「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A flattened layer 11 whose surface is flat is formed on the current constriction layers 10 and 10 and the cap layer 6 at a temperature of 700°C or below through a slow cooling LPE method, and a contact layer 12 is formed thereon at a temperature of 650°C or so through an MOCVD method.例文帳に追加

電流狭窄層１０上およびキャップ層６上に、徐冷ＬＰＥ法によって７００℃以下の温度で、表面が平坦な平坦化層１１を形成し、その上にＭＯＣＶＤ法で約６５０℃の温度でコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁

In the electrode laminate consisting of a laminate active material layer which is laminated on a current collecting base material, the active material layer contains at least an active material, a conductive agent, and a binding agent, the apparent density of the active material layer being made to be 1.2 g/cm^3 or more.例文帳に追加

積層体活物質層が集電基材上に積層された電極積層体において、活物質層は、少なくとも活物質と、導電剤と、結着剤を含み、当該活物質層の嵩密度は１．２ｇ／ｃｍ^3以上とする。 - 特許庁

The (n) type magnetic semiconductor layer 13, the non-magnetic layer 14, and the (p) type magnetic semiconductor layer 15 are solar batteries generating electromotive force by irradiation with light, and they are a magnetic sensor 16 in which a sense current flows by the electromotive force.例文帳に追加

ｎ型磁性半導体層１３、非磁性層１４、及びｐ型磁性半導体層１５は、光を照射されると起電力を発生する太陽電池であるとともに、この起電力によるセンス電流が流れる磁気センサ１６である。 - 特許庁

When the power is supplied to the circuit layer 30 from the power source device 40, the magnetic field N is generated from each induction heating coil 31, the eddy current is generated in the metal layer 12 of the glove 10, and the heat is generated from the metal layer 12 through the joule heat.例文帳に追加

この回路層３０に電源装置４０から給電すると、各誘導加熱用コイル３１から磁界Ｎが発生し、手袋１０の金属層１２に渦電流が発生してそのジュール熱で金属層１２から熱が発生する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor that has an organic semiconductor layer and a gate insulating layer consisting principally of a piezoelectric material, and can control characteristics of a current gain, etc., with pressure applied to the gate insulating layer; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

有機半導体層及び圧電材料を主成分とするゲート絶縁層を備え、ゲート絶縁層に印加する圧力により電流増幅率等の特性を制御することができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric oxide film layer 12 is provided on the surface of a roughened valve metal foil 11 for an anode, and further a three-layered structure of a conductive layer for a cathode consisting of a first conductive high polymer layer 13, a conductive adhesive layer 14, and a second conductive high polymer layer 15, and a current collecting metal body 16 for the cathode are provided in order.例文帳に追加

粗面化された陽極用弁金属箔１１の表面に誘電体酸化皮膜層１２が設けられ、さらに、第一の導電性高分子層１３、導電性接着剤層１４、および第二の導電性高分子層１５からなる三層構造の陰極用導電層と、陰極用集電金属体１６とが順に設けられる。 - 特許庁

After a buffer layer containing a carbon nanofiber or a carbon nanotube at the rate of 60 to 90 wt.%, more preferably, 70 to 80 wt.% is formed on a current collector, the polarizable electrode layer is formed on the buffer layer; and accordingly, a pair of electrodes in which the buffer layer and the polarizable electrode layer are laminated in sequence is obtained.例文帳に追加

集電体上に、カーボンナノファイバーまたはカーボンナノチューブを６０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、好ましくは７０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の割合で含有するバッファー層を形成した後、該バッファー層上に分極性電極層を形成することで、集電体上に、バッファー層と、分極性電極層とが順に積層された一対の電極を得る。 - 特許庁

An n-type elevated semiconductor layer 7 formed like a stripe along the travelling direction of current is laminated on an n-type offset drain layer 6, a trench 21a is formed to an insulating layer 21 on the n-type elevated semiconductor layer 7 formed like a stripe, and an embedding electrode 22 is embedded to the trench 21a via the insulating layer 21.例文帳に追加

電流の進行方向に沿ってストライプ状に形成されたｎ型エレベーテッド半導体層７をｎ型オフセットドレイン層６上に積層し、ストライプ状に形成されたｎ型エレベーテッド半導体層７上の絶縁層２１にトレンチ２１ａを形成し、絶縁層２１を介してトレンチ２１ａに埋め込み電極２２を埋め込む。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

The inner stripe nitride laser diode structure is provided with a multiple-quantum well layer and first and second surfaces, and is provided with a waveguide layer where the first surface is in contact with the multiple- quantum well layer, and a current-blocking layer entering the second surface of the waveguide layer and divided into two portions by a stripe groove.例文帳に追加

本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第１及び第２の表面を有し、前記第１の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第２の表面内に突入していて、ストライプ溝によって２つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

A carrier diffusion preventing layer 25 is provided between a charge releasing layer 20 and one or more of semiconductor layers, which are a first semiconductor layer 10 and a second semiconductor layer 30, for preventing the diffusion into the layer 20 of carriers at least from one of the layers 10, 30, which reduces the dark current attributable to the capturing level.例文帳に追加

電荷放出層２０と第１の半導体層１０及び第２の半導体層３０のうち少なくとも一方の半導体層との間に形成され、少なくとも一方の半導体層から電荷放出層２０へのキャリアの拡散を防止するキャリア拡散防止層２５を設けるようにして、捕獲準位による暗電流を小さくするようにする。 - 特許庁

The nitride based semiconductor diode comprises a first substance layer 101, an active layer 102, and a second substance layer 103 formed sequentially in layers wherein a ridge 104 is formed on the second substance layer 103 and a current interruption layer 113 is formed of AlGaN on at least one upper surface at the opposite ends of the ridge 104 and on the opposite side faces of the ridge.例文帳に追加

第１物質層１０１、活性層１０２、及び第２物質層１０３が順次に積層され、第２物質層１０３には、リッジ１０４が形成され、リッジ１０４の両端部のうち少なくとも一つの上面及びリッジの両側面には、ＡｌＧａＮからなる電流遮断層１１３が形成される窒化物系半導体レーザダイオードである。 - 特許庁

To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁

To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に第一の半導体層／第一の透明導電層／第二の半導体層／第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁

An end of the first extended portion 30 of the current blocking layer 32 terminates at a position closer to a central side without reaching the outer fine-line pattern 37, and the second extended portion 31 of the current blocking layer 32 is extendedly formed up to a lower portion of the conductor of the outer fine-line pattern 37.例文帳に追加

そして、前記電流阻止層の第１の延長部３０は、前記電極層の外郭細線パターン３７よりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第２の延長部３１は、前記電極層の外郭細線パターン３７導体下部にまで延長形成されている。 - 特許庁

The pressure wave generation mechanism 30 includes a thermally-conductive substrate 2, a heat insulating layer 3 of nanocrystalline silicon formed over one main surface of the substrate 2, and a heating element 4 that is formed over the heat insulating layer 3 and produces heat when a current containing an alternating-current component is applied.例文帳に追加

圧力波発生機構３０は、熱伝導性の基板２と、基板２の一方の主面に形成されたナノ結晶シリコンである断熱層３と、断熱層３の上に形成され、交流成分を含む電流が印加されて発熱する発熱体４と、を備える。 - 特許庁

The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁

To stabilize resistivity of a high resistant layer limiting a discharge current within a surface and to reduce resistance of a low resistant layer pattern supplying a current for a gate electrode without affecting the element area.例文帳に追加

放電電流を制限する高抵抗層の抵抗率を面内において安定させ、かつ、素子面積に影響を与えずに、ゲート電極へ電流を供給する低抵抗層のパターンの抵抗を下げることが可能な電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of lowering application voltage to between electrodes during current generation tunneling an insulation layer sandwiched between the two electrodes as compared with the conventional and suppressing the deterioration of the insulation layer while suppressing the generation of leakage current and the drive method of the semiconductor device.例文帳に追加

漏れ電流の発生を抑制しながらも、２つの電極に挟まれた絶縁層をトンネルする電流発生時における電極間への印加電圧を従来に比して低下させ、絶縁層の劣化を抑制できる半導体装置、及び該半導体装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

In such a semiconductor device, a depletion layer 106 is formed in the low-density P-type silicon substrate 101 below the inductor 105 along the thickness direction from the upper surface of the silicon substrate 101, so that the eddy current induced by a current flowing to the inductor 105 is blocked by the depletion layer 106.例文帳に追加

このような半導体装置では、インダクタ105下方の低濃度P型シリコン基板内101にシリコン基板101の表面から厚み方向に空乏層106が形成されているため、インダクタ105を流れる電流によって誘起される渦電流は空乏層106によって遮断される。 - 特許庁

The length La of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a longer direction Y of the line pattern 121 is not less than four times as large as the width Da of parts of the line patterns 121 in contact with the surface of the current collector layer 11 in a direction X of the width.例文帳に追加

しかも、ライン状パターン１２１の長手方向Ｙにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の長さ寸法Ｌaが、幅方向Ｘにおいて集電体層１１表面と接するライン状パターン１２１の幅寸法Ｄaの４倍以上となっている。 - 特許庁

The tensile strength of the positive electrode current collector 322 is smaller than that of the negative electrode current collector 342, and the distance A from the end 324A of the positive electrode mixture layer to a positive electrode terminal welding part 42 is larger than the distance B from the end 344A of the negative electrode mixture layer to the negative electrode terminal welding part 82.例文帳に追加

正極集電体３２２の引張強度は負極集電体３４２よりも低く、正極合材層の端３２４Ａから正極端子溶接部４２までの距離Ａは、負極合材層の端３４４Ａから負極端子溶接部８２までの距離Ｂよりも大きい。 - 特許庁

The low-pressure discharge lamp 11 is equipped with a tubular glass lamp container 10 with current conductive layers 31, 36 formed as electrodes on an external surface, the current conductive layer is an ultrasonic solder dipping layer formed by ultrasonic solder dipping.例文帳に追加

本発明は、外面に電極として電流導体層３１，３６が形成された管状ガラスランプ容器１０を備えた低圧放電ランプ１１であって、電流導体層は、超音波半田ディッピングにより形成された超音波半田ディッピング層であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable and high output semiconductor laser device, by a method wherein the free carrier absorption loss and the leak current of the current block layer formed on both sides of an active layer in the semiconductor laser device formed by a compound semiconductor are reduced.例文帳に追加

化合物半導体で構成される半導体レーザ装置において、活性層の両脇に形成される電流ブロック層におけるフリーキャリア吸収損失の低減やリーク電流を低減し、信頼性の高い、かつ高出力の半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting device, capable of efficiently forming a current diffusion layer having an n-type of conductivity as a first problem, and provide a light emitting device capable of improving the life of a device while using the n-type current diffusion layer as a second problem.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、ｎ型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。 - 特許庁

To provide a power source circuit which can control the connection of an electric double layer capacitor to a DC power supply source in response to the operation/non-operation of a load when the consumption of the current when left unused cannot be ignored and which can alleviate a leakage current depending upon the double layer capacitor.例文帳に追加

放置状態での電池の消耗が無視できないとき、負荷の動作／非動作に応じて直流電源供給源への電気二重層コンデンサの接続制御を可能にし、電気二重層コンデンサに依存するリーク電流を軽減できる電源回路を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a capacitance of an electric double layer capacitor and an evaluation device of the capacitance of the electric double layer capacitor capable of obtaining a capacitance having little fluctuation of the capacitance even in a high current density domain, and having extremely little current dependency.例文帳に追加

高電流密度領域でも静電容量の変動が少なく、極めて電流依存性の小さい静電容量を把握することができる電気二重層キャパシタの静電容量の評価方法及び電気二重層キャパシタの静電容量の評価装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the heat dissipation structure is characterized in supplying a current to an SiC substrate or a substrate having an SiC layer on at least one surface, heating SiC with Joule heat generated when the current is supplied, and forming an SiC whisker layer on the SiC surface of the substrate.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造の製造方法は、ＳiＣ基板、又は少なくとも一の表面がＳiＣ層である基板に電流を流し、該電流を流したときに発生するジュール熱によってＳiＣを加熱し、基板のＳiＣ表面にＳiＣウィスカー層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The polarizing electrode 10 is provided with a current collector 11 having conductivity, an electrode layer 12 provided to a single, or both surfaces of the current collector 11; and is formed of a conductive porous material, and a porous insulating film 13 provided on the front surface of the electrode layer 12.例文帳に追加

本発明の分極性電極１０は、導電性を有する集電体１１と、集電体１１の片面または両面に設けられ、導電性多孔質体からなる電極層１２と、電極層１２の表面に設けられた上記多孔質絶縁膜１３とを備える。 - 特許庁

The conductivity modulation density N is so determined that the cross current Ic is smaller than the operating current Iop/m (m: the number of IGBTs connected in parallel), and n+ buffer layer density nb and n+ buffer layer thickness db are so determined as to obtain the conductivity modulation density N.例文帳に追加

クロス電流Ｉｃが動作電流Ｉｏｐ／ｍ（ｍは並列接続するＩＧＢＴの個数）よりも小さくなるように導電率変調濃度Ｎを決定し、そのような導電率変調濃度Ｎとなるようにｎ＋バッファ層濃度ｎｂ及びｎ＋バッファ層厚ｄｂを決定する。 - 特許庁

To provide a negative electrode plate which has adhesion between a negative electrode current collector and a negative electrode mix layer and is not peeled off even if a coating start edge section of the negative electrode mix layer is in touch with an exposed section of the negative electrode current collector, and to provide a lithium secondary battery using the negative electrode plate.例文帳に追加

負極集電体と負極合剤層との密着性があり、かつ、負極合剤層の塗布始端部と負極集電体の露出部とが接触しても剥離することのない負極板およびこの負極板を用いたリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

This failure position detecting method includes irradiating an X ray 3 from an X ray source 1 toward a semiconductor device 7, scanning, measuring a current value which flows out from a conductive layer (TEG pattern 8) of the semiconductor device 7 by a current meter 6, and detecting a failure position in the conductive layer.例文帳に追加

半導体装置７にＸ線源１からＸ線３を照射し、走査して、この半導体装置７の導電層（ＴＥＧパターン８）から流出する電流の値を電流計６で測定し、導電層内の欠陥位置を検出するようにした欠陥位置検出方法。 - 特許庁

In this electrode for lithium secondary battery, formed by accumulating the thin film formed of the active material storing and releasing lithium on the current collector, an intermediate layer containing Mo or W is formed on the current collector, and the active material thin film is accumulated on the intermediate layer.例文帳に追加

集電体上にリチウムを吸蔵・放出する活物質からなる薄膜を堆積して形成したリチウム二次電池用電極において、集電体上にＭｏまたはＷを含有する中間層を形成し、該中間層の上に活物質薄膜を堆積させたことを特徴としている。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 has a p-n junction that prevents flow of leakage current from the lower electrode 8 to the surface electrode 7, and the semiconductor layer 20 constitutes a reverse preventing means for preventing the flowing, of the leakage current, from the lower electrode 8 to the surface electrode 7.例文帳に追加

半導体層２０は、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止するｐｎ接合を有しており、半導体層２０が、下部電極８から表面電極７へリーク電流が流れるのを阻止する逆阻止手段を構成している。 - 特許庁

An electrode for an electric double layer capacitor has improved contact state between active carbon in the electrode and a current collector surface since RS of a surface of an aluminum etching foil is ≤25 μm, and consequently has less contact resistance between the current collector foil and polarizable electrode layer.例文帳に追加

発明の電気二重層キャパシタ用電極は、アルミニウムエッチング箔の表面のＲＳを２５μｍ以下としているので、電極中の活性炭と集電体表面との接触状態が向上し、集電体箔と分極性電極層の接触抵抗が低減する。 - 特許庁

The resistance change film 11 and the current suppression layer 13 are electrically connected to each other through a plug 18 formed in the first contact hole 17, and a conductive layer 19 in the plug 18 constitutes partial parts of the resistance change element 12 and the current suppression element 14.例文帳に追加

そして、抵抗変化膜１１と電流抑制層１３とは第１のコンタクトホール１７の中に形成されたプラグ１８により電気的に接続されており、プラグ１８中の導電層１９は抵抗変化素子１２および電流抑制素子１４の一部を構成している。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁

The electric double layer capacitor 11 is arranged closer to the engine starter 2 than to the battery 30, and the wire harness 12 with the discharge current flowing from the battery 30 is connected to power supply lines 9, 10 with the discharge current to the engine starter 2 flowing from the electric double layer capacitor 11 to the engine starter 2.例文帳に追加

エンジンスタータ２に対して電気二重層キャパシタ１１は電池３０より近接するように配置され、電池３０からの放電電流が流れるワイヤーハーネス１２は電気二重層キャパシタ１１からエンジンスタータ２への放電電流が流れる給電線９、１０に接続される。 - 特許庁

An electrode for the battery has a current collector and an active material layer containing an active material and a conductivity assistant formed on the current collector, and the conductivity assistant in the active material layer is a polymer material whose surface is covered with metal.例文帳に追加

集電体と、前記集電体上に形成された活物質および導電助剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記活物質層における導電助剤が、金属で表面を被覆した高分子材料であることを特徴とする、電池用電極である。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound current collector comprises (a) a process in which the conductive adhesive layer containing a catalyst to promote growth of the carbon nanofiber is formed on the current collector and (b) a process in which the carbon nanofiber is made to grow on the surface of the adhesive layer in the atmosphere containing a raw material gas.例文帳に追加

ならびに、（ａ）集電体上に、カーボンナノファイバの成長を促進する触媒を含む導電性の密着層を形成する工程、および（ｂ）原料ガスを含む雰囲気中で、密着層の表面に、カーボンナノファイバを成長させる工程を含む複合集電体の製造方法。 - 特許庁

A CPU 32 of the control unit 30 performs a layer short circuit detection process according to a program stored in a memory 33, and determines whether the abnormal electric current flowing in the electric line 25 due to the occurrence of the layer short circuit based on an amount of change in the electric current per predetermined period of time (di/dt).例文帳に追加

制御部３０のＣＰＵ３２は、メモリ３３に格納されたプログラムに従ってレアショート検出処理を実行し、所定時間当たりの電流の変化量（ｄｉ／ｄｔ）に基づき、レアショートの発生により電線２５に異常な電流が流れているか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a high-performance semiconductor device for preventing influence of an inverting layer that causes failures in electrical characteristics, such as variations in current amplification rate and generation of leakage current, and is formed on the interface between a semiconductor layer and an insulating film in a lateral bipolar transistor of SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の横型バイポーラトランジスタにおいて、電流増幅率の変動とリーク電流の発生等の電気特性の不具合の原因となり、半導体層と絶縁膜との界面に形成される反転層の影響を防止する高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the fuel cell, composed of a first current collector layer, a first reaction layer, an electrolyte film and a second reaction layer, includes a process of forming the first reaction layer by repeatedly applying a prescribed amount of a reaction layer forming material on the first current collector layer with prescribed interval.例文帳に追加

第１の集電層、第１の反応層、電解質膜、第２の反応層、第２の集電層が形成されてなる燃料電池の製造方法であって、前記第１の集電層の上に、反応層形成用材料の所定量を所定間隔をおいて塗布することを繰り返すことにより、第１の反応層を形成する工程を有することを特徴とする燃料電池の製造方法、並びに本発明の製造方法により製造された燃料電池を電力供給源として備えることを特徴とする電子機器及び自動車。 - 特許庁