| 例文 |
current layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4333件
To achieve both of the suppression of a dark current and the suppression of smear in a solid-state image pickup device where a surface p layer is provided on the surface of a photoelectric conversion element.例文帳に追加
表面p層を光電変換素子表面に設けた固体撮像素子における暗電流抑制とスミア抑制とを両立させる。 - 特許庁
The magnetic field impressed on the light-emitting function layer includes a field generated in accordance with the corkscrew rule as a current is flowed in the field impression wiring 501.例文帳に追加
発光機能層に印加される磁場は、磁場印加配線501に電流が流されることにより、右ねじの法則にしたがって発生する磁場を含む。 - 特許庁
Silicon in an anode active substance layer provided in an anode current collector has an amorphous structure with a low degree of a local order.例文帳に追加
負極集電体に設けられた負極活物質層中のケイ素は、局所的な秩序性の度合いが低い非晶質構造を有している。 - 特許庁
This enables the forming of a current blocking layer without increasing the epitaxial growth steps, and emitted lights can be taken out efficiently.例文帳に追加
このため、エピタキシャル成長工程を増やすこと無く電流阻止層を形成することができ、効率よく発光した光を外部に取り出すことができる。 - 特許庁
To obtain a high current drive capability by lowering the resistance of an offset-drain diffused layer.例文帳に追加
オフセットドレイン拡散層の抵抗値を低く抑えることで高い電流駆動能力を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method thereof wherein any leakage current can be prevented from occurring in between its silicide layer present on its polysilicons and its other portions.例文帳に追加
ポリシリコン上のシリサイド層と他の部分との間でリーク電流が生じてしまうことを防止できる半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁
A thin film electrode 5 is provided for injecting a current, so as to cover the partitions 4a and contact the light emitting semiconductor layer 3 surface.例文帳に追加
間仕切り部4aを被覆し、かつ発光性半導体層3の表面に接触するように、電流を注入するための薄膜電極5が設けられている。 - 特許庁
The first and second ridges 127 and 137 are formed by dry etching process and the side surface thereof is not covered with a current block layer.例文帳に追加
第一リッジ部127及び第二リッジ部137はドライエッチングにより形成されたものであり、その側面は電流ブロック層により覆われていない。 - 特許庁
Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.例文帳に追加
かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域2との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁
At this time, the conductive layer 7a is continued in a peripheral direction, the eddy current is made to flow in the peripheral direction and the efficiency of the heat generation is improved.例文帳に追加
その際、導電層7aは、周方向に連続するようにして、渦電流が周方向に流れるようにして発熱の効率をよくする。 - 特許庁
While introduced into the clad layer of a semiconductor laser element, a current bottleneck and leak light are absorbed or reflected to suppress a multiple mode.例文帳に追加
半導体レーザ素子のクラッド層に導入することで、電流狭窄やリーク光を吸収または反射して多重モードを抑制することができる。 - 特許庁
Current injection into the p-type semiconductor material layer 16 of the portion 57 can be reduced and/or prevented by not forming the ohmmic contact.例文帳に追加
オーミックコンタクトを形成しないことによって、部分57のp型半導体材料層16への電流注入を、減少し、かつ/または防げることができる。 - 特許庁
Further, in the middle high grayscale region, the constant-current drive is selected, load on the organic EL layer is reduced, thereby ensuring a light emitting life.例文帳に追加
さらに、中高階調領域では、定電流駆動に切替えるため、有機EL層への負荷が軽減されて、発光寿命を確保することができる。 - 特許庁
To provide a surface emission semiconductor laser element which lowers a chance of getting uneven current injection to an active layer and prevents a light of the outer peripheral part from being blocked.例文帳に追加
活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁
The information recording medium 1 has a recording layer 15 which causes phase change, by iradiatation of a laser beam or application of a current.例文帳に追加
本発明の情報記録媒体は、レーザビームの照射または電流の印加によって、相変化を起こす記録層15を有する情報記録媒体1である。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device, capable of forming a low-refractive-index and dark-current-annihilating layer at a relatively low temperature, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
低屈折率であって暗電流を消滅させる層を比較的低温で形成が可能な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
According to this structure, when the vertical P-type PNP transistor is put in ON operation, a parasitic current flows, mainly through a zone having the P-type diffusion layer 23 formed therein.例文帳に追加
この構造により、縦型PNPトランジスタがオン動作した際に、P型の拡散層23が形成された領域が、主に、寄生電流の経路となる。 - 特許庁
To enhance on-breakdown voltage, improve the I-V characteristics, and suppress a leakage current via a protective layer relating to a compound semiconductor laminated structure.例文帳に追加
化合物半導体積層構造に関し、オン耐圧を高め、また、I−V特性を改善するとともに、保護層を介したリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁
The thickness of a selection object oxide layer is 30-40 nm, and the temperature when an oscillation threshold current is minimized is ≤60°C.例文帳に追加
そして、被選択酸化層の厚さは30nmから40nmの範囲内であり、発振の閾値電流が最小となるときの温度は60℃以下である。 - 特許庁
To prevent a leakage of current while preventing a change in image density in continuous printing, even if the electric property of a coat layer varies.例文帳に追加
コート層の電気的性質にばらつきがあっても、電流がリークする現象の防止と連続印刷で画像濃度が変化する現象の防止を両立する。 - 特許庁
To provide a cylindrical nonaqueous electrolyte secondary battery excellent in charge and discharge cycle characteristics and large current characteristics by using an isolation layer including cellulose.例文帳に追加
セルロースを含む隔離層を用いて、充放電サイクル特性および大電流特性に優れた円筒型非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁
This can prevent concentration of electric current due to a short circuit between a cathode and an anode of the EL element, and can prevent light emission failure of an EL layer.例文帳に追加
これにより、EL素子の陰極、陽極間の短絡により電流集中が生じるのを防ぎ、EL層の発光不良を防ぐことができる。 - 特許庁
A detector connected to the detection current detects shifts in a free layer magnetization oscillation frequency from the base frequency in response to an external magnetic field.例文帳に追加
検知電流に結合された検出器は、外部磁界に応答して基底周波数からの自由層磁化発振周波数のシフトを検出する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device employing a III nitride semiconductor layer in which a high resistance region exhibiting excellent thermal stability can be formed easily while suppressing leakage current.例文帳に追加
III族窒化物半導体層を用いた半導体装置において、熱的安定性に優れ、且つリーク電流が少ない高抵抗領域を容易に形成する。 - 特許庁
The negative electrode 22 has a negative electrode film 22C containing a fluororesin on a negative electrode active material layer 22B installed on a negative electrode current collector 22A.例文帳に追加
負極22は、負極集電体22Aに設けられた負極活物質層22B上に、フッ素樹脂を含む負極被膜22Cを有している。 - 特許庁
The charging apparatus comprises a DC power source for supplying DC current, and an electric double-layer capacitor connected to the output unit of the DC power source.例文帳に追加
直流電流を供給する直流電源を備え、前記直流電源の出力部に、電気二重層キャパシタが接続された充電装置とする。 - 特許庁
Further, recognition of a pinhole and a steak existing in the active material layer through which a current collector is seen can be made easily, thereby, superior productivity can be provided.例文帳に追加
また活物質層に存在する集電体が見えるピンホールやスジの認識を容易にでき、このことにより優れた生産性を提供できるものである。 - 特許庁
At this point, capacitance is formed between the well and the diffusion layer, whose conductivity is opposite type to that of the well, so that current is restrained from changing sharply.例文帳に追加
このとき、ウェルとそのウェルと反対の導電型の拡散層との間に容量を有することになるので、電流の急激な変化を抑制する。 - 特許庁
To provide a solid electrolytic capacitor that uses a conductive polymer layer as a cathode and suppresses leakage current, and its manufacturing method.例文帳に追加
導電性高分子層を陰極体として用いる固体電解コンデンサについて漏れ電流の少ない固体電解コンデンサとその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To prevent deterioration in device characteristics such as an operation current by protecting an inside metal electrode layer from oxidation so as to prevent increase in resistance value of the device.例文帳に追加
内側金属電極層を酸化から保護することにより、素子の抵抗値の上昇を防止して、動作電流などの素子特性の悪化を防止する。 - 特許庁
The positive electrode plate has a positive electrode mixture layer 2 containing lithium manganate of a positive electrode active material formed on both sides of a positive electrode current collector sheet 1.例文帳に追加
正極板は、正極集電体シート1の両面に正極活物質のマンガン酸リチウムを含む正極合剤層2が形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a current amplification factor β does not decrease even if a dopant of exceeding 3×1018 cm-3 is doped into a sub-collector layer.例文帳に追加
サブコレクタ層に3×10^18cm^-3を超えてドーパントをドーピングしても電流増幅率βが低下しない半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a built-in electrostatic protective circuit which can avoid a current which passes through a silicide layer to concentrate on a hot spot.例文帳に追加
シリサイド層を通過してホットスポットに電流集中することを回避できる静電気保護回路が内蔵された半導体装置を提供すること。 - 特許庁
Immediately above the region where the light intensity is low, a conductive film 170 for injecting a current into the active layer is provided selectively.例文帳に追加
前記光強度が低い領域の直上に、前記活性層に電流注入するための導電膜170が選択的に設けられている。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor electronic device in which a semiconductor layer, which isolates a gate electrode from a current path in a semiconductor stack, can be made thicker.例文帳に追加
半導体積層内の電流経路からゲート電極を隔てる半導体層を厚くできるIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT. THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK APPARATUS, SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNETIC MAGNETIZATION FIXING LAYER, MAGNETIC MEMORY CELL, AND CURRENT SENSOR例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、シンセティック反強磁性磁化固着層、磁気メモリセルおよび電流センサ - 特許庁
By this, the metal oxide layer becomes a heat-resistant and oxidation-resistant protective membrane so as to prevent the current collector from deteriorating due to exposure to a high temperature.例文帳に追加
これによって、金属酸化物層が耐熱性、耐酸化性の保護膜になり、集電体を高温に曝されることによる劣化から防ぐことができる。 - 特許庁
When an alternating current is applied between both electrodes 7, 8 of the conductor layer 4, the second sheet 2 emits light in a light-emitting color of each of the phosphors in each of the patterns.例文帳に追加
導電体層4の両電極7,8間に交流を加えると、第2のシート2は、各々のパターンで各々の蛍光体の発光色で発光する。 - 特許庁
Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加
このため、ゲート電極6の下のN−型ドレイン層2が熱破壊する前に、サージ電流はこのPN接合を通ってシリコン基板1に逃げる。 - 特許庁
To provide large magnetoresistive change when a current is made to flow in a direction vertical to the surface of each layer constituting a magnetoresistive effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子を構成する各層の面に対して垂直な方向に電流を流したときに大きな磁気抵抗変化を得ることができるようにする。 - 特許庁
To reduce a substrate leakage current by suppressing the inflow of electric charge from a sub-collector layer of a hetero-junction bipolar transistor to a half-insulating substrate.例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタのサブコレクタ層から半絶縁性基板への電荷の流入を抑制することにより、基板リーク電流を低減する。 - 特許庁
To provide a ridge type semiconductor laser allowing a ridge to be formed by selective etching without separately adding an etching stopper layer, small in threshold current and excelling in efficiency.例文帳に追加
別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting element which has excellent light emitting characteristics and power saving properties by forming a current block layer having excellent reliability with high insulation.例文帳に追加
高い絶縁性を有し信頼性に優れた電流ブロック層を形成して、発光特性と省電力性に優れた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
To efficiently manufacture a solid electrolytic capacitor that can suppress damage to the dielectrics when forming a solid electrolytic layer and has a small impedance and leakage current.例文帳に追加
固体電解質層を形成する際の誘電体の損傷を抑制し、インピーダンスや漏れ電流の小さい固体電解コンデンサを、作業効率よく製造する。 - 特許庁
This steel wire to whose peripheral surface a brass plating is applied is characterized by imparting electric characteristics having a voltage-current response according to Ohm'law to the brass plate layer.例文帳に追加
ワイヤの周面にブラスめっきを施したスチールワイヤにおいて、該ブラスめっき層に、電圧−電流応答がオームの法則に従う電気特性を付与する。 - 特許庁
At least two of the layers of the floating gate are separated by an intermediate dielectric layer having predetermined thickness enabling direct tunnelling current between the layers.例文帳に追加
浮遊ゲートの少なくとも2つの層は、層間の直接トンネル電流を可能にする所定の厚さを有する中間誘電体層によって分離している。 - 特許庁
Also, a dark current suppression layer may be provided at least between the emitter electrode and the base electrode or between the collector electrode and the base electrode.例文帳に追加
また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 - 特許庁
Adjacent to the current collector, a porous layer containing the polymer electrolyte-catalyst complex structure particles 4 is formed to obtain the electrode having ion conductivity.例文帳に追加
集電体に接して、高分子電解質−触媒複合構造体粒子4を含有する多孔質層を形成し、イオン伝導性を有する電極とする。 - 特許庁
Desirably, a layer facing an anode is structured of a material not changing colors even after being stuck with a metal Li in Ar air current for one hour.例文帳に追加
好ましくは、負極に対向する層が、Ar気流中で金属Liと1時間密着させても変色しない材料によって構成されている。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|