「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a high current gain by enabling ΔEg (energy gap difference between the emitter layer and the base layer) to be set large, without inviting lattice mismatch.例文帳に追加

格子不整合を招くことなくΔＥｇ（エミッタ層とベース層のエネルギーギャップの差）を大きく設定することができ、それによって高い電流利得率を得ることのできるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

This photoelectric conversion semiconductor layer 30X generates a current by absorbing light, and is formed of a particle layer in which a plurality of particles 31 are arranged in plane and thickness directions.例文帳に追加

光電変換半導体層３０Ｘは、光吸収により電流を発生するものであり、複数の粒子３１が面方向及び厚み方向に配列した粒子層により構成されている。 - 特許庁

The fiber body 2 is one filament of organic or inorganic fiber, and the conductive material layer 3 is a layer wherein a high-frequency current is induced when an external electromagnetic wave is incident on the radio wave absorber 1.例文帳に追加

繊維本体２は、有機又は無機繊維の１本のフィラメントであり、導電材層３は、電波吸収体１に外来の電磁波が入射したときに、高周波電流が誘起される層である。 - 特許庁

To realize a method capable of accurately diagnosing deterioration in insulation performance of an insulation layer irrespective of any change in the phase of a current flowing through the layer in consequence of the impression of a DC voltage thereon.例文帳に追加

直流電圧を印加する前後での絶縁層３を流れる電流の位相の変化に拘らず、この絶縁層３の絶縁性能の劣化診断を正確に行なえる方法を実現する。 - 特許庁

This structure increases a current collecting efficiency without using a collector, and enhances adhesion between the electrode-mixture coated layer and the separator to prevent the electrode-mixture coated layer from being peeled from the separator.例文帳に追加

これにより、集電体を用いずに集電効率を上げることができ、また、電極合剤塗布層とセパレータとの間の密着性を高めて、電極合剤塗布層がセパレータから剥離するのを防ぐ。 - 特許庁

In addition, the leakage current is prevented by forming the semiconductor layer containing an active and ohmic contact layer in an island shape in the gate electrode 125 using the respective masks with data wiring, source, and drain electrode 132, 134.例文帳に追加

また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 - 特許庁

A DC power supply 15 applies a voltage between the N^+ diffusion layer 8 and the P^+ diffusion layer 9 so as to flow a drain current corresponding to the quantity of the to-be-detected object attached to the sensing area 6.例文帳に追加

直流電源１５は、センシング領域６への検出対象の付着量に応じたドレイン電流を流すために、Ｎ^+拡散層８とＰ^+拡散層９との間に電圧を印加する。 - 特許庁

In the semiconductor optical amplifier 10 with an active layer 14, which has an optical amplifying function by current injection onto a substrate 11 made of InP, the active layer 14 contains InGaAsSb.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１１上に電流注入による光増幅機能を有する活性層１４を備えた半導体光増幅器１０において、活性層１４が、ＩｎＧａＡｓＳｂを含有している。 - 特許庁

Consequently, when the position of the center of the layer 8 is deviated from that of the center of the layer 4, the occurrence of large fluctuation in the current required for writing operation can be prevented.例文帳に追加

これにより、自由強磁性層８の中心位置が強磁性層４の中心位置からずれた場合に、書き込みに必要とされる電流に大きなばらつきが生じることが防止される。 - 特許庁

To obtain lower resistance of a p-type contact layer, and to obtain a current constriction structure without applying a ridge-like process to the p-type semiconductor layer in a semiconductor laser element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはｐ型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。 - 特許庁

An upper part shield layer 32 has magnetostriction within a range -2 to 0, also the magnetization direction 32a of the upper part shield layer 32 is the same direction as a direction (+X direction) of a sense current (i).例文帳に追加

上部シールド層３２が、−２〜０の範囲内の磁歪を有し、さらに上部シールド層３２の磁化方向３２ａが、前記センス電流ｉの方向（＋Ｘ方向）と同一方向となっている。 - 特許庁

To reduce operation current and to prolong the life of an element by reducing a waveguide loss due to the adsorption of light from an active layer by an etching stop layer.例文帳に追加

エッチング停止層によって活性層からの光が吸収されることによる導波路損失を低減し、動作電流の低減および素子の長寿命化を図ることができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b are formed in the vicinity of the laser output side end surface 15 and the reflection side end surface 16, respectively.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、レーザ出射側端面１５の近傍および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

Accordingly, thermal stress caused by the difference in coefficient of thermal expansion between the base layer 132 and the current collecting layer 133 is relaxed, and the width of the crack is adjusted to an appropriate value with the working temperature of the SOFC (solid oxide fuel cell).例文帳に追加

これにより、ベース層１３２と集電層１３３との間の熱膨張率差に基づく熱応力が緩和され、ＳＯＦＣの作動温度にてクラックの幅が適切な値に調整される。 - 特許庁

The first strip layer 202 and the second strip layer 204 are solidly adhered to form a structural body so that they can produce at least one of a desired withstand current capability and mechanical strength.例文帳に追加

第１ストリップ層２０２と第２ストリップ層２０４とは、所望の耐電流能力および機械強度の少なくとも一つを生じさせるべく、強固に接着されて構造本体を形成する。 - 特許庁

To provide an organic EL display device with good display quality by improving the surface flatness of the film thickness of a luminescent medium layer formed of wet coating, while preventing leak current from a hole injection layer.例文帳に追加

正孔注入層からの電流リークを抑制し且つウェットコーティングで形成される発光媒体層の膜厚平坦性を改善することで、表示品質の良い有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

A p-n tunnel junction 220 between a p-type semiconductor layer 216 and an n-type semiconductor layer 218 provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure 200.例文帳に追加

ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。 - 特許庁

Consequently, the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 due to the oxidation hardly occurs, so that generation of leakage current caused by the defect generated by the deformation of the lower surface edge of the Si layer 2 can be suppressed.例文帳に追加

そのため、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化による変形が起こりにくくなり、Ｓｉ層２の下面エッジ部が変形して欠陥が生じることによるリーク電流の発生を抑制できる。 - 特許庁

In this way the wiring layer 33 has the copper wiring layer 30, so a break in wiring is hardly caused by electromigration, and reliability in large current or long-time use can be improved.例文帳に追加

したがって、配線層３３が銅配線層３０を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

In the current source transistor CS1, the potential of an impurity layer in which the channel region is formed is set independently of the potential of the impurity layer in which the channel regions of other transistors are formed.例文帳に追加

電流源トランジスタＣＳ１は、そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタである。 - 特許庁

The sense current substantially eliminates an influence of the vortices magnetization pattern 320 in the free layer by generating a vortex magnetic field 330 opposite in direction to the vortex magnetization pattern 310 fixed inside the stabilization layer.例文帳に追加

センス電流は、安定化層内に固定されている渦磁化パターン310と逆向きの渦磁場330を自由層内に発生させ、実質的に自由層内における渦磁化パターン320の影響を消去する。 - 特許庁

In a photovoltaic device, there are formed a back electrode 10, a semiconductor optical active layer 11, a transparent surface electrode 7, and a current-collecting wiring layer 8 on an insulating film substrate 1.例文帳に追加

本発明の光起電力装置では、絶縁性フィルム基板１上に裏面電極１０、半導体光活性層１１、透明表面電極７及び集電配線層８が形成される。 - 特許庁

The mesa region 10 of an approximately cylindrical shape having an n-side multilayer reflective film 12, an active layer 13, a current narrowing layer 14, and a p-side multilayer reflective film 15 laminated in this order, is formed in a substrate 11.例文帳に追加

基板１１に、ｎ側多層反射膜１２，活性層１３，電流狭窄層１４，ｐ側多層反射膜１５がこの順に積層された略円柱状のメサ領域１０が形成されている。 - 特許庁

To lengthen service life of an electric double layer capacitor provided with a positive pole which is constituted by forming a positive pole active material layer containing a positive pole active material on a current collector body.例文帳に追加

集電体上に正極活物質を含む正極活物質層が形成されてなる正極を備えた電気二重層キャパシタについて、従来のものよりもさらに寿命を長くする。 - 特許庁

This is the light-emitting element having a positive electrode and a negative electrode, and having an organic light-emitting layer pinched between the positive electrode and the negative electrode, and the organic light- emitting layer includes a light-emitting material and a current promoting material.例文帳に追加

陽極および陰極と、該陽極および陰極間に挟持された有機発光層を有する発光素子であって、前記有機発光層が発光材料と電流促進材料を含む。 - 特許庁

Each storage region 3 has a TMR element 4 arranged inside a magnetic material layer 8 and intra-region wiring 31 supplying an external magnetic field to a first magnetic layer 41 by writing current.例文帳に追加

各記憶領域３は、磁性材料層８の内部に配置されたＴＭＲ素子４と、書き込み電流によって第１磁性層４１に外部磁界を提供する領域内配線３１とを有する。 - 特許庁

By this superconductive layer 25 of the repair superconductive tape wire rod 21, a passage of current is formed so as to bypass the defective portion K of the superconductive layer 15 of the superconductive tape wire rod 11.例文帳に追加

この補修用超電導テープ線材２１の超電導層２５によって前記超電導テープ線材１１の超電導層１５の欠陥部Ｋを迂回するように電流の流路を形成する。 - 特許庁

Even when the negative electrode active material layer 12 is expanded and contracted by charge and discharge, the breakage of the negative electrode current collector 11 and the peeling off of the negative electrode active material layer 12 can be suppressed.例文帳に追加

これにより、負極活物質層１２が充放電により膨張収縮しても、負極集電体１１の破断および負極活物質層１２の剥離などを抑制することができる。 - 特許庁

When the temperature of the object 12 whose temperature is measured, is raised abnormally, the insulating sheet 3 melts, and the power source layer 2 and the GND layer 4 short-circuit, whereby current flows and the temperature abnormality can be detected.例文帳に追加

温度測定対象物１２の温度が異常に上昇すると、絶縁シート３が溶解し電源層２とＧＮＤ層４が短絡するので、電流が流れ、温度異常を検出できる。 - 特許庁

On an n-type guide layer 16 grown on a p-type GaN semiconductor substrate 11, a current constriction insulating layer 17 of about 1 μm thick having a stripe-like opening is formed.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮからなる半導体基板１１上に成長したｎ型ガイド層１６の上には、ストライプ状の開口部を持ち、膜厚が１μｍ程度の電流狭窄絶縁層１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell increasing open circuit voltage (Voc) while keeping high short circuit current (Isc) in light irradiation by improving the composition of a light reflection layer/a light scattering layer.例文帳に追加

光反射層／光散乱層の構成を工夫することで、光照射時の高い短絡電流（Ｊｓｃ）を保ったまま、開放電圧（Ｖｏｃ）を向上させた色素増感型太陽電池の提供。 - 特許庁

Furthermore, an ohmic contact is formed of a transparent conductive layer and an n-type nitride layer in order to enhance uniformity of current distribution sharply, to reduce light absorption effect and to enhance emission efficiency of the light emitting device.例文帳に追加

また透明導電層とｎ型窒化層によりオームコンタクトを形成して大幅に電流分布の均一度を高め吸光効果を低減し並びに発光装置の発光効率を高める。 - 特許庁

In the image carrier belt or the transfer material carrying belt provided with the electrode layer (3), the rupture of the belt is detected by variations of voltage or current supplied to the electrode layer.例文帳に追加

電極層（３）を有する像担持体ベルト又は転写材搬送ベルト（１）において、前記電極層への供給電圧または電流の変化によりベルトの破断を検知するようにしたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element in which current dispersion characteristics can be enhanced without thickening an active layer or a semiconductor layer, and without increasing the area of a first electrode.例文帳に追加

活性層の層厚を厚くすることなく、半導体層を厚くすることなく、第一電極の面積を大きくすることなく、電流分散特性を向上させる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

With the insulation layer 3 impressed with only an AC voltage, an n-th harmonic component I0 of a current flowing through the layer 3 is measured as a vector quantity having size and phase as its components.例文帳に追加

上記絶縁層３に交流電圧のみを印加した状態で、この絶縁層３を流れる電流の第ｎ調波成分Ｉ_0 を、その大きさ及び位相を成分とするベクトル量として測定する。 - 特許庁

To detect soft breakdown of the dielectric layer 4 of the semiconductor wafer 6, a DC current is caused to flow between a top surface 18 of the dielectric layer 4 and the semiconductor material 8 of the semiconductor wafer 6.例文帳に追加

半導体ウエハ６の誘電層４のソフトブレークダウンを検出するために、誘電層４の上面１８と半導体ウエハ６の半導体材料８との間に直流電流を流す。 - 特許庁

In addition, a base layer 43 is treated by dehydrogenation annealing before the sub-emitter layer 45 is formed, thereby resulting in the bipolar semiconductor element with a hetero joint having a large value of current amplification factor β.例文帳に追加

また、サブエミッタ層４５の形成前にベース層４３の脱水素アニール処理を実施することにより、電流増幅率βの値が大きいヘテロ接合バイポーラ半導体素子を得ることができるようにした。 - 特許庁

The current density is practically uniformized between an electroless plating layer and a circuit which are positioned at a part of the substrate 1 near a power source and an electroless plating layer and a circuit which are situated at a part far from the power source.例文帳に追加

基板１の電源に近い部分に位置する無電解メッキ層や回路と電源から遠い部分に位置する無電解メッキ層や回路との間で電流密度をほぼ均一にすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride semiconductor device capable of easily preparing a vertical element where current flows in the thickness direction of a substrate regardless of the resistance of a gallium nitride growth layer and a buffer layer.例文帳に追加

窒化ガリウム成長層およびバッファ層の抵抗に関係なく、基板の厚さ方向に電流が流れる縦型素子を容易に作成可能な窒化ガリウム半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The negative electrode includes a carbon layer (24) adhered to one side of the current-collecting element, while the positive electrode includes a layer containing a lithium transition metal or a sulfide compound (26) adhered to the other opposite side of the element.例文帳に追加

負電極は集電要素の片側に付着されたカーボン層（２４）を備え、正電極は該要素の他側に付着されたリチウム遷移金属または硫化化合物（２６）を含む層を備える。 - 特許庁

The MR element 51A includes a free layer, having a magnetization direction J13 which changes, in response to the current magnetic field HmA and a fixed layer, having a magnetization direction J11A fixed in a fixed direction.例文帳に追加

ＭＲ素子５１Ａは、電流磁界ＨｍＡに応じて変化する磁化方向Ｊ１３Ａを有する自由層と、一定方向に固着された磁化方向Ｊ１１Ａを有する固着層とを含む。 - 特許庁

As the near field light is caused to generate paired electrons-holes in a depletion layer in the semiconductor layer 3 near the first electrode 1 and the second electrode 2, a photoelectric current can be obtained.例文帳に追加

この近接場光によって、第１の電極１および第２の電極２近傍の半導体層３内の空乏層において電子・正孔対が発生するので、光電流を得ることができる。 - 特許庁

The first clad layer 104 is formed in a mesa stripe type, and current block layers 106 are formed on both sides of the first clad layer 104 in such a manner as covering the whole side surfaces.例文帳に追加

そして、第１のクラッド層１０４をメサストライプ形状とするとともに、第１のクラッド層１０４の両側において、その側面の全体を覆うようにして電流ブロック層１０６を形成する。 - 特許庁

The stacked structure from the p-InP buried layer 26 to the n-InP lower clad layer 14 is worked as a striped mesa, and both sides of the mesa are buried by a current block structure.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰ埋め込み層２６からｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１４の上部までの積層構造は、ストライプ状メサとして加工され、メサの両側は、電流ブロック構造で埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a fuel cell suppressing an increase in the temperature of a catalyst layer while suppressing an increase in cost and energy consumption, in the fuel cell having a current collecting function in the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層に集電機能を有する燃料電池において、コストおよびエネルギ消費の増大を抑制しつつ触媒層の温度上昇を抑制することができる燃料電池を提供する。 - 特許庁