「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, unnecessary current generated at the time when the transistor is off decreases due to the high resistance of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

さらに、アモルファス半導体層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。 - 特許庁

The cell 50 has a solid polymer electrolyte membrane 20, an anode 22, a cathode 24 and a reverse current suppression layer 60.例文帳に追加

セル５０は、固体高分子電解質膜２０、アノード２２、カソード２４およびリバースカレント抑制層６０とを有する。 - 特許庁

A control electrode 7 as a word line WL3 is provided on each current cutoff layer 5 and each insulating film 6.例文帳に追加

電流遮断層５及び絶縁膜６上には、ワード線ＷＬ３としての制御電極７が設けられる。 - 特許庁

To obtain a coating electrode which has low contact resistance between a current collector foil and a polarizable electrode layer.例文帳に追加

集電体箔と分極性電極層の接触抵抗の低い、コーティング電極を得ることを目的とする。 - 特許庁

Therefore, a leakage current generated via the second clad layer 8m is reduced between the electrodes 90a and 90b.例文帳に追加

故に、電極９０ａ，９０ｂ間で第２クラッド層８ｍを介して生じるリーク電流が低減される。 - 特許庁

When current is injected, a light having a wavelength of about 840 nm is generated from an active layer 13.例文帳に追加

電極４に電流を注入すると、活性層１３から８４０nm近傍の波長の光が発生する。 - 特許庁

The current limiting layer can be composed of a ceramic material or a polymer material having positive temperature coefficient characteristics.例文帳に追加

上記電流制限層は正温度係数特性を有するセラミック物質またはポリマー物質から成り得る。 - 特許庁

To enhance the on/off ratio of a semiconductor device having an organic semiconductor layer by suppressing a drain off current.例文帳に追加

有機半導体層を備えた半導体装置のドレイン・オフ電流を抑制し、オン／オフ比の向上を図る。 - 特許庁

The current collector 8 formed with the mixture layer 20 is heated and after drying molded by pressing to a prescribed thickness.例文帳に追加

合剤層２０を形成した集電体８を加熱して乾燥したのちに、所定の厚みに加圧成形する。 - 特許庁

To make winding wires into one layer by reducing an eddy current to be induced to an iron core.例文帳に追加

鉄心に誘導される渦電流を低減させることによって巻線を１層にすることができるようにする。 - 特許庁

The anode 22 has an anode current collector 22A and an anode active material layer 22B provided in it.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａと、それに設けられた負極活物質層２２Ｂとを有している。 - 特許庁

To keep thermal stability even at miniaturization, and to invert the magnetization of a magnetic recording layer at low-current density.例文帳に追加

微細化しても熱安定性を有するとともに低電流密度で磁気記録層の磁化の反転を可能にする。 - 特許庁

The inside of the dust core is finely insulated by the insulation layer 27, so as to suppress eddy current loss.例文帳に追加

圧粉磁心の内部は絶縁層２７により細かく絶縁されているので、渦電流損失を抑制できる。 - 特許庁

Thus, a flaw such as a crack which hinders an eddy current from flowing is hardly caused on the heating layer 132.例文帳に追加

これにより、発熱層１３２において、渦電流が流れるのを阻害するクラック等の傷が生じにくくなる。 - 特許庁

To provide a hetero junction bipolar transistor, which has a base layer of GaAsSb, and can realize a high current gain cut-off frequency (fT).例文帳に追加

ＧａＡｓＳｂからなるベース層を有し、かつ、高いｆ_T を実現することができるＨＢＴを提供する。 - 特許庁

A write current conducting through the second conductive write line (350) is at least partially conducted through the portion of the sense layer (340).例文帳に追加

第２の書込み導線(350)を流れる書込み電流の少なくとも一部は、センス層(340)の部分を通って流れる。 - 特許庁

A third current path application electrode 10 with a thin line is provided on an external surface of the ZnO layer 2.例文帳に追加

ＺｎＯ層２の外表面上には、細線をもって第３の電流経路付与電極１０が設けられる。 - 特許庁

Whether or not any inter-layer connection element necessary for the layer change of a return current route exists within a check range including the detected check point is decided by an inter-layer connection element check means 120.例文帳に追加

層間接続要素チェック手段１２０により、検出されたチェックポイントを含むチェック範囲内にリターン電流ルートの層変更に必要な層間接続要素が存在するか否かを判定する。 - 特許庁

The n-AlGaAs layer and the SiO_2 film are filled with a lower layer 22a of the upper reflection mirror-upper clad layer and is formed with an opening 31 which becomes a current injection region in a central region.例文帳に追加

ｎ−ＡｌＧａＡｓ層及びＳｉＯ_2 膜は、上部反射鏡兼上部クラッド層の下部層２２ａで埋め込まれ、電流注入領域となる開口部３１を中央領域に備えている。 - 特許庁

This magnetic head has magneto-resistance effect films having a free layer 21, a fixed layer 105 and an intermediate layer 104 and a pair of electrodes 25a, 25b for passing current to these magneto-resistance effect films.例文帳に追加

本願の磁気ヘッドは、自由層２１、固定層１０５、中間層１０４を備える磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜に電流を流すための一対の電極２５ａ，２５ｂとを有する。 - 特許庁

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The base including the seed layer and the auxiliary layer formed in the opening is dipped in an electroplating solution, and activated by supplying a current or a voltage to the electroplating solution to remove the auxiliary layer.例文帳に追加

続いて、開口部にシード層および補助層が形成された基体を電解鍍金液に浸漬させたのち、その電解鍍金液に電流または電圧を供給して活性化させて、補助層を除去する。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a structure of sequentially laminating a contact layer 21B, a negative electrode current collector 21C, a metallic lithium layer 21D, and an inorganic compound layer 21E on a substrate 21A for deposition.例文帳に追加

負極２１は、成膜用基体２１Ａの上にコンタクト層２１Ｂ，負極集電体２１Ｃ，金属リチウム層２１Ｄおよび無機化合物層２１Ｅが順次積層された構造を有している。 - 特許庁

Thus, when a breakdown voltage is applied as a reverse-bias voltage, a depletion layer is stopped in the N cathode buffer layer 4 and is prevented from reaching the N^+ cathode layer 3, thereby suppressing leakage current.例文帳に追加

それによって、逆バイアス電圧として耐圧が印加されたときに、空乏層をＮカソードバッファ層４の途中で止め、空乏層がＮ^+カソード層３に到達するのを防ぎ、漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

The laser further comprises a ridge stripe-like second conductivity type second clad layer formed on the first clad layer, and a first conductivity type current block layer formed so as to embed its ridge side face.例文帳に追加

そして、この第１クラッド層上にリッジストライプ状の第２導電型の第２クラッド層が形成され、そのリッジ側面を埋め込むように第１導電型の電流ブロック層が形成されている。 - 特許庁

When a predetermined current is passed to the storage unit, the recording layer is heated by substantially exceeding a melting point, and a cavity is formed near the interface between the recording layer 103 and the lower electrode layer 102.例文帳に追加

記録ユニットに所定の電流を流すと、記録層１０３は融点を大幅に超えて加熱され、記録層１０３と下部電極層１０２との界面近傍に空洞Ｒが形成される。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A leakage current prevention part 150 formed of an N-type layer is arranged in a non-doped region of the epitaxial growth layer 112 adjacent to the P-type embedded layer 114 in the substrate surface direction.例文帳に追加

Ｐ型埋め込み層１１４の基板面方向に隣接するエビタキシャル成長層１１２の非注入領域に、イオン注入によってＮ型層によるリーク電流防止部１５０を設ける。 - 特許庁

Recessed and projecting sections, produced when a window 16a is formed through an AlInP current blocking layer 16, are left on the upper surface of a second p-type AlGaInP clad layer 17 which thereafter is caused to deposit on the layer 16 including the window 16a.例文帳に追加

ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１６に窓１６ａを形成することによって生じた凹凸は、その後堆積するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１７の上面に残る。 - 特許庁

The wiring layer 32 is made of a laminate obtained by superposing an Al metallization layer 32b on the Ti layer 32a, and the width of the transistor T in the direction parallel to the direction of the channel current of the transistor T is 5 μm or more.例文帳に追加

配線層３２は、Ｔｉ層３２ａにＡｌ系金属層３２ｂを重ねた積層からなるもので、トランジスタＴのチャンネル電流の方向に平行な方向の幅が５μｍ以上ある。 - 特許庁

Further, a current-blocking layer 10 made of conductivity type III-V compound semiconductor different from the layer 7 is embedded in an intermediate position of the layer 7 in the thicknesswise direction.例文帳に追加

さらに、電流拡散層７の厚さ方向の中間位置に、該電流拡散層７とは導電型の異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流阻止層１０を埋設形成する。 - 特許庁

A power supply layer 1d resonates with a current that flows through a digital circuit 2a to generator noises, and a ground layer 1c is arranged adjacent to the power supply layer 1d for reducing the noises.例文帳に追加

電源層１ｄがデジタル回路２ａ貫通電流等により共振することによって発生するノイズを低減させるため、電源層１ｄには隣接してグラウンド層１ｃを配置する。 - 特許庁

Moreover, the width L2 that constricts a current route from both the edges of this active layer AL as a part of the insulating layer 12 in the upper part of the active layer AL is set as "10 μm" or below.例文帳に追加

そして、その絶縁膜１２の一部として活性層ＡＬの上方で同活性層ＡＬの両端から電流経路を狭窄する両エッジ部分の幅Ｌ２を「１０μｍ」以下に設定する。 - 特許庁

PEC etching is carried out with this configuration to make a secure etching stop nearby an interface between the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and nitride semiconductor layer 2, thereby stabilizing device characteristics.例文帳に追加

この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 - 特許庁

A wound electrode body 20 comprises a positive electrode composed of a positive electrode current collector layer and a positive electrode mixture layer, a negative electrode composed of a negative electrode mixture layer and a gel electrolyte.例文帳に追加

巻回電極体２０は、正極集電体層と正極合剤層とからなる正極と、負極集電体層と負極合剤層とからなる負極と、ゲル電解質層とを有している。 - 特許庁

To provide a power converter and an electricity storage apparatus with an electric double layer capacitor for eliminating a ripple current flowing in the electric double layer capacitor and preventing the electric double layer capacitor from being degraded and damaged.例文帳に追加

電気二重層コンデンサにリップル電流を流さないようにし、電気二重層コンデンサの劣化、破壊を防ぐ電気二重層コンデンサを備えた電力変換装置および蓄電装置を提供する。 - 特許庁

Since a resistance in a transverse direction of the current diffusion layer (6) having the two dimensional electron gas effect is small, there occurs current broadening, and consequently the light extraction efficiency improves.例文帳に追加

２次元電子ガス効果を有する電流分散層（６）の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

The sense current of a fixed direction is supplied from the electrode section 13, and thus the current magnetic field of a fixed direction is generated in the magnetic field detecting layer of the GMR film.例文帳に追加

電極部１３からの一定方向のセンス電流が供給されることにより、ＧＭＲ膜１の磁界検出層には一定方向の電流磁界が発生する。 - 特許庁

To improve high frequency characteristics for stable high frequency performance, by reducing leak current and current collapse by deactivating piezoelectric charge to obtain a semiconductor layer of high resistance.例文帳に追加

ピエゾ電荷を不活性化しリーク電流や電流コラプスを減らし、高抵抗な半導体層を得ることで高周波特性を向上し、安定した高周波性能を得る。 - 特許庁

The current injection section 9a and current non-injection section 9b are connected to a heat sink 1 via a solder layer 2, disposed so as to embed the isolation groove 20.例文帳に追加

電流注入部９ａおよび電流非注入部９ｂが分離溝２０を埋めるように配置された半田層２を介してヒートシンク１に接続されている。 - 特許庁

The first current constriction layer 15 is formed in a part including the antinode of a standing wave and has a current injection region 15b in a region corresponding to the light emitting region 13A.例文帳に追加

第１電流狭窄層１５は発光領域１３Ａと対応する領域に電流注入領域１５ｂを有し、定在波の腹を含む部位に形成されている。 - 特許庁

To realize an infrared light receiving element, which prevents drop of sensitivity, controls leakage current at the surface of quantum well layer and reduces dark current, and to provide a method of manufacturing the same element.例文帳に追加

感度低下を防止し量子井戸層表面でのリーク電流を抑制し暗電流の低減が可能な赤外受光素子及びその製造方法を実現する。 - 特許庁

Because of the negative charges, current is less apt to flow in the fluorine region 50A, which makes it possible to suppress the current flowing inside the second nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

この負の電荷によりフッ素領域５０Ａ内では、電流が流れにくくなり、上記第２の窒化物半導体層２内部を通る電流を抑制することが可能となる。 - 特許庁

To easily restrain the input current from the commercial power supply to a rated current or less, when performing charging to an electric double layer capacitor being an auxiliary power supply.例文帳に追加

補助電源である電気二重層コンデンサへの充電を行なう場合、商用電源からの入力電流を定格電流以下に容易に抑制すること。 - 特許庁

The positive electrode for the nonaqueous secondary battery is equipped with: a positive electrode current collector; and a positive electrode active material layer formed on a surface of the positive electrode current collector.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用正極は、正極集電体と、正極集電体の表面に形成された正極活物質層と、を備える。 - 特許庁