「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

To gradually reduce current consumption of a primary battery by supplying power from an electric double layer capacitor and the primary battery when power supply from a power supply plug is stopped, in a cooking apparatus having a backup power supply for a case when the power supply from the power supply plug is stopped.例文帳に追加

電源プラグからの電源供給が停止した場合のバックアップ用電源を有する調理器において、電源プラグからの電源供給停止時に、電気二重層コンデンサおよび一次電池から電源供給し、一次電池の消費電流を逓減する。 - 特許庁

To provide an electrode plate for battery of which the adhesion strength of the current collector and the dried coating (active material layer) is not deteriorated at the storage at a high temperature or at the use of repeated charge and discharge or the like, and the charge and discharge capacity and voltage are not deteriorated.例文帳に追加

高温保存中や充放電の繰り返し等の使用時においても、集電体と乾燥塗膜（活物質層）の接着強度が低下する虞がなく、充放電容量や電圧が低下することがない電池用電極板を提供することである。 - 特許庁

Current poured from the p-type pad 24 is conducted to flow a into pn-connection region, while detouring the resistor region 20 and light released from the light emitting layer 16 is discharged to the outside of the device through the transparent electrode 22 without being shielded by the p-type pad 24.例文帳に追加

ｐ型パッド２４から注入された電流は抵抗領域２０を迂回するようにｐｎ接合領域に流れ、発光層１６から放出された光はｐ型パッド２４に遮蔽されることなく透明電極２２を介して外部に放出される。 - 特許庁

The negative current collector 11 is comprised of a conductive substrate 11A having a surface roughness (Rz) of 3-12 μm and a polymer layer 11B having a thickness of 2/3 or less to the surface roughness (Rz) formed on the conductive substrate 11A.例文帳に追加

負極集電体１１は、表面粗さ（Ｒｚ）が３μｍ以上１２μｍ以下の導電性基材１１Ａに、導電性基材１１Ａの表面粗さ（Ｒｚ）に対する厚みが３分の２以下である高分子層１１Ｂを設けた構成を有している。 - 特許庁

To increase capacitance per unit volume or unit weight of a capacitor while ensuring high durability during a charging/discharging cycle, long service life, charging/discharging of large current, and wide applicable temperature range as a substantial electrical double-layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ本来の充放電サイクルにおける耐久性が強く長寿命、大電流の充放電が可能、使用温度範囲が広いなどの特徴を維持しながら、コンデンサ単位体積あたりあるいは単位重量あたりの静電容量を増大する。 - 特許庁

The lead storage battery has a current collector, having a surface layer composed of an alloy component which is different from a basic substance, at least at a part of the surface of the basic substance made of an antimony free lead alloy, and at least the part excluding an electrode plate includes silica.例文帳に追加

アンチモンフリーの鉛合金基材の表面の少なくとも一部に、基材と異なる合金組成の表面層を有する集電体を用いた鉛蓄電池であって、極板以外の少なくとも一部にシリカを有することを特徴とする鉛蓄電池。 - 特許庁

A silicon substrate 21 in a wafer state is arranged in the recessed part for silicon substrate arrangement, a plating resist pattern 34 is formed, electroplating is performed by using the metal layer 14 or the like as a plating current path of one side, and columnar electrodes are formed on the silicon substrate 21.例文帳に追加

そして、ウエハ状態のシリコン基板２１をシリコン基板配置用凹部内に配置し、メッキレジストパターン３４を形成し、金属層１４等を一方のメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、シリコン基板２１上に柱状電極を形成する。 - 特許庁

For these ferromagnetic tunnel magneto-resistive elements, the number of terminals is reduced by providing one electrode for conducting sense current in the direction of traversing a tunnel barrier layer by the first magnetic shield, and drawing it as one common terminal.例文帳に追加

これら強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対し、トンネルバリア層を横切る方向にセンス電流を通電する一方の電極を、第１の磁気シールドによって共通に構成し、共通の１端子として導出することによって端子数の減少化を図る。 - 特許庁

To provide a multi-junction silicon photoelectric conversion device having a high conversion efficiency, which balances the current generated in each silicon thin-film photoelectric conversion unit at a high value by developing a technique for producing a middle layer demonstrating excellent optical properties.例文帳に追加

優れた光学的特性を示す中間層の製造技術を開発することにより、各シリコン系薄膜光電変換ユニットで発生する電流を高い値でバランスさせた、変換効率の高い多接合型シリコン系光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for an electrochemical element, in which an electrode active material layer can be formed easily and uniformly with good adhesiveness on a holed current collector having a top-reverse penetration hole such as, particularly, punching metal and expand metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of freely movable electrodes with clamping mechanism are arranged to absorb thermal expansion in both length and width directions caused during heating of the sheet metal, and the surface of the electrode is provided with a layer of high electric resistance to enhance heat generation by electric current.例文帳に追加

薄板の加熱中に生じる長手方向と幅方向の熱膨張を吸収させる様に、複数の自在に移動可能なクランプ電極構造とするとともに、電極表面が通電電流により発熱するように抵抗の高い層を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and field effect transistor as well as manufacturing methods therefor, of less defects and leak current, with a low manufacturing cost while the thickness of an SOI layer is precisely controlled even to a thin one.例文帳に追加

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、欠陥が少ないと共にリーク電流が小さく、低コストに製造することを可能にし、しかもＳＯＩ層の厚さを薄い厚さで精度よく制御できるようにすること。 - 特許庁

The Gd-Fe alloy having a large magnetooptical effect contains a large amount of Fe, which can reduce an inversion current while holding stability of the magnetization direction and enables further improvement of the optical modulation degree by thickening a film of the magnetization free layer 13.例文帳に追加

磁気光学効果の大きいＧｄＦｅ合金においてＦｅを多く含有することで、磁化方向の安定性を保持しつつ反転電流を低減することができ、磁化自由層１３の厚膜化による光変調度のさらなる拡大を可能とする。 - 特許庁

The electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes an electrode body 10 formed on at least one surface of a current collector 11 and having an active material layer 12 containing active material particles 12a; and a jacket 20 wrapping the electrode body 10 so as to cover each surface of the electrode body 10.例文帳に追加

集電体１１の少なくとも一面に形成された、活物質の粒子１２ａを含む活物質層１２を有する電極本体１０と、該電極本体１０の各面を覆うように該電極本体１０を包被する包被体２０とを有する。 - 特許庁

Therefore, by reducing the amount of the positive electrode active substance as it goes farther from the positive electrode lead 11, the utilization rate of the positive electrode active substance can be made equal in the whole positive electrode active substance layer 13 and deviation of current distribution can be prevented from occurring.例文帳に追加

したがって、正極リード１１から遠ざかるほど正極活物質量を減少させることによって、正極活物質層１３全体として正極活物質の利用率を均一化することができ、電流分布に偏りが生じることを防止できる。 - 特許庁

As shown by a manufacturing step chart in fig. 2 (b) to fig. 2 (h), a large difference does hot occur at the boundary of a semiconductor layer 4 and the second undercoat insulation film 3, and since step coverage is excellent, a gate leak current is not generated in a thin film transistor thus obtained.例文帳に追加

このため、図２（ｂ）〜（ｈ）の製造工程図に示す通り、半導体層４と第二アンダーコート絶縁膜３との境界部分において大きな段差が生じず、ステップカバレージが良好であるため、得られた薄膜トランジスタはゲートリーク電流を生じない。 - 特許庁

In such a design, the one or more second magnetic layers are antiparallel to the one or more first magnetic layers so that a zero total net magnetic moment is present for the multi-layer magnetic structure when current is removed from the write head pole.例文帳に追加

このような設計では、１つ以上の第２の磁性層は、電流が書き込みヘッド磁極から取り除かれるときに多層磁気構造についてゼロの合計の正味磁気モーメントが存在するように、１つ以上の第１の磁性層に対し反平行である。 - 特許庁

It computes the goal allocation of input-output power or input-output current of a DC power source and an electric double-layer capacitor, within a control unit 6, based on the inputted information, and the voltage conversion of a voltage converter 5 is controlled according to this goal allocation.例文帳に追加

入力した情報に基づき制御部６内で、直流電源と電気二重層キャパシタの入出力電力あるいは入出力電流の目標配分を算出し、この目標配分に従って電圧変換器５の電圧変換が制御される。 - 特許庁

To provide an alkaline secondary battery to prevent ignition of a negative electrode layer of a negative electrode by heat and explosion generated at the time of welding a current collecting plate of the negative electrode (especially, plain part) to an electric conductive member to make conduction with a container while maintaining high capacity.例文帳に追加

高容量化を維持しつつ、負極の集電板（特に無地部）を容器との導通をとるために導電部材に溶接する際に発生する熱や爆飛によって、前記負極の負極層が発火するのを防止したアルカリ二次電池を提供する。 - 特許庁

Light, emitted by injecting current to the active layer 43 by applying voltage between the first and second electrodes 471, 472, allows intensity distribution to be annular in the two-dimensional photonic crystal 45, since the first electrode 471 is annular.例文帳に追加

第１電極４７１と第２電極４７２との間に電圧を印加して活性層４３に電流を注入することにより発光した光は、第１電極４７１が環状であることにより、２次元フォトニック結晶４５内において強度分布が環状になる。 - 特許庁

To provide a high reliability semiconductor element which uses a film made of refractory metal, alloy made of refractory metal, silicide of refractory metal, and nitride of Ti, Ta, W, and Ti-W alloy, for a contact barrier layer, a gate electrode or the like, and reduces a leakage current of itself.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

When a vibration member 20 vibrates vertically on receiving the audio signal, the flux linkage number of magnetic flux ψ1 produced by a magnet M for the vibration member 20 varies, so an eddy current is generated in a thin-film metal piece 25a provided to a magnetism producing layer 25.例文帳に追加

振動部材２０がオーディオ信号を受けて上下方向に振動すると、マグネットＭから生じた磁束φ１の振動部材２０に対する鎖交磁束数が変化するため、磁気発生層２５に設けられた薄膜金属片２５ａにうず電流が発生する。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell capable of suppressing deterioration in photoelectric conversion characteristics due to generation of a reverse current to exhibit excellent photoelectric conversion efficiency and also excellent in adhesion between a conductive support and a porous semiconductor layer comprising a metal oxide.例文帳に追加

逆電流の発生による光電変換特性の低下を防いで優れた光電変換効率を示し、かつ、導電性支持体と金属酸化物からなる多孔質半導体層との密着性に優れた色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁

Any of the divided bodies 41-44 is used as an working electrode with the divided bodies 41-44 insulated from one another, the electrode layer 3 is used as a counter electrode and a reference electrode, the potential of the working electrode is swept by a potentiostat, and a relationship between a response current and the difference in potential is obtained.例文帳に追加

分割体４１〜４４を互いに絶縁させた状態で分割体４１〜４４の何れかを作用極にし、電極層３を対極及び参照極にし、作用極の電位をポテンショスタットで掃引し、応答電流と電位差との関係を求める。 - 特許庁

Each annular part is formed in each of <010>, <001>, <0-10>, and <00-1> directions from the center of the inner circumference 111a of the current constriction layer 111, and at the same time is formed nearly concentrically with one part of the shape of the inner circumference 111a.例文帳に追加

これらは電流狭窄層１１１の内周縁１１１ａの中心から＜０１０＞方向、＜００１＞方向、＜０−１０＞方向、＜００−１＞方向にそれぞれ形成され、かつ内周縁１１１ａの形状の一部とほぼ同心円状に形成されている。 - 特許庁

The electrode 10 preferably includes a pair of surface layers for current collection 4 of which surfaces contact with an electrolyte, and at least one active material layer 3 containing active material particles 2 disposed between the surface layers 4 and having high ability for forming lithium compound.例文帳に追加

電極１０は、表面が電解液と接する一対の集電用表面層４と、表面層４間に介在されたリチウム化合物の形成能の高い活物質の粒子２を含む少なくとも一層の活物質層３とを備えていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a memory device ensuring uniform charge transfer paths and manifesting excellent reproducibility and uniform performance by using a memory layer in which metal nanoparticles or metal ions are fed into nanochannels to make current flow possible.例文帳に追加

電流が流れることが可能な金属ナノ粒子または金属イオンをナノチャンネルの内部に導入したメモリ層を用いることにより、一貫性のある電荷移動経路を確保して再現性に優れ且つ性能の一貫性を有するメモリ素子を実現すること。 - 特許庁

To increase eddy current loss and worsen efficiency by using welding as an integral means by layering and breaking electric insulation at the part in a stator core constituted to layer a thin plate electromagnetic steel plate performing electric insulation treatment on the surface.例文帳に追加

表面に電気絶縁処理を施した薄板電磁鋼板を積層して構成した固定子コアにおいて、積層による一体化手段として溶接を用いることで、その箇所で電気絶縁が破壊されることにより渦電流損が増加し、効率が悪化する。 - 特許庁

Thus, the generation of a Ga defect can be controlled in the sub-emitter layer 45, and the semiconductor wafer 1 can be manufactured so that a bipolar semiconductor element with a hetero joint can be manufactured without reducing a current amplification factor of β.例文帳に追加

これによりサブエミッタ層４５におけるＧａ欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ１を製造することができる。 - 特許庁

A high voltage conductor in a dielectric pellicle or ion damage prevention system is coated with a separation layer having a resistance low enough to prevent accumulation of charges on its surface and also high enough to restrict a peak current on dielectric breakdown.例文帳に追加

静電ペリクル又はイオン損傷防止システムでは、高電圧導体が、その表面上に電荷が蓄積するのを防止するのに十分に低い抵抗を有するが、絶縁破壊時にピーク電流を制限するのに十分に高い抵抗を有する分離層が被覆される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the sheet resistance of a silicidated source/drain diffused layer and its dispersion, and further reducing a junction leakage current at performing silicidation using a nickel film or a nickel alloy film, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ニッケル膜又はニッケル合金膜を用いてシリサイド化を行う場合において、シリサイド化されたソース／ドレイン拡散層のシート抵抗及びそのばらつきを低減するとともに、接合リーク電流を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method includes a step of treating an anhydrous sulfide by using a disulfur dichloride solution between a step of forming a stripe-like mesa section by etching and a step of forming a current blocking layer.例文帳に追加

半導体レーザの製造方法において、 エッチングによってストライプ状メサ部を形成する工程と、電流ブロック層を形成する工程との間に、二塩化二硫黄液による無水系硫化物処理を行う工程を、含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor exhibiting high reliability as a high voltage power supply by preventing electrical separation of a polarizing electrode and a current collector even upon the generation of gas incident to repetitive charge/discharge, thereby suppressing an increase in internal resistance.例文帳に追加

充放電の繰り返しに伴うガスの発生によっても分極性電極と集電体との電気的な離間を抑制し、内部抵抗の増大を抑制することにより、高電圧電源として信頼性の高い電気二重層コンデンサを提供する。 - 特許庁

The reduction in size of the element and a decrease in the leakage current are made compatible by connecting gate electrodes 15 of the plurality of thin film transistors therebetween only by a region 13b in which an impurity is implanted in a low concentration in a polycrystal semiconductor thin film used for an active layer.例文帳に追加

複数個の薄膜トランジスタのゲート電極１５間を、活性層に用いる多結晶半導体薄膜に不純物を低濃度に注入した領域１３ｂのみで接続することにより素子サイズの縮小とリーク電流の減少を両立させる。 - 特許庁

To provide a nitride system light-emitting device which not only indicates superior current/voltage characteristics, in such a way that the ohmic contact properties with a p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high translucency characterized by a transparent electrode.例文帳に追加

ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い透光性によって素子の発光効率を高めうる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the main structure 100, there is formed a second substructure 114 which is spatially separated from the first substructure 111 and is further provided with a current block layer 113 on the second conductivity-type structure identical to the first substructure 111.例文帳に追加

上記第１副構造体１１１と空間的に分離されて主構造体１００上に、第１副構造体１１１と同一の第２導電型の構造体上に電流遮断層１１３をさらに有する第２副構造体１１４を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode for a secondary battery capable of suppressing reduction of a battery capacity caused by the fact that an active material layer falls off from a current collector or inside fractures occur because of swelling and contraction accompanied with charge and discharge, and provide the secondary battery provided with this electrode.例文帳に追加

充放電に伴う膨張・収縮により、活物質層が集電体から剥離したり、内部破断することで、電池容量が低下することを抑制することができる二次電池用電極、及びこの電極を具える二次電池を提供する。 - 特許庁

Thereby current poured from an electrode of the emission surface side is diffused efficiently, and luminous efficiency is improved, without deteriorating crystal quality of the whole pn junction by film-thickening/heavily doping the whole second upper clad layer 6.例文帳に追加

これにより、第２上クラッド層６全体を厚膜化・高濃度化することによるｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴うことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

By forming the first ohmic contact layers 116 and 117 lower in an impurity concentration than the second ohmic contact layers 118 and 119 between the semiconductor layer 114 and the drain electrode 120 and the source electrode 121, a depletion layer is favorably spread into the first ohmic contact layers 116 and 117, and the leakage current of the thin film transistor 100 is favorably suppressed.例文帳に追加

半導体層１１４と、ドレイン電極１２０及びソース電極１２１との間に、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９の不純物濃度より低い第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７を形成することにより、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７内に空乏層が良好に広がり、薄膜トランジスタ１００のリーク電流を良好に抑制することができる。 - 特許庁

A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte battery includes a positive electrode having a positive electrode active material layer provided on a positive electrode current collector, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte, wherein the positive electrode active material layer contains a polyvinylidene fluoride-containing binder and nano ceramic particles having a primary particle size of not more than 100 nm; and the binder and the nano ceramic particle are made to be complex.例文帳に追加

正極活物質層が正極集電体上に設けられた正極、負極および非水電解質を備えた非水電解質電池であって、 前記正極活物質層は、ポリフッ化ビニリデンを含む結着剤および一次粒子径１００ｎｍ以下のナノセラミック粒子を含有し、 前記結着剤とナノセラミック粒子とが複合化していることを特徴とする非水電解質電池。 - 特許庁

The current collecting leads of the strip-like positive and negative electrode plates are covered with a synthetic resin selected from at least one of thermoplastic resin having dissolution resistance to an organic electrolyte and curing resin cross-linked by heating, ultraviolet irradiation or electron beam irradiation, or a mixture of the synthetic resin with an insulating filler as an insulating layer having a thickness of the thickness of a mixture layer or smaller.例文帳に追加

帯状の正負極板の集電リードには有機電解液に対して対溶性を有する熱可塑性樹脂もしくは加熱，紫外線照射，電子線照射により架橋する硬化性樹脂の少なくとも一つから選ばれた合成樹脂もしくは絶縁性フィラーと前記合成樹脂の混合物を合剤層の厚み以下の厚みを有する絶縁層で被覆する。 - 特許庁

The axial length of the even-numbered layer is set shorter than the axial length of the odd-numbered layer adjacent to its inside to reduce the difference between the sum of volumes of inner spaces of the respective odd-numbered layers and the sum of volumes of inner spaces of the respective even-numbered layers as compared with the case where the superconducting wires are wound so that all the current-carrying layers have the same axial length.例文帳に追加

そして、全ての通電層が同じ軸方向長さをもつように超電導線材を巻回したときに比べて各奇数層の内側空間の体積の総和と各偶数層の内側空間の体積の総和との差が小さくなるように、偶数層の軸方向長さがその内側に隣接する奇数層の軸方向長さよりも短くなっている。 - 特許庁

A heating resistance wire body 12 is etched on an insulating material 11 of polyimide film, a wiring pattern is disposed under the heating resistance wire body 12 insulated with a polyimide coat, and a heating layer and a wiring layer of a thin film heater 10 are separated so that the current from an electric energy control part 14 is outputted to the heating resistance wire body 12 through this wiring pattern.例文帳に追加

ポリイミドフィルム等の絶縁体１１上に発熱抵抗線状体１２をエッチングし、これらの発熱抵抗線状体１２をポリイミドコートにより絶縁した下部に配線パターンを配設し、通電制御部１４からの通電をこの配線パターンを介して発熱抵抗体１２に出力するよう薄膜ヒータ１０の発熱層と配線層とを分離する。 - 特許庁