「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The lasing device comprises: a first reflector and a second reflector; a confinement layer adapted to confine current within a current-confining aperture; and an active layer between the first and second reflectors.例文帳に追加

レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。 - 特許庁

(B) Relation between the current value (a) of the surface of the roll obtained before the surface layer 4 is formed and the current value (b) of the surface of the electrifying roll obtained after the surface layer 4 is formed when applying -100V satisfies a/b≥3.例文帳に追加

（Ｂ）−１００Ｖ印加時の、上記表層４形成前のロール表面の電流値（ａ）と、表層４形成後の帯電ロール表面の電流値（ｂ）との関係が、ａ／ｂ≧３の関係を満たす。 - 特許庁

The carrier concentration at a p-type current block layer of the spot size conversion part of the semiconductor laser, where the spot size conversion part is integrated, is made lower than that at a p-type current block layer of the laser part.例文帳に追加

スポットサイズ変換部を集積化した半導体レーザにおけるスポットサイズ変換部のｐ型電流ブロック層のキャリア濃度を、レーザ部のｐ型電流ブロック層のキャリア濃度よりも低くする。 - 特許庁

A current layer is determined, a lower point of the tool is defined as being present on a position corresponding to the current layer (steps S23, S24) and pieces of tool radius data corresponding to the respective layers are extracted for all the remaining layers respectively.例文帳に追加

カレント層を決め、それに対応する位置に工具下点が存在するとし（ステップＳ２３、Ｓ２４）、残り全ての層につき、各層に対応する工具半径データを夫々抽出する。 - 特許庁

Compound semiconductor layers 2-7, which include a current check layer 7, are laminated on a GaAs substrate 1 whose main face is (100), and a bonding pad 35 is provided on the current blocking layer 7.例文帳に追加

（１００）を主面とするＧａＡｓ基板１上に電流阻止層７を含む化合物半導体層２−７が積層され、前記電流阻止層７上にボンディングパッド３５が設けられている。 - 特許庁

A first electrode layer 13 is electrically connected to the first electrode current collector 3 through its exposed part 13, and the second electrode layer 17 is electrically connected to the second electrode current collector 5.例文帳に追加

第１電極層１３はその露出部１３を介して第１電極集電体３に電気的に接続され、第２電極層１７は第２電極集電体５に電気的に接続されている。 - 特許庁

The reverse current suppression layer 60 is arranged between the cathode 24 and the solid polymer electrolyte membrane 20, and the whole of the solid polymer electrolyte membrane 20 is covered with the reverse current suppression layer 60.例文帳に追加

リバースカレント抑制層６０がカソード２４と固体高分子電解質膜２０との間に設けられており、リバースカレント抑制層６０により固体高分子電解質膜２０の全体が被覆されている。 - 特許庁

The STO has three electrical terminals connected to an electrical circuit which supplies a spin torque excitation current through the conductive spacer layer and a relatively lesser detection current through the tunnel barrier layer.例文帳に追加

ＳＴＯは、導電スペーサ層を通じてスピントルク励起電流を、そして、トンネルバリア層を通じて相対的に小さな検知電流を供給する電気回路に接続する３つの電気端子を有する。 - 特許庁

A concavo-convex shape is formed on the surface of a current collector 1, and a low-deposition speed layer 11 and a high-deposition speed layer 13 are formed on the current collector 1 in this order.例文帳に追加

集電体１の表面には凹凸が形成されると共に、集電体１上に低堆積速度層１１と高堆積速度層１３とが順に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

A ridge structure 22 including the current constriction layer 10 at the center of an element is formed, by splitting the current constriction layer 10 by separate grooves 17a and 17b or by removing part of it.例文帳に追加

電流狭窄層１０を分離溝１７ａ、１７ｂにより分断し、あるいは一部除去することによって、素子中央に電流狭窄層１０を含むリッジ構造部２２を形成する。 - 特許庁

A trench 41 extending to a field stopping layer 47 or a substrate 31 is formed in a semiconductor substrate where the field stopping layer 47, a drift layer 32, a current spreading layer 48, a body region 33, and a source contact layer are sequentially laminated on the substrate 31.例文帳に追加

基板３１の上にフィールドストッピング層４７、ドリフト層３２、電流広がり層４８、ボディー領域３３およびソースコンタクト層が順次積層された半導体基体に、フィールドストッピング層４７または基板３１に達するトレンチ４１を形成する。 - 特許庁

An N-type GaAlAs clad layer 2 and P-type GaAlAs clad layer 4 confine injection carriers in a P-type GaAlAs active layer 3, while an N-type GaAs block layer 5 concentrates a current in the light-emission region of the active layer 3.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２およびＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４によってＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層３内の注入キャリアを閉じ込め、Ｎ型ＧａＡｓブロック層５によって、活性層３の発光領域に電流を集中させる。 - 特許庁

As a channel layer, which has a higher conductance than a free layer, is provided between the bottom spin-valve type magneto-resistive film and a conductive lead layer, a sense current distribution of less spread is formed from the free layer to the conductive read layer.例文帳に追加

ボトムスピンバルブ型磁気抵抗効果膜と導電リード層との間に、フリー層よりも高いコンダクタンスを有するチャンネル層を備えるようにしたので、広がりの少ないセンス電流分布をフリー層から導電リード層にかけて形成することができる。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁

A light emitting layer 103 is formed on the surface of a clad layer 106 and a current layer 105 having a band gap energy lower than that of the light emitting layer 103 is formed on the surface of the light emitting layer 103 in the central part thereof.例文帳に追加

クラッド層１０６の表面上には、発光層１０３が形成されており、当該発光層１０３の中央部表面上には、発光層１０３のバンドギャップエネルギーより小さいバンドギャップエネルギーを有する電流層１０５が形成されている。 - 特許庁

To obtain a high performance capacitor insulating film excellent in specific dielectric constant, heat resistance, and current leaking characteristics by adsorbing a silicon atom layer, an oxygen atom layer, and a metal atom layer or the like using an atom layer deposition method to form a metal silicate layer and nitriding and oxidizing the silicate layer.例文帳に追加

原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層等を吸着させて金属シリケートの層を形成し、それを窒化および酸化することで、比誘電率、耐熱性、電流リーク特性に優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。 - 特許庁

Moreover, in a plan view of the battery, the area of the interfacial layer 4 is larger than that of the negative electrode layer 2, and the negative electrode layer 2 is formed over the interfacial layer 4, and a negative electrode current collector 5 is joined to a part (protruded part 41) which is protruded from the negative electrode layer 2 of the interfacial layer 4.例文帳に追加

また、電池を平面視したとき、界面層4の面積が負極層2の面積よりも大きく、負極層2が界面層4上に形成されており、界面層4の負極層2からはみ出す部分（はみ出し部41）に負極集電体5が接合されている。 - 特許庁

When an outer layer is formed in an electronic component provided with a terminal electrode 40 in a lamination body 10 wherein an insulating layer 11 and a conductor layer 12 are laminated, a current is made to flow to the conductor layer 12 to be protected and an outer layer resin 70 covering an exposed part of the conductor layer 12 is provided by an electrodeposition method.例文帳に追加

絶縁層１１と導体層１２とを積層した積層体１０に端子電極４０を設けた電子部品に外層を形成する場合に、保護すべき導体層１２に電流を流して当該導体層１２の露出部分を覆う外層樹脂７０を電着法で設ける。 - 特許庁

The positive electrode member includes a first active material layer 2A having a positive electrode active material, a second active material layer 2B having a positive electrode active material and disposed to face the first active material layer 2A, and a positive electrode current collecting layer 1 disposed between the first active material layer 2A and the second active material layer 2B.例文帳に追加

正極活物質を有する第１活物質層２Ａと、正極活物質を有し、第１活物質層２Ａに対向して配置される第２活物質層２Ｂと、第１活物質層２Ａと第２活物質層２Ｂとの間に配置される正極集電層１とを備える。 - 特許庁

The CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistive element has a structure wherein a magnetic intermediate layer 30 and an oxide insulation layer 31 are provided between a fixed magnetization layer 28 and a free magnetization layer 33 via a lower side non-magnetic intermediate layer 29 and an upper side non-magnetic intermediate layer 32.例文帳に追加

ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）磁気抵抗効果素子において、固定磁化層２８と自由磁化層３３との間に、下側非磁性中間層２９及び上側非磁性中間層３２を介して、磁性中間層３０及び酸化絶縁層３１を設けた構造とする。 - 特許庁

Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加

リッジストライプを構成するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側部は、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが酸化されたＡｌ酸化層２９となって電流狭窄構造を構成し、ｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２は、全層にわたりＡｌが酸化されたＡｌ酸化層３０になっている。 - 特許庁

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer, and the magnetization coupling layer is composed of a laminate structure of two layers.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに磁気結合層が２層の積層構造となっている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

The device is provided with an active layer 105, a first conductive type first clad layer 103 and a second conductive type second clad layer 107 which are disposed so as to sandwich the layer 105, and a current blocking layer 111, which is disposed on a side opposite to the layer 105 with respect to the layer 107.例文帳に追加

活性層１０５と、活性層１０５を挟むように配置された第１の導電型の第１のクラッド層１０３および第２の導電型の第２のクラッド層１０７と、第２のクラッド層１０７に対して活性層１０５とは反対側に配置された電流ブロック層１１１とを備える。 - 特許庁

The cathode active material layer is a laminate structure which contains at least a proximity layer 68 abutting on the current collector and a counter electrode side layer 74 formed in a parting direction toward the counter electrode side rather than to the proximity layer.例文帳に追加

正極活物質層は、集電体に近接する近接層６８と、該近接層よりも対極側に離れる方向に形成された対極側層７４とを少なくとも含む積層構造である。 - 特許庁

When the structure of a negative electrode plate comprises metal foil, an electron conducting layer and an active material layer, adhesiveness is enhanced and a current collecting property is improved by using a silane coupling agent for at least an interfacial surface between the electron conducting layer and the active material layer.例文帳に追加

負極板の構成が金属箔／電子伝導層／活物質層である場合に、少なくとも電子伝導層／活物質層界面にシランカップリング剤を用い、接着性を高め、集電性向上を図る。 - 特許庁

A very thin coupling agent layer 13 and a surfactant layer 14 are interposed between a dielectric layer 12, made of anode oxidizing film and a cathode conductive layer, thereby realizing a low leakage current and a high withstand voltage.例文帳に追加

極めて薄いカップリング剤層１３と界面活性剤層１４を陽極酸化皮膜からなる誘電体層１２と陰極導電層間に介在させることにより低漏れ電流及び高耐電圧が実現される。 - 特許庁

On a part exposed form the current constriction insulating layer 17 of the n-type guide layer 16, an n-type regrowth interface regulation layer 18 having a composition substantially similar to that of the n-type guide layer 16 is formed.例文帳に追加

ｎ型ガイド層１６の電流狭窄絶縁層１７から露出する部分上には、ｎ型ガイド層１６とほぼ同等の組成を持つｎ型の再成長界面調整層１８が形成されている。 - 特許庁

A carrier storage preventive layer 8 having a striped opening section in the top face of a ridge section, a low carrier concentration layer 9 and an N-current block layer 10 are formed successively on a P-clad layer 6 with a ridge section.例文帳に追加

リッジ部を有するｐ−クラッド層６上に、リッジ部の上面にストライプ状開口部を有するキャリア蓄積防止層８、低キャリア濃度層９およびｎ−電流ブロック層１０が順に形成されている。 - 特許庁

A principal surface of the active layer 6 is substantially perpendicular to a (0001) plane of the p-side semiconductor layer, a current path portion in the p-side semiconductor layer extends along a crystal orientation substantially parallel to the (0001) plane of the p-side semiconductor layer.例文帳に追加

活性層６の主面は、ｐ側半導体層の（０００１）面と略垂直であり、ｐ側半導体層における電流通路部は、ｐ側半導体層の（０００１）面と略平行な結晶方位に延びる。 - 特許庁

The CPP type magnetoresistive element supplies a current to a magnetoresistive film 61 arranged between a lower shielding layer 43 and an upper shielding layer 44 through the lower shielding layer 43 and the upper shielding layer 44.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子は、下部シールド層４３および上部シールド層４４の間に配置される磁気抵抗効果膜６１に下部シールド層４３および上部シールド層４４を通じて電流を供給する。 - 特許庁

In applying a sense current to the CPP magnetoresistance effect head in a direction of a first fixed layer from a free layer, a relative angle formed by magnetization of a second fixed layer and that of the free layer is 70° to 80°.例文帳に追加

垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドにセンス電流を自由層から第一の固定層の方向に流す場合、第二の固定層と自由層の磁化の相対角度が、70〜80度の角度である構成を用いる。 - 特許庁

In the semiconductor optical device, a compound semiconductor layer which includes an active layer is formed on a substrate, and a current constriction layer having an opening part between the substrate and the active layer is formed.例文帳に追加

基板上に活性層を含む化合物半導体層が形成されており、該基板と該活性層との間に開口部を有する電流阻止層が形成されていることを特徴とする半導体光デバイス装置。 - 特許庁

Also, the current amplification factor can be improved drastically by sequentially laminating a hole barrier layer, a conduction band discontinuity mitigation layer and an emitter contact layer on the high-density emitter layer of the bipolar transistor.例文帳に追加

また、上記バイポーラトランジスタの高濃度エミッタ層上に、正孔バリア層、伝導帯不連続緩和層、及びエミッタコンタクト層を順次積層することにより、電流増幅率を大幅に向上できる効果がある。 - 特許庁

The negative electrode 10 further has a pair of current-collecting layers 3a and 3b contacting an electrolyte, and the active material layer 2 is interposed and disposed in between the current collecting layers 3a and 3b.例文帳に追加

電解液と接する一対の集電層３ａ，３ｂを更に備え、集電層３ａ，３ｂ間に活物質層２が介在配置されている。 - 特許庁

Then, these current values and the current value taken out of the detection part 13 having omitted the intermediate layer are received within the same range.例文帳に追加

そして、これらの電流値と、中間層を省略した検出部13から取り出される電流値が同一の範囲内に収まるよう構成されている。 - 特許庁

The conductor layer 3 is composed of a pair of a rectangular current collecting parts 3a, 3b and extraction conductor parts 4a, 4b extended in a long length shape from the current collecting parts 3a, 3b.例文帳に追加

導体層３は、一対の矩形の集電部３ａ，３ｂ、および集電部３ａ，３ｂから長尺状に延びる引き出し導体部４ａ，４ｂからなる。 - 特許庁

To provide an electrode current collector for a battery, in which a base material surface is protected, and which has superior current collecting characteristics against an electrode composite layer.例文帳に追加

基材表面が保護されるとともに電極合材層に対して優れた集電性能を有する電池用の電極集電体を提供する。 - 特許庁

The cathode 2 has a cathode current collector and a cathode layer 12 containing a cathode active material and a binder and formed on the cathode current collector.例文帳に追加

正極２は、正極集電体、並びに正極活物質及び結着剤を含み正極集電体に形成された正極層１２を有している。 - 特許庁

This bipolar secondary battery 100 has a unit power generation element 31, positive electrode and negative electrode current collecting plates 101, 102, and a current control layer 50.例文帳に追加

本発明の双極型二次電池１００は、単位発電要素３１と、正極および負極集電板１０１，１０２と、電流制御層５０とを有する。 - 特許庁

Therefore, in an active layer 4 and DBR layers 3 and 5, current is positively injected into a light-emitting part 10 facing a current constriction region 6a.例文帳に追加

そのため、活性層４及びＤＢＲ層３，５において電流狭窄領域６ａに対向する発光部１０に電流が積極的に注入される。 - 特許庁

In the electrode for the battery in which electrode plied timber layer is formed on a sheet-formed metal current collector, breaks are equipped at least on the metal current collector.例文帳に追加

シート状の金属集電体上に電極合材層を形成してなる電池用電極において、少なくとも金属集電体に切れ目を設ける。 - 特許庁

When the film thickness is set to 1 μm, dark current becomes about 2×10^-12 A and dark and bright current ratio becomes about 1500 times in the amorphous silicon layer 25.例文帳に追加

膜厚を１μｍにすると、アモルファスシリコン層25は暗電流が２×１０^−１２Ａ程度となり明暗電流比率が約１５００倍となる。 - 特許庁

The current value of the subordinate wiring 11 is made larger than the current value of the superordinate wiring 15 so as to equalize the strength of the induced magnetic fields generated in the storage layer 14.例文帳に追加

下位配線１１の電流値を上位配線１５の電流値より大きくして記憶層１４に生成する誘起磁界強度を等しくする。 - 特許庁

To solve a problem that an amount of heating caused from a concentration of an electric current increases when a large current flows in concentration to a few through-holes in a multi-layer wiring substrate.例文帳に追加

多層配線基板で、一つのスルーホールに大電流が流れる場合に、電流密度が過大になるとスルーホールで温度上昇が生じる。 - 特許庁