「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The light-emitting element is provided with a light-emitting layer 3, and a pair of electrodes 2, 4 for injecting current into the light-emitting layer 3.例文帳に追加

本発明の発光素子は、発光層３と、発光層３に電流を注入する一対の電極２，４と、を備えている。 - 特許庁

An electrodeless plating layer 30a, 30b is formed on the outer surface of both end parts of a glass lamp container 10 as a current conductor layer.例文帳に追加

ガラスランプ容器１０の両端部の外表面に電流導体層として無電解メッキ層３０ａ，３０ｂを形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 17 and the drain layer 15 are arranged in parallel with each other in a direction intersecting with a direction of an operating current.例文帳に追加

ｐ型半導体層１７とドレイン層１５とは、動作電流の方向とは交差する方向に並ぶように配列される。 - 特許庁

To provide a method for realizing a small distance between an active layer and a current block layer with excellent controllability in a buried type semiconductor laser.例文帳に追加

埋込構造の半導体レーザに関し、活性層と電流ブロック層との距離を狭くかつ制御性よく実現すること。 - 特許庁

A first reverse current indicates a small value when a crack communicated with the air layer is generated, because the air layer is contaminated with already burnt gas.例文帳に追加

大気層に通じる割れが生じていると大気層が既燃ガスで汚染されるため第１逆電流は小さな値となる。 - 特許庁

To provide an electrochemical cell capable of obtaining high output power while preventing exfoliation of a current collecting layer and cracking of an air electrode layer.例文帳に追加

集電層の剥離や空気極層の割れを防止しつつ、高い出力が得られるような電気化学セルを提供する。 - 特許庁

To restrain the leakage current caused, i.e., by the ion diffusion in an embedded layer for forming an overflow barrier in the deep part of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の深部にオーバフローバリアを形成するための埋め込み層のイオン拡散等によるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To prevent an increase in leakage current in a bottom gate type TFT where a poly-Si layer and an a-Si layer are laminated.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、リーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor with an improved seed layer structure for a hard bias layer.例文帳に追加

ハードバイアス層用の改善されたシード層構造を備えた面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element that has a current constriction structure, which is excellent in crystallinity of a regrowth layer (third layer) formed on a current constriction layer (second layer) and has excellent current stopping characteristics, and then has element characteristics and reliability improved, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電流狭窄層（第２の層）上に形成される再成長層（第３の層）の結晶性が良好であるとともに、良好な電流阻止特性を有する電流狭窄構造を有し、これにより素子特性および信頼性が改善された窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A current limiting part 11 having a critical current value smaller than that of another part (base part) is arranged on the superconductor layer of respective cable cores 10.例文帳に追加

各ケーブルコア10の超電導層において、臨界電流値が他の全ての部分(基部)よりも小さい限流部11を設けている。 - 特許庁

By an electron supply layer 23, the generation of a recombination current via an electron-capturing center is inhibited for improving a current gain.例文帳に追加

電子供給層２３により、電子捕獲中心を介した再結合電流の発生を抑制して電流利得を改善する。 - 特許庁

A current constricting layer 14 is subjected to an oxidation treatment to form its current passing region 141 into a rectangle that is anisotropic in its plane.例文帳に追加

電流狭窄層１４に対して酸化処理を施し、電流通過領域１４１を面内異方性をなす矩形状とする。 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR HAVING FREE LAYER STABILIZED TO VORTEX MAGNETIC DOMAIN GENERATED BY SENSE CURRENT例文帳に追加

センス電流により発生する渦磁気ドメインに対して安定化された自由層を有する面垂直電流磁気抵抗効果型センサ - 特許庁

The negative electrode 12 includes a negative electrode current collector 12a and an active material layer 12b formed on the negative electrode current collector 12a.例文帳に追加

前記負極１２は、負極集電体１２ａと該負極集電体１２ａ上に形成された活物質層１２ｂとを含む。 - 特許庁

A current diffusion auxiliary interconnect 9 arranged along the vicinity of the outer circumference of the current diffusion layer 6 is extending from the P electrode 8.例文帳に追加

また、Ｐ電極８からは、電流拡散層６の外周付近に沿って周設した電流拡散補助配線９を延設してある。 - 特許庁

The positive electrode for the lithium secondary battery is equipped with a current collector and an active material layer formed on the current collector.例文帳に追加

本発明により提供されるリチウム二次電池用正極は、集電体と、該集電体上に形成された活物質層を備える。 - 特許庁

A negative current collector foil 15, the polymer electrolyte layer, and a positive current collector foil 1 are folded back in belt, with no disconnection.例文帳に追加

負極集電体箔１５、ポリマー電解質層及び正極集電体箔１２は帯状に連続した状態で折畳まれる。 - 特許庁

The battery pack 6 is fitted with the fuse 32 for the battery, which has a fusing current larger than an electric current in a case of the layer short circuit in the motor 5.例文帳に追加

モータ５がレアショートする際の電流より大きい溶断電流を有する電池用ヒューズ32を電池パック６に取り付ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.例文帳に追加

高いオン電流とソース／ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, it is possible to prevent current leakage in a coupling region of the magnetic layer when a current is applied so as to move a domain wall.例文帳に追加

これにより、磁区壁を移動させるために電流を印加する場合、磁性層の結合領域での電流漏れを防止できる。 - 特許庁

To provide an anode thin film for a lithium secondary battery having a current collector and an anode active material layer formed on the current collector.例文帳に追加

集電体及びその上部に形成されたアノード活物質層を具備しているリチウム２次電池用アノード薄膜を提供する。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser is provided with a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are laminated in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁

The VCSEL includes a laminate structure in which a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current confinement layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are layered in this order on a substrate 10, and the upper part of the laminate structure constitutes a mesa 18.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

The current blocking layer 8a is equipped with a conductor layer and an insulating layer 7 at least on the opening under a nitride compound semiconductor layer 8, and the insulating layer 7 functions as an etching stop layer of the nitride compound semiconductor layer 8 when the opening is formed.例文帳に追加

この電流阻止層８ａは、窒化物系化合物半導体層８の下の少なくとも開口部に導電体層と絶縁体層７とを有しており、絶縁体層７は開口部形成の際に窒化物系化合物半導体層８のエッチングストップ層として機能する。 - 特許庁

Two kinds of leakage current, i.e. a Faraday leakage current and an ohmic leakage current, are calculated by measuring the voltage value and the current value of an electric double layer capacitor during self-discharge.例文帳に追加

本発明の方法においては、電気二重層キャパシタの自己放電中の電圧値及び電流値を測定することによって、ファラディックな漏れ電流及びオーミックな漏れ電流の２種類の漏れ電流を算出する。 - 特許庁

The first conductor 4 has a first extending part 41 extending beyond each anode layer 3, and the first current collector 4 forms a current collecting part of the anode layer 3.例文帳に追加

この第１の導電体４は、各アノード電極層３を超えて延出する第１の延出部４１を有しており、該第１の導電体４がアノード電極層３の集電部となっている。 - 特許庁

Since the resistivity of this coating layer 6 is sufficiently low, the current passing through a fiber group which readily carries a current is easily transferred to the coating layer 6, and uniformly distributed.例文帳に追加

このコーティング層６の抵抗率が十分に低いため、電流を流しやすい繊維集団を流れてきた電流も容易にコーティング層６に移行し、一様に分布するようになる。 - 特許庁

The lithium secondary battery 10 is formed by laminating in order a positive electrode current collector 2, a positive electrode active material layer 7, a separator 8, a negative electrode active material layer 6 and a negative electrode current collector 3.例文帳に追加

リチウム二次電池１０は、正極集電体２と、正極活物質層７と、セパレータ８と、負極活物質層６と、負極集電体３とを順次積層して形成される。 - 特許庁

By injecting current into the active layer 18 from the small-gauge wire electrode 32 via the transparent conductive film 28, current can be injected to the active layer 18 uniformly.例文帳に追加

この細線電極３２から透明導電膜２８を介して活性層１８に電流を注入することにより、活性層１８に対して均一に電流が注入できるようになる。 - 特許庁

To provide a group III-V nitride semiconductor laser element capable of raising current blocking ability and reducing an influence on the growth of a layer on a current blocking layer.例文帳に追加

電流阻止能力を向上するとともに、電流阻止層上の層の成長に及ぼす影響を低減できるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, the surface of the contact layer 4 can be covered with the active layer 5 substantially uniformly, and since the off-leak current is reduced, a TFT having the characteristics of large on-current can be obtained.例文帳に追加

これにより、コンタクト層４の表面を活性層５でほぼ均一に覆うことができ、オフリーク電流が低減され、オン電流の大きい特性のＴＦＴを得ることができる。 - 特許庁

In this laser element, a layer which is grown to bury the mesa strip 15a is constituted of an Si current blocking layer 18 containing AlGaAs, and Si current blocking layers 19 and 20 containing AlGaInP.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、メサストライプ１５ａを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層１８及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層１９、２０から構成されている。 - 特許庁

To control p-type conversion through p-type impurities diffused from a p-type nitride semiconductor layer in a current constriction layer formed in its interior, thus obtaining a good current constriction characteristic.例文帳に追加

内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having excellent adhesion of a conductive material layer to a metallic current collector, excellent current collecting performance of a positive electrode mix layer and excellent high-rate discharge performance.例文帳に追加

導電材層の金属製集電体との密着性が優れ、正極合材層の集電性能が良好で、高率放電性能に優れた非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

A lattice mismatching coefficient of an n-type Al_xIn_zP current block layer 50 for an n-type GaAs substrate 41 is set to the uniform value of -0.10% within the n-type Al_xIn_zP current block layer 50.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板４１に対するｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０の格子不整合率を、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０内で一様に−０.１０％とする。 - 特許庁

This lithium secondary battery 10 is formed by stacking in order a negative electrode current collector 2, a negative electrode active material layer 7, a separator 8, a positive electrode active material layer 6, and a positive electrode current collector 3.例文帳に追加

リチウム２次電池１０ａは、負極集電体２と、負極活物質層７と、セパレータ８と、正極活物質層６と、正極集電体３とを順次積層して形成される。 - 特許庁

A dielectric layer 3, having a current input side capacitor electrode 2 and a dielectric layer 5, having a current output side capacitor electrode 4 for constituting the capacitor are alternately laminated.例文帳に追加

コンデンサを構成する電流入力側コンデンサ電極２が形成された誘電体層３と、電流出力側コンデンサ電極４が形成された誘電体層５とを交互に積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having stability and high reliability where disconnection of the polysilicon resistance layer is not caused even if large current such as surge current flows in the polysilicon resistance layer.例文帳に追加

サージ電流のような大電流がポリシリコン抵抗層に流れた場合であっても、ポリシリコン抵抗層の断線のない安定した信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The spacer layer 24 is made of a material at least a part of which is, except for a conductor that prevents current from passing therethrough or restricts passing therethrough of the current, as compared with a layer comprising the conductor as a whole.例文帳に追加

スペーサ層２４は、少なくとも一部が導体以外の材料よりなり、電流の通過を阻止または全体が導体よりなる層に比べて電流の通過を制限する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element that can be improved fully in current diffusing effect, even if the thickness of a current diffusing layer is small and, furthermore, can uniformly energize the light-emitting layer section.例文帳に追加

電流拡散層の厚さが小さくとも電流拡散効果を十分に高めることができ、ひいては発光層部への均一な通電を可能とする発光素子を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 501, an N-clad layer 11, an N-optical guide layer 12, an MQW layer 13, a P-cap layer 14, a P-optical guide layer 15, a P-clad layer 16, an N-current block layer 17 and a P-contact layer 18 are laminated in order on one surface of a transparent substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ素子５０１は、透明基板１００の一方の面上にｎ−クラッド層１１、ｎ−光ガイド層１２、ＭＱＷ活性層１３、ｐ−キャップ層１４、ｐ−光ガイド層１５、ｐ−クラッド層１６、ｎ−電流ブロック層１７およびｐ−コンタクト層１８が順に積層されてなる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 20 includes a lower DBR layer 21, a lower spacer layer 22, an active layer 23, an upper spacer layer 24, a current constriction layer 25, an upper DBR layer 26, and a contact layer 27 in sequence from the side of a substrate 10, wherein a columnar mesa part M1 including an optical outgoing window 28A is formed on the contact layer 27.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、下部ＤＢＲ層２１、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、上部ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側から順に含むと共に、コンタクト層２７上に光射出窓２８Ａを含む柱状のメサ部Ｍ１を有する。 - 特許庁