed to reach the n-type drift layer 3.例文帳に追加

溝の中にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極１１を備えた電力用半導体装置において、二つのｎ型ドリフト層３、５の間にｐ型空乏領域拡大層４を挟み、前記溝は、前記ｎ型ドリフト層３に達するように形成される。 - 特許庁

A jacket pipe 1 is connected to a lost bit 3 arranged at a front end of a rod 2, and buried in the ground according to advancing of the lost bit 3 that advances upon transmission of the rotational excavation force of a rock drill 8, that is transmitted via the rod 2.例文帳に追加

ジャケット管１は、ロッド２の先端に設けられたロストビット３に接続され、ロッド２を介して伝達される削岩機８の回転掘削力が伝達されて掘進するロストビット３の掘進に伴って地中に埋設される。 - 特許庁

Right and left geothermal gathering piles 15b and 15a are each buried to a predetermined depth in the base course 13, so as to gather earth heat in ground 13, and connected to the right and left pavement bodies 14b and 14a via heat supply pipes 16 and 16.例文帳に追加

左側、右側地熱採取杭１５ａ、１５ｂはそれぞれ路盤１３内の所定深さまで埋込まれ、地盤１３内の地中熱を採取し、熱供給管１６、１６を介して上記左、右側舗装体１４ａ、１４ｂに接続されている。 - 特許庁

An insert 9 is buried into at least one segment 1a out of the adjacent segments 1a and 1b being joined by end faces 2a and 2b, and a bolt 7 is clamped to the insert 9 via the other segment 1b to clamp both the segments 1a and 1b.例文帳に追加

端面２ａ、２ｂで接合される隣接するセグメント１ａ、１ｂの少なくとも一方１ａにインサート９が埋設され、セグメントの他方１ｂを介してインサート９にボルト７を連結して双方のセグメント１ａ、１ｂを緊締する。 - 特許庁

Plasmaless ozone ashing oxidizes the surface of the metallic plug where the via misaligned and exposed to the upper metallic wiring is buried and also absorbs positive charges, whereby the exposed metallic plug is not corroded by electrochemical reaction, so the reliability of the via can be raised.例文帳に追加

無プラズマオゾンアッシングにより上部金属配線に対して、ミスアラインされて露出したビアを埋め込んでいる金属プラグの表面を酸化させると共に陽電荷を吸収することによって、露出した金属プラグが電気化学的反応により腐食されないので、ビアの信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

The greenhouse heater 1 includes a heating device heating hot spring water, a cooling device 3 cooling steam from the heating device, and a greenhouse heating pipe 10 buried under the ground below the greenhouse 5, so that the greenhouse 5 is heated via steam sent to the greenhouse heating pipe 10 from the heater 2 via the cooling device 3.例文帳に追加

温室加熱装置１は、温泉水を加熱する加熱装置２と、加熱装置２からの蒸気を冷却する冷却装置３と、温室５の下方の地中に埋設された温室加熱用配管１０とを備え、加熱装置２から冷却装置３を介して温室加熱用配管１０に送られた蒸気により温室５を加熱する構成にしてある。 - 特許庁

A plurality of wiring boards 30 having a plurality of connection electrodes buried in vias and wirings 8 electrically connected to the connection electrodes, semiconductor elements 5 mounted on the wiring boards 30, and a plurality of conductive via insulation boards 20 having openings 12 for housing the semiconductor element 5 and connection electrodes buried in vias are alternately laminated and unified into a thin type semiconductor device capable of housing semiconductor elements.例文帳に追加

ビアに埋め込まれた複数の接続電極及びこの接続電極に電気的に接続された配線８を備えた複数の配線基板３０と、前記配線基板に搭載された半導体素子５と、半導体素子が収容される開口部１２を有し、ビアに埋め込み形成された接続電極を備えた複数の導電ビア絶縁基板２０とを交互に積層し一体化して半導体素子が収容可能な薄型半導体装置が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 150 includes a semiconductor substrate 100, a gate electrode 102 formed over the semiconductor substrate 100 via a gate insulating film 101, and silicon mixed crystal layers 106 and 108 buried in on both sides beside the gate electrode 102 over the semiconductor substrate 100 and having a different lattice constant from the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置１５０は、半導体基板１００と、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を介して形成されたゲート電極１０２と、半導体基板１００におけるゲート電極１０２の両側方に埋め込まれ、半導体基板１００とは異なる格子定数を有するシリコン混晶層１０６及び１０８とを備える。 - 特許庁

In the method of laying a cable underground, in which one or more cables 10 are threaded into a cable protective tube 20 laid underground in a cable laying route, a plurality of cable protective tubes 20 are buried underground continuously in its axial direction between the starting end and the termination of the cable laying route, and the other individual cable protective tubes 20 are coupled with each other via a cylindrical joint 30.例文帳に追加

ケーブル敷設経路に沿って埋設されたケーブル保護管内２０内に１本以上のケーブル１０が挿通されるケーブルの埋設方法であって、ケーブル敷設経路の始端と終端の間に、複数本のケーブル保護管２０を軸方向に連続埋設して、各ケーブル保護管２０同士を、円筒形の継手３０を介して連結する。 - 特許庁

The power semiconductor device also has a first insulating film provided on a side wall of a trench groove reaching the second semiconductor layer from a surface of the fifth semiconductor layer, a second insulating film provided on a bottom side of the trench groove with respect to the first insulating film and having a higher dielectric constant than that of the first insulating film, and a control electrode buried in the trench groove via the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

前記第５半導体層の表面から前記第２半導体層に達するトレンチ溝の側壁に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜よりも前記トレンチ溝の底部側に設けられ、前記第１絶縁膜よりも誘電率が高い第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を介して前記トレンチ溝に埋め込まれた制御電極と、を備える。 - 特許庁

The heating device for a crop cultivation house functions as follows: making hot water circulate into a radiation pipe buried under the ground to heat the inside of the crop cultivation house; and heating water via an induction heating means disposed in an enclosure to turn the water into hot water so as to circularly supply the hot water to a heat-releasing pipe.例文帳に追加

地中に埋設された放熱パイプに温水を循環することにより作物栽培用ハウス内を暖房する暖房装置であって、筺体内に配置された誘導加熱手段により水を加熱させて温水とし、該温水をハウス内に埋設された放熱パイプに循環供給することを特徴とする。 - 特許庁