「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The current diffusion layer is formed by alternately laminating a first InAlGaN layer, having an electron concentration higher than the concentration of the electrons of the n-side contact layer and a second InAlGaN layer having concentration of electrons lower than the electron concentration of the n-side contact layer.例文帳に追加

上記電流拡散層は、上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第１ＩｎＡｌＧａＮ層と上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第２ＩｎＡｌＧａＮ層とが交互に積層され形成される。 - 特許庁

A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element.例文帳に追加

多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

Since the stabilization layer 304 is combined in ferromagnetic connection with the free layer 210 in such a way that it exceeds the spacer layer 302, when the sense current or external magnetic field does not exist, the free layer and the stabilization layer have a vortex magnetization pattern same in profile, or other non-longitudinal direction magnetization patterns 310, 320.例文帳に追加

安定化層304はスペーサ層302を越えて自由層210と強磁性結合されているので、センス電流も外部磁場も存在しない場合には、自由層及び安定化層は形状が同様の渦磁化パターンまたは他の非長手方向磁化パターン310,320を持つ。 - 特許庁

A current non-injection region is provided adjacent to at least one of the end faces of the semiconductor laser in the lengthwise direction of a resonator, and the semiconductor laser is equipped with a region where the refractive index of a current block layer is equal to that of a third clad layer.例文帳に追加

少なくとも一方の共振器方向端面近傍に電流非注入領域が形成されるとともに、電流ブロック層の屈折率が第３クラッド層の屈折率と同一である領域を有する。 - 特許庁

In the electrode having a current collector and the active material layer containing the active material particles formed at a surface of the current collector, metal particles are furthermore contained in the active material layer as a conductive assistant.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質粒子を含む活物質層とを有する電極において、前記活物質層に、導電助剤として金属粒子をさらに含ませる。 - 特許庁

This electrode plate contains a current collector and an active material layer formed on the current collector, and the active material layer contains a composite binder formed by uniformly binding a fluorine-containing polymer and mesophase SiO_2 particles.例文帳に追加

集電体と、前記集電体上に積層された活物質層とを含み、前記活物質層はフッ素含有高分子とメソフェーズＳｉＯ_２粒子とが均一に結合した複合結合剤を含有する極板。 - 特許庁

By magnetic flux generated by the alternating current to flow in the heating resistance of the inner layer (core part) of this special resistor, the eddy current loss and hysterisis loss are generated in the outer surface layer (shell part), and this forms the heat.例文帳に追加

この特殊抵抗体の内部層（芯部）の発熱抵抗に流れる交流電流によって発生する磁束により、特殊抵抗体の外表層（殻部）に渦電流損とヒステリシス損が発生しこれが熱となる。 - 特許庁

The sequential formation of the first n+a-Si layer 104 on the semiconductor layer 103 can increase ON-current of the TFT and can reduce variation in the ON-current.例文帳に追加

半導体層１０３の上に連続して１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を形成することによってＴＦＴのＯＮ電流を増大させることが出来るとともに、ＯＮ電流のばらつきを小さくすることが出来る。 - 特許庁

To provide a wafer for a light emitting element uniform in the composition of a current diffusion layer, to provide a light emitting element capable of easily uniformizing ohmic contact between the current diffusion layer and an electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電流拡散層の組成が均一な発光素子用ウェーハ、電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクトを均一にすることが容易な発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this constitution, a current, flowing between the electric-double layer capacitors when the non-conductive electric double-layer capacitor is made conductive with respect to the charging power supply can be suppressed, without using a current restricting resistor.例文帳に追加

これによって、非導通状態の電気二重層キャパシタを充電用電源と導通させるときに、電気二重層キャパシタ間に流れる電流を電流制限抵抗を用いることなく抑制することができる。 - 特許庁

A conductive region 38, extending in the y-direction, is formed in the current constriction layer 32, and a conductive region 44, extending in the x-direction, is formed in the current constricting layer 40 of the upper DBR 18.例文帳に追加

電流狭窄層３２には、ｙ方向に延在する導電領域３８が形成され、上部ＤＢＲ１８の電流狭窄層４０には、ｘ方向に延在する導電領域４４が形成されている。 - 特許庁

The MR sensor, which includes an MR 100 stack having a magnetoresistive layer, is configured to operate in a current-perpendicular-to-plane (CPP) mode wherein a sense current flows substantially perpendicular to a longitudinal plane of the mangetoresistive layer.例文帳に追加

ＭＲ読取センサーは、磁気抵抗層を有するＭＲ積層体（１００）を含み、ＣＰＰモードで動作するように構成され、検知電流が磁気抵抗層の長手方向面にほぼ直角方向に流される。 - 特許庁

Moreover, bringng the active layer to have a higher resistance with a major current pass area inbewteen can reduce the attached capacitance formed by the active layer of an area where no current flows and improve the high frequency characteristic of the laser.例文帳に追加

さらに、活性層を、主たる電流通過領域を挟んで高抵抗化することにより、電流が流れない領域の活性層により形成される付加容量を低減して、レーザの高周波特性を改善する。 - 特許庁

Therefore, a branching ratio of the sense current to the soft-magnetic layer 23 can be controlled and thereby a branching ratio of sense current to the magneto- resistive layer 25 can be increased and the reproducing output can be improved.例文帳に追加

このため、前記軟磁性層２３へのセンス電流の分流比を抑制でき、よって磁気抵抗効果層２５へのセンス電流の分流比を大きくでき、再生出力を向上させることが可能である。 - 特許庁

Air current layer forming means 6, 11, 12, 13 are provided for forming a cover-like air current layer S for preventing snowfall on a snow protected part m, by air blowoff from a blowoff port 10.例文帳に追加

防雪対象箇所ｍへの降雪を防ぐ覆い状の気流層Ｓを吹出口１０からの空気吹き出しにより防雪対象箇所ｍの上方に形成する気流層形成手段６，１１，１２，１３を設ける。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode of high luminance and a low cost having current narrow structure by which an epitaxial layer never includes a fault part causing leak current and the diffusion of dopant into the epitaxial layer does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル層中にリーク電流の原因となる断層部を有さず、かつエピタキシャル層中へのドーパントの拡散も起こっていない電流狭窄構造を有する高輝度で低コストの発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The material structuring the surface layer for current collection is permeated across the whole region in the thickness direction of the active material layer, and both surface layers are electrically conducted, and the whole electrode has a current collecting function as one integral body.例文帳に追加

集電用表面層を構成する材料は、活物質層の厚み方向全域に亘って浸透して両表面層が電気的に導通しており、電極全体が一体として集電機能を有している。 - 特許庁

An upper insulation layer 15 is provided between a ferroelectric layer 14 and a gate electrode 16, reducing leakage current path from the ferroelectric layer 14 to the gate electrode 16, so that leakage current is reduced significantly, to improve the retention property of the memory device.例文帳に追加

強誘電体層１４とゲート電極１６間に上部絶縁層１５を設けることにより、強誘電体層１４からゲート電極１６へのリーク電流経路を低減し、リーク電流を大幅に低減することにより、メモリ素子のリテンション特性を改善する。 - 特許庁

It is possible to form a wide current passage from the N-type body layer 11 to the drain layer 18 and enhance a current drive capability and a drain breakdown voltage because as discussed previously, the P-type drift layer 10 is widely spread.例文帳に追加

このように、Ｐ型ドリフト層１０が上記広範囲に拡散されているので、Ｎ型ボディ層１１からドレイン層１８に至る幅広い電流通路が形成され、電流駆動能力を高くすることができると共に、ドレイン耐圧も高くすることができる。 - 特許庁

Stable current is ensured, and required and sufficient current can be run through a RAM 12 by increasing the capacitance of an electric double layer capacitor 230 so as to be a current value extremely larger than a current value required and sufficient for the RAM 142, and connecting a discharging resistor 232 to the electric double layer capacitor 230 parallelly to discharge most of the whole current.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ２３０の静電容量を大きくし、前記ＲＡＭ１４２に必要充分な電流値よりも極めて大きい電流値とし、かつ前記電気二重層コンデンサ２３０に対して並列に放電抵抗２３２を接続し、全電流の大部分を放電することで、安定した電流を確保すると共に、ＲＡＭ１４２には必要充分な電流を流すことができる。 - 特許庁

The current block layer 21, which is in contact with the mesa-type second conductivity-type cladding layer 5 is formed of an A1InP layer 21, having no light absorption capability with respect to the oscillation light from the laser and in-plane compressive strain, is introduced to the active layer.例文帳に追加

メサ型の第２導電型クラッド層５に接する電流ブロック層２１は、レーザの発振光に対して光吸収能のないＡｌＩｎＰ層２１で形成されており、活性層には面内圧縮歪を導入されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with the gate insulating layer with low EOT and less leakage current which suppresses the thermal reaction between a semiconductor layer and a gate insulating layer, and thermal reaction between a gate electrode and a gate insulating layer.例文帳に追加

半導体層とゲート絶縁膜との熱的反応、並びに、ゲート電極とゲート絶縁膜との熱的反応を抑制し、リーク電流が少なく、かつ、ＥＯＴが低いゲート絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the fuel cell in which a first surface layer 16a of the separator 16 and a second surface layer 17a of the current collecting plate 17 contact, the first surface layer 16a is electro-chemically nobler than the second surface layer 17a.例文帳に追加

セパレータ１６の第１の表面層１６ａと、集電板１７の第２の表面層１７ａとが接触する燃料電池において、第１の表面層１６ａは、第２の表面層１７ａ以上に電気化学的に貴である。 - 特許庁

The organic diode can reduce a leakage current sharply when a reverse bias is applied by arranging a carbon layer 5 between a heterojunction layer (mixture layer 3) and an electrode (anode 2) thereby reducing carrier injection from the electrode into an organic layer sharply.例文帳に追加

へテロ接合層（混合層３）と電極（陽極２）との間にカーボン層５を配置することにより電極から有機層へのキャリア注入を大幅に低減し、逆バイアス印加時の漏れ電流を大幅に改善することができる。 - 特許庁

Since a depletion layer is spread over the spacer layer 109, when applying a bias voltage, capacitance between the spacer layer 109 and the current light confining layer 110 is decreased, and the response speed in the case of pulse oscillation of the semiconductor laser device is accelerated.例文帳に追加

バイアス電圧の印加時に、空乏層がスペーサ層１０９に広がるので、スペーサ層１０９と電流光閉じ込め層１１０との間の容量が減少して、半導体レーザ素子のパルス発振時の応答速度が高速になる。 - 特許庁

On the base board 22, an insulation layer is provided on a wiring layer, and a conductive layer is formed to which a current is carried from the insulation layer via through-holes and which functions as a positive electrode.例文帳に追加

ベース基板２２には，配線層(図示せず)の上に絶縁層２６が備えられ，この絶縁層２６からスルーホール（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｈｏｌｅ)２８を通じて通電され，アノード電極として機能する，導電層３０が形成される。 - 特許庁

A first magnetic shield layer 16 which functions also as one electrode for carrying sensing current is formed the lower layer of the bed layer 6, and a second magnetic shield layer 18 which functions also as the other electrode is formed on a protective film 15.例文帳に追加

下地層６下層には、センス電流を流す一方の電極としても機能する第１磁気シールド層１６が形成され、保護膜１５上には、他方の電極としても機能する第２磁気シールド層１８が形成されている。 - 特許庁

The electrical connector includes a laminate sequentially including: a first conductive layer 37; a first flexible insulating layer 36; a conductor 33 configured to carry a current; a second flexible insulating layer 36; and a second conductive layer 37.例文帳に追加

電気コネクタは、順番に、第１導電層３７と、第１可撓性絶縁層３６と、電流を運ぶように構成された導体３３と、第２可撓性絶縁層３６と、第２導電層３７とを含む積層物を含む。 - 特許庁

This n-type layer 103 is a layer consisting of the n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101 and higher than the interlayer 102, and constitutes a drift layer which becomes a main course of a current at the time of operation.例文帳に追加

このＮ型層１０３は、ドレイン層１０１よりも不純物濃度が低く、中間層１０２よりも不純物濃度が高いＮ型Ｓｉからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of suppressing a leakage current between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and of sufficiently keeping p-n isolation between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, which improves the emission intensity.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリーク電流を抑制し、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎ分離を十分に確保して発光強度を向上させる発光素子を提供する。 - 特許庁

A filter layer 3 having a more permeability than that of a road floor is formed on the subgrade 2 mainly formed of a current ground, a permeable road layer 4 is provided on the filter layer, and a permeable surface layer 6 is provided on the road bed.例文帳に追加

現地盤を主体とした路床２上に、路床より大きい透水性のフィルター層３が形成され、フィルター層上には透水性の路盤層４が設けられ、路盤層上には透水性の表層６が設けられている。 - 特許庁

Thus, since a valence band energy difference ΔEv between the emitter layer 14 and the base layer 13, and a valence band energy difference ΔEv between the collector layer 12 and the base layer 13 are increased, both the breakdown voltage and the current gain are increased.例文帳に追加

これにより、エミッタ層１４とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V 、及びコレクタ層１２とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V が大きくなるため、耐圧及び電流利得が共に増大する。 - 特許庁

On the regrowth interface regulation layer 18, an n-type clad layer 19 and an n-type contact layer 20 are formed by selective horizontal growth method to cover the opening of the current constriction insulating layer 17.例文帳に追加

再成長界面調整層１８の上には、選択的水平方向成長法により電流狭窄絶縁層１７の開口部を覆うように再成長したｎ型クラッド層１９及びｎ型コンタクト層２０が形成されている。 - 特許庁

A first electrode 21, a first oxide layer 22 formed on the first electrode 21 and which stores information by utilizing two resistive states, a current control layer 23 including a second oxide material formed on the first oxide layer, and a second electrode 24 formed on the current control layer 23 are provided.例文帳に追加

第１電極２１と、第１電極２１上に形成され、２つの抵抗状態を利用して情報を保存する第１酸化物層２２と、第１酸化物層上に形成される第２酸化物材料からなる電流制御層２３と、電流制御層２３上に形成される第２電極２４と、を備える。 - 特許庁

This is equipped with a current collector 11, a first active material layer 12 deposited on the current collector 11 by the aerosol deposition method, and a second active material layer 13 which is deposited on the first active material layer 12 by the aerosol deposition method and of which the average void content is higher than that of the first active material layer 12.例文帳に追加

集電体１１と、エアロゾルデポジション法によって集電体１１上に堆積された第１の活物質層１２と、エアロゾルデポジション法によって第１の活物質層１２上に堆積され、かつ前記第１の活物質層１２よりも平均の空隙率が高い第２の活物質層１３とを備える。 - 特許庁

To provide a device and method for grounding a power cable cover layer, capable of preventing a current from flowing out to the ground by supplying the current, which flows from a cover layer for the power cable to the ground, back to the cover layer which is closer to a power supply than the cover layer.例文帳に追加

電力ケーブルの遮へい層から大地に向けて流れる電流を、その遮へい層よりも電源に近い側の遮へい層に帰還させることで、当該電流が大地へ流出するのを抑制することができる電力ケーブル遮へい層の接地装置及び接地方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and iron without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have voids substantially and a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムと鉄とを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

The dye-sensitized solar cell includes: a front transparent substrate; a front conductive layer on the front transparent substrate; a front current collecting wire on the front conductive layer; a rear transparent substrate; a rear conductive layer on the rear transparent substrate; and a rear current collecting wire which is formed on the rear conductive layer and has a through-part.例文帳に追加

本発明の染料感応太陽電池は、前面透明基板と前面透明基板上の前面導電層と前面導電層上の前面集電線と、後面透明基板と後面透明基板上の後面導電層と後面導電層上に形成され貫通部を有する後面集電線とを含む。 - 特許庁

An organic EL element 1 includes an electrode layer 13, an electrode layer 14, and a light emitting layer 15 arranged between the electrode layers 13, 14 for emitting light by applying a current between the electrode layers, and is provided with a functional layer 16 for restricting a current flow applied between the electrode layers based on a temperature rise.例文帳に追加

電極層１３と、電極層１４と、これらの電極層１３，１４間に配置されこれらの電極層間に電流を流すことにより発光する発光層１５と、を備えた有機ＥＬ素子１であって、温度上昇に基づいて電極層間を流れる電流量を制限する機能性層１６を備えた。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and manganese without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムとマンガンとを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing lithium and nickel without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and has a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、リチウムとニッケルとを含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device including a compound semiconductor layer containing an active layer, a ridge-type compound semiconductor layer formed on the opening into which current is poured, and a current blocking layer formed on and even outside a protective film covering the both sides of the opening, on a substrate, and its manufacturing method, are provided.例文帳に追加

基板上に、活性層を含む化合物半導体層、電流が注入される開口部上に形成されたリッジ型の化合物半導体層、該開口部の両側を覆う保護膜及び該保護膜の更に外側に形成された電流ブロック層を有することを特徴とする半導体発光装置及びその製造方法。 - 特許庁

A light receiving part 32 having a photo current multiplying layer 22 (composed of an organic semiconductor generating a photo current by the number of electrons larger than the number of photons entered by the irradiation of light), and a light-emitting part 33 having a light-emitting layer 24 and a hole transporting layer 25 are disposed in a line on a conductive layer 31 deposited on a substrate 21.例文帳に追加

光電流増倍層２２（光の照射により入射したフォトン数以上の数の電子による光電流が生じる有機半導体から成る）を有する受光部３２と、発光層２４、ホール輸送層２５を有する発光部３３とを、基板２１上に蒸着した導電層３１上に並置する。 - 特許庁

A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくともｎ形層２とｐ形層４とを有する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられ、その表面に電流阻止層７が部分的に、さらに電流拡散用電極８が全面に設けられ、その上にボンディング用電極９が設けられている。 - 特許庁

A sampling timing of the current of a current detection unit 36 is allowed to lead in time the sampling timing of the voltage of a voltage detection unit 34, and the voltage change after a current in an electric-double layer flows is detected.例文帳に追加

電流検出部３６の電流のサンプリングタイミングを、電圧検出部３４の電圧サンプリングタイミングよりも時間的に先行させ、電気２重層における電流が流れた後の電圧変化を検出する。 - 特許庁