「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative active material layer 12 is formed by a gas phase method or the like and alloyed with the negative current collector 11.例文帳に追加

また、負極活物質層１２は気相法などにより形成され負極集電体１１と合金化している。 - 特許庁

A magnetic female-screw magnet layer 5a is disposed inside a magnet 3 rotating by a driving current flowing into a coil 11.例文帳に追加

コイル１１に流れる駆動電流によって回転するマグネット３の内側に磁気雌ねじ磁石層５ａを配置する。 - 特許庁

Then, in the electrode coating layer 2B, a metal oxide is unevenly distributed to the current collector 2A side in the thickness direction thereof.例文帳に追加

そして、電極塗布層２Ｂにおいて、その厚み方向において、集電体２Ａ側に金属酸化物を偏在させる。 - 特許庁

An electric double-layer capacitor for charging regulation or a chopper is used for the charging-current regulating circuit.例文帳に追加

充電電流調整回路としては、充電調整用の電気二重層キャパシタ、又はチョッパー回路が使用される。 - 特許庁

The negative active material layer 12B is formed by a gas phase method and alloyed with a negative current collector 12A.例文帳に追加

また、負極活物質層１２Ｂは気相法などにより形成され負極集電体１２Ａと合金化している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrochemical cell having a current collector which, at least partially, underlies a catalyst layer.例文帳に追加

少なくとも部分的に触媒層の下にある集電体を有する電気化学セルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The plurality of the relay connectors 51 are joined to the current collecting conductor 42 by melting and solidifying of the solder layer 52.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、はんだ層５２の溶融及び固化により集電導体４２に対して接合される。 - 特許庁

To provide a method of inspecting an electric double-layer capacitor cell, which inspects the leakage current in a short time to improve productivity.例文帳に追加

短時間で漏れ電流を検査し生産性を上げるための電気二重層キャパシタセルの検査方法を提供する。 - 特許庁

Transferring current fed toward an image carrier from the shaft 31 is made small before the outer layer with the great resistivity.例文帳に追加

軸３１から像担持体に向かって流れる転写電流が、抵抗率が大きい外側の層の手前で絞り込まれる。 - 特許庁

To provide a lithium battery where a positive electrode layer is less likely to be removed from a positive current collector according to charge discharge of the battery.例文帳に追加

電池の充放電に伴って正極層が正極集電体から剥離し難いリチウム電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting element capable of efficiently forming a current diffusion layer whose conductivity type is n-type.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CPP-GMR sensor comprises a pinning layer 400 and a current channeling layer 401, having large width W+Δ and large surface area M(W+Δ) as same as that of a lower shield/lead layer 30.例文帳に追加

下部シールド／リード層３０と同様に大きな幅Ｗ＋Δおよび大きな表面積Ｍ（Ｗ＋Δ）を有するピンニング層４００および電流チャンネル層４０１を備えるように、ＣＰＰ−ＧＭＲセンサを構成する。 - 特許庁

The power generation element is formed by laminating, via an electrolyte layer 25, a bipolar electrode 21 having: a positive electrode active material layer 23 formed on one surface of a current collector; and a negative electrode active material layer 24 formed on the other surface thereof.例文帳に追加

発電要素は、集電体の一方の面に正極活物質層２３が形成され、他方の面に負極活物質層２４が形成される双極型電極２１が電解質層２５を介して積層される。 - 特許庁

Then, a mask is formed again on the surface except a part where a bonding N-electrode NT is formed, and the current diffusion layer D and the P-type gallium nitride layer P are etched again until the N-type gallium nitride layer N is exposed.例文帳に追加

次いで、ボンディング用のｎ電極ＮＴを形成する部分を除いて再度マスクを形成し、再度ｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出するまで電流拡散層Ｄ、及びｐ型窒化ガリウム層Ｐをエッチングする。 - 特許庁

At least one among the free ferromagnetic layer and the pinned ferromagnetic layer has layer thickness thicker than that giving largest resistance change rate or largest resistance variation when electric current is made to flow in an intraplane direction.例文帳に追加

フリー強磁性層及びピンド強磁性層の少なくとも一方が、面内方向に電流を流した場合に最も大きな抵抗変化率或いは抵抗変化量が得られる層厚よりも厚い層厚を有している。 - 特許庁

The semiconductor laminate 13 includes an n-type drift layer 23, a p-type current block layer 25, and an n-type contact layer 17, and those semiconductor layers 23, 25, and 27 are provided in order on a principal surface 29a of a support base 29.例文帳に追加

半導体積層１３は、ｎ型ドリフト層２３、ｐ型電流ブロック層２５及びｎ型コンタクト層１７を含み、これらの半導体層２３、２５、２７は支持基体２９の主面２９ａ上に順に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein a resistance of a conductive layer in a compound semiconductor layer can be reduced or a leakage current can be restrained between the compound semiconductor layer and an insulating film.例文帳に追加

化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または、化合物半導体層と絶縁膜との間のリーク電流の抑制を行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A bulk current control Accumulation-type transistor can be obtained by controlling the film thickness of the semiconductor layer and the concentration in impurity atoms so that the thickness of a depletion layer may be larger than the film thickness of the semiconductor layer.例文帳に追加

空乏層の厚さが半導体層の膜厚よりも大きくなるように、半導体層の膜厚と不純物原子濃度を制御することによって形成されたバルク電流制御型Accumulation型トランジスタが得られる。 - 特許庁

A flexible printed circuit substrate 1 of a multi-layer structure (a multi-layer FPC) comprises a structure where FPCs 4a, 4d having larger heat generation quantity of a circuit by current flowing are arranged at the outermost layer and superposed each other.例文帳に追加

多層構造のフレキシブルプリント基板（多層ＦＰＣ）１は、各ＦＰＣ４ａ〜４ｄのうち、通電による回路の発熱量が大きいＦＰＣ４ａ及び４ｄを最表層に配置して重ね合わせた構造からなる。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor in which a current collecting resistance is reduced and which has a large capacitance even when the electrode active-substance layer containing more activated carbon is formed, and to provide its manufacturing method and the electric double layer capacitor.例文帳に追加

活性炭をより多く含む電極活物質層を設けても集電抵抗が少なく高容量を有する電気二重層キャパシタ電極及びその製造方法、並びに電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

The inclusion layer 12 is constructed of a compound containing both a metal element contained in the positive electrode layer 13 and a metal element contained in the positive electrode current collector 11 and has the same crystal structure as that of the positive electrode layer 13.例文帳に追加

この介在層12は、正極層13に含有される金属元素と正極集電体11に含有される金属元素の両方を含む化合物で構成され、且つ、正極層13と同じ結晶構造を有する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that an AlxGa1-xN layer which contains both Be and P be subjected to thermal treatment, or a current is injected into the AlxGa1-xN layer, or the AlxGa1-xN layer be irradiated with an electron beam to cause Be to activate.例文帳に追加

更に好ましくは、ＢｅとＰの両方を含む前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮに対して、熱処理を施すか、或いは、電流注入または電子ビーム照射またはその両方の組み合わせにより、Ｂｅを活性化させる。 - 特許庁

A resistance R2 of the lower layer 31 has a relation of R2≥R1×10 with a resistance R1 of the heat generating resistor layer 33 and current hardly flows, and since only the thin heat generating resistor layer 33 generates heat, heating efficiency is excellent.例文帳に追加

下部層３１の抵抗値Ｒ２は発熱抵抗層３３の抵抗値Ｒ１と「Ｒ２≧Ｒ１×１０」の関係にあり電流は殆ど流れず、薄い発熱抵抗層３３のみが発熱するので発熱効率がよい。 - 特許庁

A first reflector 11, an active layer 15, a narrow current layer 16, a second reflector 17, and a p-type contact layer 18 are laminated on a substrate 10 in order to form an element forming area.例文帳に追加

基板１０の上に第１の反射鏡１１、活性層１５、電流狭窄層１６、第２の反射鏡１７及びｐ型コンタクト層１８が順次積層されてなる素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

This converges the current in the vicinity of a center of the chip by the layer 7, the ratio of total refletion of the light from the layer 6 by a photic layer 8 is lowered to effectively take out the light outside.例文帳に追加

こうして、電流阻止層７によって電流をチップの中央付近に集中させて、発光層６からの光の透光層８による全反射の割合を低くし、効率よく光を外部に取り出す。 - 特許庁

That is to say, when switching surge is generated, the surge current can be extracted to a path running from the p-type layer 3a to the body p-type layer 5 side, and can be made to hardly run to a surface channel layer 4 side.例文帳に追加

つまり、スイッチングサージが発生したときに、サージ電流をｐ型層３ａからボディｐ型層５側に流れる経路に引き抜くことが可能となり、表面チャネル層４側に流れ難くなるようにできる。 - 特許庁

In this case, there is a relation of Y>X1 and Y>X2 between aluminum compositions (X1, Y, and X2) included in the p-type first clad layer 104, the current block layer 105, and the p-type second clad layer 106.例文帳に追加

ｐ型の第１のクラッド層１０４、電流ブロック層１０５及びｐ型の第２のクラッド層１０６層におけるアルミニウムの組成（Ｘ１、Ｙ、Ｘ２）の間には、Ｙ＞Ｘ１及びＹ＞Ｘ２の関係がある。 - 特許庁

The variation rate of resistance is improved with the current pinching effect of the oxide insulation layer 31 and the interface scattering effect at the magnetic/non-magnetic interface BD1 of the magnetic intermediate layer 30/lower side non-magnetic intermediate layer 29.例文帳に追加

酸化絶縁層３１の電流狭窄効果と磁性中間層３０／下側非磁性中間層２９との磁性／非磁性界面ＢＤ１での界面散乱効果により抵抗変化率を向上させることができる。 - 特許庁

In the semiconductor laser diode, a current path from a p-type cap layer to a p-type clad layer has a stripe ridge comprising a semiconductor layer of at least three layers each having a different band gap wherein the width at the top of the p-type clad layer is 2.5 μm or less and the differential resistance of an element is 8 Ω or less at the working current.例文帳に追加

ｐ型キャップ層からｐ型クラッド層にかけての電流通路が、バンドギャップが異なる少なくとも３層の半導体層で構成されているストライプ状のリッジを有し、ｐ型クラッド層の頂上の幅が２.５μｍ以下であり、動作電流における素子の微分抵抗値が８Ω以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 特許庁

In an electrochemical element containing at least a first current collector, a first active material layer, a solid electrolyte layer, a second active material layer and a second current collector, the solid electrolyte layer includes lithium phosphate crystals, and full width value the at half maximum of a diffraction signal peak by an X-ray diffraction analysis is 1.7° or less.例文帳に追加

少なくとも第一集電体と、第一活物質層と、固体電解質層と、第二活物質層と、第二集電体とを積層した電気化学素子において、前記固体電解質層はリン酸リチウム結晶体を含み、前記リン酸リチウム結晶体のＸ線回折分析による回折信号ピークの半値全幅値は１．７°以下である。 - 特許庁

In a large-scale integrated circuit, using the SFQ as an information carrier, a line supplying the bias current for activating the circuit, is formed on the upper part of a super conductive ground layer via an insulation layer, and the distance between the bias current supplying line and super conductive ground layer is minimized by means of the thickness of the insulation layer formed thin, within a range which ensures insulation.例文帳に追加

ＳＦＱを情報担体として用いた大規模集積回路において、回路を駆動するバイアス電流が供給される線路を、絶縁層を介して、超伝導グランド層の上部に形成し、その絶縁層の厚さを、絶縁性を確保できる範囲内で薄く構成し、バイアス電流供給線路と超伝導グランド層との距離を微小にする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device comprises: an n-type clad layer of AlGaInP; a luminous layer of undoped AlGaInP formed on the n-type clad layer; a p-type clad layer of Mg-added AlGaInP formed on the luminous layer; and a current diffusion layer of Zn-added p-type GaInP formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 - 特許庁

In the fuel cell, the current collector is fixed to the catalyst layer, so that high efficiency of current collection can be obtained without applying the additional fastening load to the fuel cell.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池によれば、集電体が触媒層に固着していることから、燃料電池に余分な締結荷重を加えなくても良好な集電効率が得られる。 - 特許庁

When the engine starter 2 is started, the wire harness 12 is selected so that the discharge current from the battery 30 is smaller than the discharge current from the electric double layer capacitor 11.例文帳に追加

エンジンスタータ２の始動時には、電池３０からの放電電流が、電気二重層キャパシタ１１からの放電電流に比べて小さくなるようにワイヤーハーネス１２を選択する。 - 特許庁

More specifically, the wiring holder 121, the small-current bus bar 131, the bus bar holder 133 and the large-current bus bar 132 are laid in layer in this order, as viewed from the back surface of the instrument.例文帳に追加

すなわち、計器背面からみて、布線ホルダー１２１、小電流用バスバー１３１、バスバーホルダー１３３、大電流用バスバー１３２がこの順で積層された構造になっている。 - 特許庁

By the plating layer 14, the contact corrosion current flowing through the space between the disk rotor 11 and the hub 12 is made stable over a long period, and moreover, the contact corrosion current is made small.例文帳に追加

メッキ層１４により、ディスクロータ１１及びハブ１２間に流れる接触腐食電流が長期に渡って安定すると共に、その接触腐食電流が小さなものとなる。 - 特許庁

To provide a display device capable of reducing off-state current and light leakage current in a thin film transistor having an LDD layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＬＤＤ層を有する薄膜トランジスタにおけるオフ電流を低減させることと光リーク電流を低減させることが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the density on the electrode current collector side 16b of the electrode active material layer 16 is smaller than the density on the opposite side 16a to the electrode current collector side.例文帳に追加

そして、電極活物質層１６における電極集電体側１６ｂの密度が電極集電体側と反対側１６ａの密度に比べて小さいことを特徴としている。 - 特許庁

Then, the density on the electrode current collector side 16b of the electrode active material layer 16 is larger than the density on the opposite side 16a to the electrode current collector side.例文帳に追加

そして、電極活物質層１６における電極集電体側１６ｂの密度が電極集電体側と反対側１６ａの密度に比べて大きいことを特徴としている。 - 特許庁

By applying electrode slurry to one-side surface 30a of a current collector material 30, an electrode mixture layer 31 is formed on the one-side surface 30a of the current collector material 30.例文帳に追加

集電体材料３０の一方面３０ａに電極スラリーを塗工することにより、集電体材料３０の一方面３０ａに電極合材層３１が形成される。 - 特許庁

Current is applied only on one electrode of the three divide current electrodes in the middle layer.例文帳に追加

片側の電極を、上下３層に分割しさらに中間層の電極を同心に３分割して５分割し、中間層の３分割した電流電極のうちの１個を電流を印加すべく構成した。 - 特許庁

An electrode plate for the battery includes a current collector having a substrate and a plurality of protrusions that are carried on the substrate; and an active material layer that is carried on the current collector.例文帳に追加

本発明の電池用電極板は、基材と前記基材上に担持された複数の突起部とを含む集電体、および前記集電体の上に担持された活物質層を備える。 - 特許庁

To decrease a threshold current and forward voltage and improved reliability in the nitride compound semiconductor light-emitting device where a current blocking layer is provided so as to stabilize the lateral mode.例文帳に追加

横モードを安定させるために電流阻止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、しきい値電流と順方向電圧を低減し、信頼性を向上する。 - 特許庁

To prevent an unnecessary amorphous silicon layer from being deposited at a periphery of a through hole when a current collection structure for collecting a current generated on a photodetection surface on a reverse surface through the through hole is formed.例文帳に追加

受光面で生成された電流をスルーホールを介して裏面で集電する集電構造を形成する際、スルーホール周辺に不要なアモルファスシリコン層が堆積することを防止する。 - 特許庁

Subsequently, the other-side surface 30b of the current collector material 30 is irradiated with laser light, and through-holes 32 are formed on the current collector material 30 without penetrating the electrode mixture layer 31.例文帳に追加

続いて、集電体材料３０の他方面３０ｂにレーザー光が照射され、電極合材層３１を貫くことなく集電体材料３０に貫通孔３２が形成される。 - 特許庁