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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > current blockingに関連した英語例文

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current blockingの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 271



例文

To provide a fuse element equipped with overload meltdown characteristics around fuse rated current, with retention of high-speed meltdown characteristics capable of rapidly blocking large current at short-circuiting, and without giving drastic influences on life characteristics, a structure, a dimension, or the like.例文帳に追加

短絡時の大電流を速やかに遮断できる高速溶断特性を維持しつつ、寿命特性や構造、サイズ等に大幅な影響を与えることなく、ヒューズ定格電流付近の過負荷溶断特性を具備したヒューズエレメントを提供する。 - 特許庁

Further, the current blocking layers 8 do not grow farther from the side of the clad layer 6 and there is nothing to stop the growth of the clad layer 6.例文帳に追加

またクラッド層6の側壁部分からは電流ブロック層8が成長しないので成長を阻害する要因がなくなり、従って従来より厚く成長させることができる。 - 特許庁

A device for avoiding damages in a tool of a machine tool as a result of electrical interference has insulating materials (3, 4) for blocking any harmful current between the tool of the machine tool and a workpiece (6).例文帳に追加

電流による工作機械の工具の損傷を防止するための装置は、工作機械の工具と加工材(6)との間の有害な電流を遮断する絶縁材(3,4)を有している。 - 特許庁

The element further comprises an insular current blocking layer 109 made of an LiGaO_2 epitaxially grown between the cladding layer 107 and the layer 108.例文帳に追加

p型AlGaN上クラッド層107とp型GaN電流拡散層108との間には、エピタキシャル成長されたLiGaO_2からなる島状の電流阻止層109を設けている。 - 特許庁

例文

The n-type current blocking layers 114 and 124 consist of an identical material which is transparent with respect to respective oscillation wavelengths, that is n-type Al_0.5In_0.5P.例文帳に追加

n型電流ブロック層114と、n型電流ブロック層124とが、共に各々の発振波長に対して透明な同一材料系すなわちn型Al_0.5In_0.5Pから構成されている。 - 特許庁


例文

A reverse-flow blocking diode 50 for preventing a reverse current from flowing is arranged between an ignition terminal 30 and an anode (the positive-electrode side) of each light-emitting diode 41A-41C.例文帳に追加

イグニッション端子30と各発光ダイオード41A〜41Cのアノード(陽極側)との間には、逆方向電流が流れることを防止するための逆流阻止ダイオード50が配されている。 - 特許庁

The emitters of the TRs 51, 52 are connected in common, and a current obtained at the connection midpoint is fed to a coil 80 for shifting a beam landing position through a DC blocking capacitor 70.例文帳に追加

さらにエミッタが互いに接続されて、この接続中点に得られる電流が直流遮断用のコンデンサ70を通じてビームランディング位置移動用のコイル80に供給される。 - 特許庁

The filler may be a high-resistance SIPOS that can ensure leakage current from a source to a drain to keep a uniform distribution of electric field along the total length of the trench during blocking.例文帳に追加

この充填材を、ブロッキング中にトレンチの全長に沿って均一な電界分布を保証するソースからドレインへのリーク電流を許す高抵抗のSIPOSとすることもできる。 - 特許庁

To suppress a light leakage current by improving light blocking performance while having a transistor which can be formed in a self-aligning manner in an electric optical device such as a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置等の電気光学装置において、自己整合的に形成可能なトランジスターを有しつつ、遮光性能を向上させることにより、光リーク電流の抑制を図る。 - 特許庁

例文

The penetration electrode is formed in a through-hole that penetrates the first clad layer, the current-blocking part, the second clad layer, and the contact layer, and is electrically connected to the second ohmic electrode.例文帳に追加

貫通電極は、第1クラッド層、電流ブロック部、第2クラッド層及びコンタクト層を貫通する貫通孔内に形成されていて、第2オーミック電極と電気的に接続されている。 - 特許庁

例文

A p-type SiC region 11 is formed as a current blocking region at a corresponding position on an n-type SiC substrate 10 to the bottom of a p-type Ohmic electrode 21.例文帳に追加

n型SiC基板10のうち、p型オーミック電極21の下部に対応する位置に電流阻止領域としてのp型SiC領域11が形成されるようにする。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード4は逆阻止用の整流ダイオードであり、IGBT3がオン状態になるとダイオード4に順方向電流が流れる向きで、IGBT3に直列接続されている。 - 特許庁

On the side of a laser diode 20 having a large film thickness, the area of the crystal growth region of a current blocking layer 50 is increased by one dielectric film 40A, and the amount of a migration is reduced.例文帳に追加

膜厚の大きいレーザダイオード20側では、1つの誘電体膜40Aで電流ブロック層50の結晶成長領域の面積を大きくし、マイグレーションの量を小さくする。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

III−V族窒化物半導体レーザ素子100は、n型基板101と、下部半導体層と、活性層106と、上部半導体層と、電流阻止層115とを備えている。 - 特許庁

To provide a reliability testing device capable of preventing breakage of the testing device by blocking a member to be tested from a current detection means at high speed.例文帳に追加

本発明は、被試験部材と電流検出手段とを高速に遮断することにより、試験装置を破損させることを防止することができる信頼性試験装置を提供する。 - 特許庁

In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.例文帳に追加

コンタクト層24と電流ブロック層20と第2クラッド層16とアンドープ活性層14とを貫通して、第1クラッド層12まで達するプロトン注入部34を形成する。 - 特許庁

To provide a power source monitor, a power source device and a power source monitoring method capable of blocking an adverse current in a simple constitution or safely and surely performing the supply of a power source.例文帳に追加

簡単な構成で逆潮流を阻止でき、あるいは電源の供給が安全確実に行われる電源監視装置、電源装置及び電源監視方法を提供することである。 - 特許庁

The 3D fuzzy filter considers the energy of the block, and the intensities of pixels spatially adjacent and temporally adjacent to the current pixel to remove blocking and ringing artifacts.例文帳に追加

3Dファジィフィルタは、ブロックのエネルギー、並びに現画素に空間的に隣接する画素及び時間的に隣接する画素の強度を考慮してブロッキングアーチファクト及びリンギングアーチファクトを除去する。 - 特許庁

A diode 6 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an IGBT5 in an orientation such that a forward current flows to the diode 6 when the IGBT5 is turned on.例文帳に追加

また、ダイオード6は逆阻止用の整流ダイオードであり、IGBT5がオン状態になるとダイオード6に順方向電流が流れる向きで、IGBT5に直列接続されている。 - 特許庁

To miniaturize an arc-extinguishing chamber, covering space between a movable contactor and a permanent magnet with an insulating material and securing an insulation distance from a cross bar to the permanent magnet when blocking the dc current.例文帳に追加

直流の電流遮断において、可動接触子と永久磁石の間を絶縁物で覆い、クロスバーから永久磁石までの絶縁距離を確保しつつ、消弧室を小型化する。 - 特許庁

Consequently, the blocking layer 7 is formed continuously over the upper face and the side face of each element 6a, to surely prevent pouring-in of dark current from the stripe electrode 6.例文帳に追加

これにより、各エレメント6aの上面および側面に亘って連続的にブロッキング層7が形成され、ストライプ電極6からの暗電流注入を確実に阻止できる。 - 特許庁

To obtain a locking protection circuit of a motor capable of blocking the deformation and the burning of a coil and smoke emission therefrom positively by interrupting a current when a PTC 30 is locked.例文帳に追加

本発明はPTC30拘束時に電流を遮断して、コイルの変形や焼損、発煙が生じるのを確実に阻止することができるモータの拘束保護回路を得るにある。 - 特許庁

An n-type current blocking layer 8 is arranged in a stripe-shaped part whose longitudinal direction is in parallel with the light outgoing direction whose partial area is excluded inside the p-type waveguide layer 7.例文帳に追加

p型導波層7内部には、長手方向が光出射方向と平行になるようなストライプ状の一部領域を除いた部分に、n型電流ブロッキング層8が配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device or the like capable of surely blocking a current flowing to a transistor when a power source is reversely connected and surely protecting the transistor from the reverse connection of the power source.例文帳に追加

電源が逆接続された場合に、トランジスタに流れる電流を確実に阻止して、電源の逆接続からトランジスタを確実に保護することが可能な半導体装置などの提供。 - 特許庁

Regarding an electric pathway for electrically interconnecting the sensor terminal of the current measuring resistor 61 and the differential amplifying circuit 62, a switch circuit 71 is disposed on the pathway on which element current does not flow, and the potential difference between both terminals of the current measurement resistor 61 is made zero by blocking the switch circuit 71.例文帳に追加

電流計測抵抗61のセンサ側端子と差動増幅回路62とを電気的に接続する電気経路において素子電流が流れない経路上にはスイッチ回路71が設けられており、スイッチ回路71を閉鎖することで電流計測抵抗61の両端電位差がゼロとされる。 - 特許庁

The switching power supply controls high frequency components of an AC current on the output side of a high band blocking filter to flow with timing shifted by adding another pair of two series switch elements and a current detection element and a boosting choke to the output of a DC output smoothing capacitor and the high band blocking filter.例文帳に追加

本発明に係るスイッチング電源装置は、直流出力の平滑用コンデンサと高域阻止フィルタの出力に、もう一対の2つ直列のスイッチ素子と電流検出素子と昇圧チョークを追加することによって、上記高域阻止フィルタの出力側の交流電流の高周波分をタイミングがずれて流れるように制御したことを特徴とするものである。 - 特許庁

The active noise blocking circuit 1 which is a voltage conversion circuit is operated so as to supply only a DC current from a power source line in the direction of the logic elements Q1 and Q2 and is operated so as to block a high frequency current from the side of the elements Q1 and Q2 to a power source side.例文帳に追加

電圧変換回路である能動ノイズ阻止回路1は、電源ラインから論理素子Q1,Q2方向へDC電流のみを供給するように動作し、素子:Q1,Q2側から電源側への高周波電流は阻止するように動作させる。 - 特許庁

By blocking the two-way switch of a corresponding phase at a zero cross of each short-circuited current, a rise in voltage between terminals of a snubbering capacitor 6 is restrained, to enable the PWM cycloconverter to safely be stopped.例文帳に追加

この各短絡電流ゼロクロスで当該相の双方向スイッチを遮断することで、スナバ用キャパシタ6の端子間電圧上昇を迎えて、安全にPWMサイクコンバータを停止できる。 - 特許庁

When driving load (work current value) of the air pump 13 is detected at this time, and the driving load becomes a predetermined value or more, blocking of the new air introduction port 9 side is diagnosed and the purge is stopped.例文帳に追加

このときのエアポンプ13の駆動負荷(作動電流値)を検出し、その駆動負荷が所定値以上となった場合に、新気導入口9側の閉塞と診断し、パージを停止させる。 - 特許庁

The side of the ridge shaped clad layer 6 forms the light guide between the current blocking layers 8 of a semiconductor laser diode, and its side parallel with the output direction is covered with a dielectric film 7 such as SiO_2.例文帳に追加

半導体レーザダイオードの電流ブロック層8に挟まれた光導波路を構成するリッジ状のクラッド層6の出力方向に平行な側面をSiO_2などの誘電膜7で被覆する。 - 特許庁

The metal layer and the metal-based clad layer have a ridge shape, a current blocking layer 180 is formed on sidewalls and an exposed surface, and a p-electrode layer 190 is provided thereon.例文帳に追加

金属層及び金属系クラッド層は、リッジ状に形成され、その側面及び外郭領域表面に電流遮断層180が形成され、その上にp−電極層190が備えられている。 - 特許庁

Further, a current-blocking layer 10 made of conductivity type III-V compound semiconductor different from the layer 7 is embedded in an intermediate position of the layer 7 in the thicknesswise direction.例文帳に追加

さらに、電流拡散層7の厚さ方向の中間位置に、該電流拡散層7とは導電型の異なるIII−V族化合物半導体よりなる電流阻止層10を埋設形成する。 - 特許庁

Recessed and projecting sections, produced when a window 16a is formed through an AlInP current blocking layer 16, are left on the upper surface of a second p-type AlGaInP clad layer 17 which thereafter is caused to deposit on the layer 16 including the window 16a.例文帳に追加

AlInP電流ブロック層16に窓16aを形成することによって生じた凹凸は、その後堆積するp型AlGaInP第2クラッド層17の上面に残る。 - 特許庁

The secondary cell charging control semiconductor device 1 comprises a charger 5, a diode 2 for blocking reverse current from a secondary cell to the power source VDD or the charger 5, a PNP bipolar transistor 3 for controlling the charging current from the charger 5, and a capacitor 4 for stabilizing the VDD.例文帳に追加

二次電池充電器制御用半導体装置1、充電器5、二次電池から電源VDDや充電器5への電流逆流を阻止するダイオード2、充電器5からの充電電流を制御するPNPバイポーラトランジスタ3、VDDを安定化させるキャパシタンス4を有する。 - 特許庁

To provide a power unit for vehicle that prevents over-discharge from a secondary battery by blocking an electric path between the secondary battery and a first DC/DC converter during standby when a vehicle stops, and reducing a dark current (standby current) that flows from the secondary battery.例文帳に追加

車両用電源装置において、車両停止時における待機中に二次電池と第一のDC/DCコンバータとの間の電気経路を遮断しておくことを可能とし、二次電池から流れる暗電流(待機電流)を少なくして、二次電池の過放電を防ぐことにある。 - 特許庁

To solve the problem of inability of blocking a driving current in the state with the CPU function stopped so that the dangerous state is maintained, in a thermal printer monitoring the output of a thermally sensitive element provided in a thermal head so as to block the driving current by the CPU at the time of a failure.例文帳に追加

サーマルヘッドに設けられた感熱素子の出力をCPUによって監視し、異常時にCPUによって駆動電流を遮断するサーマルプリンタでは、CPUの機能が停止した状態では駆動電流を遮断することができず、危険な状態が維持されてしまう。 - 特許庁

In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置1において、電流ブロック層19は、光共振器長方向に延設されたp型第2クラッド層17とp型キャップ層18とを、光出射端面側で大きく、反対側で小さく覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a puffer type gas-blast circuit breaker having excellent large-current breaking performance by certainly blocking retrogression of a puffer cylinder during the breaking operation, preventing rapid pressure reduction, and holding high gas-blowing pressure in an instance of a current break.例文帳に追加

本発明は、遮断動作途中のパッファシリンダの逆行を確実に阻止して、急激な圧力低下を防ぎ、電流遮断瞬時に高いガス吹付け圧力を保持することにより、大電流遮断性能が格段に優れたパッファ形ガス遮断器を得ることを課題とする。 - 特許庁

To eliminate noise counter-measures in outside a HID lamp (inside the illuminator) by efficiently blocking ultrahigh frequency current from a discharge electrode which is a cause of ultrahigh frequency radiation noise inside the HID lamp.例文帳に追加

HIDランプ内部で超高周波輻射雑音の原因となる放電電極からの超高周波電流を効率的に阻止し、HIDランプ外部(照明器具内部)での雑音対策を不要または簡略化する。 - 特許庁

A compensation circuit 11, for ensuring flatness of gain in the low frequency region, is connected with a connection point of a terminal resistance 9 of the terminal circuit 8 on the output side and the capacitor 10 for blocking a DC current.例文帳に追加

出力側の終端回路8の終端抵抗9と直流電流阻止用のコンデンサ10との接続点に、低周波数領域における利得の平坦性を確保するための補償回路11を接続する。 - 特許庁

Then, current flowing via each region between the adjacent trenches 2 is broken by blocking each region between the adjacent trenches 2 in a depletion layer 9 formed around the trenches 2.例文帳に追加

そして、隣り合うトレンチ2間の各領域を介して流れる電流は、トレンチ2の周辺に形成される空乏層9で隣り合うトレンチ2間の各領域が塞がれた状態になることにより遮断される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a tube type fuel cell not blocking a gas passage in an inside current collector and obtaining the tube type fuel cell having high adhesion.例文帳に追加

本発明は、内側集電体のガス流路を閉塞させることなく、密着性に優れたチューブ型燃料電池を得ることができるチューブ型燃料電池の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which can suppress the generation of its kink and emit its laser beam having a desired horizontally radiating angle, by specifying the width of its ridge, i.e., the width of its stripe and the thickness of its current blocking layer.例文帳に追加

リッジ幅すなわちストライプ幅および電流阻止層厚を規定することによってキンクの発生の抑制および所望の水平放射角のレーザ光を発射可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

On the side of a laser diode 30 having a small film thickness, the area of the crystal growth region of the current blocking layer 50 is reduced by three dielectric films 40B, 40C, 40D, and the amount of the migration is increased.例文帳に追加

一方、膜厚の小さいレーザダイオード30側では、3つの誘電体膜40B、40C、40Dで電流ブロック層50の結晶成長領域の面積を小さくし、マイグレーションの量を大きくする。 - 特許庁

To provide a blocking agent for working electrode processing capable of improving greatly detection sensitivity of a test material in specific detection of the test material using a photoelectric current generated by photoexcitation of a sensitizing pigment.例文帳に追加

増感色素の光励起により生じる光電流を用いた被検物質の特異的検出において被検物質の検出感度を飛躍的に向上できる、作用電極処理用のブロッキング剤の提供。 - 特許庁

A transistor 21 and a diode 22 for blocking reverse current are provided in the power supply line to make the overcurrent detection, and a control circuit 30 detects overcurrent by using the foreword voltage fluctuation across the diode 22.例文帳に追加

トランジスタ21と逆電流防止用のダイオード22を電力供給ラインに設けて、このダイオード22の順電圧の電圧変動を利用して過電流検出制御回路30で過電流検出を行う。 - 特許庁

In the block 1, an individual element can be formed but in order to drive it individually from the compound semiconductor element, a high resistance layer 23 and a current blocking layer 24 are interposed in the intermediate parts 22 of both of them.例文帳に追加

Si製ブロック1には個別の素子を形成してもよいが、化合物半導体素子と個別に駆動するために、両者の中間層22に高抵抗層23や電流阻止層24などを介装する。 - 特許庁

A device for shaping waveform of signal light is provided with a distributed feedback(DFB) laser 2 having a blocking band that is defined as the range of wavelengths which can be oscillated from the laser 2, and a driving circuit 4 which supplies a driving current to the laser 2 so that the laser 2 may oscillate at a first wavelength contained in the blocking band.例文帳に追加

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還(DFB)レーザ2と、DFBレーザが阻止帯域に含まれる第1の波長でレーザ発振するようにDFBレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element constituted by including a ZnO semiconductor includes a structure for blocking current by a reversely biased pn junction, in such a manner that a current block region of the reversely biased pn junction has an ionization impurity concentration of10^17 to10^20 cm^-3.例文帳に追加

ZnO系半導体を含んで構成された半導体発光素子であって、逆バイアスされたpn接合によって電流をブロックする構造を有し、前記逆バイアスされたpn接合の電流ブロック領域が5×10^17〜5×10^20cm^−3のイオン化不純物濃度を有する。 - 特許庁

例文

A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.例文帳に追加

半導体基板1上に、少なくともn形層2とp形層4とを有する発光層形成部11を含む半導体積層部12が設けられ、その表面に電流阻止層7が部分的に、さらに電流拡散用電極8が全面に設けられ、その上にボンディング用電極9が設けられている。 - 特許庁




  
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