「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the etching block layer 11 prevents the current block layers 10 on both sides of a ridge 20 from being etched in manufacturing, a contact layer 12 can be prevented from permeating between side surfaces of the ridge 20 and the current block layers 10.例文帳に追加

このエッチング阻止層１１は、製造時に、リッジ２０の両側の電流ブロック層１０がエッチングされることを防ぐから、このリッジ２０の側面と電流ブロック層１０との間に、コンタクト層１２が入り込むのを防止できる。 - 特許庁

There are provided a second light guide layer 108 provided with a diffraction lattice 108a in a part to be a DBR area 103; and further a current prevention layer 110 provided with a stripe-like window 110a as a current implantation part.例文帳に追加

ＤＢＲ領域１０３となる部分に回折格子１０８ａが形成された第２光ガイド層１０８を有し、さらに、電流注入部としてストライプ状の窓１１０ａを備えた電流阻止層１１０を有する。 - 特許庁

A large-diameter current injection region 19B is formed in a central region of the current constriction layer 18, and a small-diameter light-transmitting region 19A is formed in a central region of the lateral mode adjusting layer 19.例文帳に追加

電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。 - 特許庁

Since the photoelectric conversion device 10 can made a difference between a current value generated in the first photoelectric conversion layer 12 and a current value generated in the second photoelectric conversion layer 14 small, the photoelectric conversion device 10 can acquiring photovoltaic power generated therein.例文帳に追加

第１光電変換層12で発生する電流値と第２光電変換層14で発生する電流値との差を小さくすることができるので、光電変換素子10で発生した光起電力を効率良く取り出すことができる。 - 特許庁

While the chaff supplied to the lower part of the combustion chamber 2 is made to turn by the upward turning air current layer (a) and the downward turning air current layer b, the chaff is ignited by the combustion flame d of the flame radiation mechanism 5 and continuously burned.例文帳に追加

燃焼室２内の下部に供給される籾殻を上昇旋回気流層ａと下降旋回気流層ｂにより旋回させながら火炎放射機構５の燃焼火炎ｄをもって点火し燃焼を持続させる。 - 特許庁

To provide a compound heterobipolar transistor of a structure, wherein the recombination between a base layer and an emitter layer is suppressed and a reduction in the amplification factor of a current can be prevented without increasing the junction capacitance between a base and an emitter and a leakage current so much, and the manufacturing method of the transistor.例文帳に追加

ベース・エミッタ間の接合容量やリーク電流をあまり増加させずに、再結合を抑制して電流増幅率の低下を防ぐことができる化合物ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The free layer structure can include a spin diffusion layer that prevents shunt of a spin current to the voltage source by assuring that all spin current is scattered and lost completely before it reaches the lead to the voltage source.例文帳に追加

自由層構造は、電圧源へのリードに到達する前に全てのスピン電流が完全に散失されることを保証することによって、電圧源へのスピン電流の分流を阻止する、スピン拡散層を含むことができる。 - 特許庁

Since a thickness of each of the layers in the multi-layer structure is 50 nm or more and 1,050 nm or less, adhesiveness between each of the layers and adhesiveness and between the anode active material layer 2 and the anode current collector 1, and current collecting property are improved.例文帳に追加

多層構造における各層の厚みは、５０ｎｍ以上１０５０ｎｍ以下であるので、各層間の密着性、ならびに負極活物質層２と負極集電体１との密着性および集電性が向上する。 - 特許庁

The width of the positive electrode current collector 11 on non-formed parts on the both surfaces of the positive electrode active material layer 12 on a winding outer circumferential side is made narrower than that of the positive electrode current collector 11 on the formed parts of the positive electrode active material layer 12.例文帳に追加

捲回外周側の正極活物質層１２の両面未形成部における正極集電体１１の幅を正極活物質層１２の形成部における正極集電体１１の幅よりも狭くする。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

ｐ型層バッファでＯＦＦ時の耐圧を上げ、ホールの排出でＯＮ時の耐圧を上げ、ｐ型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

It is so structured that the positive electrode current collector 9 having no positive electrode active material layer does not counter the negative electrode plate 4 and that the positive electrode active material current collector 10 having the positive electrode active material layer 13 counters the negative electrode plate 4.例文帳に追加

正極活物質層を有しない正極集電体９は負極板４に対向せず、正極活物質層１３を有する正極活物質集電体１０は負極板４に対向する構造にする。 - 特許庁

This electrode and battery have a current collector, and a plied timber layer formed on the current collector including an active substance composed of a hydrophobic core part and a hydrophilic surface layer part formed on the surface of the core part.例文帳に追加

集電体と、疎水性の核部及び該核部の表面に形成された親水性の表層部からなる活物質と親水性結着材とを含む該集電体上に形成された合材層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

On a surface including the current constriction layer 111, the shape of a circumference 140 at the columnar part 110 includes annular parts 140a1 to 140a4 that are similar to one part of the inner circumference 111a of the current constriction layer 111.例文帳に追加

電流狭窄層１１１を含む面において、柱状部１１０の周縁１４０の形状は電流狭窄層１１１の内周縁１１１ａの形状の一部と近似する弧状の形状部１４０ａ_1〜１４０ａ_4を含む。 - 特許庁

Further, the total thickness of the light guide layers 5 and 7 is ≥0.5 μm and the distance from the bottom part of the current stricture structure as the striped groove bottom surface of the current stricture layer 8 to the top surface of the quantum well layer 6 is ≤0.25 μm.例文帳に追加

さらに、光ガイド層５，７の合計厚みを0.5μｍ以上とし、電流狭窄層８のストライプ溝底面である電流狭窄構造の底部から量子井戸層６の上面までの距離を0.25μｍ未満とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery 1 has positive electrode wherein a positive active material layer containing a positive active material is formed on the positive electrode current collector, and in which a negative active material layer is formed on the negative electrode current collector.例文帳に追加

非水電解質二次電池１は、正極集電体上に正極活物質を含有する正極活物質層が形成された正極と、負極集電体上に負極活物質層が形成された負極とを有する。 - 特許庁

To provide a photosensor which can reduce leakage current (dark current) generation in a photoelectric conversion layer even in the case where an organic compound is used for the photoelectric conversion layer, to provide a photosensor array, to provide an imaging element, and to provide an imaging apparatus.例文帳に追加

光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置を提供する。 - 特許庁

Electrode layers are accumulated on an electrolyte layer (a step of accumulated), and current collectors are disposed to cover the surface of the electrode layer sparsely on the side where the electrodes layers of the structure obtained are accumulated (a step of disposing the current collectors).例文帳に追加

電解質層上に電極層を積層し（積層工程）、得られた構造体の電極層が積層されている側の面に、電極層の表面をまばらに覆うように集電体を配置する（集電体配置工程）。 - 特許庁

The Cr diffusion preventing layer 202 is formed on the surface of the current collecting substrate 201 by heat-treating a metal layer formed by a plating method or an electrostatic coating method, and the covering layer 203 is formed on the surface of the Cr diffusion preventing layer 202.例文帳に追加

こメッキ法又は静電塗装法により形成された金属層を熱処理して集電基材２０１の表面にＣｒ拡散防止層２０２が形成され、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面に被覆層２０３が形成されている。 - 特許庁

A p type AlInP capacity reduced layer 100 of which the impurity concentration is lower than that of a p type AlGaInP 1st upper clad layer 14 is formed between the layer 14 and an n type AlInP current block layer 102.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１４とｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０２との間に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層１４より不純物濃度が低いｐ型ＡｌＩｎＰ容量低減層１００を設ける。 - 特許庁

An LED structure has a substrate having a distributed Bragg reflector, a first-type doped sealing layer, an active layer, a second-type doped sealing layer, current spreading layer, and a meshlike front electrode on one surface and a back electrode on the other surface.例文帳に追加

ＬＥＤ構造は、分布ブラッグ反射、第１の型のドープされた封層、活性層、第２の型のドープされた封層、電流広がり層および網状の正面電極を一の表面に持ち、背面電極を他の表面に持つ基板を有する。 - 特許庁

The vertical-direction magnetic bias generated in the conducting spacer layer 70 is impressed to a free layer 90 by adding a sense current, and the side-direction magnetic bias generated in the AP bias layer 5 is also impressed to the free layer 90.例文帳に追加

センス電流を付与することにより、導電スペーサ層７０において発生した縦方向の磁気バイアスがフリー層９０に印加されると共に、ＡＰバイアス層５において発生した横方向の磁気バイアスもフリー層９０に印加される。 - 特許庁

When an electromagnetic wave is made incident on a second dielectric layer 2, it comes into contact with metal oxide contained in the layer 2, so that reflection is restricted and an AC current is induced in an interface between the layer 2 and a conducting layer 3.例文帳に追加

第２誘電層２に電磁波が入射すると、第２誘電層２に含有されている金属酸化物に接触することにより反射が抑制され、第２誘電層２と導電層３との界面において交流電流を誘起する。 - 特許庁

To provide a method of forming a copper wiring layer, which makes it possible to form a copper wiring layer that has a uniform film thickness and is free from disconnection of wiring and generation of leak current between the copper wiring layer and an upper wiring layer in all conductive regions across a wide area.例文帳に追加

広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a paste for forming a conductive protection layer offering excellent adhesion between the conductive protection layer and a collector, a current collecting laminate having the conductive protection layer, an electrode, and a nonaqueous secondary battery such as a lithium secondary battery and an electric double layer capacitor.例文帳に追加

導電性保護層と集電体との接着性が改善された導電性保護層形成用ペースト、該導電性保護層を有する集電積層体、電極、およびリチウム二次電池や電気二重層キャパシタなどの非水二次電池を提供する。 - 特許庁

Electric current is fed to a base layer 6a via first-third inner layer conductor layers 4_1-4_3 formed among first-fourth insulating layers 3_1-3_4 for electric plating, and a plated layer 6b is thickened to form a surface conductor layer 6.例文帳に追加

第１〜第４絶縁層３_1〜３_4の間に形成されている第１〜第３内層導体層４_1〜４_3を介して下地層６ａに給電することにより電気めっきを行い、めっき層６ｂを厚付けすることにより表面導体層６を形成する。 - 特許庁

In this heat swing adsorption process three different adsorbent layers are used, namely, the first adsorbent layer is used for removing water mainly, the second adsorbent layer is used for removing carbon dioxide mainly and the third adsorbent layer being the combined adsorbent layer is used for removing nitrogen oxides and hydrocarbons from an air current.例文帳に追加

第１の吸着剤層は主として水を除去し、第２の吸着剤層は主として二酸化炭素を除去し、第３の吸着剤層は空気流から窒素酸化物及び炭化水素類を除去する複合吸着剤層である。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element has an active layer, a current constriction layer 108, and a clad layer laminated in this order, wherein an opening buried portion is formed at a part of the current constriction layer 108, has a waveguide shape part, at least a part of which is bent, and is buried with at least a part of the clad layer.例文帳に追加

活性層と、電流狭窄層１０８と、クラッド層とが、前記順序で積層され、 前記電流狭窄層１０８の一部に、開口埋め込み部が形成され、 前記開口埋め込み部は、少なくとも一部が屈曲した導波路形状を有し、かつ、前記クラッド層の少なくとも一部により埋め込まれていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the electrode for lithium secondary battery in which a thin film containing an active material is formed on a current collector, and is provided with an interfacial layer forming process of forming an interfacial layer on the current collector by an ion plating method and an active material layer forming process of forming an active material layer on the interfacial layer by a vapor deposition method.例文帳に追加

本発明方法は、活物質を含む薄膜を集電体上に形成するリチウム二次電池用電極の製造方法であって、集電体上にイオンプレーティング法により界面層を形成する界面層形成工程と、界面層上に蒸着法により活物質層を形成する活物質層形成工程とを具えることを特徴とする。 - 特許庁

In a bipolar battery of the construction that a plurality of bipolar electrodes each having a positive electrode layer 2 provided on one surface of a current collector 1 and a negative electrode layer 3 provided on the other surface of the current collector 1 are layered via gel electrolyte layers 4, all of the positive electrode layer, the negative electrode layer and the electrolyte layer contain matrix polymer molecule of gel electrolyte.例文帳に追加

一枚の集電体１の片側の面上に正極層２を設け、他方の側の面上に負極層３を設けたバイポーラ電極を、ゲル電解質層４を介して複数積層した構造であるバイポーラ電池において、正極層、負極層、電解質層のすべての層にゲル電解質のマトリックス高分子を含むことを特徴とするゲル電解質バイポーラ電池。 - 特許庁

The DC current is either a constant value DC current, or a DC current that swept and/or stepped from a first value toward a second value in a manner whereupon the electric field and, hence, a DC voltage induced across the dielectric layer 4 increases as the DC current approaches the second value.例文帳に追加

直流電流は一定値の直流電流、または直流電流が第２の値に近づくと電界、つまり誘電層４を横切って誘起される直流電圧が増大する形で、第１の値から第２の値へ掃引され、および／またはステップされる直流電流のいずれかである。 - 特許庁

The current control layer 50 is laminated somewhere on the route from the positive electrode current collecting plate 101 to the negative electrode current collecting plate 102, including the positive electrode and negative electrode current collecting plates 101, 102, and electric resistance at a portion where the temperature of the power generation element 30 has risen increases.例文帳に追加

電流制御層５０は、正極および負極集電板１０１，１０２を含む、正極集電板１０１から負極集電板１０２へ至る経路のいずれかの部分に積層され、発電要素３０の温度が上昇した部位の電気抵抗が増大する。 - 特許庁

A first current collecting part 103 of a current collector 102 is composed of a plane part 105 of the current collector 102, a side 105a of the current collector, and an outside electrode layer 92 of a cell unit 16 of the fuel cell, and includes a space 107 in which a conductive adhesive is arranged.例文帳に追加

本発明では、集電体１０２の第１の集電部１０３は、集電体１０２の平面部１０５と、集電体の側面部１０５ａと、燃料電池セルユニット１６の外側電極層９２とで形成され、導電性接着剤が配置される空間部１０７を備えられている。 - 特許庁

When a current is fed to the current support line (33) regardless of a current flowing through the MTJ (37); switching of the MTJ (37) between the first and second states is supported by applying a magnetic field along the hard axis of magnetization in the ferromagnetic layer, and the switching current can be reduced.例文帳に追加

ＭＴＪ（３７）の中を流れる電流とは無関係に支援電流線（３３）に電流を流すと、強磁性層内の磁化困難軸に沿う磁界を与えて、ＭＴＪ（３７）を第１の状態と第２の状態との間に切り換えるのを支援し、切換え電流を減らすことができる。 - 特許庁

Then, the current value of the variable constant current circuit 22 is controlled in accordance with a rotational speed of the optical disk by a control circuit 24 to optimize a time constant of the smoothing circuit 18 by setting a current value of the variable constant current circuit 22 to be larger as the rotational speed of the optical disk becomes layer.例文帳に追加

そして、制御回路２４は、光ディスクの回転速度に応じて可変定電流回路２２の電流値を制御し、光ディスクの回転速度が大きいほど可変定電流回路２２の電流値を大きい値に設定して平滑回路１８の時定数を最適化する。 - 特許庁

To solve a problem that it is very difficult to improve adhesion between a current collector and an active material by diffusing current collector component to the active material, in an electrode for electrochemical element where the active material layer that does not form chemical bond with the current collector is formed on the current collector directly.例文帳に追加

集電体と化学結合を形成しない活物質層が集電体上に直接形成されている電気化学素子用電極においては、集電体成分を活物質に拡散させて集電体と活物質との密着性を向上させることが非常に困難である。 - 特許庁

The surface emitting laser includes an opening serving as a path for injecting current into an active layer and has a current constriction region provided around the opening, wherein the surface emitting laser further includes a current injection region on the opposite side of a light emitting side with the active layer therebetween and a current injection path in the current injection region is smaller in diameter than the opening.例文帳に追加

活性層に電流を注入する経路となる開口部を備え、該開口部の周辺に設けられている電流狭窄領域を有する面発光レーザであって、 前記活性層を挟んで光出射側と反対側に設けられた電流注入領域を備え、 前記電流注入領域における電流注入経路の径が、前記開口部の径よりも小さい径によって構成される。 - 特許庁

A part of the protective film 6 formed on the current diffusion layer 5 is eliminated, a p-side electrode 8 is formed as the outermost layer of an element, and the surface is made a bonding pad.例文帳に追加

電流拡散層５上に設けた保護膜６の一部を取除き、そこにｐ側電極８を素子の最外層として設け、表面をボンディングパッドとする。 - 特許庁

To maintain high current efficiency and to improve the balance of low electric resistance and strength by forming an ion exchange membrane of at least two layers consisting of a layer of a polymer containing a specified recurring unit and a layer of a polymer containing another specified recurring unit.例文帳に追加

高い電流効率を有しつつさらに低い電気抵抗と強度のバランスに優れたイオン交換膜とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film transistor 12 is provided between a power supply line 203 constituting the power source of an electroluminescent layer and a pixel electrode 205 for supplying current to the electroluminescent layer.例文帳に追加

電界発光層の電源となる給電配線２０３と電界発光層に電流を供給するための画素電極２０５との間に薄膜トランジスタ１２を備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element in which a current can be injected uniformly into a light emitting layer (or a light receiving layer) and light emission efficiency (or light receiving efficiency) can be enhanced.例文帳に追加

発光層（又は受光層）に均一に電流を注入することができ、発光効率（又は受光効率）を高くできる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of preventing leakage of a current from an intermediate contact layer through an intermediate contact layer separation groove as much as possible.例文帳に追加

中間コンタクト層分離溝を介して中間コンタクト層から電流が漏洩することを可及的に防止した光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The crystalline semiconductor layer is crystal grown directly from immediately above the gate insulating layer, so that the thin film transistor can have a high crystallization, a high on-current and a high field-effect mobility.例文帳に追加

ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。 - 特許庁

The thickness d_1 of the buffer layer 19 is set ≥10 nm, which is a value allowing oxidizing species remaining in the current narrowing layer 18 to be sufficiently introduced therein.例文帳に追加

バッファ層１９の厚さｄ_1は、１０ｎｍ以上となっており、電流狭窄層１８内に残留する酸化種を十分に取り込めるだけの厚さとなっている。 - 特許庁