「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Therefore, the insulating layer 16 functions as a current constricting layer.例文帳に追加

そのため、絶縁層１６は、電流狭窄層として機能する。 - 特許庁

A data write current to a free layer side from a pin layer side is larger than a data write current to the pin layer side from the free layer side.例文帳に追加

ピン層側からフリー層側へのデータ書込電流は、フリー層側からピン層側へのデータ書込電流よりも大きい。 - 特許庁

The current constitution layer of the upper-part laser 60 is an n-type GaAs current constriction layer 24.例文帳に追加

上部レーザ部６０の電流狭窄層は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２４である。 - 特許庁

In addition, a current diffusing quantum well layer 8 is provided in the current diffusing layer 91.例文帳に追加

そして、該電流拡散層９１内に電流拡散用量子井戸層８が設けられる。 - 特許庁

The current collector 1 is a one-layer resin layer having conductivity.例文帳に追加

集電体１は導電性を有する一層の樹脂層である。 - 特許庁

CURRENT COLLECTOR FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR AND ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR例文帳に追加

電気二重層キャパシタ用集電体及び電気二重層キャパシタ - 特許庁

The air electrode layer 130 includes a base layer 132 (an LSCF layer) and a current collecting layer 133 (an LSC layer) formed on the top surface of the base layer.例文帳に追加

空気極層１３０は、ベース層１３２（ＬＳＣＦ層）と、その上面に形成された集電層１３３（ＬＳＣ層）とを含む。 - 特許庁

A cutter path defining the first layer as a current layer is found from the contour data of the first layer.例文帳に追加

第１層目のコンターデータから、第１層をカレント層としたときのカッターパスを求める。 - 特許庁

An emission layer, a current diffusion layer and a current constriction layer 1 are grown in this order on a growth substrate.例文帳に追加

成長基板上に、発光層、電流拡散層、および電流狭窄層１をこの順番で成長形成する。 - 特許庁

To prevent the shunt of a sense current into a bias layer.例文帳に追加

バイアス層へのセンス電流の分流を防ぐ。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING CURRENT DIFFUSION LAYER例文帳に追加

電流拡散層を含む半導体発光装置 - 特許庁

The current constriction layer 36 is made of an AlGaAs nitride layer.例文帳に追加

電流狭窄層３６は、ＡｌＧａＡｓ窒化層で形成されている。 - 特許庁

The selectively oxidized layer 114 serves as both a current miniature layer of the injected current and an insulated film for the current injecting means 121, 122.例文帳に追加

選択酸化層114が注入電流の電流狭窄層と電流注入手段121、122用の絶縁膜とを兼ねている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT INCLUDING CURRENT LIMITATION LAYER例文帳に追加

電流制限層を備えた半導体発光素子 - 特許庁

The side face part current block layer 8 has a larger refractive index than the flat part current block layer 9.例文帳に追加

側面部電流ブロック層８の屈折率は、平坦部電流ブロック層９の屈折率よりも大きい。 - 特許庁

An isolation layer for suppressing a leakage current is provided at least between a channel layer and a buffer layer formed under the channel layer in the buffer layer.例文帳に追加

チャネル層の下部に形成するバッファ層の少なくともチャネル層との間にリーク電流を抑制する分離層を設ける。 - 特許庁

The inclusion layer 12 is arranged between the positive electrode current collector 11 and the positive electrode layer 13 and improves adhesion of both the positive electrode current collector and the positive electrode layer.例文帳に追加

介在層12は、正極集電体11と正極層13との間に配置されて、両者の密着性を向上させる。 - 特許庁

A current collector layer 33 of a negative electrode cup 3 is copper, and a tin coating layer 34 is formed on the current collector layer 33.例文帳に追加

負極カップ３の集電体層３３は銅であり、集電体層３３上にすず被覆層３４が形成される。 - 特許庁

When a conductive layer is deposited, the current block layer prevents a contact layer from coming direct into contact with a buffer layer.例文帳に追加

導電層が堆積されると、電流ブロック層は、コンタクト層がバッファ層と直接接触することを阻止する。 - 特許庁

The buffer layer 19 is formed in contact with the current narrowing layer 18.例文帳に追加

バッファ層１９は、電流狭窄層１８に接して形成されている。 - 特許庁

a layer of ocean water which flows at a 90 degree angle to the air current, called {Ekman layer} 例文帳に追加

エクマン層という,海洋の流向が風向に対して90゜をなす層 - EDR日英対訳辞書

A second cladding layer and a contact layer are formed sequentially on the active layer and the current block section.例文帳に追加

活性層及び電流ブロック部上に第２クラッド層及びコンタクト層を順に形成する。 - 特許庁

An electrode layer 5 is accumulated on the bias layer 4, and impresses the sense current on the MR layer 3.例文帳に追加

電極層５はバイアス層４に積層されてＭＲ層３にセンス電流を印加する。 - 特許庁

The aluminum containing layer 33 comprises a conductive layer 34 and a current constriction layer 36.例文帳に追加

アルミニウム含有層３３は、導電層３４と電流狭窄層３６によって構成されている。 - 特許庁

An active layer 5, a second clad layer 6 and a current diffusing layer 7 re-laminated ad formed thereon.例文帳に追加

その上に、活性層５、第２クラッド層６および電流拡散層７を積層形成する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE WITH REFERENCE LAYER THAT CONDUCTS CURRENT例文帳に追加

電流を伝える基準層を有する磁気メモリデバイス - 特許庁

Provision of a buffer layer reduces an off-current.例文帳に追加

また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 - 特許庁

A current from the electrode is constricted by the current block layers and injected into the active layer from the current injection window layer.例文帳に追加

前記電極からの電流が、電流ブロック層により狭窄されて電流注入窓層より前記活性層に注入される。 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR COMPRISING CURRENT SUPPRESSING LAYER例文帳に追加

電流抑制層を備える絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ - 特許庁

A first electrode supplies a current to the active layer.例文帳に追加

第１の電極が活性層に電流を供給する。 - 特許庁

The side of mesa is filled up with an n-InP contact layer 30, a p-current block layer 32 and an n-current block layer 34, and a current block structure is formed.例文帳に追加

メサの側面は、ｎ−ＩｎＰコンタクト層３０、ｐ−電流ブロック層３２及びｎ−電流ブロック層３４で埋め込まれ、電流ブロック構造が形成されている。 - 特許庁

An electrode layer 15 is arranged with separated each other making for a pair and supplies current (sense current) to the free layer 27.例文帳に追加

電極層１５は、互いに離間して一対配置され、フリー層２７に電流（センス電流）を供給する。 - 特許庁

The induction current generating part generates an induction current in the conductive layer.例文帳に追加

前記誘導電流発生部は、前記導電層に誘導電流を発生させる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CURRENT CONSTRICTION LAYER, AND CURRENT CONSTRICTION TYPE SURFACE EMITTING LASER例文帳に追加

電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レーザ装置 - 特許庁

A current narrowing layer 18 and a buffer layer 19 are formed in an upper DBR layer 15.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。 - 特許庁

The all solid lithium ion battery is structured of a laminated body provided with a first current-collecting layer, an anode active material layer located on the first current-collecting layer made of a ceramic material, an electrolyte layer covering the anode active material layer, a cathode active material layer located on the electrolyte layer, and a second current-collecting layer covering the cathode active material layer.例文帳に追加

全固体リチウムイオン電池を、第１集電層と、第１集電層上に位置するセラミックス材料からなる負極活物質層と、負極活物質層を覆う電解質層と、電解質層上に位置する正極活物質層と、正極活物質層を覆う第２集電層と、を具備する積層体で構成する。 - 特許庁

After forming a striped shape current constricting region to the current block layer 16, a 3rd clad layer 17 made of a p-type AlGaN layer and a contact layer 18 made of a p-type GaN layer are sequentially grown on the current black layer 16.例文帳に追加

電流ブロック層１６にストライプ状の電流狭窄領域を形成した後、電流ブロック層１６の上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第３のクラッド層１７及びｐ型ＧａＮ層よりなるコンタクト層１８を順次成長させる。 - 特許庁

The positive electrode 10 comprises a positive electrode current collector layer 11 and a positive electrode active material layer 12 formed on the positive electrode current collector layer 11.例文帳に追加

正極１０は、正極集電体層１１と、正極集電体１１上に形成された正極活物質層１２とを備える。 - 特許庁

The second conductive type current diffusion layer 17 is formed covering the second conductive type base layer 15 and the first conductive type current block layer 16.例文帳に追加

第２導電型の電流拡散層は、第２導電型の下地層および第１導電型の電流ブロック層を覆って形成される。 - 特許庁

The translucent positive electrode comprises a contact metal layer in contact with a p-type semiconductor layer, a current diffusion layer on the contact metal layer having electric conductivity higher than that of the contact metal layer, and a bonding pad layer on the current diffusion layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなることを特徴とする透光性正極。 - 特許庁

This nitride compound semiconductor light-emitting device is equipped with an active layer 5 which is pinched between an upper and a lower clad layer, 4 and 6, and a current blocking layer 8a having an opening that serves as a current path is formed on the active layer 5.例文帳に追加

上下クラッド層４、６で挟まれた活性層５上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層８ａが設けられている。 - 特許庁

Between the current collector 110 and the active substance layer 130, a first intermediate layer 121 and a second intermediate layer 122 are formed on the current collector side and the active substance layer side, respectively.例文帳に追加

集電体110と活物質層130との間には、集電体側に位置する第一中間層121と、活物質層側に位置する第二中間層122とが形成される。 - 特許庁

On the upper surface of the P-type semiconductor layer 5, a current diffusion layer 6 is formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体層５の上面には、電流拡散層６を形成してある。 - 特許庁

A second insulating layer 46 and a planarization layer 48 cover the current source transistor TS.例文帳に追加

第２絶縁層４６および平坦化層４８は電流源トランジスタＴSを覆う。 - 特許庁

A current constriction layer 24 which limits the current injection region of the active layer 30 is interposed between the N-type contact layer 21 and the N-type guide layer 23.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１とｎ型ガイド層２３との間には、活性層３０の電流注入領域を制限する電流狭窄層２４が設けられている。 - 特許庁