「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To form an excellent optical thin film layer on a glass substrate by the plasma electron current.例文帳に追加

プラズマ電子流によりガラス基板上に良質な光学薄膜層を形成する。 - 特許庁

Therefore, the lowering can be suppressed in the efficiency of the current injection performed to a MQW active layer 4.例文帳に追加

従って、MQW活性層４への電流注入効率低下を抑制することができる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT COMPRISING OXIDE LAYER FOR CURRENT CONSTRICTION, AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加

電流狭窄用の酸化物層を有する磁気抵抗効果素子およびその形成方法 - 特許庁

Accordingly, a light absorption loss in the buffer layer can be reduced, and high current density is achieved.例文帳に追加

これにより、バッファ層における光吸収損失を低減し、高い電流密度を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of preventing separation of a current narrowing layer.例文帳に追加

電流狭窄層の剥離を防止することの可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The current-blocking layer 108 and the opening 109 are included inside the mesa portion 120.例文帳に追加

電流ブロック層１０８及び開口部１０９はメサ部１２０の内部に含まれる。 - 特許庁

ACOUSTIC MATCHING LAYER AND ULTRASONIC OSCILLATOR USING THE SAME, AND ULTRASONIC CURRENT METER/FLOWMETER例文帳に追加

音響整合層とそれを用いた超音波振動子および超音波流速・流量計 - 特許庁

A current of this Schottky diode is not disturbed by a depletion layer based on the gate electrode 12.例文帳に追加

このショットキーダイオードの電流はゲート電極１２に基づく空乏層に妨害されない。 - 特許庁

The negative electrode 10 has a negative current collector and a negative active material layer 12.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１１と負極活物質層１２とを有している。 - 特許庁

The upper DBR 18 has an oxidized layer 50 which functions to constrict a current.例文帳に追加

上部ＤＢＲ１８は、電流狭窄として機能する酸化層５０を有している。 - 特許庁

The anode 10 has an anode current collector 11 and an anode active material layer 12.例文帳に追加

負極１０は、負極集電体１１と負極活物質層１２とを有している。 - 特許庁

Current collecting resistance is set lower, as compared with the case when the metal layer is not installed.例文帳に追加

金属層が設けられていない場合に比較して集電抵抗が小さくなる。 - 特許庁

Additionally, a high-resistance layer 15 narrows the drive current flowing in the optical waveguide 37.例文帳に追加

また、高抵抗層１５は、光導波路３７に流れる駆動電流を狭窄する。 - 特許庁

A negative electrode 22 has a negative electrode current collector 22A and a negative electrode active material layer 22B.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａと負極活物質層２２Ｂとを有している。 - 特許庁

The switch device 110 breaks load current when a short-circuit in a load or layer short occurs.例文帳に追加

負荷の短絡時またはレアショート時にはスイッチング・デバイス１１０が負荷電流を遮断する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a light-emitting element which can efficiently form a current diffusion layer.例文帳に追加

電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12 containing Si is formed on a negative electrode current collector 11.例文帳に追加

負極集電体１１にＳｉを含む負極活物質層１２が設けられている。 - 特許庁

The second current constriction layer 17 is formed in a part including the node of a standing wave.例文帳に追加

第２電流狭窄層１７は定在波の節を含む部位に形成されている。 - 特許庁

The undoped spacer layer reduces the threshold current level of a laser and improves the output characteristics thereof.例文帳に追加

アンドープスペーサ層はレーザ装置のしきい値電流を低減し、出力特性を改善する。 - 特許庁

A reforming catalyst layer 20 is arranged between the separator 8 and the fuel electrode current collector 6.例文帳に追加

セパレータ８と燃料極集電体６の間に改質触媒層２０を配置する。 - 特許庁

Thus, the driving current of the transistor increases due to the high electric conduction of the microcrystal silicon layer.例文帳に追加

よって、トランジスタの駆動電流は、微結晶シリコン層の高導電のために増加する。 - 特許庁

The current dispersion layer 4 comprises particles 4b contained in a wavelength conversion material.例文帳に追加

電流拡散層４は、波長変換材料に含まれている粒子４ｂを有している。 - 特許庁

In this case, torque operating on the spin of a free layer 3 becomes zero due to a spin polarization current.例文帳に追加

この場合、スピン分極電流によってフリー層３のスピンに働くトルクが「零」となる。 - 特許庁

A pair of pads (electrodes) 6 and 6 for current-carrying are formed on the heat-generating layer 4.例文帳に追加

発熱体層４上に通電用の一対のパッド（電極）６，６が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser diode with a current restricting layer and its manufacturing method.例文帳に追加

電流制限層を有する半導体レーザダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The TFT has excellent current characteristics because an active layer is almost in a single-crystal state.例文帳に追加

そのＴＦＴは、活性層が概ね単結晶状態にあるため、電流特性が良い。 - 特許庁

The negative electrode 22 comprises a negative electrode current collector 22A and a negative electrode active material layer 22B.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａと負極活物質層２２Ｂとを有している。 - 特許庁

An n-type current constriction layer 6 is formed on the side surfaces of the ridge stripe 30.例文帳に追加

リッジストライプ３０の側面には、ｎ型電流狭窄層６が形成されている。 - 特許庁

The film 22 has a power supply layer which supplies a current to a wire 21p for a power source.例文帳に追加

フィルム２２は、電源用配線２１ｐに電流を供給する電源層を備える。 - 特許庁

A structure for arranging a current narrow-down layer 51 for narrowing down a current-flowing area to 1/2 to 1/100 in the close neighborhood of a free layer 13 by applying a current to a giant magnetoresistive effect laminated layer 101 in the direction of the thickness, and a manufacturing method therefor are provided.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果積層膜１０１に膜厚方向に電流を印可し、自由層１３のごく近傍に電流の流れる領域を１／２〜１／１００に絞り込む電流絞込層５１を配置する構造と、その作成方法を提供する。 - 特許庁

The bipolar electrode has a current collector including a resin layer which has a first resin as the base material, and has conductivity, a positive electrode active material layer formed on one face of the current collector, and a negative electrode active material layer formed on the other face of the current collector.例文帳に追加

双極型電極は、第１の樹脂を基材とする、導電性を有する樹脂層を含む集電体、集電体の一方の面に形成された正極活物質層、および集電体の他方の面に形成された負極活物質層を有する。 - 特許庁

This semiconductor laser possesses a first clad layer 12, an active layer 16 formed on the first clad layer and having a multiple quantum well layer composed of a GaN semiconductor, a current constriction layer 24, formed on the active layer and having an opening 26 of stripe geometry, and a second clad layer 22 formed on the current constriction layer and having a mesa stripe 23 that corresponds to the opening.例文帳に追加

第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層上に形成され、ＧａＮ系半導体より成る多重量子井戸層を有する活性層１６と、活性層上に形成され、ストライプ状の開口部２６が形成された電流狭窄層２４と、電流狭窄層上に形成され、開口部に応じたメサストライプ２３を有する第２のクラッド層２２とを有している。 - 特許庁

A negative current collector foil 15, the positive active material layer, the polymer electrolyte layer, and a positive current collector foil are folded back in a belt, with no disconnection, and the positive active material layer is formed on a positive current collector foil so that the folded part of the positive current collector foil is divided with a positive slit 28.例文帳に追加

負極集電体箔１５、負極活物質層、ポリマー電解質層及び正極集電体箔は帯状に連続した状態で折畳まれ、正極活物質層は正極集電体箔の折れ部分で正極スリット２８を設けて分割されるように正極集電体箔上にそれぞれ形成される。 - 特許庁

A current striction section 50 including a current constriction layer 51 and intermediate layers 52 and 53 is provided between a 1st p-type clad layer 41A and 2nd p-type clad layer 41B made of p-type AlGaInP mixed crystal.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなる第１ｐ型クラッド層４１Ａおよび第２ｐ型クラッド層４１Ｂの間に、電流狭窄層５１と中間層５２，５３とを含む電流狭窄部５０を設ける。 - 特許庁

The negative electrode 2 is constituted by forming an negative electrode current collector layer 22 on an negative electrode active material layer 21, and the electrode extraction part 20 protruding in a plane direction is integrally formed at the negative electrode current collector layer 22.例文帳に追加

負極2は、負極活物質層21上に負極集電体層22を形成することで構成され、負極集電体層22に平面方向に突出する電極取り出し部20が一体に形成されている。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

Also, current flows in the n-type GaN spacer layer 16, the activation layer 18, and the p-type GaN spacer layer 20, and the current does not flow in the first reflection film 14 with relatively high electric resistance, thus providing superior electric characteristics.例文帳に追加

また、電流はｎ型ＧａＮスペーサ層１６、活性層１８、及びｐ型ＧａＮスペーサ層２０を流れ、電気抵抗の比較的に高い第１の反射膜１４を流れないので、優れた電気特性を提供する。 - 特許庁

It is possible to restrain impurities of the p-InP clad layer 7 from diffusing to the current block layer 6, thus bringing about the low resistance of the current block layer 6 and to enable the rapid operation of the laser equipped with the modulator.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰクラッド層７の不純物が電流ブロック層６に拡散して電流ブロック層６が低抵抗化することを抑止でき、変調器付きレーザの高速動作を実現することができる。 - 特許庁

A current collector 24 is laminated on both surfaces of a PTC layer 27 which varies resistance values according to the variation of temperature, a positive electrode layer 25 is laminated on one surface of the current collector and a negative electrode layer 26 is laminated on the other surface.例文帳に追加

温度に応じてその抵抗値を変化させるＰＴＣ層（２７）の両面に集電体（２４）を積層し、集電体の一方の面には正極層（２５）を積層し他方の面には負極層（２６）を積層する。 - 特許庁

Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.例文帳に追加

本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁

Between an n-type InGaP layer acting as an emitter layer 7 of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining increase of a base current due to depletion phenomenon of carrier in an interface, and preventing decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁

Between an n-type InGaP layer 7 acting as an emitter layer of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining an increase of a base current due to a depletion phenomenon of carrier in an interface and preventing a decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁

In a mirror layer of first period from the active layer side of the upper reflective layer 6, a current constriction layer 20 is formed of a current injection region 19a arranged in the vicinity of the center of mesa and having circular horizontal cross-section, and a selective oxidation layer 19b arranged contiguously to the current injection region 19a.例文帳に追加

そして、上部反射層６の活性層側から第一周期目のミラー層内に、そのメサ中央付近に配置されかつ水平断面が円状の形状を有する電流注入領域１９ａと該電流流入領域に１９ａに隣接して配置された選択酸化領域１９ｂにより形成された電流狭窄層２０が配置されている。 - 特許庁

The method for manufacturing an organic EL element has a pasting process of pasting by overlapping, heating, and pressurizing an organic layer including a light-emitting layer and a cathode electrode layer, or an organic layer including a light-emitting layer and an anode electrode layer, and further, electric current is applied at the time of the heating and pressurizing.例文帳に追加

発光層を含む有機物層と陰電極層、または、発光層を含む有機物層と陽電極層とを重ね合わせ、加熱・加圧して貼り合わせを行う貼り合わせ工程を有し、上記加熱・加圧時にさらに通電を行う。 - 特許庁

Similarly, a second reaction layer and a second current collection layer are formed by a discharge device 20h and by a discharge device 20j, respectively.例文帳に追加

同様に、吐出装置２０ｈにおいて第２の反応層を、吐出装置２０ｊにおいて第２の集電層を形成する。 - 特許庁