「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A current block layer 110 is formed into a current non-injection region 115 by etching using an SiO2 film as a mask.例文帳に追加

電流ブロック層１１０をエッチングして電流非注入領域１１５を形成するためのマスクとしてＳｉＯ_2膜を用いる。 - 特許庁

The metal oxide layer is conductive, and therefore, it allows the current collector to collect a current from the positive electrode or from the negative electrode.例文帳に追加

また、この金属酸化物層は導電性を有するため、集電体は正極又は負極から集電することができる。 - 特許庁

A distance between the first current collecting board and the end of the porous insulating layer on the side of the first current collecting board is ≤3 mm.例文帳に追加

第１集電板と、多孔質絶縁層における第１集電板側の端部との間の距離が３ｍｍ以下である。 - 特許庁

To provide an electrostatic inductive thyristor with a current control layer which controls an over current in load short circuit and reduces a time of turn/off.例文帳に追加

負荷短絡時に過電流を抑制し、ターンオフ時間を短縮する電流抑制層付き静電誘導サイリスタを提供する。 - 特許庁

To provide a positive electrode current collector with a DLC film for a battery having high current collecting performance to a positive electrode mix layer.例文帳に追加

正極合材層に対して優れた集電性能を有するＤＬＣ膜付き電池用正極集電体を提供する。 - 特許庁

The direction of current flowing through the second metal layer 5 and the direction of current flowing through the fourth metal layers 38 are opposite to each other.例文帳に追加

第２金属層５を流れる電流の方向と第４金属層３８を流れる電流の方向とが逆方向になる。 - 特許庁

To reduce contact resistance between an organic semiconductor layer and a source drain electrode without decreasing Ion/Ioff (ON current value/OFF current value).例文帳に追加

Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。 - 特許庁

The magnetoresistive storage device includes a magnetoresistive element, and a wiring layer connected to a first current terminal and a second current terminal.例文帳に追加

磁気抵抗記憶装置は、磁気抵抗素子と、第１電流端子及び第２電流端子に接続された配線層と、を備える。 - 特許庁

A lower DBR (distributed bragg reflector) miller layer 11, a lower clad layer 12, an active layer 13 having a light emitting region 13A, an upper clad layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR miller layer 16 and a contact layer 17 are laminated in this sequence from the side of a substrate 10.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１、下部クラッド層１２、発光領域１３Ａを有する活性層１３、上部クラッド層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６およびコンタクト層１７が基板１０側からこの順に積層されている。 - 特許庁

A bonding layer 3 is formed above a conductive support substrate 21, a reflective layer made up of an oxide silicon layer 15' and a reflective electrode layer 16' is formed above the bonding layer 3, and a current diffusion layer 14' is formed between the reflective layer and light emitting layers 11, 12 and 13.例文帳に追加

導電性支持基板２１上方に接合層３を形成し、接合層３の上方に酸化シリコン層１５’及び反射電極層１６’よりなる反射層を形成し、反射層と発光層１１、１２、１３との間に電流拡散層１４’を形成する。 - 特許庁

The thin battery is provided with a positive electrode layer 5, a negative electrode layer 4, and an electrolyte layer to perform conduction of ions between the positive electrode layer 5 and the negative electrode layer 4, and current collectors 2, 3 which are connected electrically to each or one of the positive electrode layer 5 and the negative electrode layer 4.例文帳に追加

本発明薄型電池は、正極層5と、負極層4と、正極層5と負極層4との間でイオンの伝導を行う電解質層と、正極層5および負極層4の各々又は一方に電気的に接続される集電体2、3とを備える。 - 特許庁

In a solid battery, a current collector has a conductive metal oxide layer while the metal oxide layer is formed at least on an interface between the current collector and a positive electrode and/or a negative electrode adjacent to the current collector.例文帳に追加

固体電池において、集電体が導電性を有する金属酸化物層を備え、その金属酸化物層が集電体と隣接する正極及び／又は負極との界面に少なくとも形成される。 - 特許庁

Consequently, the crystal growth of an n-type AlGaAs current block layer 11 and an n-type GaAs current block layer 12 can be smoothly performed and it is made possible to generate no cavity in the current block layers 11, 12.例文帳に追加

このため、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流ブロック層１１およびｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１２の結晶成長がスムーズになって、電流ブロック層１１，１２に空洞が生じないようにすることができる。 - 特許庁

With application of this method, the surface light-emitting laser provided with a current pinching layer for defining a current injection region to an active layer, and the method for fabricating the current pinching structure in the surface light-emitting laser, are constituted.例文帳に追加

また、このような方法を適用して、活性層への電流注入領域を画定する電流狭窄層を備えた面発光レーザ、面発光レーザにおける電流狭窄構造の製造方法を構成する。 - 特許庁

Since portions corresponding to the second virtual straight lines B of the current dispersion semiconductor layer 3 work as a path for applying a current in a direction of the external circumference of the current dispersion semiconductor layer 3, the light emitting efficiency can be improved.例文帳に追加

電流分散半導体層３の第２の仮想直線Ｂに対応する部分は電流分散半導体層３の外周方向に電流を流すための通路として機能し、発光効率が向上する。 - 特許庁

The current value to be supplied between the main substrate and a anode is dropped to a weak current or controlled to zero in the current value after the plating layer is formed and before the plating solution is discharged.例文帳に追加

メッキ層を形成後、メッキ液を排液する前に、主基板とアノード間に供給される電流値を微弱電流に落とすかあるいは電流値をゼロに制御する。 - 特許庁

A vibration voltage with an alternate current component superposed on a direct current component is applied to a charge member for charging the photoreceptor layer of an image carrier, to supply a current.例文帳に追加

像保持体の感光体層を帯電させる帯電部材に対し、交流成分を直流成分に重畳した振動電圧を印加して電流を供給する。 - 特許庁

The active layer 30 is formed on a first main surface of the first conductive clad layer 20, and the current block 40 is formed on both sides of the active layer 30 on the first conductive clad layer 20.例文帳に追加

活性層は第1導電型クラッド層の第1の主表面側に形成され、電流ブロック部は第1導電型クラッド層上の活性層の両側に形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 20, an active layer 30 and a p-type semiconductor layer 40 are laminated successively, and a current constriction region 50 is formed to the p-type semiconductor layer 40.例文帳に追加

ｎ型半導体層２０，活性層３０およびｐ型半導体層４０が順に積層され、ｐ型半導体層４０に電流狭窄領域５０が設けられている。 - 特許庁

A p-second clad layer 7 and a p-contact layer 8 are successively formed on the n-current block layer 6 and the p-first clad layer 5 within the opening part 20.例文帳に追加

ｎ−電流ブロック層６上およびストライプ状開口部２０内のｐ−第１クラッド層５上にはｐ−第２クラッド層７およびｐ−コンタクト層８が順に形成される。 - 特許庁

An upper-part semiconductor multilayer film reflection layer 7 is provided on the upper-part clad layer 6, and a current constricting layer 8 is provided at a part of the p-type upper-part semiconductor multilayer film reflection layer 7.例文帳に追加

上部クラッド層６上には、上部半導体多層膜反射層７を有し、ｐ型の上部半導体多層膜反射層７の一部に電流狭窄層８を配置する。 - 特許庁

An active layer 5 and a current constriction layer 9 composed of a semiconductor, to which an oxygen element is added, are formed between the p-type semiconductor layer 2 and the n-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

ｐ型半導体層２とｎ型半導体層４との間には、活性層５と、酸素元素が添加された半導体からなる電流閉じ込め層９とが設けられている。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element, in which a sensor current is flowed in a direction perpendicular to a film surface, has an electron reflection layer on at least one of a pin layer, free layer, or nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに電子反射層を設ける。 - 特許庁

When a reverse bias voltage is applied, a depletion layer 22 is formed on the n-type clad layer below the n-type contact layer, the depletion layer is expanded as the increase in the reverse bias voltage, and a leakage current is suppressed.例文帳に追加

逆バイアス印加時、ｎ型コンタクト層の下方でｎ型クラッド層に空乏層２２が形成され、逆バイアスの増大と共に空乏層が拡大され、漏洩電流が抑制される。 - 特許庁

Between a p-type clad layer 18 and a p-side contact layer 19, an insulating layer 21, having an opening 21a at a place which corresponds to current injection region of an active layer 16 is formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１８とｐ側コンタクト層１９との間には、活性層１６の電流注入領域に対応して開口２１ａを有する絶縁層２１が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor laser includes a first conductive clad layer 20, an active layer 30, a current block 40, a second conductive clad layer 50, a contact layer 60, a first electrode 70, a second electrode 80, and a through-electrode 90.例文帳に追加

第1導電型クラッド層20と、活性層30と、電流ブロック部40と、第2導電型クラッド層50と、コンタクト層60と、第1電極70と、第2電極80と、貫通電極90とを備えて構成される。 - 特許庁

Diffusion of dopant from the current diffusion layer 16 side into an active layer 14 can be prevented by inserting a diffusion stop layer 17 of multilayer structure having a high Al composition and different lattice constants between adjacent layers, between the active layer 14 and the p-type current diffusion layer 16.例文帳に追加

Ａｌ組成が大きく、かつ隣接する層間の格子定数が異なる多層構造の拡散ストップ層１７を活性層１４とｐ型電流拡散層１６との間に挿入すれば電流拡散層１６側から活性層１４内へのドーパントの拡散を防止することができる。 - 特許庁

The collector 23 includes a blocking layer, in case a potential difference between the cathode layer 24 and the anode layer 25 to be a threshold voltage or more, allowing electric current flow from the cathode layer 24 to the anode layer 25, and in case the potential difference to be less than the threshold voltage, blocking the electric current.例文帳に追加

集電体２３は、正極層２４と負極層２５との電位差が閾値電圧以上の場合には、正極層２４から負極層２５への電流の流れが許容される一方で、電位差が閾値電圧未満の場合には、電流が遮断される、遮断層を含む。 - 特許庁

The anode for nonaqueous electrolyte secondary battery 1 is provided with an activator layer 3 and a current collecting surface layer 4a covering the activator layer, having many fine holes 6 through which, electrolyte liquid can flow, and a conductive polymer 5 is interposed between the activator layer and the current collecting surface layer continuously or non-continuously.例文帳に追加

本非水電解液二次電池用負極１は、活物質層３と、それを被覆し且つ電解液の流通が可能な微細孔６を多数有する集電用表面層４ａとを備え、両層間に導電性ポリマー５が連続に又は不連続に介在している。 - 特許庁

A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer.例文帳に追加

リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。 - 特許庁

The electrode is comprised of an active material layer containing an iron-containing active material and a binder and a current collecting layer, the surface roughness of the active material layer measured by conforming to JIS B0601 is 1.60 μm or less, and peeling strength between the active material layer and the current collecting layer is 0.1 N/cm or more.例文帳に追加

鉄含有活物質及びバインダーを含んでなる活物質層と集電体層からなり、活物質層のＪＩＳ Ｂ０６０１に準じて測定される表面粗さが１．６０μｍ以下であり、かつ活物質層と集電体層とのピール強度が０．１Ｎ／ｃｍ以上である電極。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

The second layer is provided between the processing layer and the clad layer, and has a first conductivity type formed of either one of a region having a higher impurity density than that of the current diffusion layer and a region having a dopant different from that of the current diffusion layer.例文帳に追加

第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。 - 特許庁

A separable tape having a pressure sensitive adhesive layer on the lowest layer and multi-layer structure capable of peeling off in a layer on an interface is stuck on a current collector made of a long metal foil, and the active material layer is formed on the current collector part of which is covered with the separable tape.例文帳に追加

長尺状の金属箔からなる集電体上に最下層に粘着剤層を有し、界面で層状にはがすことが可能な多層構造を有する剥離性テープを貼り付けて、前記剥離性テープに一部が被覆された集電体上に活物質層を形成する。 - 特許庁

Since the first current constriction layer 17 requiring the oxidation process is formed at a portion separated from the active layer 14, effect of strain (stress) incident to formation of an Al oxide layer 17B as the first current constriction layer 17 on the active layer 14 is reduced.例文帳に追加

酸化工程を要する第１の電流狭窄層１７が活性層１４から離れた部位に形成されるので、この第１の電流狭窄層１７としてのＡｌ酸化層１７Ｂを形成する際、その生成に伴う歪（応力）が活性層１４に与える影響が軽減される。 - 特許庁

Even when the Al percentage composition of the evaporation preventing layer 6 is not changed, the Eg of the layer 6 on the second underlying layer 3 changes from that of the layer 6 on the first underlying layer 2 and a current (Hall) can be efficiently injected into a quantum well active layer by efficiently concentrating the current to an area having a small Eg only.例文帳に追加

蒸発防止層６のＡｌ組成比を変化させなくても第１下地層２上と第２下地層３上とで蒸発防止層６のＥｇが変化し、Ｅｇが小さい領域のみに効率よく電流を集中させて、量子井戸活性層に効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

Projections 16, 17 opposing to both side faces of a ridge 14 acting like a principal current path and each including an intermediate layer 9 and a current blocking layer 11 are formed to a laminated semiconductor layer 20 in a direction orthogonal to the laminated direction of the layer 20.例文帳に追加

積層半導体層２０の積層方向と直交する方向に、主たる電流通路となるリッジ１４の両側面に対向して成る、中間層９及び電流阻止層１１を有する突起部１６及び１７を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

The power storage device comprises the current collector 101, a mixture layer 107 formed on the current collector 101, and the crystalline silicon layer serving as the active material layer 103 formed on the mixture layer 107.例文帳に追加

集電体１０１上に、シリコンを含む堆積性ガスを用いて加熱する減圧ＣＶＤ法により、ウィスカー状の結晶性シリコン領域を有する結晶性シリコン層を活物質層１０３として形成する蓄電装置の作製方法である。 - 特許庁

The battery has a structure interposing a separator between a positive electrode layer 7 forming a positive active material layer 6 on only the one side of a positive current collector 5 and a negative electrode layer 1 forming a negative active material layer on only the one side of a negative current collector.例文帳に追加

電池は、正極集電体５の片面側にだけ正極活物質層６を設けた正極層７と、負極集電体の片面側にだけ負極活物質層を設けた負極層１とで、セパレータを挟んだ構造を有する。 - 特許庁

The lithium ion battery includes a positive electrode element containing a positive electrode layer formed on a current collector, a negative electrode element 13 containing a negative electrode layer 13b formed on a current collector, and a separator arranged between the positive electrode layer and the negative electrode layer and containing an electrolyte.例文帳に追加

集電板上に形成された正極層を含む正極素子と、集電板上に形成された負極層１３ｂを含む負極素子１３と、正極層及び負極層の間に配置され、電解液を含むセパレータと、を有する。 - 特許庁

In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.例文帳に追加

さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

A second semiconductor layer 104, which has an electron affinity weaker than that of the layer 103 and suppresses a current to flow in the layer 104 from a gate electrode on the layer 104 by a thermal excitation, is formed on the layer 103.例文帳に追加

第１の半導体層１０３の上に、第１の半導体層より電子親和力が小さく、ゲート電極から熱励起によって流れ込む電流を抑制する第２の半導体層１０４を形成する。 - 特許庁

The magnetic head 100B has a main magnetic pole layer 10, a first return yoke layer 20, a joint part 40, a first coil 50, and a composite layer 16 composed of a magnetic flux control layer 14 and a first eddy current suppressing layer 15.例文帳に追加

磁気ヘッド１００Ｂは、主磁極層１０、第１のリターンヨーク層２０、ジョイント部４０、第１のコイル５０、および磁束制御層１４、第１の渦電流抑制層１５とからなる複合層１６を有する。 - 特許庁