「current blocking」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a reactor 4 for blocking surge voltage is inserted between the second terminal 5b of the insulated transformer 5 and a terminal part A of the direct-current power source 1.例文帳に追加

そして、絶縁変圧器５の第２の端子５ｂと直流電源１の端子部Ａとの間にサージ電圧ブロック用のリアクトル４が挿入されている。 - 特許庁

A current-blocking layer 108 is formed in a pair of band shape facing to each other through an opening 109 on the p-side optical confinement layer 107.例文帳に追加

電流ブロック層１０８はｐ側光閉じ込め層１０７の上方に、開口部１０９を介して対向する一対の帯状に形成される。 - 特許庁

By this structure, the n-type InP current blocking layer 10 can be prevented from contacting with n-type InP clad layers 7, 12.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｎ型InP電流ブロック層１０がｎ型InPクラッド層７、ｎ型InPクラッド層１２と接触することを防ぐことができる。 - 特許庁

To form a current blocking layer without increasing the number of epitaxial growth steps, and allow an emitted light to be taken out efficiently.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程の回数を増やすことなく電流阻止層を形成でき、効率よく発光した光を外部に取り出すことができるようにする。 - 特許庁

To provide a collinear array antenna, capable of operating over a wide frequency range, by reliably blocking an antenna leakage current to an outer conductor of a coaxial line.例文帳に追加

同軸線路の外導体へのアンテナ漏洩電流を確実に阻止し、広い周波数範囲で動作させることができるコリニアアレーアンテナを提供する。 - 特許庁

This enables the forming of a current blocking layer without increasing the epitaxial growth steps, and emitted lights can be taken out efficiently.例文帳に追加

このため、エピタキシャル成長工程を増やすこと無く電流阻止層を形成することができ、効率よく発光した光を外部に取り出すことができる。 - 特許庁

By growing only the reflection layer 19 and the current-blocking layer 2 through MOCVD, other layers are grown through LPE method and thereby the diode is manufactured.例文帳に追加

反射層１９及び電流阻止層２のみをＭＯＣＶＤで成長させ、他の層をＬＰＥ法で成長させることにより製造することができる。 - 特許庁

To enhance the efficiency by blocking conduction of a switching element when the output voltage therefrom is high thereby suppressing generation of a spike current and power loss.例文帳に追加

スイッチング素子出力電圧が高いときにスイッチング素子を導通させないようにしスパイク電流の発生と電力損失を抑制し効率を上げる。 - 特許庁

Also, the minimum thickness d of its current blocking layer is determined based on the relation between the minimum thickness d and the IL characteristic of its laser beam.例文帳に追加

また電流阻止層の最小電流阻止層厚は、最小電流阻止層厚ｄとレーザ光のＩＬ特性の関係に基づいて決定する。 - 特許庁

A carrier signal is injected into only the section of the power- line current which is close to zero point and does not saturate its load or a magnetic substance of a blocking-filter 3.例文帳に追加

電流の零点近傍であってブロッキングフィルタ３の磁性体の負荷電流による非飽和領域だけに搬送信号を注入するようにした。 - 特許庁

In a normal operation, a DC power generated by solar cell strings 11 to 1n is outputted to an inverter 61 through reverse current blocking diodes 21 to 2n.例文帳に追加

通常の運転は、太陽電池のストリング１１〜１ｎで発電された直流電力は、逆流防止ダイオード２１〜２ｎを経てインバータ６１に出力される。 - 特許庁

Accordingly, a current of air in the air duct 40 can be used for cooling the exposure device 20 or blocking transmission of heat to the toner container 35.例文帳に追加

したがって、通風ダクト４０内の空気流を、露光装置２０の冷却に利用したり、トナーコンテナ３５に対する遮熱に利用したりすることができる。 - 特許庁

When line voltages exceed the magnitude of the bias voltage, each blocking diodes 82a, 82b prevent a current from flowing through the bias voltage source 48 in a reverse direction.例文帳に追加

線間電圧がこのバイアス電圧の大きさを超えると、ブロッキング・ダイオード８２ａ，８２ｂが、電流がバイアス電圧源４８を逆方向に流れるのを阻止する。 - 特許庁

By the effect of the carrier blocking layer, since the inflow of the electrons from the sub collector layer 3 to the substrate 1 is suppressed, a leakage current is reduced.例文帳に追加

このキャリアブロッキング層の効果により、サブコレクタ層３から前記基板１への電子の流入が抑えられるため、リーク電流が低減される。 - 特許庁

Namely, a current path reaches a bus pin from the battery through a blocking diode, a transistor, a resistor and a plurality of diodes but the bus refers to the ground.例文帳に追加

即ち、電流経路は電池から、ブロッキングダイオード、トランジスタ、抵抗、及び複数のダイオードを通ってバスピンに達し、それでもバスは接地を参照する。 - 特許庁

The capacitor C7 for cancellation is charged in the polarity opposite to that of the capacitor C6 for direct-current blocking by rectifying an electric charge of the capacitors C11, C12 for charging by means of diodes D6, D7.例文帳に追加

充電用コンデンサC11，C12の電荷を、ダイオードD6，D7により整流してキャンセル用コンデンサC7を、直流カット用コンデンサC6と反対の極性に充電する。 - 特許庁

A current blocking insulation film 2 is provided at a region on the first electrode 1, which the extraction electrode 7 and the metal pad 8 bonded on the extraction electrode 7 are projected in a normal direction of a surface of the first electrode 1 using the surface of the first electrode 1 as a projection surface, for blocking the current flow in the region.例文帳に追加

第１電極１上であり、第１電極１の表面を投影面として、引き出し電極７とその上に接着された金属パッド８が第１電極１の表面の法線方向に投影された領域には、この領域における電流の流れを阻止する電流阻止絶縁膜２が設けられている。 - 特許庁

When noise of several kHz-several hundreds Hz is applied to the coil elements 191 and 192, most of the low-frequency current Ilow is blocked by the low-frequency current blocking sections 29 so as not to pass to the main current route sections ML of the coil elements 191 and 192.例文帳に追加

数ｋＨｚ〜数百Ｈｚのノイズがコイルエレメント１９１および１９２に印加された場合、低周波電流Ｉlowの大部分は、低周波電流ブロック部２９によりブロックされ、コイルエレメント１９１および１９２のメイン電流経路部ＭＬには流れない。 - 特許庁

To provide a vertically-structured gallium-nitride based light-emitting diode device that provides an improved spreading efficiency of electric current and in addition, operates to reflect a photon emitted toward an electric current blocking layer on a light-emitting surface to embody a high luminance.例文帳に追加

電流の拡散効率を向上させると共に、電流阻止層に向かって発光する光子を発光面に反射させることで高輝度を具現する垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子に提供する。 - 特許庁

To provide a compound suitable for the formation of an electron-blocking layer in a photoelectric conversion element capable of decreasing the increase of dark current and also decreasing the increasing width of the dark current in the case of heat-treating the element.例文帳に追加

暗電流の増加を低減し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子における電子ブロッキング層の形成に適した化合物の提供。 - 特許庁

To provide a power supply system that uses a current not lower than a threshold being a trigger for blocking a power distribution passage at a load side without blocking the power distribution passage for supplying power to the load side from a commercial power supply.例文帳に追加

商用電源からの電力を負荷側に供給する配電路を遮断させることなく、該配電路を遮断させる契機となる閾値以上の電流を負荷側において使用させることができる電力供給システムを提供する。 - 特許庁

To obtain a capacitor voltage division circuit capable of minimizing current consumption of a resistor by supplying a current to the resistor only after a voltage being applied to the capacitor exceeds a specified level and capable of shortening the charging time by blocking current supply to the resistor at the time of charging the capacitor.例文帳に追加

コンデンサに印加される電圧が規定電圧を超えるまでは抵抗体に電流を流さなくして、抵抗体の消費電流を最小限に抑えることができ、コンデンサの充電時には抵抗に電流が流れなくして充電時間の短縮を可能にするコンデンサ分圧回路を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high.例文帳に追加

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。 - 特許庁

One of the electroconductive rods corresponds to one of the electroconductive segments, one of the closed electric current path including each electroconductive rod is formed, a blocking circuit is inserted into the closed electric current circuit, and the corresponding electroconductive segment is electrically connected to one end of the closed electric current path.例文帳に追加

導電性ロッドの一つが導電性セグメントの一つにそれぞれ対応し、各導電性ロッドを含む１つの閉電流経路が設けられ、閉電流経路にブロッキング回路が挿入され、閉電流経路の一端に対応する導電性セグメントが電気的に接続されている。 - 特許庁

A second semiconductor laser structure 120 consists of an n-type clad layer 121, an active layer 122, a p-type clad 123 and an n-type current blocking layer 124.例文帳に追加

また、第２の半導体レーザ構造１２０は、ｎ型クラッド層１２１、活性層１２２、ｐ型クラッド層１２３、ｎ型電流ブロック層１２４により構成されている。 - 特許庁

A first semiconductor laser structure 110 consists of an n-type clad layer 111, an active layer 112, a p-type clad layer 113 and an n-type current blocking layer 114.例文帳に追加

第１の半導体レーザ構造１１０は、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｎ型電流ブロック層１１４により構成されている。 - 特許庁

To suppress blocking of carrier conduction and reduction of on-current due to surface roughness on a boundary surface between a semiconductor film and a gate insulation film.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、半導体膜とゲート絶縁膜との界面に存在する表面粗さによる、キャリア伝導阻害・オン電流低下を、抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide an application structure of a follow current blocking device in a three-phase, four-circuit joint spanning steel tower that strikes a balance between the reduction of momentary drop occurrence probability and the reduction of equipment cost.例文帳に追加

瞬低発生確率の低下と、設備コストの低減とを両立させ得る三相四回線併架鉄塔における続流遮断機器の適用構造の提供。 - 特許庁

An overheating and overcurrent blocking unit constituted by combining a current fuse 8 with a temperature 1 is arranged between an AC power source 10 and the circuit 9 of an AC adapter, etc.例文帳に追加

電源ラインに接続される入力端子間に、電流ヒューズと過熱時に短絡する温度ヒューズとを直列配置し、温度ヒューズの前後に出力端子を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device having a current-blocking structure with high reliability under a pad electrode and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明の実施形態は、パッド電極の下に信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the plurality of inlets 12, the remaining inlets 12 except the inlet 12 located on the upstream in the flowing direction of the air current are blocked by a blocking means 43.例文帳に追加

複数の入口部１２のうち空気流が流れる方向の上流側に位置する入口部１２を除く残りの入口部１２を閉塞手段４３で閉塞する。 - 特許庁

The current blocking layer 115 is arranged in at least the upper semiconductor layer or the lower semiconductor layer and also includes an opening 115a.例文帳に追加

電流阻止層１１５は、上部半導体層および下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部１１５ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁

The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13).例文帳に追加

スイッチング装置（１０）は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードＤ３を内蔵する主IGFET（１１）と、保護スイッチ手段（１２）と、保護スイッチ制御手段（１３）とを有する。 - 特許庁

To operate as a low-pass filter to a common-mode current so as to form a signal blocking band to a frequency of several hundred MHz or more and provide a transmission characteristic of low loss to a differential-mode current.例文帳に追加

コモンモード電流に対しては低域通過フィルタとして動作して数百ＭＨｚ以上の周波数において信号阻止帯域を形成するのに対し、ディファレンシャルモード電流に対しては低損失な伝送特性を得る。 - 特許庁

The semiconductor wafer is provided with a plurality of light receiving parts, and it is also provided with a photoelectric current blocking means, which prevents the entry of photoelectric current generating from the vicinity of an expected light receiving part into the expected light receiving part.例文帳に追加

半導体ウェハには、複数の受光部が含まれ、光電流阻止手段が備えられ、光電流阻止手段によって所期の受光部に対し、その近傍の受光部から発生する光電流の侵入を阻止する。 - 特許庁

The voltage of the capacitor C6 for the direct-current blocking is biased to 0V by the voltage of the capacitor C7 for cancellation to eliminate the direct current, and a one-side dark discharge is prevented by preventing deviations of mercury in the fluorescent lamp FL due to moving.例文帳に追加

キャンセル用コンデンサC7の電圧が直流カット用コンデンサC6の電圧を０Ｖにするようにバイアスして、直流電圧をなくし、蛍光ランプFLの水銀の移動による片寄りを防止して片側暗放電を防止する。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A hole blocking material has a molecular weight of 400 or higher, and its ratio (Ipa/Ipc) of the oxidation current value (Ipa) to the reduction current value (Ipc) of a first reduction wave obtained by cyclic voltammetric measurement is 0.1 or larger.例文帳に追加

分子量が４００以上の正孔阻止材料であって、サイクリックボルタンメトリー測定によって得られる第一還元波の還元電流値（Ｉｐｃ）と酸化電流値（Ｉｐａ）の比（Ｉｐａ／Ｉｐｃ）が０．１以上である正孔阻止材料。 - 特許庁

Projections 16, 17 opposing to both side faces of a ridge 14 acting like a principal current path and each including an intermediate layer 9 and a current blocking layer 11 are formed to a laminated semiconductor layer 20 in a direction orthogonal to the laminated direction of the layer 20.例文帳に追加

積層半導体層２０の積層方向と直交する方向に、主たる電流通路となるリッジ１４の両側面に対向して成る、中間層９及び電流阻止層１１を有する突起部１６及び１７を形成する。 - 特許庁

To solve a problem that in a concrete structure coated with laminates, an adequate protection current cannot be supplied though the buried steel materials in the concrete is cathodically protected, because a blocking phenomenon occurs and the current does not flow from the electrode.例文帳に追加

積層体等で被覆したコンクリート構造物において、コンクリートに埋設されている鋼材に電気防食を施してもブロッキング現象が生じ電極から電流が流れなくなり、適正な防食電流が供給できなくなる。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁