「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

This negative electrode 10 comprises: a pair of front and back current-collecting surface layers 3a and 3b; and an active material layer 2 interlaid and disposed between the surface layers.例文帳に追加

負極１０は、表裏一対の集電用表面層３ａ，３ｂと、該表面層間に介在配置された活物質層２とを備える。 - 特許庁

To suppress a leakage current to a low level in a gate edge due to a metal silicide layer, and to ensure a space between gates in which an stressor can be formed.例文帳に追加

金属シリサイド層によるゲートエッジ部でのリーク電流を低く抑えると共に、ストレッサを形成可能なゲート間のスペースを確保する。 - 特許庁

At the time of write data, a data write current having a direction in accordance with a level of the stored data to be written is made to flow in the intermediate layer 107.例文帳に追加

データ書込時において、中間層１０７には、書込まれる記憶データのレベルに応じた方向のデータ書込電流が流される。 - 特許庁

The insulating coil 3 for high tension equipment comprises a conductor 1 through which a high tension current is conducted, and an insulating layer 2 provided around the conductor 1.例文帳に追加

高電圧機器用絶縁コイル３は、高電圧電流を流す導体１と、導体１の周囲に設けられた絶縁層２とを具備する。 - 特許庁

By this setup, a temperature gradient generated by a usual structure where heat is dissipated through only the stress current applying pads 1 and 7 located at the edges of the tested wiring layer is lessened.例文帳に追加

これによって、従来、被試験配線層の両端のストレス電流印加用パッドのみで発生していた温度勾配が軽減される。 - 特許庁

Uniaxial tensile strain is applied to a side wall of the channel layer in the second crystal plane direction <110> perpendicular to a current direction.例文帳に追加

1軸性引張り歪が電流方向と垂直な第２の結晶面方位＜１１０＞方向にチャネル層の側壁に対して加えられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which the sheet resistance value of a silicide layer is suppressed and moreover the junction leak current is suppressed.例文帳に追加

シリサイド層のシート抵抗値が抑制され、さらに接合リーク電流の発生が抑制された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive electrode plate for nonaqueous secondary battery has an electrode active material layer installed on a current collector by jointing active materials containing at least lithium and two or more metal elements selected from a group of cobalt, nickel, and manganese without using a resin binder, and the electrode active material layer is provided with a dense layer which is positioned on the current collector side and does not have a void substantially and has a void formation layer.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずに、少なくともリチウムと、コバルト、ニッケルおよびマンガンからなる群から選択される２以上の金属元素と、を含む活物質同士が接合することにより集電体上に電極活物質層が設けられており、該電極活物質層は、上記集電体側に位置する実質的に空隙を有しない緻密層と、空隙形成層とを備えて構成される。 - 特許庁

In manufacturing the group III-V compound semiconductor light emitting device on a side wall of the ridge, having a ridge and a current block layer formed sandwiching the ridge, and including a layer having a larger Al ratio than that of the layer forming a bottom face of both sides of the ridge, the current block layer is made to grow under a condition of 650°C or below by a vapor deposition method.例文帳に追加

リッジと、リッジを挟んで形成された電流ブロック層とを有し、かつリッジの側壁に、Ａｌ混晶比が前記リッジの両側の底面を形成する層のＡｌ混晶比よりも大きい層を含むIII−Ｖ族化合物半導体発光素子を製造するにあたり、電流ブロック層を６５０℃以下の条件でかつ気相成長法により成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法。 - 特許庁

To restrict a short-channel effect and increase a drain current at the operation of a transistor without increasing a leak current when polysilicon doped with P or As is used as a contact to a diffusion layer of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの拡散層へのコンタクトとしてP またはAsをドープした多結晶シリコンを用いる場合に、短チヤネル効果を抑制し、リーク電流を増加させることなく、トランジスタの動作時のドレイン電流を増加させる。 - 特許庁

As the predetermined value, a value obtained by adding an allowance value to an upper limit value of electric field intensity capable of avoiding the generation of a current concentration caused by a punch-through current passed through the P well layer 12a is adopted.例文帳に追加

そうした所定値は、Ｐウェル層１２ａを流れるパンチスルー電流に起因して電流集中が生じることを回避可能な電界強度の上限値に余裕を含めた値が採用されている。 - 特許庁

In modifying the irregularities of spins on the pin layer of the tunnel magnetic resistance elements, a current supplying means makes current flow to at least one of the word lines or the bit lines.例文帳に追加

そして、上記トンネル磁気抵抗素子におけるピン層のスピンのばらつきを修正する際に、上記電流供給手段から前記ワード線またはビット線の少なくとも一本に電流を流すことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an anode formation system in which current density distribution can be made uniform by controlling the magnitude or distribution of leak current and a porous layer can be formed uniformly over the entire surface of a substrate.例文帳に追加

リーク電流の大きさや分布を制御して電流密度分布を均一化することができ、基板の表面の全体にわたって均一に多孔質層を形成することができる陽極化成装置を提供する。 - 特許庁

A state quantity detection part 43 detects a current position of a vehicle 1, current time, the remaining quantity of gasoline, etc., updates the operation menu data according to results of detection of their state quantities, and updates the content of layer allotment.例文帳に追加

状態量検出部４３により車両１の現在地、現在時刻、及びガソリン残量等を検出し、その状態量の検出結果に応じて操作メニューデータを更新し、階層割り当ての内容を変更する。 - 特許庁

A conductor 11 is electrified by a high-voltage generating part 23 to detect a loss current from a metal shielding layer 15, it is amplified by an amplifier 27 to observe the loss current waveform, and the water tree deterioration is diagnosed based thereon.例文帳に追加

高電圧発生部２３により導体１１に課電して、金属遮蔽層１５から損失電流を検出し、これを増幅器２７で増幅した損失電流波形を観測して水トリー劣化を診断する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 12 is formed by a gas phase method, a liquid phase method or a sintering method, and alloyed with the negative electrode current collector 11 at least in a part of the interface with the negative electrode current collector 11.例文帳に追加

負極活物質層１２は、気相法，液相法または焼結法で形成され、負極集電体１１との界面の少なくとも一部において負極集電体１１と合金化している。 - 特許庁

By increasing the purity of the oxide semiconductor layer, an off current value of the transistor at room temperature can be 10 aA/μm or less and an off current value at 85°C can be 100 aA/μm or less.例文帳に追加

なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。 - 特許庁

To provide a method of producing electrogalvanized steel plate capable of forming a plating layer having a preferable appearance without causing the deterioration of electric current efficiency even when performing electrolytic treatment with a high electric current density.例文帳に追加

高電流密度で電解処理を行う場合であっても、電流効率の低下を生じることなく、良好な外観のめっき層を形成できる電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An AC current from an AC power supply 34 is supplied to the resistance heat generating layer 31a from one of the power feed rollers 33 and the supplied current flows toward the other power feed roller 33 in the peripheral direction.例文帳に追加

抵抗発熱層３１ａには、給電用ローラ３３の一方から、交流電源３４から交流電流が供給されて、供給された電流が他方の給電用ローラ３３に向って周方向に流れる。 - 特許庁

The cathode 30 has a current collector 1, a powder cathode portion 2 positioned on the current collector 1 by a powder deposition method, and a thin film cathode layer 3 positioned on the powder cathode portion.例文帳に追加

本発明の正極３０は、集電体１と、集電体１上に位置する粉末塗着法による粉末正極部２と、粉末正極部上に位置する薄膜の正極層３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

An electrostatic capacitance element E which becomes high impedance for a DC current and low impedance for a high frequency current and has an electrically insulated magnetic body as a capacitance layer is inserted into the case magnetic path M1.例文帳に追加

ケース磁路Ｍ１には、直流電流に対して高インピーダンスとなり、高周波電流に対して低インピーダンスとなり、電気絶縁性の磁性体を容量層とする静電容量要素Ｅが挿入されている。 - 特許庁

When a current is injected, in this semiconductor laser device 10, the carrier density in a part 34 in the active layer 20 directly below the current non-injection regions 28 provided in the stripe is lower than that in the other parts.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０では、電流注入時、ストライプ内に設けられた電流非注入領域２８の直下の活性層２０内の部分３４のキャリア密度が、それ以外の部分のキャリア密度より低い。 - 特許庁

To provide a compound suitable for the formation of an electron-blocking layer in a photoelectric conversion element capable of decreasing the increase of dark current and also decreasing the increasing width of the dark current in the case of heat-treating the element.例文帳に追加

暗電流の増加を低減し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子における電子ブロッキング層の形成に適した化合物の提供。 - 特許庁

The first connection portion 51 is pinched between the current collectors 22b, 22c adjacent in lamination direction, and conductive layers 51b, 51c which are in contact with the current collectors 22b, 22c are formed on the both sides of an insulating layer 51a.例文帳に追加

第１接続部５１は、積層方向に隣り合う集電体２２ｂ，２２ｃの間に挟持され、絶縁層５１ａの両面に集電体２２ｂ，２２ｃと接する導電層５１ｂ，５１ｃが形成される。 - 特許庁

To solve such a problem that a protective layer may be highly possibly decayed during a process of soldering since a metallic electrode is enlarged to increase a current capacity of a superconductive current lead, thus resulting in an increase of a heat capacity.例文帳に追加

超電導電流リードの電流容量を増加させるためには、金属性の電極が大きくなるため、熱容量が増加し、ハンダ付け工程の際に保護層が消失する可能性が高くなる。 - 特許庁

A positive electrode 7 of the lithium ion secondary battery is equipped with a positive current collector, where a power extracting part 50 is integrally formed in the peripheral part and a positive active material layer 6 placed on the positive current collector.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の正極７は、電力取出部５０が外周部に一体形成された正極集電体と、その正極集電体に重ね合わされた正極活物質層６とを備える。 - 特許庁

To reduce a dark current of an infrared ray detector by making tall a barrier for electrons to become the dark current while keeping growth temperature of a quantum dot buried layer at growth temperature of quantum dots.例文帳に追加

赤外線検知器に関し、量子ドット埋め込み層の成長温度を量子ドットの成長温度に適した温度にしたままで、暗電流となる電子に対する障壁を高くして暗電流を低減する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, with which electrical contact of a polarizable electrode and a current collector is satisfactory, current collection efficiency is improved, contact resistance between the both is a small, and internal resistance is lowered.例文帳に追加

分極性電極と集電体の電気的接触が良好であり、集電効率が向上した、かつ両者間の接触抵抗が小であり、内部抵抗が低下した電気二重層キャパシタを得る。 - 特許庁

In the grinding apparatus 10, first, the distance from an eddy current sensor 44 to the outer peripheral surface of the belt layer 104 is detected by the eddy current sensor 44 with rotating the tire 100 to be recapped held by a pair of half rims.例文帳に追加

研削装置１０では、先ず、一対のハーフリムにより保持された被更正タイヤ１００を回転させつつ、渦流センサ４４により渦流センサ４４からベルト層１０４の外周面までの距離を検出する。 - 特許庁

To provide a vertically-structured gallium-nitride based light-emitting diode device that provides an improved spreading efficiency of electric current and in addition, operates to reflect a photon emitted toward an electric current blocking layer on a light-emitting surface to embody a high luminance.例文帳に追加

電流の拡散効率を向上させると共に、電流阻止層に向かって発光する光子を発光面に反射させることで高輝度を具現する垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子に提供する。 - 特許庁

To provide a dye sensitized solar cell for protecting a current collecting line by a simple process, protecting the current collecting line from an electrolyte layer reliably, and generating power for a long time.例文帳に追加

集電線の保護が簡便な工程で行うことができると共に、電解質層から集電線が確実に保護されて長期に亘って発電を行うことができる色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁

Control signal lines (210l, 211a, and 211b) having a divided structure for transferring a control signal are disposed in a wiring layer which is parallel with and different from write current lines (BL0 and BL1) for transmitting a write current to memory cells.例文帳に追加

メモリセルに書込み電流を伝達する書込電流線（ＢＬ０、ＢＬ１）と平行にかつ異なる配線層に、制御信号を転送する分割構造の制御信号線（２１０ｌ、２１１ａ、２１１ｂ）を配置する。 - 特許庁

To provide a technology for forming a metal oxide film, which forms a rear reflective layer of a solar battery having constant characteristics even when the film is formed for a long time, and keeps an electric current of the bottom cell and Jsc (shunt current) of the solar battery constant over a long period.例文帳に追加

長時間成膜しても特性が一定の裏面反射層を形成し、ボトムセルの電流を維持して太陽電池のJscを長時間に渡って一定にする金属酸化膜の形成技術を提供する。 - 特許庁

Since the shield layers of respective cable cores can be connected with low resistance at the conductive joint, the magnitude of a current flowing through each shield layer can be substantially equalized to that of the current flowing through each superconductor.例文帳に追加

導電性接続部により各ケーブルコアのシールド層同士を低抵抗で接続できるため、各シールド層に流れる電流の大きさを各超電導導体に流れる電流とそれぞれほぼ同等とすることができる。 - 特許庁

According to this constitution, since the magnetic field by the write current can be provided efficiently for the TMR element 4, the magnetizing direction of the first magnetic layer 41 can be inverted even with a small write current.例文帳に追加

この構成によれば、書き込み電流による磁界をＴＭＲ素子４へ効率よく提供できるので、第１磁性層４１の磁化方向を小さな書き込み電流でもって反転させることができる。 - 特許庁

Upon forming the solid state electrolytic layer by the current carrying technique employing the anode substrate with the dielectric oxide film formed on the surface thereof as the anode, the current carrying is effected by employing an anode collector comprising a conductive sponge.例文帳に追加

表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極基体を陽極として通電手法により固体電解質層形成する際、前記通電を導電性スポンジを含む陽極集電体を用いて行なう。 - 特許庁

Current drive capability of the operational amplifier 100 is controlled by fixing the gate voltage of the current source transistor and altering at least one of the potential of the impurity layer and the potential of the source region.例文帳に追加

電流源トランジスタのゲート電圧が固定され、不純物層の電位及びそのソース領域の電位の少なくとも１つが変更されることで、演算増幅器１００の電流駆動能力が制御される。 - 特許庁

A lithium secondary cell 10 comprises an anode terminal 4, a metal containing anode current collector 2 connected electrically to the anode terminal 4, a noble metal layer 11 formed so as to cover the anode current collector 2.例文帳に追加

リチウム２次電池１０は、負極端子４と、負極端子４に電気的に接続され、金属を含む負極集電体２と、負極集電体２を覆うように形成された貴金属層１１とを備える。 - 特許庁

In an element with an MIM insulation layer of a 9.6 nm thickness, a diode current Id exponentially rises from around 4.8 V together with and an emission current Ie exponentially rises from 4.7 V.例文帳に追加

ＭＩＭ絶縁層の膜厚が９．６ｎｍの素子では、電圧と共にダイオード電流Ｉｄは４．８Ｖ付近から指数関数的に立ち上がり、エミッション電流Ｉｅは４．７Ｖから指数関数的に立ち上がる。 - 特許庁

The carbon doped layer 115 has a current constriction part having larger dopant concentration than that of adjacent p-type spacer layers 106 and 116 and internally containing hydrogen, and a current injection part internally containing no hydrogen.例文帳に追加

炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。 - 特許庁

Since the shield layers of respective cable cores can be connected with low resistance at the shield joint 2, the magnitude of a current flowing through each shield layer can be substantially equalized to that of the current flowing through each superconductor.例文帳に追加

シールド接続部により各ケーブルコアのシールド層同士を低抵抗で接続できるため、各シールド層に流れる電流の大きさを各超電導導体に流れる電流とそれぞれほぼ同等とすることができる。 - 特許庁

To impress a current to a beam forming layer in an adequately large area even in a material system in which the application of high-quality active layers on current expanding layers is difficult and complicated.例文帳に追加

高品質の活性層を電流拡散層上に被着することが困難であったり煩雑となったりするような材料系においても充分に大きな面積で電流をビーム形成層へ印加できるようにする。 - 特許庁

When electric current is made to flow between a Cu seed layer (not shown in Figure) and the anode electrode 104, and the growing by plating is performed, electric current is made to flow also from the second cathode electrode in contact with the vicinity of the center of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。 - 特許庁

Within a super luminescent diode(SLD), a current implanted end (18) slowly reducing the current implanted amount is provided between a current implanted region (11) sectioned by a current implanting part (14) to an active layer (3) and not implanted region (13) for inserting a transfer region (12).例文帳に追加

この発明にかかるスーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）は、活性層（３）に電流を注入する電流注入部（１４）で画成される電流注入領域（１１）と、注入されない非注入領域（１３）との間に、電流の注入量が徐々に減少する電流注入端部（１８）を設けて遷移領域（１２）を挿入した。 - 特許庁

A positive electrode current collecting electrode 5aa is exposed from a positive electrode current collecting hole 20a of an outer case 1, and a positive electrode seal layer 4a having a positive electrode seal hole 21a smaller than the positive electrode current collecting hole 20a is stuck tightly to the positive electrode current collecting electrode 5aa at that part by a ring-shaped melting portion 4a3.例文帳に追加

外装ケース１の正極集電穴２０ａから正極集電電極５ａａが露出しており、この部分の正極集電電極５ａａには、正極集電穴２０ａよりも一回り小さい正極シール穴２１ａが形成された正極シール層４ａが、リング状の融着部４ａ３によって密着されている。 - 特許庁