「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

By this, adhesion strength of the negative electrode active material layer 102 against the negative electrode current collector 101 is improved, and the negative electrode active material layer 102 physically becomes firm.例文帳に追加

これにより、負極集電体１０１に対する負極活物質層１０２の密着力が向上すると共に、負極活物質層１０２が物理的に強固なものとなる。 - 特許庁

To provide an embedded ridge type semiconductor laser in which the crystalline deterioration of a third upper clad layer is prevented when a current block layer contains Al, an operating voltage is low and an efficiency is high.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含む場合における、第３上部クラッド層の結晶性劣化を防止し、動作電圧が低く高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Especially, when the thickness of the carrier stop layer is not larger than 5nm and the p-type dopant concentration of the carrier stop layer is not less than 1.0×10^18cm^-3, the leakage current is reduced remarkably.例文帳に追加

特に、キャリアストップ層の厚みが５ｎｍ以下であり、かつキャリアストップ層のｐ型ドーパント濃度が１．０×１０^１８ｃｍ^−３以上だと、リーク電流が大きく低減される。 - 特許庁

It is made possible to control a resistance value of the memory layer 9 by a thermal energy generated by a particular pulse voltage or a particular pulse current impressed to the particular heater layer 7.例文帳に追加

そして、メモリ層９の抵抗値を、独自ヒータ層７に対して印加される独自のパルス電圧又はパルス電流により発生する熱エネルギーにより制御するようにする。 - 特許庁

This negative electrode 1 for a nonaqueous electrolyte secondary battery is characterized by comprising an active material layer 5 and a metal lithium layer 3 between a pair of surface layers 4 for current collection.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池用負極１は、一対の集電用表面層４間に活物質層５及び金属リチウム層３を有することを特徴とする。 - 特許庁

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction.例文帳に追加

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。 - 特許庁

The selected oxidized layer has a thickness of 28 nm, the thickest portion is ≤110 nm in the oxidized layer 108a, and the temperature at which a threshold current becomes the minimum is about 17°C.例文帳に追加

そして、被選択酸化層の厚さは２８ｎｍであり、酸化層１０８ａにおける最も厚い部分の厚さは１１０ｎｍ以下であり、閾値電流が最小となる温度は約１７℃である。 - 特許庁

To inexpensively produce a two-layer CCL and a two-layer flexible printed board excellent in processability, flexibility, resistance to HAI (high-current arc ignition) and hygroscopic characteristics and resins and insulator films used therefor.例文帳に追加

加工性、可とう性、耐ＨＡＩ（大電流アークイグニッション）性、吸湿特性に優れる二層ＣＣＬ、二層フレキシブルプリント基板、及び、それに用いる樹脂、絶縁フィルムを安価に製造する。 - 特許庁

Consequently, a leakage current is first prevented from flowing in the dielectric layer 5 because the orientation state of the dielectric layer 5 is controlled such that a c axis is aligned perpendicularly to the film surface.例文帳に追加

ｃ軸が膜面に対して垂直に配向するように誘電体層５の配向状態が制御されるため、第１に、誘電体層５においてリーク電流が発生しにくくなる。 - 特許庁

Besides, just before the waveguide is embedded by a current block layer 11, an active layer 4 is removed by etching so that the end face injection type semiconductor laser with window structure can be prepared.例文帳に追加

また、導波路を電流ブロック層１１で埋め込む直前に、活性層４をエッチングにより除去する事で、窓構造付で端面非注入な半導体レーザが簡便に作成できる。 - 特許庁

To realize high withstand voltage, and to prevent the increase of leak current and deterioration of withstand voltage in a semiconductor device having adjacent drift layer of low concentration and high concentration layer.例文帳に追加

隣接する低濃度のドリフト層及び高濃度層を有する半導体装置において、高耐圧化を図るとともにリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。 - 特許庁

The current constrictor 11 is provided in the fifth semiconductor layer 9, and has a flat surface parallel to a surface of the fifth semiconductor layer 9 and a space 11A provided in the flat surface.例文帳に追加

電流狭窄体１１は、第５の半導体層内９に設けられ、第５の半導体層９の表面と平行な平面とその平面内に設けられた隙間１１Ａを有する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate, a p-type impurity diffusion embedded layer 16 is extendedly provided from the layers 15 to the lower part of the region 6 and the layer 16 becomes one part of the breaking current paths.例文帳に追加

半導体基板においてｐ^+不純物拡散埋込層１５からｐ^+ボディ領域６の下方までｐ不純物拡散埋込層１６が延設され、ブレーク電流経路の一部となる。 - 特許庁

Thus, basic absorption in the MQW wavelength control layer 16 can be reduced and the refraction factor change can be enlarged in the MQW wavelength control layer 16 caused by the current injection.例文帳に追加

これにより、ＭＱＷ波長制御層１６の基礎吸収が小さく、電流注入によるＭＱＷ波長制御層１６の屈折率変化を大きくすることができる。 - 特許庁

Further, the current blocking layers 8 do not grow farther from the side of the clad layer 6 and there is nothing to stop the growth of the clad layer 6.例文帳に追加

またクラッド層６の側壁部分からは電流ブロック層８が成長しないので成長を阻害する要因がなくなり、従って従来より厚く成長させることができる。 - 特許庁

Subsequently, by bit line current from a write drive circuit, a polarized spin electron in the same direction as the polarized spin of the fixed layer is injected into the free layer, and the writing is executed solely for data "1".例文帳に追加

次いで、書込ドライブ回路からのビット線電流により、固定層の偏極スピンと同一方向の偏極スピン電子を自由層に注入し、データ“１”のみの書込を実行する。 - 特許庁

To provide a wiring board in which a return current route can be ensured even when a slit or an opening is formed in a power-supply layer of a grounding layer and in which unwanted electromagnetic waves can be reduced thoroughly.例文帳に追加

本発明は、電源層やグランド層にスリットや開口が形成されていてもリターン電流経路を確保できて不要な電磁波を根本的に減少させることができる。 - 特許庁

An insulating tape is stuck from a positive active material layer forming part on the winding inner peripheral side to a positive current collector so that an insulating tape end part covers the positive active material layer forming end part.例文帳に追加

巻回内周側の正極活物質層形成部から正極集電体にかけて、絶縁テープ端部が正極活物質層形成端部に被るように貼着する。 - 特許庁

Further, the magnetic material layer 4 is a layer which reduces reradiation of a scattered electromagnetic wave by attenuating a high-frequency magnetic field induced with the high-frequency current owing to magnetic loss.例文帳に追加

また、磁性材層４は、前記高周波電流によって誘起される高周波磁界を磁性損失によって減衰させ、散乱電磁波の再放射を減少させる層である。 - 特許庁

To relieve stress generated under an influence of an electron barrier layer, to lower a threshold current without affecting a light distribution by the electron barrier layer, and to suppress a decrease in reliability.例文帳に追加

電子バリア層の影響で発生した応力を緩和し、電子バリア層により光分布に影響を与えず、しきい電流を低下させ、かつ信頼性の低下を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, the improvement of g_m and the reduction of the gate leakage current can be achieved by inserting an insulating film 18, with a dielectric constant higher than the barrier layer, between the gate electrode 16 and the barrier layer 13.例文帳に追加

さらにゲート電極16と障壁層13との間に、障壁層よりも高い誘電率を持つ絶縁膜18を挿入してg_mの向上とゲートリーク電流の低減が実現される。 - 特許庁

Due to this structure, when electrons are excited by light in the carrier confinement layers C1-C3, the quantum wave interference layers are propagated by waves from an (n) layer to a (p) layer, to allow a photoelectric current to flow at high speeds.例文帳に追加

この構造によりキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3に電子が光励起されるとｎ層からｐ層へ量子波干渉層を波動で伝搬し、光電流が高速に流れる。 - 特許庁

Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加

アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁

Near the surface of the contact layer 18, similarly, the n-type carrier increases and the conductivity of the layer 18 changes to i- or n-type, resulting in the formation of a current constricting region 18a.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層１８の表面近傍においても同様にｎ型キャリアが増加し、伝導型がｉ型またはｎ型に変化して電流狭窄領域１８ａが形成される。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

An npn-structure is formed of three vertical layers including the substrate 11, the current inhibition layer 12, and the contact layer 13, to have the substrate 11 electrically separated from a laser structure thereon.例文帳に追加

基板１１，電流阻止層１２およびｎ側コンタクト層１３の上下３層でｎｐｎ構造が形成され、基板１１とその上のレーザ構造とが電気的に分離される。 - 特許庁

The relation between the density of a current injected into the active layer and the gain coefficients of the active layer, at least, in the two different transition wavelength regions of the quantum structure is graphed.例文帳に追加

活性層に注入される電流密度と、活性層の利得係数との関係を、量子構造の、少なくとも２つの異なる遷移波長域の利得係数についてグラフ化する。 - 特許庁

Then, an anode terminal 18 and a cathode terminal 19 for deriving an photoelectric conversion current therefrom are formed respectively on the adjustment back-face electrode layer 12 and the transparent electrode layer 16.例文帳に追加

そして調整背面電極層１２と透明電極層１６とに、それぞれ光電変換電流を取り出すための陽極端子１８、陰極端子１９を形成する。 - 特許庁

A tunnel oxide film 3, a charge accumulation layer 4, a current cutoff layer 5 are laminatedly formed on the first main face (surface) of the semiconductor substrate between the STIs (shallow trench isolation) 2.例文帳に追加

ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２の間の半導体基板の第１主面（表面）上にトンネル酸化膜３、電荷蓄積層４、及び電流遮断層５が積層形成される。 - 特許庁

The air battery is provided with an air electrode composed of a catalyst layer, a current collector and a water repellant membrane, and a surface contact angle to water of the catalyst layer is 90° or more.例文帳に追加

触媒層、集電体、および撥水膜により構成された空気極を備える空気電池であって、前記触媒層の水に対する表面接触角が９０°以上である。 - 特許庁

Consequently, the crystallinity of the subcollector layer 41 is made good, and a current amplification factor β can be suppressed from being largely changed by the carrier concentration of the subcollector layer 41.例文帳に追加

これによりサブコレクタ層４１の結晶性を良好なものとし、サブコレクタ層４１のキャリア濃度によって電流増幅率βが大きく変化するのを抑えることができる。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板１上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

Since a shot key barrier SB formed between the electrode 16 and the bulk dielectric layer 12 is heightened by the intermediate dielectric layer 14, leak current is remarkably reduced.例文帳に追加

中間誘電体層１４によって、電極１６とバルク誘電体層１２との間に形成されるショットキーバリアＳＢが高くなるため、リーク電流が著しく低減されるようになる。 - 特許庁

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００の製造に際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。 - 特許庁

As the transistor having a low leakage current in an OFF state, a transistor including an oxide semiconductor layer and having a channel forming region in the oxide semiconductor layer is used.例文帳に追加

また、オフ状態でのリーク電流が低いトランジスタとしては、酸化物半導体層を有し、且つ酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることである。 - 特許庁

Generally, an inflow of electrons to an organic polymer layer happens at the time later than the time when a hole current occurs within the organic polymer layer after applying potential to a memory device.例文帳に追加

概して、有機高分子層への電子の流入は、メモリ素子に電位を適用してから有機高分子層内で正孔電流が発生する時点よりも遅い時点で起こる。 - 特許庁

A cavity 130 is provided adjacent to and nearly parallel with the ridge stripe-shaped third clad layer 109 in the first current block layer 112.例文帳に追加

第１電流ブロック層１１２内に、上記リッジストライプ形状の第３クラッド層１０９近傍に、かつ、上記第３クラッド層１０９に略平行に、空洞部１３０が設けられている。 - 特許庁

An n-type current blocking layer 8 is arranged in a stripe-shaped part whose longitudinal direction is in parallel with the light outgoing direction whose partial area is excluded inside the p-type waveguide layer 7.例文帳に追加

ｐ型導波層７内部には、長手方向が光出射方向と平行になるようなストライプ状の一部領域を除いた部分に、ｎ型電流ブロッキング層８が配置されている。 - 特許庁

To provide a hetero joint bi-polar transistor whose current gain βcan be prevented from being deteriorating even at the time of using material similar to InGaP or InGaP as an emitter layer or an etching stop layer.例文帳に追加

エミッタ層やエッチングストッパ層としてＩｎＧａＰやＩｎＧａＰに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The display apparatus is equipped with a thin film transistor 12 between a power supply line 203 as a power supply for an electroluminescence layer and a pixel electrode 205 to supply a current to the electroluminescence layer.例文帳に追加

電界発光層の電源となる給電配線２０３と電界発光層に電流を供給するための画素電極２０５との間に薄膜トランジスタ１２を備える。 - 特許庁

An n-GaAs current block layer is formed in the areas on the side face of a ridge and the upper surface of the ridge above a window area on the first clad layer of p-AlGaInP.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層上、リッジ部の側面および窓領域の上方におけるリッジ部の上面の領域にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層が形成される。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層またはｎ型ＩｎＰコンタクト層と、ｎ型ＩｎＰブロック層との間でｎ−ｎ接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain a semiconductor laser device in which a peeling at interface between a current block layer and a clad layer, and a loss of the clad layer hardly occur and a stable element characteristic can be obtained when cleaving a ridge-like regrowth type semiconductor laser.例文帳に追加

リッジ再成長型半導体レーザを劈開する際に電流ブロック層とクラッド層との界面との剥離及びクラッド層の欠損が生じにくく、安定な素子特性が得られる半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Density of dopant which determines a type of electric conduction of the ground semiconductor layer 107 is chosen 1×10^17 cm^-3 or less in order to stop current at an interface between the ground semiconductor layer 107 and the electrode layer 111.例文帳に追加

下地半導体層１０７の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、下地半導体層１０７と電極層１１１との界面で電流が阻止されるように１×１０^17ｃｍ^-3以下に設定されている。 - 特許庁