「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Such a structure can reduce the leak current through the buffer layer.例文帳に追加

この構成によれば、バッファ層を介したリーク電流を低減することができる。 - 特許庁

The sheet 21 has a strip-state variable resistance layer 23 through which constant current is made to flow.例文帳に追加

シート21は定電流が流される短冊状の可変抵抗層23を有する。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING INTERCONNECT LAYER WITH SMALL LEAKAGE CURRENT IN INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路内に漏れ電流の少ない相互接続層を作成する方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF POLARIZABLE ELECTRODE FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR WITH CURRENT COLLECTING ELECTRODE例文帳に追加

集電極付き電気二重層コンデンサ用分極性電極の製造方法 - 特許庁

The electrode mixture layer 3 is installed on one side of the current collector electrode 2.例文帳に追加

電極合材層３は集電極２の一方の側に設けられている。 - 特許庁

The thickness of the current constricting layer 16 is at least 20 nm and not more than 50 nm.例文帳に追加

電流狭窄層１６の厚さは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

A crack passing through in the thickness direction is formed in the current collecting layer 133.例文帳に追加

集電層１３３には、厚さ方向に貫通するクラックが形成されている。 - 特許庁

The Rogowski Coil 20 can measure a current which flows to the shield layer.例文帳に追加

ロゴスキーコイル２０により、シールド層に流れる電流を測定することができる。 - 特許庁

The current collecting layer at least contains a perovskite type oxide and a bismuth oxide.例文帳に追加

該集電層は、ペロブスカイト型酸化物とビスマス酸化物とを少なくとも含む。 - 特許庁

A metal current 19 is formed on the second p-type clad layer 16.例文帳に追加

金属電極１９は、第２ｐ型クラッド層１６上に形成されている。 - 特許庁

The AC switching current switches the magnetization orientation of the ferromagnetic free layer.例文帳に追加

ＡＣスイッチング電流は、上記強磁性自由層の磁化方向を切換える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LASER DIODE WITH CURRENT RESTRICTING LAYER FORMED AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電流制限層が形成された半導体レーザダイオード及びその製造方法 - 特許庁

After the filling of the structure, the substrate is applied with the electric current of a fixed current density to deposit a metallic layer on the substrate.例文帳に追加

構造が充填された後、基板に一定の電流密度を印加して金属層を基板上に堆積させる。 - 特許庁

An electric current, which passes to the fuse 32 in the case of the layer short circuit in the motor 5, is made smaller than the fusing current of the fuse 32.例文帳に追加

モータ５のレアショート時に電池用ヒューズ32へと流れる電流が電池用ヒューズ32の溶断電流より小さい。 - 特許庁

This negative electrode for the lithium secondary battery includes a current collector and a negative electrode active material layer carried on the current collector.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用負極は、集電体と、その上に担持された負極活物質層とを具備する。 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH PARTIAL ELECTRIC CURRENT NARROWING-DOWN LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ELECTRIC CURRENT NARROWING-DOWN METHOD THEREFOR例文帳に追加

部分的な電流絞込層を備えたスピンバルブ型磁気ヘッド及びその製造方法、ならびにその電流絞込方法 - 特許庁

Further, a low Al composition AlGaAs layer 51, a current constriction layer 31, and a low Al composition AlGaAs layer 52 are formed sequentially between the active layer 21 and the p type DBR layer 22 from the DBR layer 22 toward the active layer 21.例文帳に追加

また、活性層２１と、ｐ型ＤＢＲ層２２との間に、ＤＢＲ層２２側から活性層２１側に向けて、低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５１、電流狭窄層３１、及び低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５２を順に形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁

The organic light emitting layer 40 can emit light, when the layer 40 is excited with an electric current, and the anode 20 and cathode 30 impress an electric field upon the layer 40.例文帳に追加

有機発光層４０は、電流励起によって発光可能であり、陽極２０と陰極３０とにより電界が印加される。 - 特許庁

When the inner layer coil is driven as a heating wire, current polarities of currents impressed on both ends of the inner layer coil and the outer layer coil become reversed.例文帳に追加

内層コイルが発熱線として駆動するとき、内層コイルと外層コイルの両端に印加される電流の極性が反対になる。 - 特許庁

A buffer layer is formed on the gate insulation layer pattern and the gate conductive layer pattern to strongly prevent a rapid increase of current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜パターン及びゲート導電膜パターン上に急激に電流が増加することを顕著に減少させるバッファ膜が形成される。 - 特許庁

The current block layer 8 is slightly etched at this time, but the block layer 8 is thick enough, so that the residual part of the block layer 8 is still thick enough.例文帳に追加

このとき同時に電流ブロック層８もわずかにエッチングされるが、電流ブロック層８は十分厚いため、十分な厚さが残る。 - 特許庁

The band gap of the current diffusing layer is smaller than that of the upper clad layer and larger than the energy corresponding to the light emitting wavelength of the active layer.例文帳に追加

電流拡散層のバンドギャップは、上部クラッド層のバンドギャップよりも小さく、活性層の発光波長に対応するエネルギよりも大きい。 - 特許庁

Alternating current component is superposed on direct current component output from a DMFC 102 composed of a cathode catalyst layer, an anode catalyst layer, a proton conductive film arranged between the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer, and a means for supplying fuel to the anode catalyst layer, by an alternating current component superposing means 108.例文帳に追加

カソード触媒層と、アノード触媒層と、前記カソード触媒層と前記アノード触媒層の間に配置されるプロトン伝導性膜と、前記アノード触媒層に燃料を供給する手段とを具備するＤＭＦＣ１０２出力される直流成分に交流成分重畳手段１０８より交流成分を重畳する。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a first current constriction layer 17 formed between a p-side electrode 19 and an active layer 14 on a substrate 11 through an oxidation process, and a second current constriction layer 22 formed between the active layer 14 and the first current constriction layer 17 not through the oxidation process.例文帳に追加

基板１１上のｐ側電極１９と活性層１４との間に酸化工程を経て形成される第１の電流狭窄層１７を有し、かつ、活性層１４と第１の電流狭窄層１７との間に酸化工程を経ることなく形成された第２の電流狭窄層２２を有する。 - 特許庁

A fuel electrode layer 3 and an air electrode layer 4 are arranged on both faces of a solid electrolyte layer 2, a fuel electrode current collector 6 and an air electrode current collector 7 composed of a porous metal are respectively arranged on the outside of the fuel electrode layer 2 and the air electrode layer 4, and a separator 8 is arranged outside these current collectors 6, 7.例文帳に追加

固体電解質層２の両面に燃料極層３と空気極層４を配置し、燃料極層２と空気極層４の外側にそれぞれ多孔質金属より成る燃料極集電体６と空気極集電体７を配置し、これら集電体６、７の外側にセパレータ８を配置する。 - 特許庁

This semiconductor laser comprises an active layer, a ridge formed like a belt at a part on the active layer, a current rejecting layer which is formed in both sides of the ridge to reject a current flowing into the active layer, and a thin cap layer which is formed on the current rejecting layer and has small spreading resistance in the lateral direction.例文帳に追加

活性層と、前記活性層上の一部に帯状に形成されたリッジ部分と、前記リッジ部分を挟んでその両側に形成され前記活性層に向かう電流を阻止する電流阻止層と、前記電流阻止層上に形成され横方向の広がり抵抗が小さい薄膜のキャップ層と、を備える半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element in which current density is enhanced by constituting a current layer having band gap energy lower than that of a light emitting layer abutting against the light emitting layer, and a current layer having band gap energy higher than that of the light emitting layer of any one of quantum well, quantum lattice, or quantum dot structure, and dopant is prevented from advancing into the light emitting layer.例文帳に追加

本発明は、発光層に当接する発光層よりバンドギャップエネルギーの小さい電流層、発光層よりバンドギャップエネルギーの大きい電流層を量子井戸、量子格子、又は量子ドット構造のいずれかで構成して電流密度を高くし、発光層に不純物が進入することを防止した光半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

In the n-type current block layer, a current injection part 108a which is a first opening and a current shutoff part 108b which is a second opening are formed, and the p-type light guide layer 111 is also formed in the current injection part 108a and the current shutoff part 108b.例文帳に追加

ｎ型電流ブロック層には、第１の開口部である電流注入部１０８ａと第２の開口部である電流遮断部１０８ｂとが形成されており、ｐ型光ガイド層１１１は、電流注入部１０８ａ及び電流遮断部１０８ｂにも形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser has a first and a second current block layers 106 and 107 and both current block layers 106 and 107 are removed in a current injected region and the first current block layer 106 is left and only the second current block layer 107 is removed in the vicinity of the end face.例文帳に追加

半導体レーザは、第１及び第２電流ブロック層１０６、１０７を有し、電流注入領域では双方の電流ブロック層１０６、１０７を除去し、端面の近傍では第１電流ブロック層１０６を残し、第２の電流ブロック層１０７のみを除去する。 - 特許庁

A protection layer 9, which is obtained by modifying surface of a current collector 4a and includes oxyhydroxide on the current collector 4a, and an anchor coat layer 10, which is formed on the protection layer 9 and includes conductive particles, are provided between the current collector 4a and polarizable electrode layer 5a of an electrode for a capacitor.例文帳に追加

キャパシタ用電極体の集電体４ａと分極性電極層５ａとの間に、集電体４ａの表面を改質させ、集電体４ａ上にオキシ水酸化物を含む保護層９と、導電性粒子を含み、保護層９上に形成されたアンカーコート層１０とを設けた。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

At least one layer selected from a group composed of a metal deposition layer and a metal plating layer is used for the conductive layer of the current collector sheet (A), and a masking tape is used for the isolating layer of the collector sheet (B).例文帳に追加

集電体シート（Ａ）の導電層には、金属蒸着層および金属メッキ層よりなる群から選ばれた少なくとも１種を用い、集電体シート（Ｂ）の絶縁層には、マスキングテープを用いる。 - 特許庁

An n-AlGaInP clad layer 204, an active layer 206, a p-AlGaInP clad layer 208 and a p-AlGaAs current diffusion layer 210 are sequentially laminated on an n-GaAs substrate 202 so as to have a current constriction mesa structure.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２０２上に、順次、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、活性層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０８、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０が電流狭窄メサ構造に積層される。 - 特許庁

A structure is used in which, after an opening 25 in a shape of a stripe penetrating a current constriction layer 24 is formed, a laser crystal layer including an active layer 28 is grown by using a dielectric such as SiO_2 as the current constriction layer.例文帳に追加

電流狭窄層２４としてＳｉＯ_２等の誘電体を用い、前記電流狭窄層を貫通するストライプ状の開口部２５を作製した後に活性層２８を含むレーザ結晶層を成長した構造を用いた。 - 特許庁

The positive electrode member 10 is a sintered body in which the first active material layer 2A, the second active material layer 2B and the positive electrode current collecting layer 1 are integrated, and is high in adhesion between the active material layers 2A and 2B and the current collecting layer 1.例文帳に追加

この正極部材１０は、これら第１活物質層２Ａと第２活物質層２Ｂと正極集電層１とが一体化された焼結体であり、活物質層２Ａ，２Ｂと集電層１との密着性が高い。 - 特許庁

Mutual diffusion of impurities between the high resistance buried layer 13 and the clad layer 15 is prevented, efficiency of current injection to an active layer is improved by preventing current leak path in the high resistance buried layer, and light emission efficiency is improved.例文帳に追加

高抵抗埋め込み層１３とクラッド層１５との間の不純物の相互拡散を防止し、高抵抗埋め込み層での電流リークパスを防止して活性層への電流注入の効率を改善し、発光効率を改善する。 - 特許庁

A first resin binder layer 14 is formed between the positive current collector 5 and the positive active material layer 6 combined with the positive current collector 5, and a second resin binder layer 16 is formed on the opposite side of the positive active material layer 6.例文帳に追加

正極集電体５と、それに組み合わされた正極活物質層６との間には第１の樹脂結合層１４および正極活物質層６の反対側には第２の樹脂結合層１６が設けられている。 - 特許庁

A low density layer 12 is formed as the current suppression layer for suppressing the current from being passed through, in the area including the just under area of the upper electrode 18 in an upper layer portion of the silicon substrate 12.例文帳に追加

また、シリコン基板１２の上層部分における上部電極１８の直下域を含む領域に、電流の通過を抑制する電流抑制層として、低濃度層１２を形成する。 - 特許庁

The positive pole current-collecting foil 31 and the negative pole current-collecting foil 36 are stacked so that the positive pole active material layer 32 is opposite to the negative pole active material layer 37 via an electrolytic layer 41.例文帳に追加

正極集電箔３１および負極集電箔３６は、正極活物質層３２と負極活物質層３７とが電解質層４１を介して対向するように重ね合わされている。 - 特許庁

This is equipped with an aluminum current collector 16, an aluminum hydroxide layer 18 installed on the aluminum current collector 16, and a lithium containing metal oxide layer 20 installed on the aluminum hydroxide layer 18.例文帳に追加

アルミニウム集電体１６と、アルミニウム集電体１６上に設けられた水酸化アルミニウム層１８と、水酸化アルミニウム層１８上に設けられたリチウム含有金属酸化物層２０と、を備える。 - 特許庁

The energy gap of the current diffusion layer 16 is made larger than that of the active layer 14 while the GaP substrate 12 and the InGaP current diffusion layer 16 at the top layer are made transparent to the radiation light from the InAlGaP active layer 14, for raised light-emission efficiency.例文帳に追加

また、電流拡散層１６のエネルギーギャプを、活性層１４のエネルギーギャプよりも大きくして、ＧaＰ基板１１と最上層のＩnＧaＰ電流拡散層１６とをＩnＡlＧaＰ活性層１４からの放射光に対して透明にして発光効率を高める。 - 特許庁

In the wavelength variable laser diode of a TTG-DFB structure, a semiconductor barrier layer (27) is formed around a current path of a drive current or a control current to an active layer (22E) or a tuning layer (22C) to suppress carrier leakage.例文帳に追加

ＴＴＧ−ＤＦＢ構造の波長可変レーザダイオードにおいて、活性層（２２Ｅ）あるいはチューニング層（２２Ｃ）への駆動電流あるいは制御電流の電流路の周囲に、半導体障壁層（２７）を形成し、キャリアのリークを抑制する。 - 特許庁

To provide a vertical resonator type surface-emitting laser in which a current constricted once by a current constriction layer is prevented from spreading again as it flows from the current constriction layer to an active layer, and drop in luminous efficiency can be minimized.例文帳に追加

電流狭窄層で一度狭窄された電流が、電流狭窄層から活性層に流れるに従って再び広がることを抑え、発光効率の低下を抑制することが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

The stamper 1 is in sandwiching structure consisting of a surface layer 2 that is formed to be hard by electrical plating with a low current value, a middle layer 3 formed by a high current value, and a rear-surface layer 4 formed to be hard by electrical plating with a low current value.例文帳に追加

このスタンパ１は、低電流値の電気メッキで硬質に形成された表面層２と、高電流値で形成された中間層３と、低電流値の電気メッキで硬質に形成された裏面層４とからなるサンドイッチ構造を有している。 - 特許庁