「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The active layer comprises a main active region aligned with the current-confining aperture and an auxiliary active region surrounding the main active region.例文帳に追加

活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。 - 特許庁

Since the starting point is very long and slender, a plurality of V grooves 17 in the proper stripe shapes can be formed on the current diffusion layer 7.例文帳に追加

起点が非常に細長いため、電流拡散層７に良好なストライプ状の複数のＶ溝１７を形成することができる。 - 特許庁

According to the present invention, gettering of oxygen on the nitride semiconductor layer 11 can be carried out and current collapse can be suppressed.例文帳に追加

本発明によれば、窒化物半導体層１１上の酸素をゲッタリングすることができ、電流コラプスを抑制することが可能となる。 - 特許庁

In the one unit circuit Ui, the semiconductor layer 31 of each of the current source transistors TA is arrayed in the laser longitudinal axis direction DA.例文帳に追加

ひとつの単位回路Ｕiにおいては、各電流源トランジスタＴAの半導体層３１がレーザ長軸方向ＤAに配列する。 - 特許庁

To enable to mass-produce low-pressure discharge lamps having a uniform thickness of a current conductive layer of an external electrode by lowering price.例文帳に追加

外部電極の電流導体層が一様な厚みを有する低圧放電ランプを、低価格にして、大量生産できるようにする。 - 特許庁

A p-electrode is formed over the top surface of the p-type nitride semiconductor layer 4 with a current-constricting insulation film 5 of SiO2 in between.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce layer resistance of gate electrodes by preventing an increase of a junction leak current.例文帳に追加

接合リーク電流の増加を防止し、ゲート電極の層抵抗を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a III-V compound semiconductor which dopes oxygen into a buffer layer to reduce leakage current in pinch- off.例文帳に追加

バッファ層に酸素をドーピングしてピンチオフ時のリーク電流を低減するIII −Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The lithium secondary battery positive electrode is formed with a positive electrode active material layer containing this positive electrode material and a binder on the current collector.例文帳に追加

この正極材料及び結着剤を含有する正極活物質層を集電体上に形成したリチウム二次電池正極。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction cell having perpendicular anisotropy and an enhancement layer that allows for a low current and a high surface density.例文帳に追加

低電流および高面密度を可能とする、垂直異方性および強化層を有する磁気トンネル接合セルを提供する。 - 特許庁

That is, an oxygen concentration of a surface on the back channel side of the oxide semiconductor layer is increased to reduce the off-current.例文帳に追加

すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。 - 特許庁

A photoelectric current multiplying layer 1 is an codeposition film added with 30 vol.% of copper phthalocyanine which has a thickness of 500 nm.例文帳に追加

光電流増倍層１はＣ６０に銅フタロシアニンを３０vol％添加した共蒸着膜であり、その膜厚は５００ｎｍである。 - 特許庁

The electrode for the battery is manufactured by applying slurry for an active material layer prepared in a step S3 to a current collector and drying the slurry.例文帳に追加

ステップＳ３で調製した活物質層用スラリーを集電体の上に塗布し、乾燥させて電池用電極を製造する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor having low inductance and low height which is applicable to a power supply use requiring a high-speed large current.例文帳に追加

高速大電流を必要とする電源用途に適用可能なインダクタンスが低く、背高が低い電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing circuit boards whereby the varying of the shapes of conductor patterns is suppressed without forming separately any current applying layer.例文帳に追加

通電層を別途形成することなく、導体パターン形状の変化を抑制した回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor photo detector for improving the crystallinity of a light absorption layer and reducing a dark current.例文帳に追加

光吸収層の結晶性の向上と低暗電流化を容易に実現することのできる半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

To raise an MR ratio in an MR element where an electric current is made to flow in a direction to be crossed with the surface of each layer constituting the MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。 - 特許庁

A current collecting layer and wiring are formed in a discharge device 20d in the first substrate carried with the belt conveyer BC1.例文帳に追加

次に、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｄにおいて第１の集電層及び配線を形成する。 - 特許庁

The eddy-current loss is reduced in the iron core 1 because it uses the magnetic material layer 3 which is very thin.例文帳に追加

電気機器用鉄心１は、厚さが薄い磁性体層３を適用することにより、渦電流損をより小さくすることができる。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode with SAS type structure that has a current block layer where a stripe-shaped opening from one resonance end to the other is formed by etching to inject current to an active layer in a specific width, an area near an emission part being located directly below an opening is disordered without disordering the current lock layer.例文帳に追加

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたＳＡＳ型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。 - 特許庁

The current constriction layer of the lower-part laser 50 is composed of an n-type Al0.7GaAs part 9, an n-type GaAs 10 and a p-type GaAs 11.例文帳に追加

下部レーザ５０の電流狭窄層は、ｎ型Ａｌ_０．７ＧａＡｓ９、ｎ型ＧａＡｓ１０、およびｐ型ＧａＡｓ１１からなる。 - 特許庁

The phase change memory includes: a current source electrode for supplying an external current required for inducing a phase change; a phase change substance layer that opposes the current source electrode sideways; a plurality of carbon nanotube electrodes arranged between the current source electrode and the phase change substance layer; and an insulator that is formed outside the carbon nanotube electrode, and suppresses the transmission of heat generated from the carbon nanotube electrode to the outside.例文帳に追加

相変化を誘導するのに必要な外部電流を供給する電流源電極と、電流源電極と側方向に対向する相変化物質層と、電流源電極と相変化物質層との間に複数配列した炭素ナノチューブ電極と、炭素ナノチューブ電極の外側に形成されて炭素ナノチューブ電極から生成される熱が外部に伝達されるのを抑制する絶縁体とを含む。 - 特許庁

In the electrode for the secondary battery having a porous metal current collector, an electrode active material thin layer is formed on the porous metal current collector, and carbon is interposed between the porous metal current collector and the electrode active material thin layer.例文帳に追加

本発明は、多孔質金属集電体を有する二次電池用電極において、前記多孔質金属集電体上に電極活物質薄膜層が形成され、かつ、前記多孔質金属集電体と前記電極活物質薄膜層との間に炭素が配置されてなることを特徴とする二次電池用電極により上記課題を解決する。 - 特許庁

A refresh circuit 17 which performs a refresh operation to forcively flow an electric current to a battery 18 in which a positive electrode having a positive electrode active material layer adhered on a current collector and a negative electrode having a negative electrode active material layer adhered on a separate current collector are arranged so as to be mutually opposed to in an electrolyte through a separator is installed.例文帳に追加

電解質中に、集電体上に正極活物質層が固着された正極と、別の集電体上に負極活物質層が固着された負極とが、セパレータを介して互いに対向するように配置される電池１８に対して、強制的に電流を流すリフレッシュ動作を行うリフレッシュ回路１７を設ける。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery exerting excellent high-output characteristics even at quick charge/discharge such as a large-current discharge through efficient reaction of an electrode active material layer, concerning one equipped with a current collector and an electrode active layer at least on one face of the current collector.例文帳に追加

集電体と該集電体の少なくとも一面に電極活物質層を備える非水電解液二次電池用電極板において、該電極活物質層の活物質を効率的に反応させて、大電流の放電など急速な充放電時においても優れた高出力特性を発揮する非水電解液二次電池用電極板を提供する。 - 特許庁

The intermediate layers 52 and 53 are provided between the current constriction layer 51A, and 1st p-type clad layer 41A and 2nd p-type clad layer 41B and then mixed crystal of phosphorus and arsenic is prevented from being formed between them, thereby increasing the reproducibility by oxidation.例文帳に追加

電流狭窄層５１Ａと第１ｐ型クラッド層４１Ａおよび第２ｐ型クラッド層４１Ｂとの間に中間層５２，５３を設けることにより、それらの間でリンとヒ素との混晶が形成されることが防止され、酸化の再現性が高まる。 - 特許庁

To provide a spin valve type thin film element having small asymmetry, superior heat-resistance, superior reliability, in which the thin film element has a bias conductive layer and is capable of controlling the direction of variable magnetization of a free magnetic layer, by applying current to the bias conductive layer.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

The electrically conductive media are brought into contact with not only the base metal layer 38 but also the external electrodes 42, 43, a chance that the plating current flows in the base metal layer 38 is increased in number, and the time to obtain the precipitation thickness necessary for the plated layer is shortened.例文帳に追加

導電性メディアは下地金属層３８だけでなく外部電極４２, ４３にも接触し、下地金属層３８にめっき電流が流れる機会が増え、めっき層に必要な析出厚みを得るための時間が短縮される。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device for preventing failure, such as short-circuiting and a leaked current of a gate electrode layer and a semiconductor layer due to the covering failure of an insulating layer, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の被覆不良によるゲート電極と半導体層とのショート及びリーク電流などの不良が防止された信頼性の高い半導体装置、及びそのような半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which reduces a current leakage via a clad layer and prevents the diffusion of an injected carrier in between a core layer in a region having a first function and a core layer in a region having a second function.例文帳に追加

半導体素子において、クラッド層を経由する電流リークを低減するとともに、第１の機能を有する領域のコア層と第２の機能を有する領域のコア層との間で、注入されたキャリアが拡散してしまうのを抑制する。 - 特許庁

The positive electrode 66 includes a positive electrode active material layer 64 formed on a positive electrode current collector 62, and a porous water repellent layer 90 including a material having repellency and a conductive material is formed on the surface of the positive electrode active material layer.例文帳に追加

正極６６は、正極集電体６２上に形成された正極活物質層６４を備えており、正極活物質層の表面には、撥水性を有する材料と導電材とを含む多孔質撥水層９０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability capable of preventing a short circuit and current leakage between a gate electrode layer and a semiconductor layer due to covering failure of an insulating layer, and to provide a method for fabricating such a semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層の被覆不良によるゲート電極層と半導体層とのショート及びリーク電流などの不良が防止された信頼性の高い半導体装置、及びそのような半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The anode is obtained by painting conductive polymer on the surface of the activator layer, applying electrolytic plating thereon, and by forming a current collecting surface layer covering the activator layer, having many fine holes through which electrolyte liquid can flow.例文帳に追加

この負極は、活物質層の表面に導電性ポリマーを塗工し、その上に電解めっきを施して、該活物質層を被覆し且つ電解液の流通が可能な微細孔を多数有する集電用表面層を形成することで得られる。 - 特許庁

When manufacturing the positive electrode that becomes the positive electrode layer 1 of a non-aqueous electrolyte battery 100, a substrate that becomes the positive electrode current collector 11 of the positive electrode layer 1, and the positive electrode active material that becomes a constituting material of the positive electrode active material layer 12 is prepared.例文帳に追加

非水電解質電池１００の正極層１となる正極体を製造するにあたって、正極層１の正極集電体１１となる基板と、正極活物質層１２の構成材料となる正極活物質を用意する。 - 特許庁

To manufacture a Schottky diode 15, wherein a leakage current is hard to flow from a semiconductor substrate 5 in which a heavily doped layer 2 and a lightly doped layer 4 are laminated and defects 6a and 6b are present in the lightly doped layer 4.例文帳に追加

不純物高濃度層２と不純物低濃度層４が積層されており、不純物低濃度層４内に欠陥６ａ，６ｂ等が形成されている半導体基板５から、リーク電流が流れにくいショットキーダイオード１５を製造する。 - 特許庁

The current block layer 18 forming a ridge portion to the upper part of the p-type clad layer 16 and the p-type contact layer 17 is formed of a dielectric material where a part of nitrogen atoms forming the III-V group nitride semiconductor is replaced with oxygen atoms.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６の上部及びｐ型コンタクト層１７にリッジ部を形成する電流ブロック層１８は、III-Ｖ族窒化物半導体を構成する窒素原子の一部を酸素原子で置換した誘電体により形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a leakage current flowing at the interface between a silicon layer and an embedded layer cannot be generated due to the potential difference between the silicon layer and a support substrate in an offset-type transistor being formed on an SOI substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成したオフセット型トランジスタであって、シリコン層と支持基板との電位差によって、シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post).例文帳に追加

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

By this, because the dielectric layer 11 becomes to have a superior conductivity in the abnormal discharge, the dielectric layer 11 is not damaged as the abnormal current generated by abnormal discharge flows at relatively low resistance in the dielectric layer 1.例文帳に追加

このことにより、異常放電時、誘電体層１１は良導電性となり、異常放電により発生する異常電流は誘電体層１１を比較的、低抵抗で流れることになるため、誘電体層１１が破損することがなくなる。 - 特許庁

The super-junction semiconductor element makes a current flow in an ON state, and provides an n^-high-resistance layer 32a located between a semiconductor substrate region 32 which becomes depletion in an OFF state and a low-resistance layer 31, for having the same conductivity type as the low-resistance layer 31 and a low impurity concentration.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する半導体基体領域３２と低抵抗層３１との間に低抵抗層３１と同じ導電型で、かつ不純物濃度が低いｎ^-高抵抗層３２aを設ける。 - 特許庁

The circuit 62 or 63 also performs such control as reduces the amplitude of the deflecting current DVi and DHi in accordance with the size of the 2nd phosphor layer 34b so that the scanning of the 2nd phosphor layer can be performed more closely than the scanning of the 1st phosphor layer.例文帳に追加

また、第１の蛍光体層の走査よりも第２の蛍光体層の走査が密に行われるように、偏向電流ＤＶｉ，ＤＨｉの振幅を第２の蛍光体層３４ｂの大きさに応じて縮小させるような制御を行う。 - 特許庁

A contact layer 7 is formed on the upper reflective layer 6, an annular p-type electrode 8 having a central current injection region is arranged on the contact layer 7, and an n-side electrode 9 is arranged on the lower surface of the substrate 1.例文帳に追加

上部反射層６上にはコンタクト層７が積層され、コンタクト層７上には、中央に電流注入領域を備えた円環形状からなるｐ側電極８が配置され、基板１下面にはｎ側電極９が配置されている。 - 特許庁

A high-concentration impurity layer, which is at least an ohmic contact surface for a gate electrode M1b of a base layer (a P-type base region and a P-type semiconductor region P1) that is a path of a gate trigger current I_GT, is formed by a high-melting-point metal silicide layer LM.例文帳に追加

少なくとも、ゲートトリガ電流Ｉ_ＧＴの経路となるベース層（Ｐ型ベース領域、Ｐ型半導体領域Ｐ１）のゲート電極Ｍ１ｂとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層ＬＭで形成する。 - 特許庁

An n-type current inhibition layer 1201 is formed so that a p-type ridge stripe 1700 formed of parts obtained by working p-type AlGaAs clad layer 1106 and a p-type GaAs cap layer 1107 in stripe shapes is sandwiched with both sides.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１０６、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１０７をストライプ形状に加工した部位からなるｐ型のリッジストライプ部１７００を両側面側から挟むように、ｎ型電流阻止層１２０１が形成されている。 - 特許庁

The negative electrode 21 has a diffusion preventing layer 21B formed by a dry or wet deposition method, a negative electrode current collector layer 21C, and a negative electrode activator layer 21D formed on a substrate 21A for deposition made of a plastic or the like.例文帳に追加

負極２１は、プラスチックなどよりなる成膜用基体２１Ａの上に、乾式成膜法または湿式成膜法により形成された拡散防止層２１Ｂ，負極集電体層２１Ｃおよび負極活物質層２１Ｄを有している。 - 特許庁