「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic pole layer 16 is formed by plating through feeding a current to the underlying layer 52.例文帳に追加

磁極層１６は、下地層５２に電流を流してめっきを行うことによって形成される。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

The semiconductor photoelectric conversion layer is a semiconductor layer operative to convert light into current.例文帳に追加

半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。 - 特許庁

Consequently the signal layer and the return current pass can be wired while maintaining the shortest inter-layer distance.例文帳に追加

信号層とリターン電流パスとを最短層間距離を維持して配線することができる。 - 特許庁

The fuel electrode and the oxygen electrode each is composed of a catalyst layer, a diffusion layer, and a current collector.例文帳に追加

燃料電極および酸素電極は、それぞれ、触媒層、拡散層、集電体からなる。 - 特許庁

The electrodes are mounted in the surface layer to supply electric current through the surface layer.例文帳に追加

これらの電極は、表層を通じて電気を供給するように表層中に搭載される。 - 特許庁

Therefore, shading of incident light to the semiconductor layer 3 by the current collecting layer 12 is prevented.例文帳に追加

このため、集電体層１２が半導体層３へ入射する入射光を遮ることがない。 - 特許庁

A protruding part 15 is formed on a current diffusion layer 14.例文帳に追加

電流拡散層１４上には凸部１５が形成されている。 - 特許庁

The hydrophilic gas impermeable layer is arranged on the anode current collector.例文帳に追加

親水性ガス不透過層は、アノード集電体の上に配置される。 - 特許庁

ATMOSPHERIC POLLUTANT REMOVING TYPE SOUND INSULATING WALL HAVING REAR AIR-CURRENT LAYER例文帳に追加

背後気流層を有する大気汚染物質除去型防音壁 - 特許庁

TWO LAYER WRITER HEATER USING WRITER AS ONE CURRENT LEAD例文帳に追加

１つの電流リードとして書込み部を用いた二層書込み部ヒータ - 特許庁

The deposited metal can be diffused into the dielectric layer, causing leakage current.例文帳に追加

この金属は誘電層内に拡散し、漏れ電流を起し得る。 - 特許庁

An electrode is formed for injecting a current into the active layer.例文帳に追加

活性層に電流を注入する電極が形成されている。 - 特許庁

LIGHT EMITTING DEVICE EQUIPPED WITH LIGHT REFLECTIVE LAYER ON CURRENT SUPPLY SOURCE BOARD例文帳に追加

電流供給基板に光反射層を具えた発光デバイス - 特許庁

The positive electrode 10 has a positive current collector layer 11 and a positive active material layer 12 formed on the positive current collector 11.例文帳に追加

正極１０は、正極集電体層１１と、正極集電体１１上に形成された正極活物質層１２とを備える。 - 特許庁

When an electric current flows in the outer layer coil and the inner layer coil is magnetized and becomes a direct current electromagnet, an magnetic field is introduced around the coil.例文帳に追加

内層コイルは外層コイルに電流が流れると、磁化し直流電磁石になると、コイルの周りに磁気場が誘導される。 - 特許庁

The second semiconductor deposit layer 118 includes a first semiconductor layer 118a, a second semiconductor layer 118b, a barrier layer 118c and a current constriction layer 111.例文帳に追加

第２の半導体堆積層１１８は、第１半導体層１１８ａ、第２半導体層１１８ｂ、障壁層１１８ｃ、および電流狭窄層１１１を含む。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加

半導体発光素子１は、第１の半導体層３と、活性層５と、第２の半導体層７、第３の半導体層９と、電流ブロック半導体層１１とを備える。 - 特許庁

A lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR mirror layer 16, a polarization control layer 17 and a contact layer 18 are installed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲミラー層１６、偏光制御層１７およびコンタクト層１８を備える。 - 特許庁

A current constriction layer 54 provided with an insulating part and a conductive part is formed inside a free magnetic layer 26, so that a sense current constricted by the current constriction layer 54 can be less diffused, and the sense current flowing through the free magnetic layer 26 can be surely locally kept high in current density.例文帳に追加

フリー磁性層２６の内部に絶縁部と導電部を有する電流制限層５４を形成することにより、電流制限層５４によって絞りこまれたセンス電流の拡散を低減でき、フリー磁性層２６内に流れるセンス電流の電流密度の局所的な高密度化を確実に維持できる。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor of a structure, wherein a leakage current in a base layer due to the recombination between an emitter layer and an emitter cap layer is reduced and a current gain can be increased.例文帳に追加

エミッタ層とエミッタキャップ層との間の再結合に起因するベース漏れ電流を低下させ、電流利得を向上できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

When a voltage is applied between an electrode layer 1c and the electrode layer 2c, a current passing through the micro-current paths is made to flow in the layer-thickness direction of the BMR element 10.例文帳に追加

電極層１ｃと電極層２ｃとの間に電圧を印加すると、ＢＭＲ素子１０の層厚方向に微小電流路を通過する電流が流れる。 - 特許庁

The gas diffusion layer 100 for the fuel cell has a porous and conductive current-collecting layer 120, and a plurality of conductive wire materials 110 aligned on a face of the current collecting layer.例文帳に追加

燃料電池用ガス拡散層１００は、多孔質で導電性の集電層１２０と、集電層の面に並んだ複数の導電性の線材１１０とを有する。 - 特許庁

Furthermore, current is injected into the opening of the current blocking layer 16 to form a p-GaN buried layer 17 and a contact layer 18 that are larger in area than the opening.例文帳に追加

更に、電流ブロック層１６の開口部へ電流を注入し、該開口部よりも面積の広いｐ−ＧａＮの埋込み層１７及びコンタクト層１８が形成される。 - 特許庁

A current can be made to flow in both directions between the first pinned layer and the second pinned layer, and the direction of magnetization of the storage layer changes with the direction and value of the current.例文帳に追加

また、第１固着層と第２固着層の間に電流を双方向に流すことが可能で、電流の方向と値により記憶層の磁化の方向が変わる。 - 特許庁

This is equipped with a current collector 16, a heat absorbing material layer 18 installed on the current collector 16, and an active material containing layer 20 installed on the heat absorbing material layer 18.例文帳に追加

集電体１６と、集電体１６上に設けられた吸熱材料層１８と、吸熱材料層１８上に設けられた活物質含有層２０と、を備える。 - 特許庁

Current through the hole flows through the channel of the collector region to the emitter layer, becoming base current for an npn transistor made up of the embedded collector region, base layer, and emitter layer.例文帳に追加

ホールによる電流はコレクタ領域からのチャネルを通ってエミッタ層へ流れ、埋込コレクタ領域、ベース層、エミッタ層で構成されるｎｐｎトランジスタのベース電流となる。 - 特許庁

Consequently, the generation of a reactive-current path can be prevented from the n-type InP clad layer 12 to a p-type InP clad layer 2 via the n-type InP current blocking layer 10.例文帳に追加

これにより、ｎ型InPクラッド層１２からｎ型InP電流ブロック層１０を経由して、ｐ型InPクラッド層２に至る無効電流経路の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH ANTIPARALLEL-FREE LAYER STRUCTURE AND LOW CURRENT-INDUCED NOISE例文帳に追加

反平行フリー層構造および低電流誘起ノイズの面直電流型（ＣＰＰ）磁気抵抗センサ - 特許庁

The positive electrode 2 includes a current collector 2A, and an electrode coating layer 2B laminated on the current collector 2A.例文帳に追加

正極２は、集電体２Ａと、集電体２Ａに積層された電極塗布層２Ｂを備える。 - 特許庁

To reduce the leakage current in a semiconductor laser which is provided with current constriction layers on both sides of an active layer.例文帳に追加

活性層の両側に電流狭窄層を有する半導体レーザのリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor wherein an active silicon layer is improved, an OFF current (leak current) is small and an ON current is large.例文帳に追加

活性シリコン層が改良されたＯＦＦ電流（リーク電流）が小さくかつＯＮ電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Accordingly, the current constriction layer 9 can reduce the stress applied to the active layer 5 and the adjacent layer as the p-type semiconductor layer 2 in the current constriction structure of the semiconductor light-emitting element 10.例文帳に追加

よって、半導体発光素子１０の電流狭窄構造では、電流閉じ込め層９が活性層５及びｐ型半導体層２といった隣接層に加える応力を低減できる。 - 特許庁

A conductive layer including a conductive material is formed on a face opposed to the electrolyte layer on at least one of the positive electrode side outermost layer current collector or the negative electrode side outermost layer current collector.例文帳に追加

正極側最外層集電体または負極側最外層集電体の少なくとも一方においては、電解質層と対向する面に、導電性材料を含む導電層が形成されている。 - 特許庁

When an excessive current flows through the superconductor layer due to the short-circuit accident, since the critical current value of the current limiting part 11 is smaller than that of the base part, the current exceeds the limiting current value at the current limiting part, the resistance at the current limiting part becomes high, and the current limiting part generates heat.例文帳に追加

本発明超電導ケーブルは、短絡事故などが生じて、超電導導体層に過大な電流が流れた場合、限流部の臨界電流値が基部よりも小さいことで、限流部が先に臨界電流値を越えて、大抵抗となり、限流部が主に発熱する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a p-type semiconductor layer, an active layer, a current introducing layer and a dielectric-film clad layer are laminated on a substrate in the order.例文帳に追加

基板上に、ｐ型半導体層、活性層、電流導入層および誘電体膜クラッド層がこの順に積層されている半導体発光素子である。 - 特許庁

These improvements can be attained by preventing current shunt of a sensing layer and softening of the sensing layer and the pin anchor layer through a uniform layer texture.例文帳に追加

このような改善は、均一な層テクスチャを介してセンシング層の電流分路、センシング層及びピン留め層の軟化を防ぐことによって得られる。 - 特許庁

The magnetization direction of the first magnetic layer 3 varies with a bidirectional current penetrating the first magnetic layer 3, first nonmagnetic layer 4 and second magnetic layer 2.例文帳に追加

第１磁性層３の磁化方向は、第１磁性層３、第１非磁性層４及び第２磁性層２を貫く双方向電流により変化する。 - 特許庁

On the reverse side of the diffraction grating layer 25 sandwiching the active layer 24, a tuning layer 22 capable of injecting a current independently from the active layer 24 is provided.例文帳に追加

活性層２４を挟んで回折格子層２５と反対側には、活性層２４とは独立して電流を注入可能なチューニング層２２を設ける。 - 特許庁

The first semiconductor deposit layer 114 includes a fist semiconductor layer 114a, a second semiconductor layer 114b and a current catchment basin layer 107a.例文帳に追加

第１の半導体堆積層１１４は、第１半導体層１１４ａ、第２半導体層１１４ｂ、および電流流域層１０７ａを含む。 - 特許庁

The direction of magnetization of the magnetization variable layer varies depending on the bidirectional current penetrating through the first magnetization fixed layer, the first intermediate layer and the magnetization variable layer.例文帳に追加

第１磁化固定層と第１中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 - 特許庁

The second conductive clad layer 50 is formed to extend over the active layer 30 and the current block 40, and the contact layer 60 is formed on the second conductive clad layer 50.例文帳に追加

第2導電型クラッド層は活性層及び電流ブロック部上に形成され、コンタクト層は第2導電型クラッド層上に形成されている。 - 特許庁

To provide a layer short judging apparatus and a layer short circuit judging method, which enables sure protection of electric wires from abnormal current of a layer short, on the occasion of the layer short circuit.例文帳に追加

レアショート時に電線をレアショートの異常電流から確実に保護できるレアショート判断装置及びレアショート判断方法を提供する。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

Further, an etching stop layer can be provided between the p clad layer 6 and the p current diffusion layer 4 to make the processing easy.例文帳に追加

プロセスを容易にするためｐ型クラッド層６とｐ型電流拡散層４の間にエッチングストップ層を形成しても良い。 - 特許庁