「current blocking」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate voltage control circuit 60 is inserted, for example, between an abnormality detecting circuit 50 for detecting generation of abnormality, and a gate of an NMOS transistor M1 for blocking a current path led to a cell in the generation the abnormality.例文帳に追加

たとえば、異常の発生を検出する異常検出回路５０と、異常の発生時にセルにつながる電流パスを遮断するためのＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートとの間に、ゲート電圧制御回路６０を挿入する。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

A tertiary winding is formed in a pulse transformer PT having a gap, and this tertiary winding is provided with a diode circuit D2 which is in a blocking direction with respect to a pulse main current, becomes energized at discharging of magnetizing energy, and absorbs the magnetizing energy.例文帳に追加

ギャップ付きのパルストランスＰＴに３次巻線を設け、この３次巻線にはパルス主電流に対して阻止方向になり、磁化エネルギーの放出に対して導通して磁化エネルギーを吸収するダイオード回路Ｄ_2を設ける。 - 特許庁

The light-emitting semiconductor laser device comprises a first reflection mirror 12, an active layer 13, the current blocking layer 16 made of a material containing aluminum, and a second reflection mirror 17, which are formed on a substrate 11 in this order from bottom.例文帳に追加

面発光半導体レーザ装置は、基板１１の上に下側から順次形成された第１反射鏡１２と、活性層１３と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層１６と、第２反射鏡１７とを備えている。 - 特許庁

The device for optical communication such as a high-performance optical switch and a variable wavelength filter can be constituted by using electric current control over the Bragg blocking characteristic, the wavelength dispersion characteristic, etc. of the photonic crystal waveguide.例文帳に追加

特に、フォトニック結晶導波路のブラッグ遮断特性や波長分散特性等が電流制御できることを利用して、高性能光スイッチや可変波長フィルタ等の光通信用デバイスを構成することが可能となる。 - 特許庁

To provide a power supply circuit capable of reducing an occupied area of an output stage circuit of the power supply circuit and easily blocking a reverse directional current from a capacitor connected in parallel with a load and to provide a mobile electronic apparatus.例文帳に追加

電源回路の出力段回路の占有面積を低減でき、出力端子に負荷と並列に接続されたコンデンサからの電流の逆流を容易に阻止できる電源回路および携帯型電子機器を提供することにある。 - 特許庁

This action causes differential pairs not selected by the control signal S in the selector 7 to turn off, thereby blocking the capacitance of a common source of the differential pairs across NMOS and the capacitance of a current source from being connected to an output terminal.例文帳に追加

この作用により、セレクタ７内で制御信号Ｓにより選択されなかった差動対がオフ状態となり、ＮＭＯＳを介した差動対のコモンソースの容量と、電流源の容量が出力端子に接続されるのを阻止する。 - 特許庁

This ignition device comprising a blocking oscillator, an ignition signal generating part for generating an ignition signal of high voltage on the basis of an oscillating signal of the blocking oscillator, and the ignition plug generating the discharge for igniting an engine by applying the ignition signal from the ignition signal generating part, further comprises a level variation inhibiting part for inhibiting the reduction of the electric current of the power source line caused by the discharge.例文帳に追加

ブロッキング発振器と、該ブロッキング発振器の発振信号に基づいて高電圧の点火信号を発生する点火信号発生部と、該点火信号発生部からの点火信号の印加によってエンジンを点火させるための放電を発生する点火プラグとを備えた点火装置であって、放電に起因する電源ラインの電流減少を抑制するレベル変動抑制部を具備する。 - 特許庁

To reduce time required until a sprinkler head starts after fire breakout by preventing an auxiliary deflector positioned at the upper part of a side wall type sprinkler head from blocking the thermal current of a fire for efficiently transmitting heat to a thermosensitive decomposing part.例文帳に追加

側壁型スプリンクラーヘッドの上部に設置される補助デフレクターが火災の熱気流を遮らないように構成して感熱分解部に効率よく熱を伝え、火災発生からスプリンクラーヘッドが作動するまでの時間が短縮できるようにする。 - 特許庁

An indoor distribution line among each group of a power line communication system to constitute a local-area network of a plurality of groups is provided with a blocking filter 6, which does not interfere with a power transmission of a commercial alternating current and controls a signal passing of the power line communication.例文帳に追加

複数グループのローカルエリアネットワークを構成する電力線通信システムの、各グループ間の屋内配電線に、商用交流電流の送電に支障とならず、電力線通信の信号通過を抑制するブロッキングフィルター６を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a method for its manufacturing, wherein a blocking breakdown voltage at a chip surface part is improved, while a current is prevented from flowing the chip surface part in measuring breakdown voltage characteristics, for preventing element breakages.例文帳に追加

チップ表面部の阻止耐圧を向上させるとともに、耐圧特性測定時にチップ表面部で電流が流れることを防ぐことができ、素子破壊を防止することができる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To disclose a gas passage member (separator) used for a fuel cell, in which surface treatment of a noble metal required for conductivity and corrosion protection is applied to a section of the separator requiring a current collection function, without blocking the flow of reactive gas.例文帳に追加

反応ガスの流れを阻害することがなく、かつ集電機能を必要とする部分には導電性付与および腐食防止のための貴金属による表面処理が施されている、燃料電池で用いるガス流路部材（セパレータ）を開示する。 - 特許庁

The photosensor of the liquid crystal display device outputs a current detected by blocking the whole or a part of external light when an observer touches the image corresponding to touch keys in the display section.例文帳に追加

さらに、この液晶表示装置において、前記ホトセンサは、観測者が前記表示部のタッチキーに相当する表示をタッチした際に、外光の全部又は一部が遮られることに起因して検出される電流値を出力する、というものである。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

Then p-type InAsP current blocking layers 2 are formed to fill up the recessed sections of the diffraction grating surface by introducing the substrate 1 into an atmosphere containing a gas containing an element that becomes a p-type impurity, and raising the temperature of the substrate 1 up to 600°C.例文帳に追加

次に、基板を、ｐ型の不純物となる元素を含む気体を含む雰囲気中に導入して６００℃まで昇温することにより、ｐ型ＩｎＡｓＰからなる，回折格子面を埋めるｐ型電流阻止層２を形成する。 - 特許庁

Because the nonvolatile memory element has the block layer 14 capable of blocking the phase change of the recording layer 13, radiation is inhibited to the side of the upper electrode 15, and a phase changing area P is largely limited when a write current is applied.例文帳に追加

本発明によれば、記録層１３の相変化をブロック可能なブロック層１４を有していることから、上部電極１５側への放熱が抑制されるとともに、書き込み電流を印加した場合の相変化領域Ｐが大きく制限される。 - 特許庁

A clock input interface circuit 1 includes impedance matching/output voltage regulating resistances R11, R13, output voltage regulating resistances R12, R14, current stabilizing resistances R15, R16, an antireflection terminating resistance R17, DC level blocking capacitances C1, C2, RF bypass capacitances C3, C4, and current source transistors Q1, Q2.例文帳に追加

クロック入力インターフェース回路１は、インピーダンス整合・出力電圧調整抵抗Ｒ１１，Ｒ１３と、出力電圧調整抵抗Ｒ１２，Ｒ１４と、電流安定化抵抗Ｒ１５，Ｒ１６と、反射防止終端抵抗Ｒ１７と、ＤＣレベル阻止容量Ｃ１，Ｃ２と、ＲＦバイパス容量Ｃ３，Ｃ４と、電流源トランジスタＱ１，Ｑ２とから成る。 - 特許庁

In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.例文帳に追加

さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

To provide a distributed amplifier which can ensure flatness of gain over a wide band, starting from a low frequency region to a high frequency region, for example, when a capacitor for blocking a DC current is used in a terminal circuit on the output side.例文帳に追加

例えば、出力側の終端回路に直流電流阻止用のコンデンサを有していても、低周波数領域から高周波数領域にわたる広帯域において利得の平坦性を確保することができるようにした分布増幅器を提供する。 - 特許庁

A molecule including a phosphoric acid group in a molecular skeleton is used as the blocking agent used in the contact state with a working electrode 3 used for the specific detection of the test material 1 using the photoelectric current generated by photoexcitation of the sensitizing pigment 2, thereby greatly improving the detection sensitivity of the test material.例文帳に追加

増感色素２の光励起により生じる光電流を用いた被検物質１の特異的検出に用いられる作用電極３との接触下で使用されるブロッキング剤として、分子骨格中にリン酸基を含む分子を用いる。 - 特許庁

To provide an IC card reader device in which sufficient reading operation is performed without getting the IC card externally closer to a reader unit and its operation is easy by solving factors for blocking alternate-current field generated from an antenna of the reader unit with a fixing frame.例文帳に追加

リーダユニットのアンテナから発生する交流磁界が金属製取付枠で妨げられる要因を解決して、ＩＣカードを極端にリーダユニットに接近させなくても、十分に読取動作が行えて、操作簡単なＩＣカード読取装置を提供する。 - 特許庁

A second semiconductor laser element 20 via an electrode 8 for a wiring and a metallic wire 35, or the like, via a pad electrode 6 are jointed on the surface of the current blocking layer 5 (a region 5b) that corresponds to the region, forming at least the adherence layer 30.例文帳に追加

そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

This liquid crystal display includes the liquid crystal cell 1 with the substrate made of a plastic material, and a switching sheet 2 arranged on a rear face side of the liquid crystal cell 1, and provided with a switching part 20 for supplying or blocking a current in response to a whether to apply a pressing force.例文帳に追加

液晶表示装置は、基板がプラスチック材料で形成された液晶セル１と、液晶セル１の裏面側に配設され、押圧力の作用又は解除に応じて電流を導通又は遮断するスイッチ部２０が設けてあるスイッチシート２と、を含んでいる。 - 特許庁

The electromagnetic relay 1 includes a coil 2 generating magnetic force by electric conduction, a contact part 3 opening or closing by the magnetic force, and a fuse function part 4 consisting of a conductor arranged electrically in series with the contact part 3 and blocking current when a predetermined amount of heat is applied.例文帳に追加

通電によって磁力を発生するコイル２と、磁力によって開閉する接点部３と、接点部３と電気的に直列に配線され所定の熱量を受けたときに断線する導体からなるヒューズ機能部４とを有する電磁継電器１。 - 特許庁

To provide a current-carrying control device of a table tap capable of preventing generation of fire or the like beforehand by appropriately blocking a supply voltage at earthquake, by a start setting of a vibration-sensing action corresponding to whether a tap main body is at a regular position or not.例文帳に追加

タップ本体が定常位置に有るか否かに応じた感振動作の開始設定により、地震の発生時には供給電圧を的確に遮断して火災等の発生を未然に防止することができるテーブルタップの通電制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device that can ensure long-wavelength light emission ranging from green to red, and further provide a semiconductor LED that can surely and easily form a current blocking structure and its manufacturing method.例文帳に追加

緑色から赤色領域に至る長波長の発光を確実に得ることができる半導体発光素子と、電流ブロック構造を確実且つ容易に形成することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method includes a step of treating an anhydrous sulfide by using a disulfur dichloride solution between a step of forming a stripe-like mesa section by etching and a step of forming a current blocking layer.例文帳に追加

半導体レーザの製造方法において、 エッチングによってストライプ状メサ部を形成する工程と、電流ブロック層を形成する工程との間に、二塩化二硫黄液による無水系硫化物処理を行う工程を、含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 特許庁

Remaining ions (cores of mist generated by charged particles of natural radiations or the like) inside the observation vessel 2 are removed by a direct-current high voltage applied between a heater 26 provided in an observation window plate 25 comprising double-layer type film glass for blocking the upper part of an observation box 1, and a bottom plate 3.例文帳に追加

観察ボックス１の上部を閉塞する２層式フィルムガラスから成る観察窓板２５内に設けたヒーター２６と底部プレート３との間に印加した直流高電圧で観察槽２内部に残存するイオン（自然放射線等の荷電粒子によって生じた霧滴の核）を除去する。 - 特許庁

An insulation mechanism for blocking electric current from a stray potential is set up in an inner roller bearing disposed between a support rod and a journal, in supporting a support rod that supports an induction heating mechanism arranged inside the roller body.例文帳に追加

ローラ本体の内部に配置される誘導発熱機構を支持する支持ロッドを、ローラ本体に連なるジャーナルに内部軸受を介して支持するにあたり、支持ロッドとジャーナルとの間に介在している内部軸受に、浮遊電位による電流の流れを阻止する絶縁機構を設ける。 - 特許庁

The terminal box for solar cell modules has a pair of terminal boards 20, 20 disposed for connecting electrodes a of a solar cell module M in a box body 11, a reverse current blocking bypass diode 3 provided between both terminal boards and an outer connecting cable P connected to both terminal boards.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

To prevent strain of a gradient magnetic field by eddy current on an RF shield in a coil device for a magnetic resonance diagnostic apparatus in which the RF shield is disposed therebetween for blocking magnetic combination between the RF coil and an active shield type gradient magnetic field coil.例文帳に追加

本発明はＲＦコイルと能動遮蔽型傾斜磁場コイルとの磁気的結合を遮断するために両者間にＲＦシールドを配置する磁気共鳴診断装置用のコイル装置において、ＲＦシールド上の渦電流により傾斜磁場が歪むことを防ぐこと。 - 特許庁

A terminal box for a solar cell module has a pair of terminal boards 20, 20 for connecting the electrodes (a) of a solar cell module M in a box body 11, and a reverse current blocking bypass diode 3 is disposed between both the terminal boards, and outer connecting cables P are connected to both the terminal boards, respectively.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

The semiconductor laser is configured by a first clad layer 20, active layer 30, current-blocking part 40, second clad layer 50, contact layer 60, first ohmic electrode 70, second ohmic electrode 76, insulating film 64, first contact electrode 80, penetration electrode 90 and second contact electrode 86.例文帳に追加

第１クラッド層２０、活性層３０、電流ブロック部４０、第２クラッド層５０、コンタクト層６０、第１オーミック電極７０、第２オーミック電極７６、絶縁膜６４、第１コンタクト電極８０、貫通電極９０及び第２コンタクト電極８６を備えて構成される。 - 特許庁

In the power supply circuit 1 in which connectors 18 for the battery and an auxiliary battery are connected in parallel via a diode 16 for blocking a current from one side to the other side of each connector, an FET is connected in parallel with the diode 16 connected to the connector 18 of the battery 10 as standard equipment.例文帳に追加

電池用及び補助電池用各コネクタ１８を、それぞれ一方側から他方側への電流を阻止するダイオード１６を介して並列に接続した電源回路１において、前記標準装備電池１０のコネクタ１８に接続したダイオード１６にＦＥＴを並列に接続する。 - 特許庁

The present invention discloses further a separator of a battery or a capacitor manufactured by the method, a separator blended with a foaming agent, and the battery and the capacitor blocking safely a current, by foaming the foaming agent in the separator, when run away thermally, to make distant a distance between electrodes.例文帳に追加

更に、この方法で製造された電池やキャパシタのセパレーター、更に発泡剤が配合されたセパレーター、及び前記セパレーター中の発泡剤が熱暴走時に発泡し電極間の距離を引き離すことで安全に電流を遮断できる電池又はキャパシタを提供する。 - 特許庁

The blocking diode prevents a current running from the floating inductance component of a high-potential side switching semiconductor device 102 from running from the first drive circuit side to the second drive circuit side in the level shift circuit, when the high-potential side switching semiconductor device 102 is turned off.例文帳に追加

阻止ダイオードは、高電位側スイッチング半導体素子１０２等がターンオフした時、高電位側スイッチング半導体素子の浮遊インダクタンス成分等から流れ出る電流が、レベルシフト回路内で第１駆動回路側部分から第２駆動回路側部分へ流れるのを阻止する。 - 特許庁

The high-impedance formation circuit 38 has a high-frequency coil 381 for increasing the impedance of the load circuit of the high-frequency power application part 39 and a direct current blocking capacitor 382 for retaining a self-bias voltage generated on electrodes 32, 33 by plasma.例文帳に追加

この高インピーダンス化回路３８は、高周波電力印加部３９の負荷回路のインピーダンスを大きくするための高周波コイル３８１と、プラズマによって電極３２，３３上に発生する自己バイアス電圧を保持するための直流阻止用コンデンサ３８２とを有する。 - 特許庁

The above direct-heating type alloying furnace has preferably an ascending-current blocking section installed in a boundary between the direct-heating type heating furnace and the flame-jet heating section, has a burner in the flame-jet heating section, which can preferably change an amount of heat input according to a thickness of the steel sheet.例文帳に追加

上記直火式合金化炉においては、直火式加熱炉とフレーム噴流加熱部の境界部に上昇気流阻止部を設けることが好ましく、フレーム噴流加熱部のバーナは鋼板の厚さに応じて入熱量を変更できるものであることが好ましい。 - 特許庁

In the electrostatic discharge protection element having a semiconductor substrate 11 on which a silicide blocking region 14 wherein a current flows when surge is generated is formed, a mixed-crystal semiconductor region 15 of SiGe or SiC is arranged on at least a part of the silicide block region 14.例文帳に追加

サージ発生時に電流の流れるシリサイドブロック領域１４が形成されている半導体基板１１を有する静電放電保護素子において、前記シリサイドブロック領域１４の少なくとも一部に、ＳｉＧｅまたはＳｉＣの混晶半導体領域１５を設けている。 - 特許庁

To prevent a gradient magnetic field from being strained by eddy current on an RF shield in a coil device for a magnetic resonance diagnostic apparatus in which the RF shield is disposed between the RF coil and an active shield type gradient magnetic field coil, for blocking magnetic combination therebetween.例文帳に追加

本発明はＲＦコイルと能動遮蔽型傾斜磁場コイルとの磁気的結合を遮断するために両者間にＲＦシールドを配置する磁気共鳴診断装置用のコイル装置において、ＲＦシールド上の渦電流により傾斜磁場が歪むことを防ぐこと。 - 特許庁

In the air current blocking device, an air introduction port 8 is fixed to an appropriate positions of an appropriate surface of a projection body 1 that is positioned in a substantially central part between right and left sidewalls 2a and 2b and projected radially, the appropriate surface has a blow-out port 3, and the projection body 1 is pivoted to a rotation shaft at a radiation position.例文帳に追加

気流遮断装置は、左右の側壁２ａ，２ｂ間の略中央に位置して放射状に突設した突出体１の適宜面適宜位置に空気導入口８を固着し、適宜面を吹出口３とし、この突出体１が放射位置で回転軸に軸着されている。 - 特許庁

A depletion layer is expanded from the floating-current blocking region 8 towards the n-type GaN layer 6 on turning off the semiconductor device, a potential is lowered in the n-type GaN layer 26 filled in the aperture 28, and the voltage is decreased across the front side and the back side of a gate-insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。 - 特許庁

This impedance measuring device wherein the LSI 50 for receiving a digital signal is used as a measuring object is equipped with the TDR oscilloscope 10, a connection tool 20 for connecting the LSI to be measured which is the measuring object circuit, a capacitance element C1 for direct-current voltage blocking, and a power supply device 30.例文帳に追加

本発明のインピーダンス測定装置は、デジタル信号を受信するＬＳＩ５０を測定対象とし、ＴＤＲオシロスコープ１０、測定対象回路である被測定ＬＳＩを接続する接続治具２０、直流電圧阻止用のキャパシタンス素子Ｃ１、及び電源装置３０を備える。 - 特許庁