「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, a distance d1 from a lower surface of the current constriction layer 109 to an upper surface of the active layer 104 is a value in a prescribed range.例文帳に追加

ここで、電流狭窄層１０９の下面から活性層１０４の上面までの距離ｄ１が所定の範囲の値である。 - 特許庁

The multi-layer electric probe 200 may further include at least a third strip layer having a withstand current capability and desired mechanical strength.例文帳に追加

多層電気プローブ２００は少なくとも、耐電流能力および所望の機械強度を有する第３ストリップ層をさらに含んでよい。 - 特許庁

As a result, a current does not flow in a direction perpendicular to the in-plane direction of the conductive layer 20 but flows only in the conductive layer 20.例文帳に追加

導電層２０の面内方向と垂直な方向には電流は流れず、導電層２０内部のみを電流が流れる。 - 特許庁

To sufficiently ensure the isolation of the waveguide layer from n-type current block layer of a distributed feedback laser to improve the yield and quality of the laser.例文帳に追加

分布帰還型レーザの導波路層とｎ型電流ブロック層の分離を充分確保し、歩留まりと品質の向上を図る。 - 特許庁

As a result, the recording layer 103 is physically separated from the lower electrode layer 102, and no current flows through the storage unit.例文帳に追加

その結果、記録層１０３と下部電極層１０２とは物理的に分離されることから、記録ユニットには電流が流れなくなる。 - 特許庁

To suppress leakage current running through an insulating film prepared between a charge storage layer and a control gate electrode layer.例文帳に追加

電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

A titanium layer is used as a barrier layer, by which cobalt acts less on silicon atoms, and a leakage current is prevented.例文帳に追加

チタニウム層をバリャ層として利用することにより、コバルトとシリコン原子との間の反応が低減され、電流リークの問題が防止される。 - 特許庁

The constituting element of the negative electrode current collector 11 is preferably spread in both the first layer 12A and the second layer 12B.例文帳に追加

負極集電体１１の構成元素は、第１層１２Ａおよび第２層１２Ｂの両方に拡散していることが好ましい。 - 特許庁

Next, a first current-collecting layer is formed at a discharge device 120c, and a first gas diffusion layer, at a discharge device 120d.例文帳に追加

次に、吐出装置１２０ｃにおいて第１の集電層を、吐出装置１２０ｄにおいて第１のガス拡散層を形成する。 - 特許庁

Current is supplied to an electronic circuit component from the island-shaped power supply conductive layer 24 and the island-shaped power supply conductive layer.例文帳に追加

電子回路部品には島状の電源用導電層２４および島状のグラウンド用導電層から電流が供給される。 - 特許庁

To provide an electrode for electric double layer capacitor exhibiting very excellent adhesion between an electrode layer and an aluminium etching foil current collector.例文帳に追加

電極層とアルミニウムエッチング箔集電体との密着性に非常に優れる電気二重層キャパシタ用電極を提供する。 - 特許庁

Moreover, the press die 5 is separated from the surface of the electrode material layer 9 to exfoliate the electrode material layer 9 from a current collector 8.例文帳に追加

また、プレス型５を電極材料層９の表面から離間させて電極材料層９を集電体８上から剥離する。 - 特許庁

It has also a pair of current collecting layers 3a, 3b contacting an electrolyte, and the active material layer 2 is interposed between the current collecting layers 3a, 3b.例文帳に追加

電解液と接する一対の集電層３ａ，３ｂを更に備え、集電層３ａ，３ｂ間に活物質層２が介在配置されている。 - 特許庁

To provide an electrode for reducing stress directed toward the surface of a current collector and inhibiting the peeling of an active material layer from the current collector.例文帳に追加

集電体の面方向への応力を低減し、活物質層が集電体から剥離することを抑制する電極を提供する。 - 特許庁

The anode has an anode current collector and an anode layer containing an anode active material and a binder and formed on the anode current collector.例文帳に追加

負極は、負極集電体、並びに負極活物質及び結着剤を含み負極集電体に形成された負極層を有している。 - 特許庁

This electrode has a current collector holding an electrolyte and an active material layer formed on the current collector and containing an active material.例文帳に追加

電解質を保持してなる集電体と、前記集電体上に形成されてなる、活物質を含む活物質層と、を有する、電極である。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which comprises a current bottleneck structure with an Al oxide layer, with low threshold current and high quantum efficiency.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を有し、しかもしきい値電流が低く、量子効率が高い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The positive electrode 11 includes a positive electrode current collector 11a and an active material layer 11b formed on the positive electrode current collector 11a.例文帳に追加

前記正極１１は、正極集電体１１ａと該正極集電体１１ａ上に形成された活物質層１１ｂとを含む。 - 特許庁

The magnetic free layer 1 has uniaxial magnetic anisotropy, and causes magnetization oscillation when a current larger than an oscillation threshold value current flows.例文帳に追加

磁気フリー層１は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行う。 - 特許庁

To improve a current amplification of a lateral PNP transistor by reducing the current flowing from an emitter region to a buried layer.例文帳に追加

横型ＰＮＰトランジスタにおいて、エミッタ領域から埋め込み層へ流れる電流成分を低減し、当該トランジスタの増幅率を向上させる。 - 特許庁

Roughened surface work is applied to the negative electrode current collector 22a, and anti-separation strength of a negative electrode current collector layer 22b is improved thereby.例文帳に追加

負極集電体２２ａには粗面加工がされており、これにより負極集電体層２２ｂの剥離強度が改善されている。 - 特許庁

The electrode 10 includes a current collector 16 and an active material layer 18 formed on the current collector 16 and containing an active material and polybenzimidazole.例文帳に追加

集電体１６と、集電体１６上に形成され、活物質及びポリベンゾイミダゾールを含む活物質層１８と、を備える、電極１０。 - 特許庁

The current constriction part 24 is sequentially provided, to the upper part from the side of the semiconductor active layer 15, with a second conductive upper first cladding layer 17 and a second conductive upper second cladding layer 19 having the width smaller than that of the upper first cladding layer and being embedded within a first conductive current block layer 21.例文帳に追加

電流狭窄部２４は、半導体活性層１５側から上方に、第２導電型上部第１クラッド層１７と、前記上部第１クラッド層の層幅より小さい層幅を有しかつ第一導電型電流ブロック層２１で埋め込まれた第２導電型上部第２クラッド層１９とを順次有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, a waveguide mesa composed of an n-type InP clad layer 3, a waveguide layer 4, and an InP cover layer 5 is formed on a substrate 1, a growth inhibiting mask 6 is formed only directly above the waveguide mesa, and a n-type InP current block layer 7, and an n-type InP current block layer 8 are formed (a).例文帳に追加

基板１面上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層３、導波路層４、ＩｎＰカバー層５からなる導波路メサを形成した後、導波路メサの直上部のみに成長阻止マスク６を形成し、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層８を形成する（ａ）。 - 特許庁

It can be seen that the film thickness of the offset spacer layer 4 has a correlation with the leak current level, and the film thickness of the offset spacer layer 4 is equal to the length from a part of the semiconductor layer 1 touching the outer end of the offset spacer layer 4 to the forward end of an impurity diffusion layer when the leak current level is 0.例文帳に追加

これにより、オフセットスペーサ層４の膜厚値とリーク電流値には相関関係があり、また、リーク電流値が０になるときのオフセットスペーサ層４の膜厚値は、半導体層１のうちオフセットスペーサ層４の外端と接する部分から不純物拡散層の先端までの長さであることがわかる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

The cell element 35 has a positive pole active material layer 32 and a negative pole active material layer 37, which are formed on the positive pole current-collecting foil 31 and the negative pole current-collecting foil 36, respectively, and face each other; and an electrolytic layer 41, interposed between the positive pole active material layer 32 and the negative pole active material layer 37.例文帳に追加

電池要素３５は、正極集電箔３１および負極集電箔３６にそれぞれ設けられ、互いに対向する正極活物質層３２および負極活物質層３７と、正極活物質層３２と負極活物質層３７との間に介在する電解質層４１とを有する。 - 特許庁

The cathode terminal member 62 is connected to the cathode lead-out layer 4 through a current control means 20 and the current control means 20 is provided with a current control layer 21 by which the electric resistance is reversibly increased by the overcurrent or overheating and with a pair of plate-shaped or foil-shaped electrode members 22a and 22b holding the current controlling layer 21.例文帳に追加

前記陰極端子部材62は、電流制御手段20を介して前記陰極引出層4に接続されており、前記電流制御手段20は、過電流又は過熱により電気抵抗が可逆的に増大する電流制御層21と、前記電流制御層21を挟む板状又は箔状の一対の電極部材22a,22bとを具えている。 - 特許庁

This layer short circuit detector is provided as an internal structure with a current sensor 13 for detecting a current flowing into an electrical circuit for automobile, a determining unit 16 for determining as to whether the current detected with a current sensor 13 is in the layer short circuit condition and a FET 14 for cutting off the electrical circuit when the determining unit 16 determines the layer short circuit condition.例文帳に追加

レアショート検出器Ｆは、自動車用電気回路に流れる電流を検出する電流センサ１３と、電流センサ１３にて検出した電流がレアショートであるか否かを判断する判断部１６と、判断部１６がレアショートと判断した際に、電気回路を遮断するＦＥＴ１４とを内部構成として設ける。 - 特許庁

To provide a secondary battery in which each layer of current collector laminates, in which current collectors of foil shape are laminated, is sufficiently jointed and current collector terminals are hardly separated from the current collector laminates, with superior jointing strength and high reliability.例文帳に追加

箔状の集電体が積層されて成る集電体積層部の各層が十分に接合され、集電端子が該集電体積層部から剥離され難い接合強度に優れた信頼性の高い二次電池を提供する。 - 特許庁

A return current corresponding to a signal current allowed to flow into the signal line 80 is allowed to flow into the 1st ground layer 14, its route is interrupted on the position of the 1st power supply line 26 but is by-passed and the return current is allowed to flow into the 2nd ground layer 16 through the via holes 22.例文帳に追加

信号線８０を流れる信号電流に対するリターン電流は第１のグランド層１４に流れ、第１の電源線２６の位置で経路が途切れるが、ビアホール２２により第２のグランド層１６へ迂回して流れる。 - 特許庁

The first subassembly 1, having a positive electrode activator layer 14, a negative electrode activator layer 15, and an insulation part 16 at least on one surface of a complex current collector foil 10, formed by connecting a positive electrode current collector foil 11 and a negative electrode current collector foil 12, is manufactured.例文帳に追加

正極集電箔１１と負極集電箔１２とを接続してなる複合集電箔１０の少なくとも片面に、正極活物質層１４、負極活物質層１５および絶縁部１６を備えた第一サブアッシー１を作製する。 - 特許庁

A negative pole (electrode) 12 is produced by coating slurry 20 for forming a negative electrode mixture layer (a mixture layer) 12c to a negative electrode current collector (a current collector)12b, laminating a film material 21 on the coated current collector 12b, and delaminating the film material 21 after drying.例文帳に追加

負極（電極）１２は、負極合材層（合材層）１２ｃを形成するスラリー２０を負極集電体（集電体）１２ｂに塗工し、さらにフィルム材２１を重ね合わせ、乾燥後にフィルム材２１を剥離して作製するようにした。 - 特許庁

The dielectric film includes the current non-injection region 30 which covers an end of the ridge portion to block current injection to the active layer, and the current non-injection region of the dielectric film is formed in contact with the p-type contact layer.例文帳に追加

誘電体膜は、リッジ部の端部を覆うことにより、活性層に注入される電流を阻止する電流非注入領域３０を有し、誘電体膜の電流非注入領域はｐ型コンタクト層と接して形成されている。 - 特許庁

As compared with a conventional element obtained by laminating the photo current multiplying layer and an organic EL layer, a degree of freedom in design is high in a point that light can be exited to a different position from incident light, or materials of the photo current multiplying layer and the organic EL layer can be freely selected.例文帳に追加

光電流増倍層と有機ＥＬ層とを積層させた従来の素子と比較すると、入射光と異なる位置に光を出射できることや、光電流増倍層と有機ＥＬ層の材料を自由に選択できる等の点で設計の自由度が高い。 - 特許庁

Further, since current of a low frequency flows through the deep layer part of a human body and current of a high frequency flows through the surface layer part of the human body, the calculated body fat ratios are arranged in the increasing order of the frequency to prepare a body fat distribution graph from the deep layer part of a body to a surface layer part.例文帳に追加

さらに、周波数の低い電流は人体の深層部を流れ、周波数の高い電流は人体の表層部を流れることから周波数の低い順に算出した体脂肪率を並べて身体の深層部から表層部に至る体脂肪分布グラフを作成する。 - 特許庁

To provide a light emitting element which can suppress or prevent the oxidation of a light emitting layer and a current diffusion layer even if an oxide transparent conductive film is formed on the light emitting layer or the current diffusion layer formed of a compound semiconductor including an Al, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌを含む化合物半導体より構成される発光層部あるいは電流拡散層上に酸化物透明導電膜を形成させる場合にも、これら発光層部や電流拡散層の酸化を抑制ないし防止できる発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case the charging circuit of the electric double-layer capacitor is in a constant-current charging mode of a charging current I, the capacitance measurement of the electric double-layer capacitor is started as the electric double-layer capacitor finished charging and the voltage of the electric double-layer capacitor is reduced equal to or less than a fixed voltage.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの充電回路が充電電流Ｉの定電流充電モードの場合、電気二重層コンデンサの放電が終了して電気二重層コンデンサの電圧が一定電圧以下に下がったとき電気二重層コンデンサの容量測定を開始する。 - 特許庁

The method of galvanizing onto the cast member comprises steps of: forming an undercoat layer composed of a galvanizing layer at (2 to 10) A/dm2 current density by using a chloride bath; and forming another galvanizing layer using a zincate bath on the undercoat layer at (2 to 10) A/dm2 current density.例文帳に追加

さらに、電流密度２〜１０Ａ／ｄｍ^２で塩化浴により亜鉛メッキ層からなる下地メッキ層を形成した後、この下地メッキ層の上に電流密度２〜１０Ａ／ｄｍ^２でジンケート浴による亜鉛メッキ層を形成する鋳物部材への亜鉛メッキ方法である。 - 特許庁

Then a 4th connection electrode 79 is formed on the substrate reverse surface side where the 3rd electrode layer is formed and on the current collection hole inner peripheral surface where the transparent electrode layer is formed to electrically connect the transparent electrode layer 76 and 4th connection electrode layer 79 through the current collection hole 77.例文帳に追加

その後、前記第３電極層が形成された基板裏面側および透明電極層が形成された集電孔内周面に第４接続電極79を形成することにより、集電孔77を介して透明電極層76と第４接続電極層79とを電気的に接続する。 - 特許庁

This nitride-based semiconductor light emitting element is provided with an MQW light emitting layer 8, a p-type second clad layer 10 that is formed on the MQW light emitting layer 8 and is made of p-type AlGaN and constitutes a current passage, and a current block layer 14 that is formed as cover the sides of the current passage and is made of Si doped GaInN.例文帳に追加

この窒化物系半導体発光素子は、ＭＱＷ発光層８と、ＭＱＷ発光層８上に形成され、ｐ型ＡｌＧａＮからなるとともに、電流通路部を構成するｐ型第２クラッド層１０と、電流通路部の側面を覆うように形成され、ＳｉドープＧａＩｎＮからなる電流ブロック層１４とを備えている。 - 特許庁

When the displacement current occurs, it reaches the support substrate 2 through a displacement current extraction layer 19 and the shielding layer 3b from virtual GND wiring 17b, in a high-potential reference circuit section HV and flows to GND wiring 17a through the shielding layer 3b and the displacement current extraction layer 19 in the low-potential reference circuit section LV.例文帳に追加

これにより、変位電流が発生した場合には、高電位基準回路部ＨＶの仮想ＧＮＤ配線１７ｂから変位電流引抜き層１９およびシールド層３ｂを通じて支持基板２に至ったのち、低電位基準回路部ＬＶのシールド層３ｂおよび変位電流引抜き層１９を通じてＧＮＤ配線１７ａに流れる。 - 特許庁

A bilaminar structured electromagnetic shielding film comprising a first layer and a second layer is obtained by forming the first layer with a Cu-Ni gradient alloy with a current for evaporating a monel alloy varied from a low current value to a high current value in a vacuum evaporation method, and after that, by forming the monel alloy with the second layer by evaporating the monel alloy in the alloy composition.例文帳に追加

真空蒸着法を用いて、モネル合金を蒸発させるための電流を低電流値より高電流値として第１層をＣｕ−Ｎｉ傾斜合金で形成し、その後、モネル合金をその合金組成で蒸発させて第２層をモネル合金で形成することで、第１層と第２層からなる二層構造である電磁波シールド膜を得る。 - 特許庁

To improve the current driving performance of a thin-film transistor by improving contact performance between source-drain electrodes and an oxide semiconductor thin-film layer, and to suppress generation of current rate limiting by suppressing resistance in a film thickness direction of the oxide semiconductor thin-film layer from the source-drain electrodes to a channel in a top gate type structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極と酸化物半導体薄膜層のコンタクト性を向上させ、薄膜トランジスタの電流駆動能力を向上させることを解決課題とする。 - 特許庁

To provide a ridge stripe type semiconductor laser device which suppresses a film exfoliation of a current constriction layer on a ridge having a high perpendicularity, makes light confinement of the current constriction layer function normally, and has high reliability.例文帳に追加

垂直性の高いリッジ上の電流狭窄層の膜剥がれを抑制し、電流狭窄層の光閉じ込めを正常に機能させ、信頼性の高いリッジストライプ型半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁