「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To furthermore improve the structure of a reaction layer including electrode catalyst so as to furthermore enhance the output power of a fuel cell at low current density.例文帳に追加

低い電流密度での燃料電池の出力をさらに向上させるために電極触媒を含有する反応層の構造をさらに改善する - 特許庁

The current output electrodes 132 are electrically connected to substrate electrodes 118b with a first wiring layer 114 via bonding wires 134.例文帳に追加

電流出力用電極１３２は、ボンディングワイヤ１３４を介して第１の配線層１１４に設けられた基板電極１１８ｂと電気的に接続されている。 - 特許庁

The element region has, in the first semiconductor layer 2, a semiconductor element in which current flows between a first electrode 9 and a second electrode 8.例文帳に追加

素子領域は、第１の電極９と、第２の電極８と、の間を電流が流れる半導体素子を、第１の半導体層１内に有する。 - 特許庁

To provide an organic EL element having organic thin films including a light emitting layer between a pair of electrodes properly prevented from generation of leak and short-circuit of current.例文帳に追加

一対の電極の間に発光層を含む有機薄膜を有する有機ＥＬ素子において、電流のリークやショートの発生を適切に防止する。 - 特許庁

The oxide layer has so much electric resistance as to make electric power consumption enough to reduce anisotropy of the free magnetic electrode by the electric current induction heating.例文帳に追加

酸化物層は、電流誘導加熱により自由磁気電極の異方性を低下させるのに十分な電力消費を可能とするレベルの抵抗を有する。 - 特許庁

To suppress leakage current between a gate electrode with a sidewall insulating layer, and an ohmic electrode facing the gate electrode, in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、側壁絶縁膜を有するゲート電極と、ゲート電極に対向するオーミック電極との間のリーク電流を抑圧する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a metal oxide film 9 as a current dispersion layer, an electrode 10 is plated on the metal oxide film 9.例文帳に追加

電流分散層として金属酸化膜９を有する半導体発光素子において、前記金属酸化膜９に電極１０がメッキされている。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect.例文帳に追加

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。 - 特許庁

The height of the first region of the current constriction layer in the first semiconductor element is nearly the same as the height of the upper face of the ridge strip part.例文帳に追加

前記第１の半導体レーザ素子における電流狭窄層の第１の領域は、前記リッジストライプ部の上面と略同じ高さである。 - 特許庁

Each of the current source transistors TA includes a semiconductor layer 31 crystallized by irradiating with a laser beam, with respect to a region long in the laser longitudinal axis direction.例文帳に追加

各電流源トランジスタＴAは、レーザ長軸方向ＤAに長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層３１を含む。 - 特許庁

Holes in the layer 3 are fed to the electrode 10 through the electrode 11, and reduction in the drain current is self-corrected.例文帳に追加

埋め込みｐ型層３の正孔は外部ｎ型電極１１を通じて第２ゲート電極１０に供給されドレイン電流の低下が自己補正される。 - 特許庁

To provide a surface-emission semiconductor laser element with an oxidation constriction type current constriction layer having a constitution having excellent repetitive reproducibility and controllability.例文帳に追加

繰り返し再現性及び制御性の良好な構成の酸化狭窄型電流狭窄層を備えた面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a switch device capable of a high-speed response even to an abnormal current at the time of occurrence of layer short-circuitting such as incomplete short-circuitting without requiring a shunt resistor.例文帳に追加

シャント抵抗を不要とし、不完全短絡などのレアショートの発生時の異常電流に対しても高速応答が可能なスイッチング・デバイスを提供する。 - 特許庁

By measuring the current, the localized level like a boundary trap existing in the area of the depletion layer 35 right below the electrode 34 is measured.例文帳に追加

この電流を測定することによって、電極３４の真下の空乏層３５の領域に存在する界面トラップのような局在準位を測定する。 - 特許庁

The negative electrode current collector 11 has a grain-shaped protruding part 11B on a surface at which the negative electrode active material layer 12 of a substrate 11A is formed.例文帳に追加

負極集電体１１は、基材１１Ａの負極活物質層１２が形成される面に粒子状の突起部１１Ｂを有している。 - 特許庁

The disconnection of the second electrode 16 is restrained by arranging the low tapered part 41, and the leakage current via the organic layer 15 is reduced by the high tapered part 42.例文帳に追加

低テーパ部４１を設けることにより第２電極１６の断線を抑え、高テーパ部４２により、有機層１５を介した漏れ電流を低減させる。 - 特許庁

To prevent image persistence from happening in a liquid crystal layer with a direct current voltage caused on a scanning line in an active matrix liquid crystal display element.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示素子において、走査線に生じる直流電圧により液晶層に焼き付きが生じるのを防止すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device with high yield which is excellent in emission properties and equipped with a current constriction layer of high performance.例文帳に追加

発光特性に優れ高性能の電流狭窄層を有する半導体発光素子を、高歩留まりで製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

Through this, current flow path is limited, and portions having a total area equivalent to that of the high-resistance faces 12sr of the light-emitting layer 15 serve as non-light-emitting areas 15nLE.例文帳に追加

これにより、電流経路が制限され、発光層１５の高抵抗面１２ｓｒと同面積の部分が非発光領域１５ｎＬＥとなる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting chip, which permits uniformly injecting electric current into a light emitting layer and which improves a light emitting efficiency.例文帳に追加

発光層に均一に電流を注入することができ、発光効率を向上させることの可能な窒化物半導体発光チップを提供する。 - 特許庁

On the surface of the p-side electrode 22, a protecting section 24 is provided, in correspondence with other region than the current injection region of the active layer 14.例文帳に追加

また、ｐ側電極２２の表面には活性層１４の電流注入領域以外の領域に対応して保護部２４が設けられている。 - 特許庁

Moreover, as for the intermediate layer part, a current collector exposed part may be formed only on the battery element outer peripheral side face of one of the positive electrode or the negative electrode.例文帳に追加

また、中間層部については正極もしくは負極の一方の電池素子外周側面にのみ集電体露出部を設けてもよい。 - 特許庁

To provide a rubber and plastic insulated power cable capable of sufficiently carrying an earth current by suppressing breakage of a water shutoff and shield layer when the cable is bent.例文帳に追加

遮水・遮蔽層がケーブル曲げ時に破れることを抑制し、地絡電流を十分に通電できるゴム・プラスチック絶縁電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

A plurality of holes 30, reaching the current constricting layer 32 from the active region 16 are formed in the lower DBR 14 on the outside of the post P.例文帳に追加

下部ＤＢＲ１４には、ポストＰの外側において、活性領域１６から電流狭窄層３２に到達する複数の孔３０が形成されている。 - 特許庁

To reduce the deterioration and variance of dielectric strength and a leak current of an element by improving the planarity of the surface of a conductive thin film, and to form a thin insulating film layer by using it as a base electrode layer.例文帳に追加

導電性薄膜の表面の平坦性を向上させることにより、これを下地電極層として薄い絶縁膜層を形成し、素子のリーク電流や破壊耐圧の悪化、ばらつきを低減する。 - 特許庁

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。 - 特許庁

To realize a technique of peeling/removing a coating film comprising an active-material layer and a gel-polymer layer in a desired position to a minimal size from a current collector at a high speed without using an adhesive tape for peeling.例文帳に追加

剥離用粘着テープを用いず、集電体上より所望の位置の活物質層とゲルポリマー層からなる塗工膜を、高速かつ必要最小限の大きさに剥離除去する技術を提供することにある。 - 特許庁

To enable a rapid operation of a super junction semiconductor device with a low on resistance and having a drift layer made of a parallel p-n layer allowing a current to flow in a on state and depleted in an off state.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を有する超接合半導体素子において、低オン抵抗でありながら高速な動作を可能にする。 - 特許庁

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.例文帳に追加

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁

To provide a scalable binary video encoding/decoding apparatus utilizing kinds of additional information for indicating an encoding method and modes of a lower layer and a current layer for improving encoding efficiency by decreasing the kinds of additional information.例文帳に追加

符号化方法を表示する付加情報の種類と、付加情報の種類を減らして符号化効率を向上させる、下層と現在層のモードを利用したスケーラブル二進映像符号化／復号化装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an LED having a structure using a metal oxide as a current dispersion layer on the surface of an epitaxial wafer, the structure in which damage is eliminated at the time of wire bonding without providing a cushion layer.例文帳に追加

エピタキシャルウェハの表面に電流分散層として金属酸化物を用いた構造のＬＥＤにおいて、クッション層を設けることなくワイヤボンディング時のダメージをなくした構造にすることを可能にする。 - 特許庁

To enable to drive effectively an LED element in which a plurality of luminous layers having mutually different emission wavelength peaks are interposed between a pair of p layer and n layer, and the emission color depends substantially on the drive current value only.例文帳に追加

互いに発光波長ピークの異なる複数の発光層が一対のｐ層とｎ層との間に挟まれており、発光色が実質的に駆動電流値だけに依存するＬＥＤ素子を効果的に駆動する。 - 特許庁

Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path.例文帳に追加

一方、拡散防止層３１は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層３１自体が電流リークパスとなることも抑制される。 - 特許庁

In this multilayer printed wiring board 1, a plurality of vias 4-7 that connect a power supply wire 2 in a first wiring layer with a power supply wire 3 in a second wiring layer are arranged in parallel to a direction along which a current flows.例文帳に追加

多層のプリント配線板１において、第１の配線層の電源配線２と、第２の配線層の電源配線３とを接続する複数のヴィア４〜７を電流の流れる方向に並行して配置する。 - 特許庁

To suppress rush current from an electric double layer capacitor and to suppress that a smoothing electrolytic capacitor is overheated and damaged by fire in an uninterruptible power supply unit in which the electric double layer capacitor is arranged as a storage element.例文帳に追加

電気二重層キャパシタが蓄電素子として設けられた無停電電源装置において、電気二重層キャパシタからの突入電流を抑制し、平滑用電解コンデンサが過熱，焼損することを抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an actual refractive index structure using an AlGaInP layer as a current block layer and causes no mounting failure even if the top surface of a ridge is 2 μm or below in width, and its manufacturing method.例文帳に追加

電流ブロック層にAlGaInP系層を用いた実屈折率構造を有するものであって、リッジの上面の幅が2μm以下であっても、実装不良を起こさない半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A current block semiconductor region 9 is provided on the side surface 3a of the first conductive semiconductor region 3 on the side surface 5a of the active layer 5, and on the side surface 9a of the second conductive semiconductor layer 9.例文帳に追加

電流ブロック半導体領域９は、第１導電型半導体領域３の側面３ａ上、活性層５の側面５ａ上及び第２導電型半導体層９の側面９ａ上に設けられている。 - 特許庁

Consequently, carrier density in the p-type clad layer 17 is increased to decrease the series resistance, and the Fermi level of the p-type clad layer 17 is sloped to suppress the generation of a leakage current caused by an overflow of electrons.例文帳に追加

これにより、ｐ型クラッド層１７中のキャリア濃度が増加されて直列抵抗が減少し、また、ｐ型クラッド層１７のフェルミレベルがスロープ状になり、電子のオーバーフローによる漏れ電流の発生が抑制される。 - 特許庁

Then the heat generating layer 23 is formed so as to have a thickness ≥3 times as large as a depth of penetration corresponding to the frequency of the alternating current when its temperature is below the Curie point of the heat generating layer 23.例文帳に追加

そして、発熱層２３は、その温度が発熱層２３が有するキューリー点以下であるときの交番電流の周波数に対応した浸透深さに対して３倍以上の厚さとなるように形成される。 - 特許庁

For this semiconductor laser element, an etching stop layer 107, p- second and third clad layers 108 and 109 and a contact layer 110 are formed in a striped ridge shape, and a current injection region 120 is constituted.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、エッチングストップ１０７層、ｐ−第二及び第三クラッド層１０８、１０９、及びコンタクト層１１０がストライプ状リッジ形に形成され、電流注入領域１２０を構成する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate with a reinforcing member that can supply a large current from a conductor layer on a substrate rear surface side to a conductor layer on a substrate principal surface side, and also improve reliability and handlability.例文帳に追加

基板裏面側の導体層から基板主面側の導体層に大電流を供給することができ、しかも、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる補強材付き配線基板を提供すること。 - 特許庁

Then, with the layer 3 impressed with the DC voltage superposed on the AC voltage, an n-th harmonic component I1 of a current flowing through the layer 3 is measured as the same vector quantity as the above.例文帳に追加

次いで、上記絶縁層３に上記交流電圧に重畳して直流電圧を印加した状態で、この絶縁層３を流れる電流の第ｎ調波成分Ｉ_1 を、同じく上記ベクトル量として測定する。 - 特許庁

Since a first connecting layer (6) provided on the first electrode (4) is connected to the first semiconductor layer (2) and is formed surrounding the second electrode (5), the current flows passing almost the entire peripheral part of the second electrode (5).例文帳に追加

第１の電極(4)に設けられる第１の接続層(6)は、第１の半導体層(2)に接続され且つ第２の電極(5)を包囲するので、第２の電極(5)の略全ての周辺部を通り電流が流れる。 - 特許庁

To provide a light-emitting element capable of controlling flowing of a local current to a light-emitting layer while having a charge injection and transporting layer formed of a metal oxide, to provide a method for producing the same, and to provide a light emitting device.例文帳に追加

金属酸化物から形成された電荷注入輸送層を備えながら、発光層に局部的な電流が流れることを抑制することができる発光素子とその製造方法、発光装置を提供する。 - 特許庁

An oxide layer to be selected is selectively oxidized to form a constriction structure wherein oxide surrounds the current passing region, and a dielectric layer with an optical thickness of 2λ/4 is formed on the upper surface of the laminated body.例文帳に追加

そして、被選択酸化層を選択的に酸化させ、酸化物が電流通過領域を取り囲んでいる狭窄構造体を作成し、積層体の上面に、光学的厚さが２λ／４の誘電体層を積層する。 - 特許庁