「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

The cathode material for the lithium secondary battery for forming a cathode activator layer on the surface of a current collector of the cathode of the lithium secondary battery includes a cathode activator, conductive agent, and binder.例文帳に追加

正極活物質と、導電剤と、結着剤とを含み、リチウム二次電池用正極において集電体表面に正極活物質層を形成するためのリチウム二次電池用正極材料であって、前記導電剤は、主成分としてのＶ_2 Ｏ_3 を含有するとともに所定量のＣｒを含有し下記（ａ）の組成式を有するＣｒ−Ｖ_2 Ｏ_3 系導電剤を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To solve such problems that when silicon is used as a negative active material for a lithium secondary battery, an electrode having an active material layer 1 comprising spaces and columnar particles 6 can be formed on a current collector 5 having recessed and projecting parts on the surface by vapor deposition from the diagonal direction, but since spaces in the surface part are reduced, diffusion of lithium ions through an electrolyte is made insufficient.例文帳に追加

リチウム二次電池用負極活物質としてケイ素を用いる際に、表面に凹凸を有する集電体上５に斜め方向からの蒸着により空間と柱状粒子６から成る活物質層１を有する電極を形成することができるが、表面部分での空間が小さくなるため、電解液を介してのリチウムイオンの拡散が不十分となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This electrogalvanized steel sheet excellent in white rust resistance and blackening resistance has a galvanizing layer having an oxidized Zn film with a thickness of 10 to 200 Å, in which the cathode current density in the potential -1100 mV in an aqueous solution of NaCl (0.1 mol/L, 25°C) is ≤40 μA/cm2.例文帳に追加

耐白錆性及び耐黒変性に優れる本発明の電気Ｚｎめっき鋼板とは、厚さ１０Å以上２００Å以下の酸化Ｚｎ皮膜を有するＺｎめっき層であって、ＮａＣｌ水溶液（０．１ｍｏｌ／リットル，２５℃）中での電位−１１００ｍＶにおけるカソード電流密度が４０μＡ／ｃｍ^2以下であるＺｎめっき層を有することを特徴とする。 - 特許庁

Because the film 13 is formed by alternately laminating two kinds of semiconductor layers each containing an n-type inpurity and whose piezo polarization quantity and spontaneous polarization quantity are different from each other, an electron is induced at an interface between the two semiconductor layers, thus allowing contact resistance between the electrode 14 and the layer 13 or parasitic resistance in a current transmission path to be more reduced than that in a conventional one.例文帳に追加

多層膜１３は、ピエゾ分極量あるいは自発分極量が互いに異なり、共にｎ型不純物を含む２つの半導体層を交互に積層することで形成されているので、２つの半導体層の界面に電子が誘起され、電極１４と多層膜１３との間のコンタクト抵抗や、電流伝達経路における寄生抵抗を従来よりも低減することができる。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a nonaqueous secondary battery capable of preventing battery mixture coming off and breakage of the electrode plate in a press-forming process of the electrode plate after coating and a winding process of an electrode group in the electrode plate for the nonaqueous secondary battery in which an electrode mixture layer consisting of at least an active material and a binder is discretely formed on a belt-like current collector.例文帳に追加

帯状の集電体に少なくとも活物質と結着剤からなる電極合剤層を間欠的に形成した非水系二次電池用電極板において、塗布後の電極板のプレス工程、電極群の巻回工程での電極板の電池合剤脱落および切れを抑止することができる非水系二次電池用電極板を提供するものである。 - 特許庁

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.例文帳に追加

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁

The light emitting device has a thin film transistor comprising a semiconductor layer having a source, drain and channel regions and a gate electrode, an insulating film disposed on the gate electrode, and a light emitting element on the insulating film, wherein the thin film transistor and a current supply line are electrically connected by a connection wire disposed on the insulating film and made of the same material as a first electrode.例文帳に追加

ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第１の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a support for a lithographic printing plate precursor comprises the steps of roughing at least one surface of a metallic substrate, applying an anodized layer to the at least one roughed surface of the substrate, and treating the at least one roughed and anodized surface of the substrate with an aqueous solution containing a copolymer of an acrylic acid and a vinylsulfonic acid while applying a constant voltage or current thereto.例文帳に追加

金属性基質の少なくとも１つの表面を粗面化し、基質の少なくとも１つの粗面化された表面に陽極酸化層を適用し、基質の少なくとも１つの粗面化され且つ陽極酸化された表面を、定電圧又は定電流を適用しながら、アクリル酸とビニルホスホン酸のコポリマーを含む水溶液で処理することを含む平版印刷版前駆体のための支持体の製造法を提供する。 - 特許庁

According to one embodiment, a magnetic layer is provided in a vicinity of a separator in order to increase ion conductivity, or a magnetic material is contained on surfaces of positive electrode and negative electrode current collectors or in positive electrode and negative electrode active material layers, so that conductivity and mobility of lithium ions between the positive electrode and the negative electrode are increased, thereby making it possible to improve a charging and discharging speed.例文帳に追加

本発明の一実施形態によると、分離膜周辺にイオン伝導度を向上するための磁性層を備えるか、正極及び負極の集電体の表面、又は正極及び負極の活物質層に磁性体材料を含み、正極と負極との間のリチウムイオン伝導度及び移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を向上することにより、充放電速度を向上することができる。 - 特許庁

The light emitting device includes: the organic EL element 8 including a pixel electrode 13 and a counter electrode, which are constructed on a substrate, and a light emitting function layer, which is held between them; a relay line 61 electrically connecting between the pixel electrode 13 and a driving transistor 9 driving the organic EL element; and a Hall element 500 detecting magnetic field generated by a current flowing to the relay line.例文帳に追加

発光装置は、基板上に構築される画素電極１３及び対向電極、並びに、これらに挟持される発光機能層を含む有機ＥＬ素子８と、前記画素電極１３及び有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタ９間を電気的に連絡する中継線６１と、この中継線に流れる電流によって発生する磁場を検知するホール素子５００と、を備える。 - 特許庁

A front panel 10 having a display electrode and a dielectric layer formed in pair on a glass substrate is set on a substrate holder 32 in a vacuum chamber 31, the vacuum chamber is evacuated, a panel 10 is heated by a heater 35, and a film material (MgO) in a crucible 38, irradiated with a thermionic current 36 via a filament 37, is evaporated to form a MgO film.例文帳に追加

ガラス基板上に対となる表示電極と誘電体層を形成してなる前面側パネル１０を真空チャンバ３１内の基板ホルダー３２にセットし、真空チャンバ３１の内部を排気し、ヒータ３５にてパネル１０を加熱し、るつぼ３８内の膜材料（ＭｇＯ）にフィラメント３７より熱電子流３６を照射させてＭｇＯを蒸発させて前面側パネル１０の誘電体層上にＭｇＯ膜を成膜する。 - 特許庁

The transducer is provided with a magnetic vibration plate 22 and a drive section 16 that receives a drive current based on a voice signal and acts magnetic force changing in correspondence to the voice signal on the magnetic vibration plate 22 to vibrate the magnetic vibration plate 22, and the magnetic vibration plate 22 has a thin plate or a thin film base and a magnetic thin film layer coated on the base.例文帳に追加

板状を成す磁性振動部材２２と、音声信号に基づく駆動電流が供給され、それにより音声信号に応じて変化する磁力を磁性振動部材２２に作用させて、磁性振動部材２２を振動させる駆動部１６とを備え、磁性振動部材２２が、薄板状もしくは薄膜状の基体とその基体に被着せしめられた磁性体薄膜層とを有して構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The ultraviolet sensor includes a semiconductor layer including a thin film made of a zinc oxide-based semiconductor and a thin film made of an oxide semiconductor having a larger band gap than that of the zinc oxide-based semiconductor, and an electrode for leading out a current generated through ultraviolet reception, and is characterized in that the zinc oxide-based semiconductor and oxide semiconductor are laminated and the zinc oxide-based semiconductor is on a light reception side.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる薄膜と、前記酸化亜鉛系半導体よりもバンドギャップの大きい酸化物半導体からなる薄膜とからなる半導体層と、紫外線受光により発生する電流を取り出す電極とを備えており、前記酸化亜鉛系半導体と前記酸化物半導体とが積層されており、前記酸化物半導体が受光側であることを特徴とする紫外線センサとする。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes: an n-type GaAs substrate 100; an n-type lower DBR 102 formed on the substrate 100; an active region 104; a p-type upper DBR 106 formed on the active region; a p-type current constriction layer 108 formed in the upper DBR 106; a p-side electrode 112 electrically connected to the upper DBR 106; and an n-side electrode 120.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。 - 特許庁

For the sealed battery having the battery component formed by winding a positive electrode and a negative electrode made to face each other through a separator, composed of a stripe-shaped current collector on which an activator layer is formed, the width of a conductive connection tab joined to the positive electrode and the negative electrode at the inside of the battery component is made smaller than that at the outside of the battery component.例文帳に追加

帯状の集電体上に活物質層を形成した正極電極と負極電極とをセパレータを介して対向させて卷回した電池要素を有する密閉型電池において、正極電極および負極電極に接合した導電接続タブは、電池要素の内部に位置する部分の幅が電池要素の外部に位置する部分の幅よりも小さなものである密閉型電池。 - 特許庁

The negative electrode plate for the nonaqueous electrolyte secondary battery is constituted by containing a metal oxide capable of alkali ion insertion/elimination reaction in an electrode active material layer as a binder for fixing electrode active material particles onto a current collector, and causing a discharge potential of the metal oxide capable of alkali ion insertion/elimination reaction to be higher than that of the electrode active material particles.例文帳に追加

集電体上に電極活物質粒子を固着させるための結着材として、アルカリイオン挿入脱離反応可能な金属酸化物を電極活物質層中に含有させるとともに、上記アルカリイオン挿入脱離反応可能な金属酸化物の放電電位を、上記電極活物質粒子の放電電位より高くなるよう、非水電解液二次電池用負極板を構成する。 - 特許庁

To provide a control method of an electric heating device with extremely high safety having a heating element formed by winding a secondary heating conductor around a first heating conductor through an insulation layer, capable of quickly detecting a short-circuit between the first heating conductor and the second heating conductor, and stopping current supply upon the detected short-circuit.例文帳に追加

第１発熱導体の周囲に絶縁層を介して第２発熱導体を巻いた発熱体を有する電気採暖具において、第１発熱導体と第２発熱導体の短絡の発生を迅速に検出でき、この短絡の発生の検出によりこれらの発熱体に供給する電流を停止できる、極めて安全性の高い電気採暖具の電流制御方法及び電気採暖具を提供する。 - 特許庁

Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer.例文帳に追加

あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。 - 特許庁

To provide a conductive connection sheet coagulating a metal material in a molten state selectively between terminals even if eliminating the addition of a compound with a flux function into a resin composition layer, and reducing a leak current between the adjacent terminals, and a connection method between the terminals using such a conductive connection sheet, a method for forming a connection terminal, a semiconductor device of high reliability, and an electronic device.例文帳に追加

フラックス機能を有する化合物の樹脂組成物層中に対する添加を省略しても、溶融状態の金属材料を選択的に端子間に凝集させることができ、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

At least a photovoltaic element with a semiconductor layer containing one or more of the group IIIA elements of the Periodic Table and one or more of the group VA elements and a dimming element which varies light transmittance by utilizing electric current or voltage generated by the photovoltaic element are laminated on a transparent electrically conductive substrate to obtain the objective self-power supply type dimming element.例文帳に追加

少なくとも、透明導電性基板上に、周期律表におけるIIIＡ族元素から選択される１以上の元素、及びＶＡ族元素から選択される１以上の元素を含む半導体層を有する光起電力素子と、該光起電力素子によって発生する電流又は電圧を利用して光の透過率を変化させる調光素子とを積層してなることを特徴とする自己電力供給型調光素子である。 - 特許庁

As a result, the electric double layer capacitor is provided at low cost with a good cycle life performance and a large stored energy as well as keeping the characteristics of instantaneously applying a large current.例文帳に追加

これによって小容量単セルに比べて、大容量単セルへの電解液の供給量が大幅に増えて、充放電を繰り返した際に徐々に進行する大容量単セルへの電解液供給不足に原因する大容量単セルや小容量単セルの劣化を防止し、サイクル寿命に優れ、瞬時に大きな電流を流すことができるという特徴を維持するとともに、貯蔵できるエネルギーが大きい電気二重層キャパシタを安価に提供することができる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 which has a semiconductor thin film layer stacked on a crystal substrate 2 made of sapphire, etc., is characterized in that the crystal substrate 2 is ≤50 μm thick; and heat generated at a light emission part is speedily conducted to a lead frame 8 through the sapphire substrate 2 to suppress the heat generation, so that luminance corresponding to an increased current quantity can be obtained.例文帳に追加

サファイア等からなる結晶基板２上に半導体薄膜層を積層した半導体発光素子１において、結晶基板２の厚みを５０μｍ以下にしたことを特徴とする半導体発光素子１としたものであり、発光部で発生した熱量を、サファイア基板２を通過させて迅速にリードフレーム８に逃がし、発熱を抑えるので、増加させた電流量に応じた輝度を得ることができるという作用を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of realizing an SOI integrated circuit of a complete depleting operation and low parasitic resistance, minimizing the damage of the SOI layer surface of a channel formation part while provided with a recess structure, minimizing a crystal defect while suppressing stress even at the end part of a channel region and suppressing the generation of a leakage current due to it, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

完全空乏化動作及び低寄生抵抗のＳＯＩ集積回路を実現することができ、リセス構造を有しながら、チャネル形成部のＳＯＩ層表面のダメージを最小限に抑えることができ、チャネル領域の端部においても、応力を抑制しながら、結晶欠陥を最小限に止め、それに起因するリーク電流の発生を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element capable of stably emitting light with high luminance by restraining lowering of light emission luminance due to leakage current flowing through a high conductive defect part between an electron injection electrode and a hole injection electrode in causing light emission of the organic electroluminescence element where at least a light emitting layer made of an organic compound is provided between the hole injection electrode and the electron injection electrode.例文帳に追加

ホール注入電極と電子注入電極との間に少なくとも有機化合物からなる発光層が設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させるにあたり、電子注入電極とホール注入電極との間における導電性の高い欠陥部分にリーク電流が流れて発光輝度が低下するのを抑制し、高輝度で安定した発光が行える有機エレクトロルミネッセンス素子が得られるようにする。 - 特許庁

The lithium ion capacitor includes an electrode sheet, constituted by arranging a positive electrode sheet and a negative electrode sheet each having an electrode layer formed on a current collector, one over the other with a sheet type separator interposed, and an electrolyte including lithium salt, wherein the separator has a low-melting-point part which is formed locally in a region positioned between the positive electrode sheet and negative electrode sheet, and also molten at lower temperature than other parts.例文帳に追加

それぞれ集電体に電極層が形成されてなる正極電極シートおよび負極電極シートが、シート状のセパレータを介して重なるよう配置されてなる電極ユニットと、リチウム塩を含む電解液とを有してなるリチウムイオンキャパシタであって、前記セパレータは、前記正極電極シートと前記負極電極シートとの間に位置する領域に局部的に形成された、他の部分より低い温度で溶融する低融点部分を有することを特徴とする。 - 特許庁

A circulating magnetic field formed in a circulating magnetic layer can be restrained from decreasing in intensity, and the magnetic sensing layers included in the first and second laminate can be reversely magnetized by a small write current.例文帳に追加

外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、第１の積層体と第２の積層体との間に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配置されると共に、軸方向に沿って複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを有するようにしたので、還流磁性層に形成される還流磁界の強度低下を抑制することができ、より小さな書込電流によって第１および第２の積層体における感磁層の磁化反転を行うことができる。 - 特許庁