「current blocking」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A series circuit of a constant-voltage diode, and a reverse current blocking diode is employed in place of the semiconductor switch 11.例文帳に追加

半導体スイッチ１１に代えて、定電圧ダイオードと逆流阻止用ダイオードの直列回路としたことを含む。 - 特許庁

The light-emitting device comprises a current blocking layer 32 which is formed on a GaAs substrate 28 having a (100)-like face as a major face; and first and second extended portions 30, 31 of the current blocking layer 32, which are formed continuously from the current blocking layer 32 and extended substantially perpendicular to flat surfaces of the GaAs substrate 28, respectively.例文帳に追加

ほぼ（１００）面を主面とするＧａＡｓ基板２８上に形成された電流阻止層３２を含む発光素子と、この電流阻止層３２に連続形成され、前記ＧａＡｓ基板のフラット面それぞれ実質的に垂直な方向に延長された第１および第２の電流阻止層延長部３０、３１が形成されている。 - 特許庁

If the p-type SiC region 11 is thus formed as a current blocking region on the n-type SiC substrate 10, a current blocking region can be formed by e.g. ion implantation without using the epitaxial growth process.例文帳に追加

このように、ｎ型ＳｉＣ基板１０に電流阻止領域としてのｐ型ＳｉＣ領域１１を形成すれば、エピタキシャル成長工程によらずに、例えばイオン注入によって電流阻止領域を形成することができる。 - 特許庁

To provide a technology of suppressing an abnormal high current flowing a plurality of blocking capacitors arranged in parallel in use, for an induction heating device with the blocking capacitors arranged.例文帳に追加

ブロッキングコンデンサを配置した誘導加熱装置において、複数が並列に配置されて利用されるブロッキングコンデンサに流れる異常な高電流を抑えることができる技術を提供する。 - 特許庁

An SAS structure is formed with a second guide layer 15, a current blocking layer 16, and a second clad layer 18.例文帳に追加

第２ガイド層１５，電流ブロッキング層１６および第２クラッド層１８によりＳＡＳ構造が形成されている。 - 特許庁

Thereby a crystal defect, transition and distortion in current blocking layers 7 and 8 and a contact layer 9 are prevented.例文帳に追加

したがって、電流ブロック層７,８およびコンタクト層９内での結晶欠陥、転移、歪の発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a safe plug having a means blocking current in case of abnormality generating over-heat having apprehension of burning.例文帳に追加

燃焼につながる過熱が発生する異常の場合、電流を遮断する手段を有する安全プラグを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminescence element and a manufacturing method thereof wherein its high luminance is obtained without using any current blocking layer.例文帳に追加

電流ブロック層を用いることなく高輝度が得られる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then an n-type current blocking layer 7 having a stripe-like opening 8 is formed on the clad layer 6a.例文帳に追加

ｐ−第１クラッド層６ａ上にはストライプ状開口部８を有するｎ−電流ブロック層７が形成される。 - 特許庁

In the power controller for manipulating power by turning on/off a reverse blocking IGBT 5 for increasing a reverse blocking current in response to the temperature rise, the gate voltage of the reverse blocking IGBT 5 is controlled by gate driving circuits 1, 2 as follows.例文帳に追加

温度上昇に応じて逆阻止電流が増加する逆阻止ＩＧＢＴ５をオンオフさせて電力を操作する電力制御装置において、ゲート駆動回路１及び２により、逆阻止ＩＧＢＴ５のゲート電圧を次のように制御する。 - 特許庁

The swirling current type microbubble generation device 33 for the liquid metal target includes a blocking member 31 provided in a conduit in which the liquid metal flows so as to block the conduit, and a plurality of swirling current type microbubble generators 32 provided on a plurality of spots of the blocking member 31 through the blocking member 31.例文帳に追加

液体金属ターゲット用旋回流型マイクロバブル発生装置３３は、液体金属が流される管路にこの管路を閉塞するように設けられる閉塞部材３１と、この閉塞部材３１の複数箇所にこの閉塞部材３１を貫通して設けられた複数の旋回流型マイクロバブル発生器３２とを有する。 - 特許庁

Namely, the p-type current block layer 111 is formed first in the first mode M1 and second mode M2, and then the n-type current blocking layer 112 is grown.例文帳に追加

つまり、第１モードＭ１および第２モードＭ２によりｐ型電流ブロック層１１１を先に成長し、その後に、ｎ型電流ブロック層１１２を成長する。 - 特許庁

Furthermore, current is injected into the opening of the current blocking layer 16 to form a p-GaN buried layer 17 and a contact layer 18 that are larger in area than the opening.例文帳に追加

更に、電流ブロック層１６の開口部へ電流を注入し、該開口部よりも面積の広いｐ−ＧａＮの埋込み層１７及びコンタクト層１８が形成される。 - 特許庁

This nitride compound semiconductor light-emitting device is equipped with an active layer 5 which is pinched between an upper and a lower clad layer, 4 and 6, and a current blocking layer 8a having an opening that serves as a current path is formed on the active layer 5.例文帳に追加

上下クラッド層４、６で挟まれた活性層５上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層８ａが設けられている。 - 特許庁

To provide an optical disk device capable of reducing current consumption by blocking a through current during the sleep mode operation of a CPU.例文帳に追加

本発明の課題は、ＣＰＵのスリープモード動作時における貫通電流を阻止し、消費電流を低減することのできる光ディスク装置を提供することである。 - 特許庁

Consequently, the generation of a reactive-current path can be prevented from the n-type InP clad layer 12 to a p-type InP clad layer 2 via the n-type InP current blocking layer 10.例文帳に追加

これにより、ｎ型InPクラッド層１２からｎ型InP電流ブロック層１０を経由して、ｐ型InPクラッド層２に至る無効電流経路の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

The capacitor C is connected to one input 14 of the bridge circuit 12, rather than the rush current blocking resistance R1, and connected in parallel to the discharging resistance R2 between the input 14 and the rush current blocking resistance R1.例文帳に追加

上記のコンデンサＣは、突入電流防止抵抗Ｒ１よりもブリッジ回路１２の一方の入力部１４側に接続され、その入力部１４と突入電流防止抵抗Ｒ１との間において放電用抵抗Ｒ２と並列に接続される。 - 特許庁

The system is also provided with a blocking filter structured of a filter part interrupting high-frequency power-line carrier signals, a current detecting means detecting current flowing through the power line, and a power line communication means, and the total information terminal can receive current detection signals detected by the current detecting means of the blocking filter.例文帳に追加

また、高周波の電力線搬送信号の遮断を行うフィルタ部と、その電力線を流れる電流を検知する電流検知手段と、電力線通信手段とで構成されたブロッキングフィルタを有し、総合情報端末は記ブロッキングフィルタの前記電流検出手段で検出した電流検知信号を受信することができる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device which has a substrate, an active layer formed on the substrate, and a striped current injection area formed on the active layer has a current blocking layer formed between the substrate and active layer, and the current injection area and current blocking layer face each other.例文帳に追加

基板、該基板上に形成された活性層、該活性層の上部に形成されたストライプ状の電流注入領域を有する半導体発光装置において、該基板と該活性層との間に電流阻止層が形成されており、該電流注入領域と該電流阻止層が対向していることを特徴とする半導体発光装置。 - 特許庁

To provide an amplifier for blocking an excess current from flowing externally when a current is supplied externally from an input terminal and preventing a fault in an amplifier stage due to misconnection when receiving a current from an external power supply via the input terminal.例文帳に追加

入力端子から外部に電流供給する際に過大電流が流れるのを阻止し、入力端子を介して外部電源から電流を受ける際に誤接続による増幅段の故障を防止する。 - 特許庁

The open-phase detection circuit 7 detects open phase by the blocking of the current and outputs an on-operation inhibiting signal S2 to an operation switch 2.例文帳に追加

欠相検知回路７は、これにより欠相を検知し、オン動作禁止信号S2を運転開閉器２に対して出力する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which is provided with a current blocking layer, consisting of a dielectric such as a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜などの誘電体からなる電流ブロック層を備え、信頼性が高い半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

A current blocking region is not formed in the mesa region M, and the mesa region M is formed so that its diameter is 15 μm or less.例文帳に追加

メサ領域Ｍには電流阻止領域が形成されておらず、メサ領域Ｍのメサ径は１５μｍ以下に形成されている。 - 特許庁

A contactor 38 for carrying a current between a second terminal 36 and the earth terminal 37 and blocking the current carrying is provided on a line connecting the second terminal 36 to the earth terminal 37.例文帳に追加

第２の端子３６とアース端子３７とを結ぶラインには、第２の端子３６及びアース端子３７間を通電させ及びその通電を遮断するコンタクタ３８が設けられている。 - 特許庁

To provide the battery disconnect switch or the battery disconnect switching system like that completely in either directions, that is, capable of blocking current and even of conducting the current in any direction.例文帳に追加

完全に双方向すなわち電流を阻止したり、電流をいずれの方向にも導通させ得るようなバッテリ切離しスイッチ或いはバッテリ切離しスイッチシステムを提供する。 - 特許庁

To decrease a threshold current and forward voltage and improved reliability in the nitride compound semiconductor light-emitting device where a current blocking layer is provided so as to stabilize the lateral mode.例文帳に追加

横モードを安定させるために電流阻止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、しきい値電流と順方向電圧を低減し、信頼性を向上する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which the reliability is enhanced by stabilizing the gate voltage even at the time of high voltage, high current and blocking uneven current, oscillation, and the like, thereby protecting the device against breakdown.例文帳に追加

本発明は、高電圧、高電流時にもゲート電圧を安定させ、電流不均一や発振等を阻止でき、もって、装置を破壊から保護して信頼性の向上を図る。 - 特許庁

A high-frequency current is applied from the variable frequency electric power source to the insulation object under the operation condition, via capacitors C1, C2 for electric resonance and for blocking a direct current.例文帳に追加

運用中の絶縁物に電気的共振用と直流成分を遮断するためのコンデンサーＣ１、及び、Ｃ２を介して、可変周波数電源より高周波電流を印加する。 - 特許庁

A switch blocking instruction preparing part 1 receives a measured value of a phase current from each CT 2 via a communication circuit 3 and calculates a difference in the zero-phase current between the adjacent CTs 2.例文帳に追加

開閉器遮断指令作成部１は、通信線３を介して、各ＣＴ２から相電流の計測値を受信し、隣接するＣＴ２間の零相電流の差分を算出する。 - 特許庁

Between the gate terminal of the power MOSFET 52 and a gate drive circuit 53, a resistor 54 for blocking current passage is provided.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ５２のゲート端子とゲート駆動回路５３との間には電流の通過を阻止する抵抗５４が設けられている。 - 特許庁

By the localization of life time killer, a reverse-recovery peak current (Irp) when a diode is active can be reduced and the property of reverse-blocking semiconductor becomes a soft-recovery type.例文帳に追加

ライフタイムキラーを局在化させることで、ダイオード動作時の逆回復ピーク電流（Ｉｒｐ）を小さくし、ソフトリカバリー特性とする。 - 特許庁

The breaking function of the short circuit current is incorporated while holding the function of the conventional clamp diode by using the reverse blocking type switching elements.例文帳に追加

逆阻止型スイッチング素子を用いることにより、従来のクランプダイオードの機能を保有しつゝ短絡電流の遮断機能を持たせる。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser device with an accurately controlled current blocking layer without reducing the productivity.例文帳に追加

生産性を低下させることなく、正確に制御された電流狭窄層を備えた面発光レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A current reduction circuit 40 has a blocking diode 41 inserted in series between the low inductance wire 30 and the wire electrode 1.例文帳に追加

電流低減回路４０は、低インダクタンス線３０とワイヤ電極１との間に直列に挿設される流入阻止ダイオード４１を有する。 - 特許庁

Since a control circuit 9 keeps a transistor 4 in a blocking state while detecting abnormalities, a reflux current flows only in a Schottky barrier diode 5 to generate voltage drop by the Schottky barrier diode 5 when the transistor 4 becomes in the blocking state while a transistor 3 is in the blocking state.例文帳に追加

制御回路９は、異常を検出している間にはトランジスタ４を遮断状態に保持するので、トランジスタ３が遮断状態のときにトランジスタ４が遮断状態になると、還流電流がショットキーバリアダイオード５のみに流れ、ショットキーバリアダイオード５による電圧降下が発生する。 - 特許庁

A secondary tuning circuit 12 is provided with a trap circuit consisting of by a tuning coil 32, a varactor diode 37 and capacitors 40, by providing the capacitor 40 at the connection between a direct current blocking capacitor 33 and a tuning coil 34 and the connection between the diode 37 and a direct current blocking capacitor 38.例文帳に追加

２次同調回路１２に、直流阻止コンデンサ３３と同調コイル３４との接続点と、バラクタダイオード３７と直流阻止コンデンサ３８との接続点に、コンデンサ４０を設け、同調コイル３２とバラクタダイオード３７とコンデンサ４０で構成されるトラップ回路を設けた。 - 特許庁

The collector 23 includes a blocking layer, in case a potential difference between the cathode layer 24 and the anode layer 25 to be a threshold voltage or more, allowing electric current flow from the cathode layer 24 to the anode layer 25, and in case the potential difference to be less than the threshold voltage, blocking the electric current.例文帳に追加

集電体２３は、正極層２４と負極層２５との電位差が閾値電圧以上の場合には、正極層２４から負極層２５への電流の流れが許容される一方で、電位差が閾値電圧未満の場合には、電流が遮断される、遮断層を含む。 - 特許庁

An end of the first extended portion 30 of the current blocking layer 32 terminates at a position closer to a central side without reaching the outer fine-line pattern 37, and the second extended portion 31 of the current blocking layer 32 is extendedly formed up to a lower portion of the conductor of the outer fine-line pattern 37.例文帳に追加

そして、前記電流阻止層の第１の延長部３０は、前記電極層の外郭細線パターン３７よりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第２の延長部３１は、前記電極層の外郭細線パターン３７導体下部にまで延長形成されている。 - 特許庁

In the ridge structure of this semiconductor composed of a contact layer, a current-blocking layer, and a third clad layer, the upper end face of the current-blocking layer and the upper end face of the contact layer or third clad layer adjoin each other and form a flat surface.例文帳に追加

コンタクト層、電流阻止層および第３のクラッド層からなる半導体レーザ装置のリッジ構造において、電流阻止層の上端面とコンタクト層の上端面または第３のクラッド層の上端面とが隣接して平坦面を形成しているリッジ構造を有する半導体レーザ装置。 - 特許庁

An N-type lateral current blocking region 18 is formed between the outer peripheral side and the inner peripheral side of the P-type active guard region 16.例文帳に追加

また、ｐ型アクティブガード領域１６の外周側と内周側との間には、ｎ型横電流抑止領域１８が形成されている。 - 特許庁

One end of ohmic contact wiring 36 is connected to the bonding pad 35, and the other end is wired extendedly to the outside of the current blocking layer.例文帳に追加

オーミックコンタクト配線３６はボンディングパッド３５に一端が接続され、他端が前記電流阻止層領域外に延長配線されている。 - 特許庁

To keep a distance between an active layer 104 and an n-type current blocking layer 112 constant in a buried type semiconductor laser 100.例文帳に追加

埋め込み型の半導体レーザ１００において、活性層１０４とｎ型電流ブロック層１１２との間の距離を一定に保つこと。 - 特許庁

In addition, a p-type GaAs contact layer 10 and a p-type electrode 11 are successively formed on the second clad layer 8 and current blocking layers 9.例文帳に追加

第二のクラッド層８上及び電流ブロック層９上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０、Ｐ型電極１１を順次有している。 - 特許庁

A film is arranged between the electrodes for blocking the transmission of particles during carrying the current.例文帳に追加

また、電流を流す際、各電極間に粒子の透過を阻害させる膜を配置したことを特徴とする正極活物質の製造方法である。 - 特許庁

Ends of the current-blocking layer 108 on the opposite sides of the opening 109 are spaced apart from side surfaces of the mesa portion 120 by a distance greater than or equal to a predetermined value.例文帳に追加

電流ブロック層１０８の開口部１０９と反対側の端部とメサ部１２０の側壁とは、所定値以上離隔している。 - 特許庁