「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

A light emitting diode is provided with: a p-type GaP substrate 12; a p-type GaP contact layer 13 stacked on this p-type GaP substrate 12; a p-type AlInP second clad layer 14; a p-type AlGaInP active layer 15; an n-type AlInP first clad layer 16; and an n-type AlGaAs current diffusion layer 17.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｐ型ＧａＰ基板１２と、このｐ型ＧａＰ基板１２上に積層されたｐ型ＧａＰコンタクト層１３、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１７とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁

A magnetoresistive element comprises a magnetic recording layer 13 that records information as a magnetization direction changes upon supplying a bidirectional current vertical to a film surface, a magnetic reference layer 11 that has a fixed magnetization direction, and a nonmagnetic layer 12 that is provided between the magnetic recording layer 13 and the magnetic reference layer 11.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層１３と、磁化の方向が固着された磁化参照層１１と、磁化記録層１３および磁化参照層１１間に設けられた非磁性層１２とを具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetector for which a surface current flowing to the boundary with a passivation film of the side wall of a depletion layer is reduced and long-term reliability is improved by making the outer periphery of the layer of the second conductivity and the layer of the first conductivity holding the depletion layer of the semiconductor photodetector there between narrower than the depletion layer.例文帳に追加

半導体受光素子の空乏層を挟む第二の導電型の層および第一の導電型の層を空乏層より外周を狭めることにより、空乏層の側壁のパッシベーション膜との界面に流れる表面電流を減らし、長期信頼性を改善した半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

Whereas no current flows in non-reception of light regardless of the presence of the conductive layer because the photoresponsive layer exhibits the insulation property, a large photocurrent flows in receiving light since the photoresponsive layer takes on conductivity by a photoelectric effect, and not only the photoresponsive layer but also the conductive layer become a conductive path.例文帳に追加

非受光時には光応答層が絶縁性を呈するので導電性層の存在に関わらず電流は流れないが、受光時には光応答層が光電効果によって導電性を帯び、かつ光応答層のみならず導電性層も導通経路となることで、大きな光電流が流れる。 - 特許庁

In order to achieve the purpose, the laser device is constructed to form a current constrictive layer by injecting ions into a p-type layer in the laser device of end surface emitting type comprising the nitride semiconductor having a structure where an active layer is sandwiched between a n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層に、イオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成とする。 - 特許庁

To solve a problem wherein, when an electric characteristic of an SOI wafer is evaluated by a pseudo-MOSFET, and a gate voltage is applied through a BOX layer, a current flows on a surface of an SOI layer in the case where a depletion layer does not reach the surface of the SOI layer, and an SOI/BOX layer interface can not be evaluated.例文帳に追加

Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによってＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際、ＢＯＸ層を通じてゲート電圧を印加した際、空乏領域がＳＯＩ層表面にまで届いていない場合、ＳＯＩ層表面で電流が流れてしまい、ＳＯＩ／ＢＯＸ層界面の評価が不可能になってしまう。 - 特許庁

This magnetic recording element comprises a magnetic recording layer where magnetization varies depending on the direction of current passing a film and the magnetization easy axis becomes perpendicular to the film surface, a magnetism fixing layer where magnetization is fixed in a direction perpendicular to the film surface and a non-magnetic barrier layer between the magnetic recording layer and magnetism fixing layer.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気記録素子は、膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、磁気記録層と磁気固着層との間の非磁性バリア層とを備える。 - 特許庁

The electrode includes a plurality of electrode elements 320 each including a current collector 300 divided into a plurality of pieces and an active material layer 340 formed on each of the divided current collectors; and a conductive element 330 connecting the current collectors of the electrode element 320.例文帳に追加

複数に分割された集電体３００と分割された集電体上にそれぞれ形成された活物質層３４０とを含む複数の電極要素３２０と、電極要素の集電体を連結する導電要素３３０と、を有する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an internal short circuit caused by sharp corners of coating starting and finishing ends of an active material layer coated on a current collector, an end of the current collector, or an end of a current collecting lead passing through a separator.例文帳に追加

集電体上に塗布された活物質層の始終端部や切断端部、集電体の端部、集電リードの端部等の角張った部分がセパレータを貫通することによって生じる内部短絡の発生を抑制することにある。 - 特許庁

A current reference output circuit 17 outputs a reference signal for an inflow current or outflow current of an electric double layer capacitor 10, based on the deviation between a voltage reference signal VdcRef and a voltage detection signal Vdc of a smoothing capacitor 5.例文帳に追加

平滑コンデンサ５についての電圧基準信号ＶdcRefと電圧検出信号Ｖdcとの偏差に基づき、電流基準出力回路１７は電気２重層コンデンサ１０の流入電流又は流出電流についての基準信号を出力する。 - 特許庁

The current constriction diameter is changed according to the capacity of a potential impressed on the control electrode 18 and the passing amount of the drive current I0, poured into the activity layer 14, is changed according to the current constriction diameter whereby an optical output mode is changed.例文帳に追加

制御電極１８に印加される電位の大きさに応じて電流狭窄径が変化し、この電流狭窄径に応じて活性層１４に注入される駆動電流Ｉ０の通過量が変化し、光出力モードが変化する。 - 特許庁

Since the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer, a leakage current is suppressed.例文帳に追加

基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which is provided with a current blocking layer, consisting of a dielectric such as a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜などの誘電体からなる電流ブロック層を備え、信頼性が高い半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

The anode 3 has a current collector 31 composed mainly of a metal, and an anode active material layer 35 disposed thereon.例文帳に追加

負極３は、金属を主成分とする集電体３１と、この上に配置された負極活物質層３５とを有する。 - 特許庁

As a matter of course, it can be suppressed that noise generated from a resistance layer 14 is induced to the output terminal for current detection.例文帳に追加

勿論、抵抗層１４から発生させられたノイズが電流検出用の出力端子に誘起されることも抑制できる。 - 特許庁

Therefore, no ESD current flows to the surface layer S23 with reduced surge resistance due to a surface defect.例文帳に追加

よって、表面欠陥の影響によってサージ耐量が低くなっている表層部Ｓ２３には、ＥＳＤ電流が流れ込まない。 - 特許庁

The information recording medium has a recording layer generating phase change by irradiation with a laser beam or application of a current.例文帳に追加

本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層を有する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode array which can improve light emission output by raising current density passing through an active layer.例文帳に追加

活性層を通過する電流密度を大にして発光出力を大にすることのできる発光ダイオードアレイを提供する。 - 特許庁

However, as compared with the peripheral TFT having the channel layer composed of polycrystal silicon, only the small on current can be made to flow.例文帳に追加

しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺ＴＦＴと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。 - 特許庁

The wiring board is fitted with conductors 30a and 30b for current supply which electrically connect the power circuit and power supply layer.例文帳に追加

配線基板には、電源回路部と電源層とを電気的に導通させる電流供給用導体30a,30bが取り付けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser whose laser characteristic is improved by raising current injection efficiency to an active layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層への電流注入効率を高めてレーザ特性を改善した半導体レーザとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element in which a current injection efficiency in an active layer and a light emitting efficiency are high.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層への電流注入効率、および、発光効率が高い半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To charge the automatic transport vehicle surely and fully within the stop time thereof while controlling the leakage current of an electric double-layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層キャパシタの漏れ電流を抑制しながら、自動搬送車の停止時間内に確実に満充電にする。 - 特許庁

The negative electrode layer 10 has negative electrode activator layers 9, 9 arranged on both main surface sides of a negative electrode current collector 8.例文帳に追加

負極層１０は、負極集電体８の両主面側にそれぞれ負極活物質層９，９が設けられている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element that can reduce a current leak path and also reduce ON resistance of a drift layer.例文帳に追加

電流リークパスを低減可能であると共に、ドリフト層におけるオン抵抗を低減可能な窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To prevent the lowering of the maximum drain current in MIS-HEMT wherein a gate recess portion is formed penetrating through a 2DEG (two-dimensional electron gas) layer.例文帳に追加

ゲートリセス部が2DEG（２次元電子ガス)層を貫通して形成されたMIS-HEMTにおいて、最大ドレイン電流の低下を防止する。 - 特許庁

The current injection region 19B is formed, in a region other than the central region in the lateral mode adjusting layer 19.例文帳に追加

横モード調整層１９のうち中央領域以外の領域に電流注入領域１９Ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a compact and inexpensive engine starting method charging an electric double layer capacitor without using a constant-current power supply.例文帳に追加

定電流電源を使用することなく電気二重層コンデンサを充電し、小型かつ廉価なエンジンの始動方法を提供する。 - 特許庁

An insulating layer 4 comprising a polymer film is formed in the other part of each of the upper part and the lower part of the positive current collector 1a.例文帳に追加

正極集電体１ａの上面，下面の各他部に、高分子フィルムからなる絶縁層４が形成されている。 - 特許庁

A conductor layer 5, where the current of the semiconductor device 4 flows, is formed on the insulating film 20 on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体素子４の電流が流れる導体層５を半導体基体の表面上の絶縁膜２０上に設ける。 - 特許庁

When the light screening layer functions as a back gate, back gate voltage dependency of an off-leak current varies in accordance with Si film thickness.例文帳に追加

遮光層がバックゲートとして機能する場合に、オフリーク電流のバックゲート電圧依存性はＳｉ膜厚によって変動する。 - 特許庁

Thus, as the current direction of flow in the terminal plate forms a symmetrical structure, the inductance of an electric double-layer capacitor can be decreased.例文帳に追加

これにより、端子板を流れる電流の向きが対称構造となるため、電気二重層キャパシタのインダクタンスを低減できる。 - 特許庁

The n^+-diffusion layer 14 is connected to the n-type well 12 regarding the diode 17, and a current is controlled by the diode 17.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層１４は、ダイオード１７に係るＮ型ウェル１２と接続され、ダイオード１７によって電流が制御される。 - 特許庁

To provide a storage element capable of recording information by inverting a magnetization direction of a storage layer with a little current quantity.例文帳に追加

少ない電流量で記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うことができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

The path of a current flowing to an active layer 21 via the end of the gate electrode 32 is lengthened in the widened piece 32b of the gate electrode 32.例文帳に追加

ゲート電極32の端部を介して活性層21に流れる電流の経路がゲート電極32の拡幅片部32bにて長くなる。 - 特許庁

To reduce an optical leakage electric current of a TFT by effectively interrupting light going toward an active layer of the thin film transistor (TFT).例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層へ向かう光を効果的に遮断して、ＴＦＴの光リーク電流を低減させる。 - 特許庁

A resistance heat generating layer 31a generating heat by the flow of a current is provided at the inner circumferential surface of a fixing belt 31.例文帳に追加

定着ベルト３１の内周面に、電流が流れることによって発熱する抵抗発熱層３１ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor element which is capable of sufficiently restricting the transmissions of a defect from a current constriction layer.例文帳に追加

電流狭窄層からの欠陥の転移を十分に抑制することができる面発光型半導体素子を提供すること。 - 特許庁

Further, since a light-emitting layer is formed thick at a third organic EL element 50, deterioration of luminance at a second half of current conduction can be restrained.例文帳に追加

また、第３の有機ＥＬ素子５０では、発光層を厚く形成するため、通電後期の輝度劣化を抑制できる。 - 特許庁

When microwaves are radiated to the material 10, eddy current occurs on the conductive substance layer 30 to generate heat.例文帳に追加

飲食品調理用素材１０にマイクロ波が照射されると、導電性物質層３０に渦電流が発生して発熱する。 - 特許庁

(A) The current value of the surface of the roll obtained before the surface layer 4 is formed when applying -100V is within 300 to 10,000μA.例文帳に追加

（Ａ）−１００Ｖ印加時の、上記表層４形成前のロール表面の電流値が、３００〜１００００μＡの範囲内。 - 特許庁

Fusion and shatter of electrode materials due to dielectric breakdown current are prevented by forming a dielectric breakdown protection layer on an electrode.例文帳に追加

電極上に絶縁破壊保護層を形成して絶縁破壊電流による電極材料の溶融、飛散を防止する。 - 特許庁

The current in the thyristor flows a path: a n+ type floating emitter layer 24-channel region-n+ type cathode layers 28, 30, and 32.例文帳に追加

サイリスタを流れた電流は、ｎ^+型フローティングエミッタ層２４−チャネル領域−ｎ^+型カソード層２８、３０、３２の経路を流れる。 - 特許庁

To provide a shield connector capable of preventing a current leakage between an exposed core wire and a shield layer of a shielded wire and making the size small.例文帳に追加

シールド電線の露出された芯線とシールド層との間のリークを防ぎかつ小型化可能なシールドコネクタを提供する。 - 特許庁