「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a p-GaP current diffusion layer 105 is laminated on the substrate.例文帳に追加

そして、基板上にｐ-ＧaＰ電流拡散層１０５を積層する。 - 特許庁

Since the current path of the sense current is fully ensured in the pinning layer 400, the parasitic resistance Rpa of the pinning layer 400 is reduced.例文帳に追加

ピンニング層４００においてセンス電流の電流経路が十分に確保されるため、そのピンニング層４００の寄生抵抗Ｒpaが低下する。 - 特許庁

The negative electrode includes a negative electrode current collector and an negative electrode active material layer.例文帳に追加

負極は、負極集電体と、負極活物質層とを有する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer is formed on the negative electrode current collector.例文帳に追加

負極活物質層は、負極集電体上に形成されている。 - 特許庁

In this method, the current constricting layer is grown by using a nitrogen gas as carrier gas.例文帳に追加

電流狭窄層を窒素ガスをキャリアガスとして成長させる。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery having a current collector with an active material layer stacked thereon, in which the exfoliation of the active material layer from the current collector is suppressed.例文帳に追加

集電体に活物質層を積層したリチウムイオン二次電池において、集電体からの活物質層の剥離を抑制可能とする。 - 特許庁

THERMALLY ASSISTED MAGNETIC WRITING USING OXIDE LAYER AND ELECTRIC CURRENT INDUCTION HEATING例文帳に追加

酸化物層と電流誘導加熱を使用した熱アシスト磁気書込み - 特許庁

The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.例文帳に追加

電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁

The positive electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery is formed by forming a layer of a coupling agent as a monomolecular layer of the current collector between the current collector 21 and the positive electrode mix layer 23 formed on the current collector.例文帳に追加

集電体２１と、集電体に形成された正極合剤層２３の間に、集電体の単分子層２２としてカップリング剤の層を形成して、非水電解質二次電池用正極が形成される。 - 特許庁

THERMALLY ASSISTED MAGNETIC WRITE IN USING OXIDE LAYER AND ELECTRIC CURRENT INDUCTION HEATING例文帳に追加

酸化物層と電流誘導加熱を使用した熱アシスト磁気書込み - 特許庁

A current limiter layer 27 in which conductive sections and insulating sections mixedly exist is provided on the sense current reaching surface side (upper surface side) of a free magnetic layer 26.例文帳に追加

フリー磁性層２６のセンス電流の到達面側（上面側）に導電部と絶縁部とが混在した電流制限層２７を設ける。 - 特許庁

To reduce leak current from an embedded wiring layer to a semiconductor substrate.例文帳に追加

埋め込み配線層から半導体基板へのリーク電流を低減する。 - 特許庁

The current-blocking layer can be made of a short-period superlattice.例文帳に追加

この電流ブロッキング層は、短周期超格子から成ることができる。 - 特許庁

The current narrowing layer 105 at least includes an aperture section 105a.例文帳に追加

電流狭窄層１０５は、少なくともアパーチャ部１０５ａを含む。 - 特許庁

When the current diffusion layer is composed of (AlxGa1-x)yIn1-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1) and the current constriction layer is composed of AlzGa1-zAs (0≤z≤1), overetching of the current diffusion layer can be prevented effectively at the time of removing the constriction layer 1 partially by etching.例文帳に追加

電流拡散層を(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で構成し、電流狭窄層をAl_ZGa_1-ZAs（０≦ｚ≦１）で構成すると、電流狭窄層１を部分的にエッチング除去する際の電流拡散層のオーバーエッチングが有効に防止できる。 - 特許庁

A current is supplied from an electric double-layer capacitor to the second load generating the rush current, and a charging current to the electric double-layer capacitor is controlled in accordance with the using current of a first load other than the second load.例文帳に追加

突入電流を生ずる第２負荷に電気二重層キャパシタから電流を供給し、電気二重層キャパシタへの充電電流を第２負荷以外の第１負荷の使用電流に応じて制御する。 - 特許庁

The second current constriction layer 17 is formed thinner than the first current constriction layer 15 and has a current injection region 17b of smaller diameter than that of the current injection region 15b in a central region.例文帳に追加

第２電流狭窄層１７は電流注入領域１５ｂの径よりも小さな径の電流注入領域１７ｂを中央領域に有すると共に第１電流狭窄層１５の厚さよりも薄くなっている。 - 特許庁

Direct current is impressed from a direct current source 8 for diagnosis to the shielding layer 4 of a CV cable 1 sending alternating current to a conductor 2 and direct current flowing between an insulation layer 3, and the ground is measured.例文帳に追加

導体２に交流を流すＣＶケーブル１の遮蔽層４に直流電圧を、診断用直流電源８から印加し、電流計６により、絶縁層３と接地との間を流れる直流電流を測定する。 - 特許庁

The trap level density of the charge trapping layer 6b is greater than the trap level density of each of the transmission insulating layer 6a and the block layer 6c, and a leak current in the transmission insulating layer 6a is higher than a leak current in the block layer 6c.例文帳に追加

そして、電荷捕獲層６ｂのトラップ準位密度が透過絶縁層６aとブロック層６ｃのトラップ準位密度と比べて大きく、透過絶縁層６aのリーク電流が、ブロック層６ｃのリーク電流と比べて大きい。 - 特許庁

A p-type spacer layer 109, n-type current light confining layer 110, n-type current sealing layer 111 and p-type planarized layer 112 are provided on both the sides of the ridge part, in the direction of the width, and a p-type contact layer 113 is laminated thereon.例文帳に追加

リッジ部の幅方向両側に、ｐ型スペーサ層１０９、ｎ型電流光閉じ込め層１１０、ｎ型電流閉じ込め層１１１、ｐ型平坦化層１１２を備え、その上に、ｐ型コンタクト層１１３を積層する。 - 特許庁

The drive current of the LED flowing to the semiconductor layer extends at the periphery of the electrode and the contact layer by a layer having an effect for diffusing the current such as, for example, an upper clad layer or the like and flows to a light emitting layer.例文帳に追加

半導体層に流入したＬＥＤの駆動電流は、電流を拡散する効果を有する層、例えば上部クラッド層等により、オーミック電極およびコンタクト層の周辺で広がって発光層に流れる。 - 特許庁

A current constriction layer 10 is formed on the p-optical clad layer 9 except the stripe-like recessed part, and a p-contact layer 11 is formed on the stripe-like recessed part of the p-optical clad layer 9 and the current constriction layer 10.例文帳に追加

このストライプ状凹部を除くｐ−光クラッド層９上に電流狭窄層１０が形成され、ｐ−光クラッド層９のストライプ状凹部上および電流狭窄層１０上にｐ−コンタクト層１１が形成されている。 - 特許庁

No barrier layer is provided between the light emitting layers 103 and 105 and since the current layer 105 serves to collect currents flowing above and below a guide layer 104 in the central part, the current passes intensively through a part of the light emitting layer 103 touching the current layer 105.例文帳に追加

発光層１０３と１０５の間にはバリア層は設けられておらず、電流層１０５は、ガイド層１０４の上下に流れる電流を中央部に集める働きをするため、発光層１０３のうち、電流層１０５に接する部分に電流が集中して通過する。 - 特許庁

An electron current suppression layer 125, which has conductivity of p-type, and flows hole current and suppresses electron current, is formed between the hetero-junction layer and the gate electrode.例文帳に追加

ヘテロ接合層とゲート電極との間には、ｐ型の導電性を有し、正孔電流を流し且つ電子電流を抑制する電子電流抑制層１２５が形成されている。 - 特許庁

In the initialization processing which introduces the magnetic wall into the magnetization recording layer, initialization current flows in the initialization wiring and a current-induced magnetic field is applied to the magnetization recording layer by the initialization current.例文帳に追加

磁壁を磁化記録層に導入する初期化処理の際、初期化配線には初期化電流が流れ、初期化電流によって磁化記録層には電流誘起磁界が印加される。 - 特許庁

Thereby, the shunt of the sense current flowing through a lead electrode layer 6 into the bias layer 5 can be prevented.例文帳に追加

これにより、リード電極層６に流れるセンス電流が、バイアス層５へ分流することを防止できる。 - 特許庁

To prevent a leakage current through the bottom of an element isolation layer while narrowing the width of the element isolation layer.例文帳に追加

素子分離層の幅を狭くしつつ、素子分離層の底部を介した電流のリークを抑制する。 - 特許庁

An InxGa1-xP current diffusion layer 16 whose In composition ratio x (0<x<1) is formed at a top layer.例文帳に追加

最上層にＩn組成比ｘが(０＜ｘ＜１)のＩn_xＧa_1-xＰ電流拡散層１６を形成する。 - 特許庁

The iron-doped AlInAs layer 11 has high resistance to confine the current in the active layer 7.例文帳に追加

鉄ドープＡｌＩｎＡｓ層１１は、活性層７に電流を閉じ込めるように高抵抗を有する。 - 特許庁

A translucent transparent electrode 18 covers the current blocking layer 17 and the second clad layer 14.例文帳に追加

透光性の透明電極１８は、電流ブロック層１７及び第２クラッド層１４上を被覆している。 - 特許庁

To surely move a laser beam spot from current signal layer to other destined signal layer.例文帳に追加

レーザービームスポットを現在の層信号面から目的とする他の層の信号面に確実に移行させる。 - 特許庁

The eddy current sidewall includes a grain insulating layer for electrical insulation and a magnetic barrier layer for magnetic isolation.例文帳に追加

渦電流側壁は、電気絶縁用の粒子絶縁層と、磁気分離用の磁気障壁層とを含む。 - 特許庁

A current is made to flow through a resist layer or an insulating layer by an amplitude change in an AC voltage.例文帳に追加

レジスト層あるいは絶縁層に流す電流を交流電圧の振幅変化を用いて行う。 - 特許庁

A metal layer (a metal pipe 3) for flowing short-circuit current is provided on an outer periphery of a superconductive layer 2.例文帳に追加

超電導層２の外周に短絡電流を流すための金属層（金属パイプ３）を設ける。 - 特許庁

By arranging a current conductor of the measuring current via an insulation layer 15 on the surface of the semiconductor device, a current sensor is obtained.例文帳に追加

この半導体装置の表面に絶縁層１５を介して被測定電流の電流導体を配置することで電流センサが得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.例文帳に追加

p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element which has an n-type layer, an active layer, and a p-type layer formed on a substrate is provided with a current stricture layer on the n-type layer side, and the current stricture layer is formed of p- or i-type AlxGa1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

基板上に形成されたｎ型層、活性層及びｐ型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、ｎ型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をｐ型又はｉ型のＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）とした。 - 特許庁

A semiconductor laser comprises a p-type GaN guide layer 307, a current constriction layer 308, which is an AlN layer, formed on the p-type GaN guide layer 307, and a p-type cladding layer 309 so formed as to embed an opening portion of the current constriction layer 308.例文帳に追加

半導体レーザは、ｐ型ＧａＮガイド層３０７と、ｐ型ＧａＮガイド層３０７上に形成された、ＡｌＮ層である電流狭窄層３０８と、電流狭窄層３０８の開口部を埋め込むように形成されたｐ型クラッド層３０９とを有する。 - 特許庁

Then, in the MBE device, a current constriction layer, a lower part clad layer, an active layer, and an upper-part clad layer are formed, while an upper-part DBR mirror and a contact layer are formed in the MOCVD device.例文帳に追加

続いて、ＭＢＥ装置内で、電流狭窄層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を形成し、ＭＯＣＶＤ装置内で、上部ＤＢＲミラー、コンタクト層を形成する。 - 特許庁

In order to prepare a cutter path defining a second layer as a current layer from the contour data of the second layer, OR operating processing is executed between the contour data of the second layer and the cutter path of the first layer.例文帳に追加

第2層目のコンターデータから、第２層をカレント層としたときのカッターパスを作成するため、第２層目のコンターデータと第１層のカッターパスとの間でＯＲ演算処理を実行する。 - 特許庁

In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.例文帳に追加

コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor film includes a current diffusion layer 42, a first p-clad layer 44a, a second p-clad layer 44b, an active layer 46, a first n-clad layer 48a, and a second n-clad layer 48b, which are stacked from the light reflection layer side.例文帳に追加

半導体膜は、光反射層側から電流拡散層４２、第１のｐクラッド層４４ａ、第２のｐクラッド層４４ｂ、活性層４６、第１のｎクラッド層４８ａ、第２のｎクラッド層４８ｂを積層して構成される。 - 特許庁

Otherwise, the positive active material layer 2, the positive current collector layer 4, the negative active material layer 3, and the negative current collector 5 are laminated in the same plane so that they do not become conductive with each other.例文帳に追加

または、同一面内に正極活物質層２、正極集電体層４と負極活物質層３、負極集電体層５が、導通がないように積層された。 - 特許庁

A protective layer including a hydrogen fluoride adsorbent is interposed between the current collector and the cathode active material layer, or between the current collector and the anode active material layer.例文帳に追加

そして、フッ化水素吸着材を含む保護層が、前記集電体と前記正極活物質層との間、または、前記集電体と前記負極活物質層との間に介在している。 - 特許庁

Then a current collection hole 77 is formed and a photoelectric conversion layer 75 and a transparent electrode layer 76 are formed in order on the substrate top surface side where the 1st electrode layer is formed and the current collection hole inner peripheral surface.例文帳に追加

その後、集電孔77を形成し、第１電極層が形成された基板表面側および集電孔内周面に、光電変換層75，透明電極層76を順次形成する。 - 特許庁