「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type semiconductor layer is provided with a current narrowing projection 17a, in correspondence with a current injection region of the active layer 14, and a projecting part 23 is formed on the surface of the p-side electrode 22, in correspondence with the current narrowing projection 17a.例文帳に追加

ｐ型半導体層には活性層１４の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部１７ａが設けられており、ｐ側電極２２の表面には電流狭窄用突部１７ａに対応して突出部２３が形成されている。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The thin battery is equipped with a substrate 1, a positive electrode layer and a negative electrode layer formed on the substrate 1, an electrolyte layer performing ion conduction between both electrode layers, a positive current collector 3 electrically connected to the positive electrode layer, and a negative current collector 2 electrically connected to the negative electrode layer.例文帳に追加

本発明の薄型電池は、基板1と、基板1の上方に形成される正極層および負極層と、これら両電極層の間でイオンの伝導を行う電解質層と、正極層と電気的に接続される正極集電体3と、負極層と電気的に接続される負極集電体2とを備える薄型電池である。 - 特許庁

In an area near a rear end face of a resonator, a p-AlGaAs second upper clad layer 109 of the stripe geometry having a nearly triangular cross-sectional shape, n-AlGaAs first current blocking layer 112, n-GaAs second current blocking layer 113, p-GaAs flattened layer 114, and p-GaAs cap layer 116 form a pnp junction.例文帳に追加

共振器後端面近傍の領域において、断面略３角形状のストライプ形状のｐ−ＡｌＧａＡｓ第二上クラッド層１０９、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第一電流ブロック層１１２、ｎ−ＧａＡｓ第二電流ブロック層１１３およびｐ−ＧａＡｓ平坦化層１１４およびｐ−ＧａＡｓキャップ層１１６でｐｎｐ接合を形成している。 - 特許庁

A vertical resonator is provided on a substrate 101, and the vertical resonator includes a first reflective layer 102 on the substrate 101, an active layer 104 provided on the first reflective layer 102, a current confinement structure provided over the active layer 104, and a second reflective layer 109 provided over the current confinement structure.例文帳に追加

基板１０１上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板１０１上の第１反射層１０２と、第１反射層１０２上に設けられた活性層１０４と、この活性層１０４の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第２反射層１０９とを含む。 - 特許庁

A soft magnetic layer 18 is provided in the vicinity of a magnet layer 14 formed on an insulator substrate 12 via an interlayer insulation layer 16, the magnetization control of the magnet layer 14 is performed by application of a pulse current generated by a pulse current generation circuit and a magnet field covering the soft magnetic layer 18 is changed so as to change the magnetic characteristics.例文帳に追加

絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。 - 特許庁

It is estimated that the defects are transmitted, become a reconnection center in a base layer and an emitter layer, a base current is increased and β is dropped.例文帳に追加

これらの欠陥が伝搬し、ベース層やエミッタ層中で再結合中心となり、ベース電流を増大させ、その結果、βを低下させていると推定される。 - 特許庁

Therefore, a drift layer to which a current is made to flow in an on state and depleted in an off state can be formed easily by using a parallel p-n junction layer.例文帳に追加

これにより、オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化するドリフト層を並列ｐｎ接合層によって容易に形成することができる。 - 特許庁

A current-blocking layer 108 is formed in a pair of band shape facing to each other through an opening 109 on the p-side optical confinement layer 107.例文帳に追加

電流ブロック層１０８はｐ側光閉じ込め層１０７の上方に、開口部１０９を介して対向する一対の帯状に形成される。 - 特許庁

The nonaqueous secondary battery including the current collector having a high corrosion resistance layer on a surface is provided in which a passivity layer is reformed on an alloy surface.例文帳に追加

合金表面上に不動態層を改質した高耐食性層を表面に有する集電体を含む、非水系二次電池を提供する。 - 特許庁

A high-frequency current suppressor is of sheet structure equipped with, at least, an adhesive agent layer 3 or an adhesive layer formed on the surface of a magnetic thin film 1.例文帳に追加

磁性薄膜１の少なくとも一面に、接着剤層３又は粘着層を備えたシート形状を有する高周波電流抑制体である。 - 特許庁

To provide an organic light-emitting element which can reduce the leakage current by adjusting the thickness ratio of a positive-hole transportation layer to a positive-hole injection layer.例文帳に追加

正孔輸送層と正孔注入層の厚さ比を調節して漏れ電流を減少させることが可能な有機発光素子を提供する。 - 特許庁

Further, layers are just sequentially formed, starting with the lattice strain relaxing layer 12 up to the current diffusion layer 16, on the n-GaP substrate 11 for reduced manufacturing cost.例文帳に追加

また、ｎ‐ＧaＰ基板１１上に格子歪緩和層１２から電流拡散層１６までを順次形成するだけであるから製造コストを低減できる。 - 特許庁

In the wiring layer 20, as shown by an arrow sign (a), heat and current form continuous paths in a thickness direction T of the wiring layer 20.例文帳に追加

配線層２０では、熱及び電流は矢印ａで示すように、配線層２０の厚さ方向Ｔにおいて、連続した経路を形成している。 - 特許庁

By applying a current to the ITO electrode 2 and the metal electrode layer 4, only the part of the organic compound layer 3 which corresponds to the display part 9 generates a light.例文帳に追加

ＩＴＯ電極２と金属電極層４に通電することにより、有機化合物層３の表示部９に対応する部分だけ発光させる。 - 特許庁

By the function of the insulators 58, a narrowed current passage is established between a lower-layer body 39a on the film 39 and an upper electrode layer 36.例文帳に追加

絶縁体５８の働きで、磁気抵抗効果膜３９の下層体３９ａと上部電極層３６との間には狭められた電流路は確立される。 - 特許庁

Each layer is formed by a gas phase method, the base material S being structured of a material having a function as a current collector of the positive electrode layer 1 (for instance, stainless steel).例文帳に追加

これら各層は気相法により形成され、基材Sは正極層1の集電体としての機能を有する材料（例えばステンレス）で構成されている。 - 特許庁

To reduce a leakage current and parasitic resistance by suppressing diffusion of metallic elements from a silicide layer while keeping interface resistance between the silicide layer and a silicon low.例文帳に追加

シリサイド層とシリコンの界面抵抗を低く保ちつつ、シリサイド層からの金属元素の拡散を抑制し、リーク電流および寄生抵抗を小さくする。 - 特許庁

A magnetic field generating means 50 makes a conductive layer 22 of the platen generate an eddy-current, and heat is generated by directly concentrating the conductive layer 22.例文帳に追加

磁界発生手段５０を用いて、プラテンの導電層２２に渦電流を発生させて、その導電層２２を直接に集中させて発熱させる。 - 特許庁

The superposing of a part of the resin plate on the peripheral edge of the laminate composed of the reaction layer sheet, the gas supply layer sheet and the current conductor and hot pressing both are also possible.例文帳に追加

反応層シートとガス供給層シートと集電体との積層体の周縁に樹脂板の一部とを重ね合わせてホットプレスすることもできる。 - 特許庁

While applying a voltage to the organic semiconductor layer 3 by the electrodes 2, 4, light is projected on the layer 3 to make therein a multiplied induction current caused by the light irradiation.例文帳に追加

電極２，４により電圧を印加しながら樹脂分散有機半導体層３に光照射すると増倍された光照射誘起電流が流れる。 - 特許庁

Part of a first layer to be oxidized is oxidized to form a first current confinement layer having a first conductive region and a first insulative region.例文帳に追加

第１の被酸化層の一部を酸化し、第１の導電性領域と第１の絶縁性領域とを有する第１の電流狭窄層を形成する。 - 特許庁

An output current in response to the potential of the layer 13 is output to an output signal line connected to the layer 14a.例文帳に追加

そして、このＰ型シリコン層１３のポテンシャルに応じた出力電流がＮ型拡散層１４ａに接続された出力信号線に出力される。 - 特許庁

An activator layer 12B containing silicon as a constituent is formed on a current collector 12A, and the anode lead 12C is jointed to the activator layer 12B.例文帳に追加

集電体１２Ａに、ケイ素を構成元素として含む活物質層１２Ｂが設けられ、活物質層１２Ｂには負極リード１２Ｃが接合されている。 - 特許庁

Since the second embedding layer 32 is made of an insulative material, a leak current in the second conductivity-type cladding layer side surface 22s can be efficiently suppressed.例文帳に追加

第２埋め込み層３２は絶縁性材料からなるため、第２導電型クラッド層側面２２ｓにおけるリーク電流が効果的に抑制される。 - 特許庁

To provide a method for wiring and packaging a multi-layer printed wiring board suitable for a multi-layer printed wiring board used for a device using a large current.例文帳に追加

大電流を使用する装置に用いる多層プリント配線基板に適した多層プリント配線基板の配線方法及び実装方法を提供する。 - 特許庁

To improve the on current of a PMOS transistor by forming a SiGe layer in the source/drain diffusion layer of the PMOS transistor without increasing the number of masks.例文帳に追加

マスク数を増やすことなく、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン拡散層内にＳｉＧｅ層を形成することで、ＰＭＯＳトランジスタのオン電流を向上する。 - 特許庁

A polarizing electrode layer 2 is obtained which has a polarizing electrode layer 2 formed of activated carbon powder, conductive material powder, and a binder, carried by a current collector 3.例文帳に追加

活性炭粉末、導電材粉末、及びバインダからなる分極性電極層２を集電体３に担持させた分極性電極シート１を得る。 - 特許庁

The charges 38 caused in the semiconductor layer 18 when the ions are implanted pass through the gate oxidized film 22 and the conductive layer 102 as FN current are removed.例文帳に追加

イオン注入時に半導体層１８に生じた電荷３８は，ＦＮ電流となってゲート酸化膜２２および導電層１０２を通過し，除去される。 - 特許庁

By growing only the reflection layer 19 and the current-blocking layer 2 through MOCVD, other layers are grown through LPE method and thereby the diode is manufactured.例文帳に追加

反射層１９及び電流阻止層２のみをＭＯＣＶＤで成長させ、他の層をＬＰＥ法で成長させることにより製造することができる。 - 特許庁

In this method, the semi-insulating semiconductor layer 23 between the semiconductor thin lines 16 is collectively grown with the semi-insulating semiconductor layer 23 for constricting electric current.例文帳に追加

この方法では、半導体細線１６間の半絶縁半導体層２３が、電流狭窄のための半絶縁半導体層２３と一括して成長される。 - 特許庁

The light emitting element 20 has such a structure that a p-type current injection layer 21 is provided on a light emitting layer 12 containing tin oxide (SnO_2) and erbium (Er).例文帳に追加

発光素子２０は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）とエルビウム（Ｅｒ）を含む発光層１２に、ｐ型電流注入層２１が設けられた構造を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer wherein concentration of a level which is the recombination center between a base layer and an emitter layer is small and current amplification factor is large.例文帳に追加

ベース層とエミッタ層との間で再結合中心となる準位の濃度が小さく電流増幅率が大きな半導体エピタキシャルウエハを提供すること。 - 特許庁

A cathode electrode having a cathode current collector layer and a cathode active substance layer and used in a lithium ion secondary battery module is manufactured by the battery electrode manufacturing method.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池モジュールに使用される、負極集電体層と負極活物質層とを有する負極用電極を以下のように製造する。 - 特許庁

Accordingly, adhesion strength of the negative electrode active material layer to the negative electrode current collector is improved; and the negative electrode active material layer becomes physically strong.例文帳に追加

これにより、負極集電体に対する負極活物質層の密着力が向上すると共に、負極活物質層が物理的に強固なものとなる。 - 特許庁

Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。 - 特許庁

To decrease a dark current by reducing an InGaAs photodetection layer in As concentration and improving an InP window layer in crystallinity at the same time.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ受光層でのＡｓ抜け低減と、ＩｎＰ窓層での結晶性の向上との両立により、暗電流を低減することができるようにする。 - 特許庁

To make a surface emission laser array have a current constricting layer and an insulating layer both of which are free from characteristic variations in a surface emission laser array with high productivity.例文帳に追加

生産性に優れ、特性のばらつきのない電流狭窄層及び絶縁層を有する面発光レーザアレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, as for the long term reliability of the element, the buried layer is made as a high resistance half-isolation layer, so that the multiplication of a leak current can be restricted.例文帳に追加

また素子の長期信頼性に対しては、埋め込み層を半絶縁の高抵抗層とすることにより、リーク電流の増殖を抑制する。 - 特許庁

To prevent an increase in leakage current of a bottom gate TFT, having a poly-Si layer and an a-Si layer laminated, due to an influence of fixed charges.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、固定電荷の影響によるリーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

One or both of the first metal layer and the second metal layer are formed so that a corrosion current is generated due to contact of salt water with both the metal layers.例文帳に追加

第１の金属膜および第２の金属膜は、それら双方に塩水が触れることによって腐食電流が発生するように形成されている。 - 特許庁

The excellent current constriction can be obtained by Schottky junction through the compound layer 115 of the second upper clad layer 109 and the p site electrode 114.例文帳に追加

第２上クラッド層１０９とｐ側電極１１４との化合物層１１５を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性が得られる。 - 特許庁

A dielectric film 53 is formed on the semiconductor layer 52 to reinforce current constriction function, lost by thinning the semiconductor layer 52.例文帳に追加

誘電体膜５３は、半導体層５２上に形成されて、上記半導体層５２を薄くしたことによって失われた電流狭窄機能を補強する。 - 特許庁

Next, a first current collection layer is formed, on the first board, with a substance constituting catalyst used in the reaction layer in a spewing device 20f.例文帳に追加

次に、第１の基板に、吐出装置２０ｆにおいて、反応層において用いられる触媒を構成する物質で第１の集電層を形成する。 - 特許庁

To increase the potential well of an InGaAs channel layer in depth to improve a MOSFET in current density when InGaP is used for a Schottky layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＰをショットキー層に用いる場合におけるＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さを深くして、ＭＯＳＦＥＴの高電流密度化を図る。 - 特許庁