「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The controller 10 performs controlling so as to be heated to high temperatures by increasing energizing current through the heater 21 and be cooled to low temperatures by decreasing energizing current through the catalytic layer 23.例文帳に追加

また，コントローラ１０は，ヒータ線２１への通電電力を大きくした高温にし，触媒層２３への通電電力を小さくして低温にする制御を行う。 - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

Thus, recombination adjacent to the emitter layer 6 can be greatly reduced while avoiding the deterioration of a current gain due to the leakage of a current beforehand.例文帳に追加

これによって、エミッタ層６近傍における再結合を大幅に減少させることができるため、電流漏れによる電流利得の低下を未然に回避することができる。 - 特許庁

In this storage device 10, a resistance change element 12 including a resistance change film 11 and a current suppression element 14 including a current suppression layer 13 are connected in series to each other.例文帳に追加

記憶装置１０は、抵抗変化膜１１を含む抵抗変化素子１２と電流抑制層１３を含む電流抑制素子１４とが直列に接続されている。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor which has low ESR, controls current at a low temperature compared with a conventional solid electrolytic capacitor, and provided with a current controlling layer.例文帳に追加

低ＥＳＲであり、従来の固体電解コンデンサと比べて低い温度で電流制御が可能な、電流制御層を具えた固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

To decrease the errors in the output current value, in a current generation circuit that utilizes a transistor including a crystalline semiconductor layer formed by irradiation with a laser beam.例文帳に追加

レーザ光の照射で形成された結晶性の半導体層を含むトランジスタを利用した電流生成回路において出力電流の電流値の誤差を低減する。 - 特許庁

As a result, as the on current flowing in a channel layer 341 is controlled by the two gate electrodes 125 and 195, it is possible to compensate for an insufficient portion of the on current.例文帳に追加

この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 - 特許庁

In a direct-current power cable equipped with a conductor, an insulator, a metallic sheath 1, a corrosion proofing layer 2, and armoring wire 4A, 4B, the armoring wire 4A, 4B is used as passages for return current.例文帳に追加

導体、絶縁体、金属シース１、防食層２および外装線4A,4Bを具える直流電力ケーブルにおいて、外装線4A,4Bを帰路電流の流路とする。 - 特許庁

The liquid device is equipped with a current generation means which has a colored layer sandwiched between a transparent electrode layer 13 as a transparent 1st conductive layer and a reflecting layer 10 as a conductive metal layer, so external light is made incident from the transparent electrode 13 to reach, for example, phthalocyanine-based pigment and a current can be generated through photoelectric conversion between the transparent electrode layer 13 and reflecting layer 10.例文帳に追加

着色層１１を透明な第１の導電層としての透明電極層１３と導電性の金属層としての反射層１０とで挟む電流生成手段を備えることとしたので、透明電極層１３から外光が入射し、例えばフタロシアニン系の顔料に外光が到達することができ、該透明電極層１３と反射層１０との間で光電変換により電流を発生させることが可能となる。 - 特許庁

A boron added layer 42A resulting from adding boron (B) to a collector layer 42 is formed to part of the collector layer 42 in the thin film semiconductor epitaxial substrate 1 formed with the sub collector layer 41 and the collector layer 42 so as to thereby prevent the current amplification factor from being decreased even when the sub collector layer 41 is doped with a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

To improve a problem resulting from a defect at the interface between an insulation layer and a SiGe crystal layer not to give adverse effect on the leak current characteristic in a MIS type field effect transistor in which a strain Si layer joined with the SiGe crystal layer formed on an insulation layer is used for channel layer.例文帳に追加

本発明では絶縁層上に形成されたＳｉＧｅ結晶層に接合するひずみＳｉ層をチャネル層に用いるＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、絶縁層とＳｉＧｅ結晶層との界面の欠陥等に起因する問題が、リーク電流特性等に悪影響を与えないよう改良する。 - 特許庁

The second laminated structure comprises a p-type AlGaAs clad layer 62a, an active layer 64a, an n-type AlGaAs first clad layer 66a, a pnp current block layer 68, an n-type AlGaAs second clad layer 70, and an n-type GaAs cap layer 72, with the second ridge and the first laminated structure embedded.例文帳に追加

第２の積層構造は、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層６２ａ、活性層６４ａ、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層６６ａ、ｐｎｐ電流ブロック層６８、ｎ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層７０、ｎ型ＧａＡｓキャップ層７２で構成され、第２のリッジ及び第１の積層構造を埋め込む。 - 特許庁

The ridge form of a p-channel InP clad layer is formed on a p-channel AlGaInAs clad layer via a p-channel InP layer and a p-channel etching stopper layer to suppress a series resistance due to discontinuous hand between the etching stopper layer and the AlGaInAs clad layer from being increased and to reduce a threshold current of the laser.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層のリッジ形状を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層上に、ｐ型ＩｎＰ層及びｐ型エッチングストッパ層を介して形成することにより、エッチングストッパ層とＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層とのバンド不連続による直列抵抗の増加を抑制し、レーザのしきい値電流を低減する。 - 特許庁

A nitride light-emitting element comprises: an active layer constituted of a group III nitride semiconductor, a functional layer provided higher than the active layer and including a current constriction or light distribution control function, and an absorption layer provided higher than the functional layer for absorbing light generated in the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物系発光素子は、III族窒化物半導体からなる活性層と、上記活性層よりも上層に設けられ、電流狭窄もしくは光分布制御の機能を有する機能層と、上記機能層よりも上層に設けられ、上記活性層で発生する光を吸収する吸収層と、を備えている。 - 特許庁

The memory element comprises an oxide layer formed by a resistance-transformed substance, a lower electrode, an oxide layer formed on the lower electrode including a transition metal oxide, nano-dots formed in the oxide layer and integrating the current paths in the oxide layer into a single unit, and an upper layer formed on the oxide layer.例文帳に追加

抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

This is the thin film lithium battery in which a positive electrode layer 20, a negative electrode layer 50, the solid electrolyte layer 40 interposed between these both layers, and a current collector 10 electrically and connected respectively or to one of the positive electrode layer 20 and the negative electrode layer 50 are laminated.例文帳に追加

本発明薄膜リチウム電池は、正極層20と、負極層50と、これら両層の間に介在される固体電解質層40と、正極層20及び負極層50の各々又は一方に電気的に接続される集電体10とが積層された薄膜リチウム電池である。 - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An ESD surge current applied to an electrode 81 flows in the layer 41, is introduced to the layer 20 by avalanche breakdown at the pn junctions constituted by the layer 11 and the layer 20, and is recovered to an electrode 83 through the layer 30.例文帳に追加

電極８１へ印加されたＥＳＤサージ電流は、ドレイン層４１へ流れ、ドリフト層１１とＥＳＤサージ回収層２０とが成す上記ＰＮ接合でのアバランシェブレークダウンによってＥＳＤサージ回収層２０へ導かれ、トップコンタクト層３０を介して電極８３へ回収される。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

As a result, an anchor effect is exerted not only between the anchor coat layer 10 and polarizable electrode layer 5a, but also between the anchor coat layer 10 and protection layer 9, to thereby improve adhesion between the current collector 4a and the polarizable electrode layer 5a and reduce the inner resistance of the capacitor.例文帳に追加

この結果、アンカーコート層１０と分極性電極層５ａとの間に作用するアンカー効果に加え、アンカーコート層１０と保護層９との間にもアンカー効果が作用し、集電体４ａと分極性電極層５ａとの密着性を向上させることができる。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for the HBT provided with a GaAs base layer 6 and an emitter layer 5 consisting of InGa or AlGaAs, a super lattice spacer layer 11 consisting of AlGaAs/GaAs is inserted between the base layer 6 and the emitter layer 5 to improve a current amplification factor β.例文帳に追加

ＧａＡｓベース層６とＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層５を備えたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層６とエミッタ層５との間に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓより成るスーパーラティススペーサー層１１を挿入し、電流増幅率βを向上させる。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

The method for manufacturing magnetic recording medium, which comprises at least a soft magnetic layer, an orientation coordination layer, and a magnetic recording layer in order on a substrate, and is used for vertical magnetic recording, applies direct current bias on a surface of a substrate when depositing the orientation coordination layer and the magnetic recording layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも軟磁性層と配向調整層と磁気記録層とを順に備え、垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体の製造方法であって、前記配向調整層及び前記磁気記録層のそれぞれの成膜時に直流バイアスを基板表面に印加する。 - 特許庁

The magnetic domain wall movement type MRAM 1 has a magnetic domain wall movement layer 20 which is a ferromagnetic layer whose magnetic domain wall moves, wiring 60 where a current supplied to the magnetic domain wall movement layer 20 flows, and a spin absorption layer 70 interposed between the magnetic domain wall movement layer 20 and wiring 60.例文帳に追加

本発明に係る磁壁移動型のＭＲＡＭ１は、磁壁が移動する強磁性体層である磁壁移動層２０と、磁壁移動層２０に供給される電流が流れる配線６０と、磁壁移動層２０と配線６０との間に介在するスピン吸収層７０とを備える。 - 特許庁

At least one of the positive electrode layer 11, the negative electrode layer, and the electrolyte layer 3 is composed of a sintered body, and the sintered body (positive electrode layer 11) and the battery element (positive electrode current collector 12) neighboring the sintered body (positive electrode layer 11) are adhered to a lithium ion conductor 4.例文帳に追加

正極層１１、負極層および電解質層３の少なくとも１つが焼結体からなり、この焼結体（正極層１１）と、焼結体（正極層１１）に隣接する電池要素（正極集電体１２）とが、リチウムイオン伝導体４で接着されている。 - 特許庁

In a step of forming the plating film (for instance, an Ni film) on a surface of an electrode pad 7a by an electrolytic plating method, a first layer 12a is formed on the surface of the electrode pad 7a at a first current density, and thereafter a second layer 12b is formed on a surface of the first layer at a second current density higher than the first current density.例文帳に追加

電極パッド７ａの表面に電解メッキ法でメッキ膜（例えばＮｉ膜）を形成する工程において、前記電極パッド７ａの表面に第１の電流密度で第１の層１２ａを形成し、その後、前記第１の層の表面に前記第１の電流密度よりも高い第２の電流密度で第２の層１２ｂを形成する。 - 特許庁

Relating to a TFT substrate 1, a current supply bus line 26 which supplies current to a lower electrode of an organic EL layer is formed outside a display region 10 where the organic EL layer and a drive TFT are formed, and contact holes 28 for supplying current to an upper electrode of the organic EL layer are formed in its outside.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１には有機ＥＬ層、駆動ＴＦＴ等が形成されている表示領域１０の外側に有機ＥＬ層の下部電極に電流を供給する電流供給母線２６等が形成され、その外側には有機ＥＬ層の上部電極に電流を供給するためのコンタクトホール群２８が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting device comprises a current blocking layer 32 which is formed on a GaAs substrate 28 having a (100)-like face as a major face; and first and second extended portions 30, 31 of the current blocking layer 32, which are formed continuously from the current blocking layer 32 and extended substantially perpendicular to flat surfaces of the GaAs substrate 28, respectively.例文帳に追加

ほぼ（１００）面を主面とするＧａＡｓ基板２８上に形成された電流阻止層３２を含む発光素子と、この電流阻止層３２に連続形成され、前記ＧａＡｓ基板のフラット面それぞれ実質的に垂直な方向に延長された第１および第２の電流阻止層延長部３０、３１が形成されている。 - 特許庁

The laminated structure 120 includes the element separating groove 117 formed outside the current shutoff part for the current injection part and penetrating the p-type electron barrier layer, and a current block groove 116 formed between the electron injection part and current shutoff part, and the bottom face of groove is positioned above the lower face of the p-type electron barrier layer.例文帳に追加

積層構造体１２０は、電流注入部に対して電流遮断部の外側に形成され且つｐ型電子障壁層を貫通する素子分離溝１１７と、電流注入部と電流遮断部との間に形成され且つその底面がｐ型電子障壁層の下面よりも上側に位置する電流ブロック溝１１６とを有している。 - 特許庁

The negative active material layer is formed on the negative current collector foil so that the folded part of the negative current collector foil is divided with a negative slit 18 and the positive active material layer is formed on the positive current collector foil so that the folded part of the positive current collector foil is divided with a positive slit 28.例文帳に追加

また負極活物質層は負極集電体箔の折れ部分で負極スリット１８を設けて分割されるように負極集電体箔上にそれぞれ形成され、正極活物質層は正極集電体箔の折れ部分で正極スリット２８を設けて分割されるように正極集電体箔上にそれぞれ形成され。 - 特許庁

By injecting dopant in a current dispersion layer 12 in the vicinity of an interface on the transparent conductive film side between current dispersion layers 11 and 12, the thickness of the energy barrier of an interface between the transparent conductive film 6 and the current dispersion layer 12 is thinned and a tunnel current flows therethrough.例文帳に追加

また、電流分散層１１、１２の透明導電性膜側の界面近傍の電流分散層１２に、ドーパントを注入することにより、電流分散層１２が一様に高ドーパント濃度になるので、透明導電性膜６と電流分散層１２との界面のエネルギー障壁の厚さが薄くなってトンネル電流が流れるようになる。 - 特許庁

The first electrode 52 is formed on the surface of the planarization layer 48 and is connected to a drain electrode of the current source transistor TS via the conduction hole Hb1 which is formed in a side in the planarization layer 48 and the second insulating layer 46, wherein the side is opposite to the light emitting element E side across the current source transistor TS.例文帳に追加

第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。 - 特許庁

To provide a method by which a light emitting element capable of maintaining a high current diffusing effect can be manufactured without growing in advance a thick current diffusing layer on the side of a peeled surface which becomes a light emitting surface, by peeling off a substrate for growing light emitting layer from a light emitting layer section.例文帳に追加

発光層部から発光層成長用基板を剥離して発光素子を製造する際に、光取出面となる剥離面側に電流拡散層を前もって厚く成長する必要がなく、しかも高い電流拡散効果を維持できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, part of the outer circumferential side of the current constriction layer 31 is oxidized to form an oxidation region 31a and the area of a current constriction region 31b surrounded by the oxidation region 31a is formed gradually smaller from the DBR layer 22 toward the active layer 21.例文帳に追加

そして、電流狭窄層３１の外周側の一部を酸化させて酸化領域３１ａとするとともに、酸化領域３１ａで囲まれる電流狭窄領域３１ｂの面積がＤＢＲ層２２側から活性層２１側に向けて徐々に小さくなるようにする。 - 特許庁

Current is poured into the organic EL layer 120 through a front electrode film 110, and this current flows into the semiconductor substrate 200 through the organic EL layer 120, the EL lower electrode 126, the drain electrode 125, a semiconductor activity layer, the source electrode 128, and the electrode 129 for grounding.例文帳に追加

有機ＥＬ層１２０には，前面電極膜１１０を介して，電流が注入され，この電流は，有機ＥＬ層１２０，ＥＬ下部電極１２６，ドレイン電極１２５，半導体活性層，ソース電極１２８，接地用電極１２９を介して半導体基板２００に流入する。 - 特許庁

In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側で大きく、反対側で小さく覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device 1, a current block layer 19 covers a p-type second clad layer 17 and a p-type cap layer 18, which are extended into the lengthwise direction of an optical resonator at the opposite side of a light outgoing end surface, to form a current non-pouring region in an optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側と反対側で覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁

In order to locate the recess on the side of the metal wiring layer, after the current density of an intermediate process is made lower than a current density of before/after process to form a plating layer of a fine metal crystal when depositing the metal wiring layer by plating, the recess can be obtained by carrying out an etching treatment.例文帳に追加

金属配線層の側面に窪みを設けるには、金属配線層をメッキにより析出させるに際して、中間工程の電流密度を前後の工程の電流密度よりも低くして微細金属結晶のメッキ層とした後、エッチング処理を行うことにより得られる。 - 特許庁

Thus, the value of resistance between the diffusion layer 5 of the anode and the short side of the well contact 2 increases, and current from the diffusion layer 5 of the anode cannot flow to the short side of the well contact 2 easily, thus relaxing the concentration of current to the contact hole 3 of the diffusion layer 5 of the anode.例文帳に追加

従って、アノードの拡散層５とウエルコンタクト２の短辺との間の抵抗値が大きくなって、アノードの拡散層５からの電流は、ウエルコンタクト２の短辺側には流れ難くなり、アノードの拡散層５のコンタクトホール３への電流集中が緩和される。 - 特許庁

In the surface-treated steel sheet, at least one side of a steel sheet is provided with a film composed of a reaction layer comprising Ti and Fe and a coating layer stacked on the reaction layer, the oxygen reduction current after the formation of the film is ≤1/10 of the oxygen reduction current before the formation of the film.例文帳に追加

鋼板の少なくとも片面に、TiおよびFeを含む反応層と、該反応層上に積層した被覆層とからなる被膜を有する表面処理鋼板において、該被膜の形成後の酸素還元電流が同被膜形成前の酸素還元電流の１／１０以下となる被膜を形成する。 - 特許庁

The opposite ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator are current non-injection regions and the part of the active layer 30 corresponding to the p-side contact layer 43 in the region except for the opposite ends in the direction A of the resonator is the current injection region.例文帳に追加

これにより、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっており、電流注入領域は共振器方向Ａにおける両端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３に対応した部分となっている。 - 特許庁

Thus, even if the size of a magnetic field generated from a heating coil 22 is the same as that in the case of the pot without the magnetic ferrite layer 14, an eddy current to be generated becomes larger compared to the case of the pot without the magnetic ferrite layer 14, and the heat generation efficiency of the heat generation layer 6 by the eddy current is improved.例文帳に追加

従って、加熱コイル２２から発生する磁界の大きさが、磁性フェライト層１４を設けない場合と同じ場合であっても、磁性フェライト層１４を設けない場合に比し、発生する渦電流が大きくなり、渦電流による発熱層６の発熱効率が向上する。 - 特許庁

An active material-containing layer is formed on a part on which the active material-containing layer is to be formed (by applying electrode forming application solution L3) of a band-like current collector 160 by coating at least one edge of a surface of the current collector 160 on which the active material-containing layer is to be formed with a mask tape 68.例文帳に追加

帯状の集電体１６０における活物質含有層が形成される面の少なくとも一方の縁部をマスクテープ６８で被覆し、集電体１６０の活物質含有層を形成（電極形成用塗布液Ｌ３の塗布）すべき部位に、活物質含有層を形成する。 - 特許庁

The method further includes a step of introducing an electric field between electrodes, a step of introducing a current into the EPVR layer adjoining the upper electrode, and a step of adjusting the resistance of the EPVR layer in response to the step of introducing the current to the EPVR layer.例文帳に追加

この方法は、さらに、電極間に電界を誘導するステップと、上部電極に隣接するＥＰＶＲに電流を誘導するステップと、上部電極に隣接するＥＰＶＲに電流を誘導するステップに応答して、ＥＰＶＲの抵抗を調節するステップとをさらに含む。 - 特許庁

The ESD protection element includes: a bipolar transistor having a collector diffusion layer 7 connected with a first terminal (Pad), and an emitter terminal; and current control resistors 11 provided on a plurality of current paths from a second terminal (GND) to the collector diffusion layer 7 through an emitter diffusion layer 4, respectively.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、第１端子（Ｐａｄ）に接続されるコレクタ拡散層７とエミッタ端子とを備えるバイポーラトランジスタと、第２端子（ＧＮＤ）からエミッタ拡散層４を介してコレクタ拡散層７に至る複数の電流経路上のそれぞれに設けられた電流制御抵抗１１とを具備する。 - 特許庁