「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A current is supplied between the nonmagnetic layer 2 and the pinned layer 5A to measure a voltage between the nonmagnetic layer 2 and the free layer 5B.例文帳に追加

非磁性層２とピンド層５Ａとの間に電流を供給し、非磁性層２とフリー層５Ｂとの間の電圧を測定する。 - 特許庁

The magnetization direction of the memory layer 3 can be varied by current penetrating the memory layer 3, the first nonmagnetic layer 4, and the reference layer 2.例文帳に追加

記憶層３の磁化方向は、記憶層３、第１非磁性層４、及び参照層２を貫く電流により可変とされる。 - 特許庁

The lithium battery 1 is formed by laminating an interposed layer 12, a positive electrode layer 13, an SE layer 14, and a negative electrode layer 15 in order on a positive current collector 11.例文帳に追加

正極集電体11上に、介在層12、正極層13、SE層14、負極層15の順に積層されたリチウム電池1である。 - 特許庁

The current constriction layer 18 is formed closer to an active layer 13 than to the lateral mode adjusting layer 19, and the lateral mode adjusting layer 19 is formed farther away from the active layer 13 than the current constriction layer 18.例文帳に追加

電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。 - 特許庁

The current block layer 14 is formed adjacent to the current passage, and an area excluding the vicinity of the current passage includes areas where the current block layer 14 is not formed.例文帳に追加

そして、電流ブロック層１４は、電流通路部の近傍に形成されており、電流通路部の近傍以外の領域は、電流ブロック層１４が形成されていない領域を含む。 - 特許庁

When data are written, a write current flows between the first current terminal and the second current terminal through the wiring layer.例文帳に追加

データ書き込み時、配線層を通って第１電流端子と第２電流端子との間に書き込み電流が流れる。 - 特許庁

A first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, a current diffusion layer 15 and a contact layer 16 are laminated sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に第１クラッド層１２、活性層１３、第２クラッド層１４、電流拡散層１５、コンタクト層１６が順次積層されている。 - 特許庁

Then, the optical guide layer 51, the active layer 52 and the optical guide layer 53 are worked into mesa shape, and a buried layer 54 and a current block layer 55 are formed.例文帳に追加

次いで、光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３をメサ形に加工した後、埋め込み層５４及び電流ブロック層５５を形成する。 - 特許庁

The magnetoresistive device includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a current confined path (CCP) spacer layer positioned between the first magnetic layer and the second magnetic layer.例文帳に追加

この装置は、第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に位置する電流狭窄（ＣＣＰ）スペーサ層とを含む。 - 特許庁

The low carrier concentration layer 9 has carrier concentration lower than the N-current block layer 10.例文帳に追加

低キャリア濃度層９はｎ−電流ブロック層１０よりも低いキャリア濃度を有する。 - 特許庁

On a semiconductor layer, a current diffusion layer 5 is formed, on which a protective film 6 is formed.例文帳に追加

半導体層上に電流拡散層５を設け、その上に保護膜６を設ける。 - 特許庁

Both the sides of the mesa structure 28 are buried with a p type InP burial layer 32, an n type InP current block layer 34, a p type InP current block layer 36 and an n type InP burial layer (burial layer) 38.例文帳に追加

メサ構造２８の両側をｐ型ＩｎＰ埋込層３２、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３４、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層３６及びｎ型ＩｎＰ埋込層３８（埋込層）で埋め込む。 - 特許庁

Transition metal is introduced in a nitride semiconductor layer 2 which is in contact with a current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and positioned on a side of a substrate 1 as compared with the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3).例文帳に追加

電流狭窄層（窒化物半導体層３）と接しており、かつ電流狭窄層（窒化物半導体層３）よりも基板１側に位置する窒化物半導体層２に遷移金属を導入する。 - 特許庁

Hereupon, the upper end of the n-type InP current blocking layer 10 has the structure covered with the p-type InP buried layer 9 and the p-type InP current blocking layer 11.例文帳に追加

ｎ型InP電流ブロック層１０の上端部が、ｐ型InP埋め込み層９およびｐ型InP電流ブロック層１１により覆われた構造とする。 - 特許庁

A conductive layer 23 is provided as a current path to be detected through the insulating layer 16 on the shield layer 17.例文帳に追加

シールド層１７の上に絶縁層１６を介して被検出電流通路としての導体層２３を設ける。 - 特許庁

An InGaP layer 16 is provided between an AlGaAs upper clad layer 15 and a current constriction layer 17.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層１５と電流狭窄層１７との間にＩｎＧａＰ層１６を備える。 - 特許庁

A p-type cladding layer 110 is formed on the current-blocking layer 108 and the p-side optical confinement layer 107.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１１０は電流ブロック層１０８及びｐ側光閉じ込め層１０７の上に形成される。 - 特許庁

A current constriction layer 18 and lateral mode adjusting layer 19 are disposed in an upper DBR layer 15.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８および横モード調整層１９が設けられている。 - 特許庁

A p-InP clad layer 36 and p-cap layer 38 are laminated on the mesa and the n-current block layer 34.例文帳に追加

メサ及びｎ−電流ブロック層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層３６、ｐ−キャップ層３８が積層されている。 - 特許庁

The lithium battery 1 has an inclusion layer 12, a positive electrode layer 13, an SE (solid electrolyte) layer 14, and a negative electrode layer 15 laminated in this order on a positive electrode current collector 11.例文帳に追加

正極集電体11上に、介在層12、正極層13、SE層14、負極層15の順に積層されたリチウム電池1である。 - 特許庁

The current confining layer 18 includes a first semiconductor layer 18A, a second semiconductor layer 18B and a third semiconductor layer 18C.例文帳に追加

電流狭窄層１８は、第１の半導体層１８Ａと、第２の半導体層１８Ｂと、第３の半導体層１８Ｃとを有する。 - 特許庁

(not in POSIX) Block output from a non-current shell layer. 例文帳に追加

(POSIX にはない) 現在のシェル層以外からの出力を抑制する。 - JM

The first electrode injects a carrier into the current diffusing layer.例文帳に追加

第１の電極は、電流拡散層にキャリアを注入する。 - 特許庁

LASER HAVING SELECTIVELY VARIABLE ELECTRIC CURRENT CLOSING LAYER例文帳に追加

選択的に変化させられる電流閉じ込め層を有するレーザ - 特許庁

SPIN ACCUMULATION ELEMENT COMPRISING SPIN CURRENT CONSTRICTION LAYER, AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

スピン流狭窄層を備えたスピン蓄積素子及び磁気センサ - 特許庁

ELECTROSTATIC INDUCTIVE THYRISTOR WITH CURRENT CONTROL LAYER AND PROTECT CIRCUIT/PULSE GENERATING CIRCUIT OF ELECTROSTATIC INDUCTIVE THYRISTOR WITH CURRENT CONTROL LAYER例文帳に追加

電流抑制層付き静電誘導サイリスタ、電流抑制層付き静電誘導サイリスタの保護回路及びパルス発生回路 - 特許庁

The layer 34 becomes a current blocking layer to limit a current injection region to a region sandwiched between the layers 34.例文帳に追加

高抵抗層３４が電流ブロック層となって、電流注入領域を高抵抗層３４で挟まれた領域に制限する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light-emitting element which can efficiently form a current diffusion layer embedded with a current blocking layer.例文帳に追加

電流阻止層が埋設された電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, it is possible to stabilize a reset current by integrating the current paths in the oxide layer into a single unit.例文帳に追加

これにより、酸化層のカレントパスを単一化してリセット電流を安定化させることができる。 - 特許庁

The N-type drain layer 11a is turned to a current route where an on-state current of the bidirectional switch flows.例文帳に追加

該Ｎ型ドレイン層１１ａを双方向スイッチのオン電流の流れる電流経路とする。 - 特許庁

The sensor includes a current source or a voltage source for applying current to the reference layer structure.例文帳に追加

センサは、基準層構造に電流を印加するための電流源または電圧源を含む。 - 特許庁

Consequently, a current constriction structure is formed in the active layer and the current threshold is reduced.例文帳に追加

この結果、活性層に電流狭窄構造が形成され、電流しきい値が低減される。 - 特許庁

With this constitution, the sense current IS is made to flow through the free layer 38, the intermediate layer 37, and the pinned layer 36, and the sense current is basically not made to flow through the antiferromagnetic layer 32.例文帳に追加

この構成により、センス電流Ｉ_Ｓはフリー層３８、中間層３７、及びピンド層３６に流れ、反強磁性層３２には基本的にセンス電流は流れないことになる。 - 特許庁

The first eddy current suppressing layer 15 is a magnetic layer having higher resistivity than the main magnetic pole layer 10, and the magnetic flux control layer 14 is a magnetic layer having higher saturation magnetic flux density than the eddy current suppressing layer 15.例文帳に追加

第１の渦電流抑制層１５は、主磁極層１０よりも高い比抵抗をもつ磁性層であり、磁束制御層１４は第１の渦電流抑制層１５よりも高い飽和磁束密度を持つ磁性層である。 - 特許庁

The hollow part is utilized as a current collection hole 27, and by inserting a current collection member 28 in the current collection hole, a current collection layer 29 is formed to improve current collection efficiency.例文帳に追加

さらに、前記中空部を集電ホール２７で活用し、前記集電ホールに集電部材２８が挿入され集電層２９が形成されて集電効率を高めることができる。 - 特許庁

There are provided along each mesa side surface 8a of a ridge A a current blocking structure B wherein a p-type InP buried layer 9, an n-type InP current blocking layer 10, a p-type InP current blocking layer 11 are laminated.例文帳に追加

リッジ部Ａのメサ側面８ａに沿って、ｐ型InP埋め込み層９、ｎ型InP電流ブロック層１０、ｐ型InP電流ブロック層１１を積層した電流ブロック構造Ｂが設けられている。 - 特許庁

Since the undesirable current route is interrupted by the first leakage current suppression layer and the second leakage current suppression layer, the electrical characteristics of the hot electron transistor can be improved.例文帳に追加

第１リーク電流抑制層及び第２リーク電流抑制層により望ましくない電流経路が遮断されるため、ホットエレクトロントランジスタの電気特性を改善できる。 - 特許庁

An SAS structure is formed with a second guide layer 15, a current blocking layer 16, and a second clad layer 18.例文帳に追加

第２ガイド層１５，電流ブロッキング層１６および第２クラッド層１８によりＳＡＳ構造が形成されている。 - 特許庁

In addition, the layer adjoining the current constructing layer is constituted in a superlattice layer by alternately laminating AlGaN and GaN upon another.例文帳に追加

さらに、前記電流狭窄層に接する層はＡｌＧａＮとＧａＮとが交互に積層された超格子層とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes an active layer 15 formed between an n-type cladding layer 13 and a p-type cladding layer 22, and a current confining layer 18 having a conductive area through which a current flows to the active layer 15.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ｎ型クラッド層１３とｐ型クラッド層２２との間に形成された活性層１５と、活性層１５への電流が流れる通電部を有する電流狭窄層１８とを備えている。 - 特許庁

In the thin film solid secondary battery, the lower electrode current collector layer 3, an active material layer 4 of a lower electrode, a solid electrolyte layer 5, an active material layer 6 of an upper electrode, and the upper electrode current collector layer 7, are continuously film-formed.例文帳に追加

薄膜固体二次電池において、下部電極集電体層３、下部電極の活物質層４、固体電解質層５、上部電極の活物質層６、上部電極集電体層７を連続成膜する。 - 特許庁

The second conductivity type layer is provided between the light-emitting layer and the second electrode and includes a current diffusion layer and a second contact layer.例文帳に追加

前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。 - 特許庁

The magnetization direction of the magnetization variable layer is made to be variable by a two-way current passing through the magnetization fixed layer, the intermediate layer, and the magnetization variable layer.例文帳に追加

磁化可変層の磁化の方向は、磁化固定層と中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって可変とされる。 - 特許庁

A polarized charge of the current tunnel layer 105 is greater than a polarized charge of the barrier layer 103.例文帳に追加

電流トンネル層１０５の分極電荷は、障壁層１０３の分極電荷よりも大きい。 - 特許庁

A contact layer 8 is formed on the second clad layer 7 and the current block layers 6.例文帳に追加

上部第２クラッド層７および電流ブロック層６の上には、コンタクト層８が形成されている。 - 特許庁