「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device that meets a requirement for thinning a gate insulating layer in a miniaturized transistor under such circumstances that a physical limit occurs on thinning a gate insulating layer because of an increase in tunneling current, i.e. gate leakage current when the gate insulating layer is formed of a silicon oxide single layer.例文帳に追加

微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。 - 特許庁

After the protection layer formed on the front current collecting wire and hardened, and a curable protection layer formed on the rear current collecting wire are crimped to each other while being associated with each other, the dye-sensitized solar cell is manufactured by hardening the curable protection layer of the rear current collecting wire.例文帳に追加

本発明の染料感応太陽電池は、前記前面集電線に形成し硬化した保護層と、前記後面集電線に形成した硬化性保護層とを対応させて圧着した後、後面集電線の硬化性保護層を硬化させることにより製造される。 - 特許庁

When thermal expansion coefficients of the first current block layer 18, second current block layer 19 and third current block layer 22 are denoted by η1, η2 and η3 respectively and the thermal expansion coefficient of gallium nitride is denoted by ηg, ηg>η1, ηg>η2 and ηg<η3 are satisfied.例文帳に追加

第１の電流ブロック層１８、第２の電流ブロック層１９及び第３の電流ブロック層２２の熱膨張係数をそれぞれη１、η２及びη３とし、窒化ガリウムの熱膨張係数をηｇとすると、ηｇ＞η１、ηｇ＞η２及びηｇ＜η３とする。 - 特許庁

The lithium battery 3 has on a substrate 10 a positive electrode layer 33, a negative electrode layer 34 containing an active material comprising a Li-containing material, a solid electrolyte layer 35 interposed between both electrode layers 33, 34, and a current collector layer 31.例文帳に追加

リチウム電池3は、基材10上に、正極層33、Li含有材料からなる活物質を含む負極層34、これら両極層33,34の間に介在される固体電解質層35、集電体層31を具える。 - 特許庁

The circumference of the mesa is embedded by forming an n-type InP current block layer 18, a p-type InP embedding layer 19 and an n-type InP embedding layer 20 on the p-type InP embedding layer 17.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ埋込層１７上に、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１８、ｐ型ＩｎＰ埋込層１９及びｎ型ＩｎＰ埋込層２０を形成してメサの周囲を埋め込む。 - 特許庁

In the photovoltaic device, a rear-side electrode layer 9, a semiconductor photo-active layer 10, a transparent front-side electrode layer 5, and a current collection wiring layer 4 are formed on an insulating substrate 8.例文帳に追加

本発明の光起電力装置では、絶縁性基板８上に裏面電極層９、半導体光活性層１０、透明表面電極層５及び集電配線層４が形成される。 - 特許庁

When a predetermined voltage is applied between a GaAs lower contact layer 111 and a GaAs upper contact layer 115 through an unillustrated wiring layer and a current flows, an AlGaAs active layer 113 emits light.例文帳に追加

図示しない配線層を介して、ＧａＡｓ下コンタクト層１１１と、ＧａＡｓ上コンタクト層１１５との間に所定の電圧が印加され電流が流れると、ＡｌＧａＡｓ活性層１１３が発光する。 - 特許庁

The metal layer and the metal-based clad layer have a ridge shape, a current blocking layer 180 is formed on sidewalls and an exposed surface, and a p-electrode layer 190 is provided thereon.例文帳に追加

金属層及び金属系クラッド層は、リッジ状に形成され、その側面及び外郭領域表面に電流遮断層１８０が形成され、その上にｐ−電極層１９０が備えられている。 - 特許庁

A reflection layer 212, a transparent conductive layer 208 and a transparent dielectric layer 210 are combined to be used as a structure layer for accelerating uniform current distribution and increasing light extraction efficiency.例文帳に追加

反射層２１２、透明導電層２０８、及び透明誘電体層２１０の組合せにより、均一な電流分布を促進し、光取り出し効率を増加させるための構造層として使用する。 - 特許庁

The pin retaining layer is extended from the ABS to the tip of the rear edge part of the AFM layer, and brought into contact with the first shield, and a path is provided for passing a detected current to the tunnel joined layer by bypassing the electric insulating AFM layer.例文帳に追加

ピン止め層はＡＢＳからＡＦＭ層の後縁部の先に延び第１のシールドに接触し、検知電流が電気絶縁ＡＦＭ層をバイパスしてトンネル接合層まで流れる経路を与える。 - 特許庁

To restrain corrosion of a metal wiring layer 12 and degradation of a characteristic due to leakage current from the metal wiring layer 12 in an electrode substrate 1 having the metal wiring layer 12 and a transparent conductive layer 11.例文帳に追加

金属配線層１２と透明導電層１１を有する電極基板１において、金属配線層１２の腐食や金属配線層１２からの漏れ電流による特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

A metal layer 30 is formed on a second conducting layer 26 so that the whole overlaps with the first conducting layer pattern 24 by electrolytic plating by allowing a current to flow to the second conducting layer 26.例文帳に追加

第２の導電膜２６に電流を流して行う電解メッキによって、第２の導電膜２６上に、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように金属層３０を形成する。 - 特許庁

A current block layer 8, an n-GaInP step-punching generation payer 9, and an n-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 10, are epitaxially grown.例文帳に追加

電流ブロック層８、ｎ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層９、ｎ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）１０をエピタキシャル成長させる(ａ)。 - 特許庁

An undercoat layer 4, formed of the same material with the binder 2, is formed on the surface of the current collector 5, the electrode layer is formed on the undercoat layer 4 for the formation of an electrode.例文帳に追加

集電体５表面にバインダ２と同じ材料でアンダーコート層４を形成した後、電極層をアンダーコート層４上に形成し、電極を作成する。 - 特許庁

As a result, a current is implanted into the active layer 3 from the side and the forefront part of the trapezoid of the trapezoidal projection p-type GaN layer 6', and light is emitted in a wide area of the active layer 3.例文帳に追加

この結果、電流は台形凸部ｐ型GaN層６’の台形の側面、先端部からも活性層３へ注入され、活性層３の広い領域で発光する。 - 特許庁

Since the passes to the final layer after the pass of the first layer or the plurality of layers from the first layer are performed by the arc welding by a pulse current, the amount of generation of the spatters is reduced and the work efficiency of welding is improved.例文帳に追加

一方、その後の最終層までのパスは、パルス電流でアーク溶接するので、スパッタ発生量が低減され、溶接作業性が向上する。 - 特許庁

Further, a solder connection layer of silver is layered on the diffusion prevention layer 5 and the solder connection layer is connected with an electrode by solder to construct a superconductive current lead.例文帳に追加

さらに拡散防止層５の上に銀からなる半田接続層を積層し、半田接続層と電極を半田で接続して超電導電流リードを構成する。 - 特許庁

The current blocking layer 115 is arranged in at least the upper semiconductor layer or the lower semiconductor layer and also includes an opening 115a.例文帳に追加

電流阻止層１１５は、上部半導体層および下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部１１５ａが形成されている。 - 特許庁

By forming such a structure, a path of a surge current is set to n-type drift layer 2 → p-type layer 3a → p-type base region 3a → body p-type layer 5.例文帳に追加

このような構造とすることで、サージ電流の経路をｎ型ドリフト層２→ｐ型層３ａ→ｐ型ベース領域３ａ→ボディｐ型層５とすることが可能となる。 - 特許庁

A second semiconductor laser structure 120 consists of an n-type clad layer 121, an active layer 122, a p-type clad 123 and an n-type current blocking layer 124.例文帳に追加

また、第２の半導体レーザ構造１２０は、ｎ型クラッド層１２１、活性層１２２、ｐ型クラッド層１２３、ｎ型電流ブロック層１２４により構成されている。 - 特許庁

Consequently, the barrier metal layer is interposed between the wiring layer and inter-layer insulating film, so void formation at the time of current application is suppressed and the reliability of the wiring lines is improved.例文帳に追加

これにより、配線層と層間絶縁膜との間にバリアメタル層が介在するため、電流印加時のボイド発生が抑制され、配線の信頼性が向上する。 - 特許庁

To form a copper-plated layer which does not exerts stress on a two-layer flexible copper-clad laminate even when the layer is plated with high current density, and shows superior appearance.例文帳に追加

2層フレキシブル銅張積層板を形成する際に、高電流密度めっきを行っても応力がかからない、外観の優れた銅のめっき層を形成する。 - 特許庁

By selecting the composition of the inclusion layer 12 as above, the inclusion layer 12 having good adhesion to both the positive electrode current collector 11 and the positive electrode layer 13 can be made.例文帳に追加

介在層12の組成を上記のように選択することで、正極集電体11に対しても正極層13に対しても密着性の良い介在層12とすることができる。 - 特許庁

A plurality of metal electrodes 20 of a trench structure disposed in a range not arriving at an active layer is formed in a current diffusion layer 16 or a conductivity type clad layer 15.例文帳に追加

電流拡散層１６又は導電型のクラッド層１５内に活性層に到達しない範囲で配置されたトレンチ構造の複数の金属電極２０が形成される。 - 特許庁

A cooling layer 8 for cooling a semiconductor element layer 3 is bonded to the semiconductor element layer 3 for controlling a quantity of current, through a cooling face 11.例文帳に追加

電流量を制御する半導体素子層３に冷却面１１を介し接合して半導体素子層３を冷却する冷却層８とが設けられている。 - 特許庁

The ripple current alternating forward voltage with backward voltage is applied to a semiconductor LED including an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含む半導体ＬＥＤに、順方向の電圧と逆方向の電圧とが交互する脈動電流を印加する。 - 特許庁

A meal layer 50 is formed on the exposed section of the conductive film layer 30 from the plating resist layer 40 by electrolytic plating using the current flowing on the conductive film 30.例文帳に追加

導電膜３０に電流を流して行う電解メッキによって導電膜３０のメッキレジスト層４０からの露出部上に金属層５０を形成する。 - 特許庁

By selecting the composition of the interposed layer 12 like this, the interposed layer 12 having high adhesion to the positive current collector 11 and also to the positive electrode layer 13 can be obtained.例文帳に追加

介在層12の組成を上記のように選択することで、正極集電体11に対しても正極層13に対しても密着性の良い介在層12とすることができる。 - 特許庁

This assembly 5 for the electrochemical cell is provided with a solid electrolyte layer 1, an air electrode layer 2 provided on one surface 1a of the solid electrolyte layer 1 and the current collecting layer 3 made of ceramics provided on the air electrode layer 2.例文帳に追加

電気化学セル用アセンブリ５は、固体電解質層１、固体電解質層１の一方の表面１ａに設けられている空気極層２および空気極層２の上に設けられているセラミックス製の集電層３を備えている。 - 特許庁

In the transistor 1, the second base layer 14 is formed on the outer side of the emitter layer 13 in a three-layer structure of the conventional NPN-type transistor and a bias current flows in the section between the emitter layer 13 by using the second base layer 14.例文帳に追加

トランジスタ１は、在来のＮＰＮ型のトランジスタの３層構造におけるエミッタ層１３の外側に第２のベース層１４を形成し、この第２のベース層１４を用いてエミッタ層１３との間にバイアス電流を流す。 - 特許庁

The storage element stores information by reversing magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal generated in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

The light-emitting element 100 is constituted of the light-emitting layer 24 composed of a compound semiconductor, and the current diffusing layer 91 composed of a compound semiconductor layer 24 having a thickness larger than that of the light-emitting layer 24 and laminated upon the light-emitting layer 24.例文帳に追加

発光素子１００は、化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４よりも厚膜の化合物半導体層２４からなる、発光層部２４に積層された電流拡散層９１とを有する。 - 特許庁

The inside and the outside current collecting layers are formed with a conductive paste layer, or at least one of the current collecting layers is preferably formed with a grating-like conductive current collecting plate.例文帳に追加

内部および外部集電層は導電性ペースト層で形成され、あるいはその少くとも一方は目皿状の導電性集電用プレートで形成させることが好ましい。 - 特許庁

In addition, by employing the semi-insulating buffer layer, increase of a leakage current through the thermally conductive substrate, the leakage current through a substrate, and the leakage current between the light emitting cells are prevented.例文帳に追加

また、半絶縁性バッファ層を採用して熱伝導性基板を介した漏洩電流基板を通じた漏洩電流及び発光セル間の漏洩電流増加を防止することができる。 - 特許庁

Eddy current is, therefore, induced in the nonmagnetic conductive member 15 by recording current and the magnetic field leaking from the upper magnetic pole layer 14 is suppressed by the eddy current.例文帳に追加

そのため、記録電流によって非磁性導電性部材１５の内部に渦電流が誘起され、この渦電流によって上部磁極層１４から漏れる磁界が抑制される。 - 特許庁

The current density is increased whereby a magnetic field, sufficient for rotating the variable magnetizing direction in the data layer of the memory cell, is produced by a current smaller than the current which flows through the conductors.例文帳に追加

電流密度が増大するため、メモリセルのデータ層内の可変磁化方向を回転させる十分な磁界を導体内を流れる一層小さな電流により生成できる。 - 特許庁

To prevent a leakage current from flowing between a cap layer and an emitter so as to provide a high-performance bipolar transistor semiconductor device which has a high current gain and is excellent in the linearity of current characteristics.例文帳に追加

キャップ層とエミッタ部との間のリーク電流を防止し、電流特性のリニアリティに優れ高い、高性能な電流利得のバイポーラトランジスタ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

With this construction, an n^+-type emitter layer 4a in the main cell is mutually away from an n^+-type emitter layer 4b in the current detection cell, and with this construction, the n^+-type emitter layer is not arranged between the main cell and the current detection cell.例文帳に追加

メインセルにおけるＮ^+型エミッタ層４ａと電流検出セルにおけるＮ^+型エミッタ層４ｂとが互いに離間された構成とし、メインセルと電流検出セルとの間にはＮ^+型エミッタ層が配置されていない構成とする。 - 特許庁

Considering the diffusion of p-type impurities from a tertiary p-type light guide layer 10 to a current constriction layer 9, n-type impurity concentration is made so distributed that it has at least one peak in the current constriction layer 9.例文帳に追加

第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。 - 特許庁

More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density.例文帳に追加

すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。 - 特許庁

To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.例文帳に追加

ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁

Resistance measurement for detecting a partial defect and a joining abnormity or the like of connection holes 8 formed to each layer and an inter-layer insulation layer 6 is carried out twice, with a measurement current of several mA and a measurement current from several tens of times to several hundreds of times of the several mA.例文帳に追加

各層および層間絶縁層６に形成された接続孔８の部分欠損や接合異常などを検出するための抵抗測定の測定電流を数ｍＡとその数十倍から数百倍の２回行う。 - 特許庁

Forming a second power source layer 14 so as to surround a first power source layer 12 eliminates the forming of a portion where an electric current increases or holds and thus passes the electric current without a stop in the second power source layer 14.例文帳に追加

第１電源層１２を取り囲むように第２電源層１４を形成することで、第２電源層１４において電流が溜まるような、いわゆる行き止まりの部分が形成されないため、電流が滞りなく流れる。 - 特許庁

By having a high-resistance region at the top layer part 16t, current flows so that it detours around the high-resistance region of the top layer part 16t, thus establishing a current path that keeps off the tip layer part 16t, mainly passing the side face part 16s.例文帳に追加

上層部１６ｔに高抵抗領域を設けることで、その上層部１６ｔの高抵抗領域を迂回するように電流が流れ、上層部１６ｔを避けて側面部１６ｓを主体とする電流経路が形成される。 - 特許庁