「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain electrolytically polished surface of a copper plating film exhibiting excellent surface smoothness by eliminating current concentration due to an additive (especially, brightener) remaining or deposited with high concentration at a crystal grain boundary triple point or a wiring trench part on the surface layer of the copper plating film and further suppressing an elution.例文帳に追加

銅めっき膜表層の結晶粒界三重点や配線用の溝部分に高濃度に残存・析出した添加剤（特にブライトナ）に起因する電流集中を解消して先行溶出や異常溶出を抑え、表面平滑性に優れた銅めっき膜の電解研磨表面を得る。 - 特許庁

If, for instance, a power station stops the power supply in order to avoid a lightning strike and the DC current cannot be supplied from the ordinary power supply unit 4 to the pump control 13, the pump control circuit 13 is driven by a power stored in the electric double-layer capacitor 6.例文帳に追加

そして、例えば、落雷防止のために発電所が電力供給を停止し、普通電源部４からポンプ制御回路１３に対して直流電流が供給されなくなると、ポンプ制御回路１３は、電気二重層コンデンサ６に蓄えられている電力によって動作する。 - 特許庁

In a method of forming the positive electrode body, and the dielectric coating layer by immersing the positive electrode body in a chemical conversion solution to carry a current to the positive electrode body and a metal member in the chemical conversion solution, the chemical conversion solution is previously subjected to an ion-exchange process by using an ion-exchange resin.例文帳に追加

陽極体と、該陽極体を化成液に浸漬して、該陽極体と化成液中の金属部材とを通電させることにより誘電体皮膜層を形成する方法において、該化成液は予め酸水溶液をイオン交換樹脂を用いてイオン交換処理されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device having a mesa with a height no higher than necessity, and capable of suppressing a growth of defect starting from an oxidation front and deformation caused by a volume shrinkage during oxidation in layers except a current constriction layer in a vertical resonator structure.例文帳に追加

メサ部を必要以上に高くすることなく、垂直共振器構造内の電流狭窄層以外の層において、酸化フロントを起点とした欠陥成長や酸化による体積収縮の歪を抑制することの可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the field effect transistor comprising gates each having a length of 10 nm or less and a conductive channel having a width maintained at 1/2 to 1/4 of the length of the gate so that the gates are disposed at least at two sides of the channel, a device having a complete depletion layer is formed without considering the off current.例文帳に追加

ゲート長さが１００ｎｍ以下で、導電チャネルの幅をゲート長さの１／２〜１／４に維持し、ゲートを導電チャネルの少なくとも２つの側部の上に配置した電界効果トランジスタにおいて、オフ電流を考慮することなく完全な空乏層を含むデバイスを形成する。 - 特許庁

Each light emitting element U comprises a light emitter 20 composed by the lamination of a plurality of functional layers including a light emitting layer 23 which emits light when a current is applied, and a first wiring 11 (a positive pole) and a second wiring 12 (a negative pole) which face each other while sandwiching the light emitter 20.例文帳に追加

各発光素子Ｕは、電流の供給により発光する発光層２３を含む複数の機能層を積層してなる発光体２０と、当該発光体２０を挟んで相互に対向する第１配線１１（陽極）および第２配線１２（陰極）とを備える。 - 特許庁

Therefore, even when the toner developer non-carrying area 4d of the roller 4 directly comes into contact with the pinhole 10 existing at the non-image part of the photoreceptive layer 2a of a photoreceptor 2, a situation that a high current flows to the roller 4 from the photoreceptor 2 is restrained and the image defect caused by the pinhole 10 is prevented.例文帳に追加

したがって、感光体２の感光層２ａの非画像部に存在するピンホール１０に、現像ローラ４のトナー現像剤非担持領域４ｄが直接接触しても、感光体２から現像ローラ４へ大電流が流れるのを抑制でき、ピンホール１０による画像欠陥を防止できる。 - 特許庁

Thus, even if the extended length L1 of the semiconductor layer 7 from the edge of the gate electrode 2 changes between shots, display defects such as uneven shot and luminance do not occur, because the TFT leakage current and transmittance of panel are almost constant.例文帳に追加

これにより、写真製版装置のアライメントズレによりゲート電極２からの半導体層７パターン延在量Ｌ１にショット間で差が生じても、光によるＴＦＴリーク電流やパネル透過率はほぼ一定であるため、ショットムラや輝度ムラ等の表示不良が発生しない。 - 特許庁

To provide a small-size ceramic circuit board provided with both ultrafine dimensionally precise wiring and high current-carrying circuit wiring, wherein a high-power semiconductor element is mounted and circuit layer wiring density is enhanced, and to provide a method for manufacturing the circuit board.例文帳に追加

高精細で寸法精度が高い配線と通電容量が大きい回路配線とを共に備え、高出力の半導体素子を搭載することができ、また回路層の配線密度を高めることが可能な小型のセラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The secondary battery comprises an electrode group consisting of a first electrode and a second electrode wound or laminated only via a porous insulating layer having heat resistance between the first electrode and the second electrode, and a first current collecting board electrically connected to the first electrode.例文帳に追加

本発明の二次電池は、第１電極と、第２電極とを、第１電極と第２電極との間に耐熱性を有する多孔質絶縁層のみを介して、捲回または積層してなる電極群と、第１電極と電気的に接続された第１集電板とを具備する。 - 特許庁

The first electrode 12 and second electrode 13 which are both applied with a voltage from outside are formed to have smaller volume resistivity than that of the conductive heat generating layer 11 which generates heat with a current flowing between the first electrode 12 and second electrode 13.例文帳に追加

共に外部から電圧を印加される第１の電極１２及び第２の電極１３の体積抵抗率が、第１の電極１２と第２の電極１３との間を流れる電流によって発熱する導電発熱層１１の体積抵抗率よりも小さくなるよう形成されている。 - 特許庁

First and second current path application electrodes 7 and 8 electrically connected with the first and second terminal electrodes 5 and 6 are provided in the (Ni, Zn)O layer 3 at a predetermined interval 9 between them and on the same plane.例文帳に追加

（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３内には、第１および第２の端子電極５および６にそれぞれ電気的に接続される第１および第２の電流経路付与電極７および８が互いの間に所定の間隔９を隔てかつ同一平面上に位置するように設けられる。 - 特許庁

Since the common-mode noise has the same conduction direction for the current in the lines 5, 6, the lines 5, 6 have inductance based on the layer 4, and have capacitance between the electrode 3 which becomes equivalent to a distributed constant circuit.例文帳に追加

コモンモードノイズは、フィルター内線路５とフィルター内線路６の電流の通電方向が同じ向きであることから、コモンモードノイズに対して、フィルター内線路５，６は、磁性体層４に基づいたインダクタンスを持ち、かつ、グランド電極３との間に容量を有して分布定数回路と等価になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device, exhibiting good transistor characteristics in which an epitaxial Si film can be formed on an n-type buried layer while suppressing crystal defects and a leak current is suppressed.例文帳に追加

本発明は、ｎ型の埋込層上に結晶欠陥の少ないエピタキシャルＳｉ膜を得ることができ、リーク電流の少ないトランジスタ特性の良好な半導体装置を製造することができる方法とそれらの特徴を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

By arranging the laminate film resin material 163, the contact of the aluminum foil 162 with a negative electrode current collector 172 can be prevented even if the part of the laminate film innermost resin layer 164, thermally welded to a separator 171, is broken.例文帳に追加

ラミネートフィルム樹脂材１６３を配置することにより、外部からの衝撃等によりラミネートフィルム最内樹脂層１６４のうちのセパレータ１７１に熱溶着されている部分が破れてしまった場合にも、アルミニウム箔１６２と負極集電体１７２との接触を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor using a high dielectric film having easy control of capacitor characteristic and excellent characteristic capable of reducing leak current and to provide the manufacturing method of the semiconductor device having voltage resistance and reducing the existence of a deteriorating reaction layer.例文帳に追加

リーク電流の低減ができるなどキャパシタ特性の制御が容易で良好な特性を有する高誘電率誘電体膜用いたキャパシタを有する半導体装置及び耐圧が大きく劣化する反応層の存在を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element having a bulk heterojunction, wherein the recombination and leakage current are suppressed between a bulk heterojunction layer and a counter electrode, and internal series resistance is reduced and the photoelectric conversion efficiency can be improved.例文帳に追加

バルクへテロ接合を有する有機光電変換素子において、バルクへテロ接合層と対極電極間での再結合，リーク漏れ電流を抑制するとともに、内部直列抵抗を低減し、光電変換効率を向上することができる有機薄膜光電変換素子を提供する。 - 特許庁

In the negative electrode for the secondary battery in which an active material layer is formed on a current collector, problems are solved by making it contain carbon composite particles in which inorganic composite particles containing silicon oxide and at least one kind of metals are covered with carbon.例文帳に追加

活物質層が集電体上に形成された二次電池用負極において、活物質層に、ケイ素酸化物と少なくとも１種の金属とを含む無機複合粒子が炭素で被覆されている炭素複合粒子を含有させることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

A control circuit 8 determines a target value for an input current to the second DC/DC converter 7, based on at least one of the generated power from a generator 1, the voltage of the power-generation bus A, the voltage of the battery bus B, and a charge voltage or voltage target value for the electric double-layer capacitor 6.例文帳に追加

制御回路８は、第２ＤＣ／ＤＣコンバータ７の入力電流の目標値を、発電機１の発電電力、発電母線電圧、バッテリ母線電圧、電気二重層コンデンサ６の充電電圧または電圧目標値の内の少なくとも１つに基づき定める。 - 特許庁

The position detector, which comprises a protective layer 5, a stripe electrode 6, a piezoelectric body 7, a single electrode 8, a cushion 9, a base 10, a multiplexer 11, and an operational amplifier circuit 12, detects a current generated in the piezoelectric body 7 via the stripe electrode 6 with a plurality of pads 13 connected thereto.例文帳に追加

保護層５、ストライプ電極６、圧電体７、単一電極８、クッション９、基材１０、マルチプレクサ１１、演算増幅回路１２で構成される位置検出装置であって、圧電体７で発生した電圧を複数のパッド１３が連結されたストライプ電極６を介して、検出するようにした。 - 特許庁

To provide a superconductive wire rod with excellent superconductive characteristics, capable of suppressing intrusion of moisture into a superconductive layer and moreover suppressing deterioration of a critical current density by having a structure with which it hardly gets external mechanical or chemical damages, and provide a simple manufacturing method of the same.例文帳に追加

超電導層への水分の侵入を抑えるとともに、外部からの機械的あるいは化学的なダメージを受け難い構造を有することにより、臨界電流密度の低下を抑制し、良好な超電導特性を有する超電導線材とその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer is improved, it is possible to enhance wire bonding efficiency and an yield upon the packaging of the light-emitting device, and the luminous efficacy of the device and a device lifetime can be enhanced by low non-contacting resistance and excellent current-voltage characteristics.例文帳に追加

これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

To provide a laser beam machining device and a laser beam machining method in which the generation of dangling bond in a power generation layer is suppressed, and a fine crystal region is sufficiently oxidized and is made into an insulating material, thus the suppression of leak current in a semiconductor device as a workpiece and the improvement of heat generation efficiency can be achieved.例文帳に追加

発電層内のダングリングボンドの生成を抑制させ、微結晶領域を充分に酸化、絶縁物化することで、被加工物である半導体装置におけるリーク電流の抑制、発電効率の向上を実現するためのレーザ加工装置およびレーザ加工方法を得ること。 - 特許庁

The current sensor includes bus bars 133, 143 and 153 through which currents can flow, an annular part 162 which is formed integrally with the bus bars and has a gap G, a magnetic layer 164 which is formed on the surface of the annular part, and a magnetic sensor 166 which is provided corresponding to the gap.例文帳に追加

電流が流れることのできるバスバー１３３、１４３、１５３と、バスバーと一体に形成されて間隙部Ｇを有する環状部１６２と、環状部の表面上に形成された磁性層１６４と、間隙部に対応して配設された磁気センサ１６６と、を備える。 - 特許庁

The plurality of relay connection bodies 51 are arranged between the first base body 11 and the second base body 21, in contact with the plurality of current-collecting electrodes 41 and a translucent conductive layer 14, so as to electrically connect the both 41, 14.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、第１基体１１及び第２基体２１間に配置され、複数の集電電極４１及び透光性導電層１４に対して接触することで、複数の集電電極４１と透光性導電層１４とを導通させる。 - 特許庁

A signal corresponding to the light quantity incident from the rear surface of the semiconductor substrate is outputted by voltage or current, and the protective layer composed of two layers is provided to the rear surface of the semiconductor substrate so that discoloration of the rear surface of the semiconductor substrate is prevented and utilization efficiency of light can be improved.例文帳に追加

半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面に２層からなる保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device that includes a channel layer comprising a group III nitride-based semiconductor containing Al, and improves current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and also to provide a group III nitride semiconductor laminate wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a display device in which degradation in a light emitting layer caused by temperature rise of electrodes is prevented even though the size of the device is increased and connection to an external current source is easily made even though only one connecting position is available for the connection.例文帳に追加

表示装置が大型化した場合にも、電極の温度上昇に起因する発光層の劣化を防止することができるとともに、外部電流源との接続箇所が１箇所である場合にも、容易に外部電流源と接続することが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

A thin insulating layer has a thickness less than 2 nm, so that a tunnel current flows through the dielectric thin film between the gate terminal doping region and the connection doping region of the storage MOSFET and can be adjusted by the doping of the terminal region and the connection doping region.例文帳に追加

薄い絶縁層が２ｎｍよりも薄い厚さを有しており、これにより記憶ＭＯＳＦＥＴのゲート端子ドーピング領域と、接続ドーピング領域との間で誘電性薄膜を通ってトンネル電流が流れ、端子領域と接続ドーピング領域とのドーピングによって調整可能である。 - 特許庁

The semiconductive multi-layer endless tubular polyimide film is composed of at least two layers so that the value of the absolute value of volume resistivity divided by the absolute value of surface resistivity when a direct current voltage of 3 kV or below is applied is 0.1-1,000.例文帳に追加

３ｋＶ以下の直流電圧を印加した場合に得られる体積抵抗率の絶対値を表面抵抗率の絶対値で除した値が０．１〜１０００倍の範囲にあるように少なくとも二層で構成されている半導電性多層無端管状ポリイミド系フイルム。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of effectively manufacturing the nonaqueous electrolyte secondary battery using an electrode which forms a mixing agent layer on a current collector by using solvent-based slurry and raising sticking strength in the electrode and improving batter performance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

溶剤系スラリーを用いて集電体上に合剤層を形成した電極を用いた非水電解質二次電池において、効率良く生産することができ、電極内での密着強度が高く、電池性能を高めることができる非水電解質二次電池及びその製造方法を得る。 - 特許庁

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction.例文帳に追加

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。 - 特許庁

This copper foil is for the lithium secondary battery electrode material in which an active material capable of electrochemically or chemically storing and releasing lithium are deposited and formed on a current collector, and this copper foil is for the lithium secondary battery electrode, in which a manganese-containing layer is formed on the surface.例文帳に追加

本発明は、電気化学的または化学的にリチウムを吸蔵、放出可能な活物質を集電体上に堆積して形成したリチウム２次電池用電極材料としての銅箔であって、該銅箔は表面にマンガン含有層が形成されているリチウム２次電池電極用銅箔である。 - 特許庁

This electric double layer capacitor is composed of positive and negative polarizable electrodes which produce electric double layers, a separator which electrically insulates the polarizable electrodes from each other, and current collecting electrodes 2 made of a metal which draws out electric charges from the electrodes and connected to the electrode terminal 40.例文帳に追加

電気二重層を生じる正負の分極性電極と、分極性電極間を電気的に絶縁するセパレータと、分極性電極から電荷を引き出す金属からなる集電極２とからなり、集電極２を電極端子４０に接続した電気二重層コンデンサである。 - 特許庁

The image display system containing a thin-film transistor array substrate includes the substrate having a thin-film transistor array; and at least one light-sensing element which includes an amorphous silicon layer formed on the substrate and has an electric current flowing, in a direction parallel to the substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 - 特許庁

To increase the capacitance of a solid electrolytic capacitor while suppressing the cracking or crystallization of a dielectric layer and preventing increase in leakage current when a heat treatment process such as a reflow process is performed for the solid electrolytic capacitor.例文帳に追加

固体電解コンデンサに対してリフロー工程等の熱処理工程を行った場合において、誘電体層中に亀裂を生じたり、誘導体層が結晶化したりするのを抑制し、漏れ電流が増加するのを防止すると共に、固体電解コンデンサの静電容量を増大させる。 - 特許庁

Since a conventional high-cost metallic porous member to serve as the gas diffusion layer and the current collector is not used and, in place of this, the fluid passage layers 16, 17 which do not require conductivity and the metallic cooling plate (separator) 12 having corrosion resistance are used, low cost and high power generation efficiency are attained.例文帳に追加

従来のガス拡散層及び集電体兼用の高価な金属製多孔質部材を用いず、これに代えて導電性が無用の流体流路層１６，１７と耐蝕性を有する金属製冷却板（セパレータ）１２とを用いて、低コスト化と高発電効率化を図った。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

The image information recording and reading apparatus emits the reading light L2 to the second photoconductive layer 4 to re-charge the boundary face 7 while using a capacitor 58 to apply a DC voltage to the medium 10 with the switch 52 set to an opening state and detects the re-charged current to read the electrostatic latent image as a signal.例文帳に追加

スイッチ５２を開状態としてコンデンサ５８を用いて直流電圧を印加しつつ、第２光導電層４を読取光Ｌ２により照射して界面７を再充電し、この再充電電流を検出することにより前記静電潜像を信号として読み取る。 - 特許庁

While applying a constant voltage of 10 V between a probe 1210 of the scanning probe microscope 1000 and a positive electrode core material PB, surface of the positive electrode mixture layer PA is scanned by means of the probe 1210, and the value of a current flowing between the probe 1210 and the positive electrode core material PB is measured.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡１０００の探針１２１０と正極芯材ＰＢとの間に１０Ｖの定電圧を印加しつつ，正極合材層ＰＡの表面に探針１２１０を走査させるとともに，探針１２１０と正極芯材ＰＢとの間に流れる電流値を測定する。 - 特許庁

When the heat capacity of the substrate 4 is small, the temperature of the substrate 4 is inhibited from rising by repeating the application and stop of the vias voltage for etching and further it is inhibited from rising by repeating the application and stop of an arc current during the step of forming coats including an intermediate layer.例文帳に追加

また、基材４の熱容量が小さい場合は、エッチング用バイアス電圧の印加と印加停止を繰り返して基材４の温度上昇を抑えるとともに、中間層を含む成膜工程時にアーク電流の印加と印加停止を繰り返して基材４の温度上昇を抑える。 - 特許庁

Since a leakage current between a source and a drain can be reduced by using an oxide semiconductor as a semiconductor layer of a transistor included in a semiconductor device, power consumption of the semiconductor device and a storage device having the semiconductor device can be reduced, and retention characteristics of those can be improved.例文帳に追加

半導体装置の有するトランジスタの半導体層として酸化物半導体を用いることで、ソースとドレイン間のリーク電流を低減できるため、半導体装置および当該半導体装置を備える記憶装置の消費電力低減、保持特性の改善を達成できる。 - 特許庁

A plurality of metal wirings 11 made of metal films equal to wirings used for a semiconductor device are formed on a semiconductor substrate, and each metal wiring 11 is connected to a lower layer metal wiring 13 through a lower via hole 12 serially, and a constant current is supplied thereto.例文帳に追加

半導体基板上に、半導体装置に使用の配線と同じ，金属の被膜からなる複数の金属配線１１を形成し、各金属配線１１を、下方ビア１２及びこれに接続した下層金属配線１３でもって直列に繋ぎ、これに定電流を供給する。 - 特許庁