「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a memory which suppresses current from leaking to a bit line via a diode from a conductive layer during standby.例文帳に追加

スタンバイ時に導電層からダイオードを介してビット線に電流がリークするのを抑制することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having a current and optical confinement structure consisting of an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上にＡｌ酸化層による電流及び光閉じ込め構造を有する半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To enhance the thermal adhesive strength of a conductive adhesive for bonding a polarizable electrode layer and a sheet type current collector together.例文帳に追加

分極性電極層とシート状集電体とを接合するための導電性接着剤の耐熱接着性を高めること。 - 特許庁

The possible images of the dopant profile and current path of its diffusing layer can be obtained directly from the secondary electron images having the potential contrast.例文帳に追加

電位コントラストを持つ２次電子像から直接拡散層のドーパントプロファイルや電流パスの可能像を得ることができる。 - 特許庁

To make an insulating layer between electrodes thin to the utmost while suppressing a current which flows between the electrodes in capacitor structure.例文帳に追加

キャパシタ構造において、電極間を流れる電流を抑制しつつ電極間の絶縁層を極限まで薄層化する。 - 特許庁

To provide a conductor structure for a magnetic memory cell which optimizes the using of a current for switching the data layer of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルのデータ層を切り替えるための電流の使用を最適化する、磁気メモリセルのための導体構造を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a capacitor by which damage caused by a dielectric layer is reduced and a leakage current is small.例文帳に追加

誘電体層のドライエッチングによる損傷が低減され、漏れ電流の少ないキャパシタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To sufficiently suppress a dark current by sharply forming the impurity concentration distribution on a pinning layer in a depth direction.例文帳に追加

ピニング層の不純物濃度分布を深さ方向に急峻に形成して、暗電流を十分に抑制することを可能にする。 - 特許庁

Moreover, when a load current increases, the processor 24 gives an instruction to the processor 70 to discharge the electric charge in the electric double-layer capacitor 46.例文帳に追加

また、プロセッサ２４は、負荷電流が増大すると、電気二重層コンデンサ４６の電荷の放電をプロセッサ７０に指示する。 - 特許庁

A current, flowing through a channel region formed on a surface channel layer 5, is set so as to flow in a [11-20] direction.例文帳に追加

表面チャネル層５に形成されたチャネル領域を流れる電流の方向が［１１−２０］に設定されるようにする。 - 特許庁

The direct current resistance of an electric double-layer capacitor can be obtained simply, quickly and accurately by this constitution.例文帳に追加

このような構成によれば、簡単かつ迅速にしかも正確に電気二重層コンデンサの直流抵抗を求めることができる。 - 特許庁

The positive electrode 12 for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a positive electrode current collector 12a and a positive electrode active material layer 12b.例文帳に追加

非水電解質二次電池用正極１２は、正極集電体１２ａと、正極活物質層１２ｂとを備えている。 - 特許庁

The current flowing through the light emitting layer is adjusted, by detecting the circumferential temperature or the temperature of the light emitting element, and depending on the temperatures.例文帳に追加

環境温度あるいは発光素子の温度を検知し、この温度に応じて発光層に流れる電流を調整する。 - 特許庁

The light emission layer 40 can emit light by current energization, and an electric field is impressed by the anode 20 and cathode 30.例文帳に追加

有機発光層４０は、電流励起によって発光可能であり、陽極２０と陰極３０とにより電界が印加される。 - 特許庁

To suppress an S/N by reducing a dark current that is generated on a silicon surface from flowing into a charge accumulation layer of a photoelectric conversion section.例文帳に追加

シリコン表面で発生する暗電流が光電変換部の電荷蓄積層に流れ込むのを低減し、ＳＮ比を高める。 - 特許庁

Centralization of field in the offset drain layer 9 can be controlled by rounding the angled portion and thereby a leak current can be reduced.例文帳に追加

角部を丸めることで、オフセットドレイン層９での電界集中が抑えられて、リーク電流を小さくすることができる。 - 特許庁

While the fuel cell is generating electric current, this plate compound layer system 1 is exposed to an external environment 60 which contains oxygen molecules.例文帳に追加

この複合層系１は、燃料電池の電流発生中、酸素分子を含有する外部環境６０にさらされる。 - 特許庁

Then, the current diffused layer 5 constituted of AlGaAs is formed so as to be made hard with Vickers hardness of 700 or more.例文帳に追加

そして、ＡｌＧａＡｓからなる電流拡散層５が、ビッカース硬さで７００以上になるように硬く形成されている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which can suppress leakage current which flows toward a gate electrode, in a second nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層においてゲート電極へ流れるリーク電流を抑制する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A noise current caused by electromagnetic waves radiated from outside is attenuated significantly by flowing through the grounded loss layer 12.例文帳に追加

外部から輻射された電磁波に基づくノイズ電流は、接地された損失層１２を流れることにより大きく減衰する。 - 特許庁

The fuse 28, which has the fusing current smaller than that of the fuse 32, is blown by the layer short circuit in the motor 5.例文帳に追加

配線用ヒューズ28は電池用ヒューズ32の溶断電流より小さい溶断電流を有しモータ５のレアショートで溶断する。 - 特許庁

The multilayer electric probe may further include at least a third strip layer, having the capability of enduring current and the desired mechanical strength.例文帳に追加

多層電気プローブは少なくとも、耐電流能力および所望の機械強度を有する第３ストリップ層をさらに含んでよい。 - 特許庁

Frame Relay makes use of the same basic data link layer framing and Frame Check Sequence so current X.25 hardware still works. 例文帳に追加

フレームリレーは同じ基本データリンク層のフレーム指示,およびフレーム検査順序列を使うので,現行のX.25ハードウェアはまだ動作する． - コンピューター用語辞典

The uppermost part of the drift part 13 (current constriction part 13 bn) is on the same plane as that of the p layer (p-GaN) 22.例文帳に追加

ドリフト部１３（電流狭窄部１３ｂｎ）の最上部と、ｐ層（ｐ−ＧａＮ）２２の最上部は同一平面となっている。 - 特許庁

The free magnetizing layers 103 and 104 are magnetized in a loop state by a magnetic field generated by a current flowing in the intermediate layer.例文帳に追加

中間層を流れる電流によって生じる磁界によって、自由磁化層１０３および１０４は、ループ状に磁化される。 - 特許庁

The charging/discharging device includes an electric double layer capacitor 2 for storing electrical energy, and a voltage current controller 3 in the same case 1.例文帳に追加

電気エネルギを蓄える電気二重層コンデンサ部２と、電圧電流制御器３とを、同一ケース１に内蔵している。 - 特許庁

The AuBe contact electrode 214 of the peripheral rim electrode 215 is directly contacted with the p-AlGaAs current diffusion layer 210, however, the central electrode 220 is electrically connected to the p-AlGaAs current diffusion layer 210 through a p-GaAs contact layer 222 comprising a high concentration of p-type impurities.例文帳に追加

周縁電極部２１５のＡｕＢｅコンタクト電極２１４は直接ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と接触するが、中心電極部２２０は高濃度のｐ型不純物を含むｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と電気的に接合される。 - 特許庁

The semiconductor laminated layers 10 have a current block layer 23 having an opening exposing the upper surface of the semiconductor laminated layers 10 and a protection layer 24 composed of a group III-V nitride compound continuously covering at least a part of the current block layer 23 along the opening formed thereon.例文帳に追加

半導体層積層体１０の上には、半導体層積層体１０の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層２３と、電流ブロック層２３の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−Ｖ族窒化物系化合物からなる保護層２４とが形成されている。 - 特許庁

A current collector made of a porous metal is arranged at a position adjoining the fuel electrode layer, and a reforming catalyst made of the same material as the fuel electrode layer is carried by the current collector, and reforming reaction is performed by the above reforming catalyst before the fuel gas reaches the fuel electrode layer.例文帳に追加

燃料極層と隣接する位置に、多孔質金属からなる集電体を配置するとともに、この集電体に、燃料極層と同じ材料からなる改質触媒を担持させ、燃料ガスが燃料極層に達する前に上記改質触媒により改質反応を行わせるように構成した。 - 特許庁

The lithium secondary battery is composed of a cathode current collector 4 and a cathode activator layer 5, an anode formed on an anode current collector 1 including an anode activator layer 2, made of amorphous silicon, nonaqueous electrolyte 9, and a lithium carbonate film 10 formed on the surface of the anode activator layer 2.例文帳に追加

このリチウム二次電池は、正極集電体４および正極活物質層５と、負極集電体１上に形成され、非晶質シリコンからなる負極活物質層２を含む負極と、非水電解質９と、負極活物質層２の表面上に形成された炭酸リチウム被膜１０とを備えている。 - 特許庁

To provide a paste for forming a conductive protective layer of a current collector laminate which can protect the collector against corrosion without damaging the battery characteristics even in high voltage specification, and to provide a current collector laminate having the conductive protective layer, an electrode laminate, and a nonaqueous secondary battery such as a lithium secondary battery or an electric double layer capacitor.例文帳に追加

高電圧仕様においても電池特性を損なわずに腐食から集電体を保護できる集電積層体の導電性保護層形成用ペースト、該導電性保護層を有する集電積層体、電極積層体、およびリチウム二次電池や電気二重層キャパシタなどの非水二次電池を提供する。 - 特許庁

The display control device shifts a first display state after a predetermined operation to a second display state before the predetermined operation, based on a first state transition signal after the predetermined operation, and shifts a first screen belonging to a current layer to a second screen belonging to a layer higher than the current layer based on a second state transition signal.例文帳に追加

表示制御装置は、所定操作後の第１状態遷移信号に基づき前記所定操作後の第１表示状態を前記所定操作前の第２表示状態へ遷移し、第２状態遷移信号に基づきカレント階層に属する第１画面を、前記カレント階層の上位階層の第２画面へ遷移する。 - 特許庁

The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加

第一磁気抵抗効果素子MTJ１の磁気フリー層１１−１は、第一磁気抵抗効果素子MTJ１に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ２の磁気フリー層１１−２と磁気ピンド層１２−２との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁

Therefore, the distance of the thickness direction of the magnetization free layer 25 and a first current line 60 can be uniform and precise over the whole based on the thickness of the cap layer 30.例文帳に追加

このため、磁化自由層２５と第１電流線４１との厚み方向の距離を、キャップ層３０の厚みに基づき、全体に亘って均一かつ正確なものとすることができる。 - 特許庁

The negative-electrode current collector 22a expands and contracts as the layer 22b of negative- electrode active material swells and contracts during charge and discharge, preventing separation of the layer 22b.例文帳に追加

これにより、充放電に伴う負極活物質層２２ｂの膨張収縮に対応して負極集電体２２ａが伸縮し、負極活物質層２２ｂの剥離が防止される。 - 特許庁

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

A PTC layer 22 physically brought into contact with at least one conductive layer 23 is held between two sheets of electrode foil 21 to form the over-current protection element.例文帳に追加

少なくとも一方が、少なくとも一つの導電層２３と物理的に接触しているＰＴＣ層２２を二つの電極箔２１の間に挟んで、過電流保護素子を形成する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor which can restrain a leakage current in a SiGe alloy base layer, while increasing the Ge concentration of the SiGe alloy base layer, and which is superior in high-frequency characteristics.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金ベース層のＧｅ濃度を上げつつ、リーク電流を抑制可能とし、高周波特性に優れたＳｉＧｅ合金ベース層のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

Moreover, when a coil conductor layer for making the pulse current flow therethrough is formed between the insulator substrate 12 and the magnet layer 14, a thin film magnetic device becomes possible to be reduced in size and thinned.例文帳に追加

また、前記パルス電流を流すためのコイル導体層を、前記絶縁体基板１２と磁石層１４の間に形成すれば、薄膜磁気デバイスの小型化・薄型化が可能となる。 - 特許庁

The concentration of the radical compound on the electrode surface side in the positive electrode active material layer 10 is different from the concentration of the radical compound on the current collector side in the positive electrode active material layer 10.例文帳に追加

正極活物質層１０における電極表面側のラジカル化合物の濃度は、正極活物質層１０における集電体側のラジカル化合物の濃度と異なる。 - 特許庁

For example, a circuit part 39 for heat generation is connected to an upper electrode layer 34 and a current is applied to the upper electrode layer 34, resulting in heat generation using Joule heat.例文帳に追加

例えば、上部電極層３４に発熱用の回路部３９を接続し、上部電極層３４に電流を流すことで、ジュール熱により発熱させることが可能である。 - 特許庁

Therefore, the narrowed part serving passage of the current associated with the depletion on the upper part of the contact layer by negative charge attributed to the interface state between the contact layer and the insulating film can be prevented.例文帳に追加

よって、コンタクト層と絶縁膜との界面準位に起因する負電荷によるコンタクト層上部の空乏化に伴う電流の通り道となる部分の狭窄を防ぐことができる。 - 特許庁

An upper shield layer 18 and a lower shield layer 13 which are used as electrode layers which cause a sense current to flow to a magneto- resistance effect element 16 are arranged approximately in parallel so that they may face each other.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１６にセンス電流を流す電極層を兼ねる上部シールド層１８と下部シールド層１３とは、略平行に、かつ、互いに対向して配置されている。 - 特許庁

To suppress the generation of a leakage current in a contact portion with an impurity dispersion layer in a semiconductor device having the connecting structure of an impurity containing semiconductor layer and a conductive film.例文帳に追加

不純物含有半導体層と導電膜との接続構造を有する半導体装置に関し、不純物拡散層とのコンタクト部分でリーク電流の発生を抑制すること。 - 特許庁

A first dependence relationship of a deposition rate of the layer on an operating parameter, selected from cathode voltage, cathode current, and cathode power, is provided prior to deposition of the layer.例文帳に追加

層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。 - 特許庁