「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

The solid-state electrolytic capacitor has the oxide film formed on the sintered body made of the valve acting metal and also has the solid-state electrolyte layer and current collector layer laminated on the oxide film in order, the powders of the flame retarder being dispersed in the solid-state electrolyte layer.例文帳に追加

本発明は、弁作用金属からなる焼結体に酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜に固体電解質層及び集電体層を順次積層した固体電解コンデンサにおいて、前記固体電解質層中に、難燃剤の粉末が分散している固体電解コンデンサである。 - 特許庁

An electromagnetic wave shield layer (B) is provided on a transparent base (A), and its upper surface is coated with an adhesive layer (C) which is transparent and has electric conductivity, and then a current can be taken out of the adhesive layer (C) to the outside, thereby obtaining the optical filter for the display which has electromagnetic wave shielding capability.例文帳に追加

透明基材（Ａ）上に電磁波シールド層（Ｂ）の上に設け、その上を透明で電気伝導性を有する接着材層（Ｃ）で被覆することで、接着材層（Ｃ）から外部へ電流を取り出すことが可能となり、電磁波シールド能を有するディスプレイ用光学フィルターが得られる。 - 特許庁

Consequently, the originator node device 200 can confirms the disjoint property between a current redundant path and a standby redundant path including not only the higher layer but also the lower layer, whereby a redundant path which does not pass the same resources even in the lower layer can be established.例文帳に追加

従って、発信者ノード装置２００は、上位レイヤだけでなく下位レイヤも含めて、運用側冗長パスと非運用側冗長パスとのDisjoint性を確認することができるので、下位レイヤにおいても同一リソースを経由しない冗長パスを確立することが可能となる。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-plane structure magnetoresistive element which generates a large amount of resistance changes by essentially reviewing materials for a pin layer with a spin valve structure, a free layer and a spacer layer as well as magnetic heads and magnetic reproducing devices using this element.例文帳に追加

スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In an image forming apparatus where a laser beam is generated by a pulse current being generated depending on an image signal and a semiconductor layer being supplied with a bias current and exposure scanning of a rotating photosensitive drum is carried out with that laser beam, the bias current is stopped (LD current) or reduced at a predetermined timing (/Bias) when the photosensitive drum is rotated at a speed lower than a normal speed.例文帳に追加

画像信号に応じて発生するパルス電流と、バイアス電流が供給される半導体レーザにより、レーザビームを発生し、このレーザビームにより回転する感光ドラムを露光走査する画像形成装置において、前記感光ドラムを通常時より低速回転させる場合に、所定のタイミング（／Ｂｉａｓ）で前記バイアス電流を停止（ＬＤ電流）または減少させる。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

This electrode E for a lithium secondary battery is made by forming an active material layer (a sintered body) 2 by sintering a pressed powder mold 20 integrally with the current collector 1, by heating in a state of sandwiching the current collector 1 between both pressed powder molds 20, after arranging the pressed powder molds 20 of an active material on both surfaces of the current collector 1.例文帳に追加

リチウム二次電池用の電極Eは、活物質の圧粉成形体20を集電体1の両面に配置した後、両圧粉成形体20の間に集電体1を挟んだ状態で加熱し、圧粉成形体20を集電体1と一体に焼結して活物質層（焼結体）2を形成することで作製されている。 - 特許庁

The ratio of the current, reaching a sensitive substrate to the current (100% current) passing or transmitting through a reticle, is adjusted to ≤50%, when one layer is entirely exposed by properly using the forward and reverse rotations of the opening or low- and high-scattering sections of the reticle and positive and negative resists.例文帳に追加

レチクル開口部又は低散乱部と高散乱部との正・反転使い分け、及び、ポジ型・ネガ型レジストの使い分けを行うことにより、前記レチクルを通過又は透過する電流（１００％電流）のうち感応基板に到達する電流の割合を、１レイヤー全露光時で５０％以下とする。 - 特許庁

Since the switching diode D2 blocks the discharging current going toward the constant-voltage diode ZD2 while an NPN-type transistor TR2 blocks the discharging current going toward the constant-voltage diode ZD1, the discharging current of the electric double-layer capacitors SC1 and SC2 can efficiently flow only in the LED lamp 3.例文帳に追加

このとき、スイッチングダイオードＤ２が定電圧ダイオードＺＤ２に向う放電電流を阻止し、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２が定電圧ダイオードＺＤ１に向う放電電流を阻止するので、電気二重層コンデンサＳＣ１，ＳＣ２の放電電流をＬＥＤランプ３のみに効率よく流すことができる。 - 特許庁

The sense current 112 is consequently passed in an X-direction to generate the sense current magnetic field clockwise with respect to the plane of Fig., by which the direction of the sense current magnetic field and the direction of the synthetic magnetic moment are aligned and the stability of the magnetization state of the first and second fixed magnetic layer can be improved.例文帳に追加

このためセンス電流１１２を図示Ｘ方向に流し、紙面に対し右回りのセンス電流磁界を発生させることにより、前記センス電流磁界の方向と、合成磁気モーメントの方向とが一致し、前記第１と第２の固定磁性層の磁化状態の安定性を向上できる。 - 特許庁

To provide a high output, long lifetime, and high luminance organic electroluminescence semiconductor element by balancing charge recombination in the light emitting layer of the organic electroluminescence semiconductor element, and eliminating deviation in current distribution thereby preventing a hole injection layer from being deteriorated by electrons, improving hole mobility of a host layer and preventing oxidation of the host layer.例文帳に追加

本発明は、有機エレクトロルミネセンス半導体素子の発光層内における電荷再結合バランスを取り、電流分布の片寄りをなくして、ホール注入層が電子により劣化することを防ぎ、ホスト層のホール移動度を改善し、ホスト層の酸化を防止して高出力で、長寿命で、高輝度な有機エレクトロルミネセンス半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

A p-electrode 6 as a bonding electrode is formed while it is directly in contact with a p-type layer 4 made of p-type GaN-based compound semiconductor, and a current diffusion layer 5 that has light transmitting property as well as higher conductivity that the p-type layer 4 is formed in a part on the surface of the p-type layer 4 excluding the p-electrode 6.例文帳に追加

ｐ型のＧａＮ系化合物半導体にて形成されたｐ型層４に直接に接触して、ボンディング電極であるｐ電極６が形成されており、ｐ型層４の表面のｐ電極６以外の部分に、透光性でｐ型層４よりも高い導電性を有する電流拡散層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The surface of a current collecting substrate 201 containing Cr is covered with a dense Cr-diffusion preventing layer 202 made of an oxide, the surface of the Cr diffusion preventing layer 202 is covered with a conductive covering layer 203 made of an oxide, and the thickness of the covering layer 203 in the plane part is made thicker than that at the corner part.例文帳に追加

Ｃｒを含有する集電基材２０１の表面を酸化物からなる緻密なＣｒ拡散防止層２０２で被覆し、該Ｃｒ拡散防止層２０２の表面を酸化物からなる導電性の被覆層２０３で被覆してなるとともに、被覆層２０３の厚みが集電基材２０１の平面部よりも角部の方が厚いことを特徴とする。 - 特許庁

This inhibiting method comprises: providing a semiconductor having a conductive pattern for conductive busbars and current collecting lines and a dielectric layer coating spaces between the conductive pattern on a front side of the semiconductor, the dielectric layer including one or more defects; contacting at least the dielectric layer with one or more oxidizing agents; and selectively depositing a metal layer on the conductive pattern.例文帳に追加

導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 - 特許庁

The surface layer parts of the layer 9 in the regions where the pixel electrodes 10 are not formed are partly removed to expose the ground surface portions of the layer 9 having a high surface resistance in the regions between the adjacent pixel electrodes 10, by which the current leakage between the pixel electrodes 10 through the surface of the layer 9 is prevented.例文帳に追加

そして、画素電極１０が形成されていない領域の有機絶縁層９の表層部を一部除去して、隣接する画素電極１０の間の領域に、表面抵抗の高い有機絶縁層９の下地部分を露出させ、有機絶縁層９表面を介した画素電極１０間の電流リークを防止する。 - 特許庁

In the CPP type thin film magnetic head wherein a thin film magnetic head element is provided between a lower shield layer and an upper shield layer and a current flows vertically to the film surface of the thin film magnetic head element, a plurality of division parts magnetically divided in a track width direction are provided in at least one of the lower shield layer and the upper shield layer.例文帳に追加

下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を備え、該薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層及び前記上部シールド層の少なくとも一方に、トラック幅方向に磁気的に分断された複数の分割部を備える。 - 特許庁

The crossing portion 160 is formed into a layer which is identical to a gate electrode, for example, and the main portion 170 is formed in a layer which is identical a source/drain electrode, a gate wiring X1 and the current supply line Y2 with a gate insulator interposed between them.例文帳に追加

交差部分１６０を、例えばゲート電極と同層に形成し、主要部分１７０を、ゲート絶縁膜を間にしてソース／ドレイン電極，ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と同層に形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 1, a first drift layer 2, a second drift layer 3, a first well region 4a, a second well region 4b, a current control region (JFET region) 15, and an electric field relaxing region (JTE region) 8.例文帳に追加

半導体装置は、基板１と、第１ドリフト層２と、第２ドリフト層３と、第１ウェル領域４ａと、第２ウェル領域４ｂと、電流制御領域（ＪＦＥＴ領域）１５と、電界緩和領域（ＪＴＥ領域）８とを備える。 - 特許庁

The upper part of the p-type clad layer 22 and the p-type cap layer 24 are formed as a ridge-shaped wide stripe having a stripe width w of 100 mm, and current non-injection regions 26 are formed on both the sides of the ridge-shaped wide stripe.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２２の上部及びｐ型キャップ層２４は、ストライプ幅Ｗが１００μｍのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域２６となっている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device reducing a junction leakage current caused by a defective caused on an interface between a silicon mixed crystal layer and a substrate in an MIS transistor equipped with the silicon mixed layer for introducing distortion into a channel.例文帳に追加

チャネルに歪みを導入するためのシリコン混晶層を備えたＭＩＳトランジスタにおいて、シリコン混晶層と基板との界面に発生する欠陥に起因する接合リーク電流を低減した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

When a negative voltage (reverse bias) is applied to the gate electrode 103, a hole is induced in the poly-Si layer 107, but a drain current does not flow because the hole can not pass through the a-Si layer 108.例文帳に追加

ゲート電極１０３に負の電圧（逆バイアス）が印加された場合、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７には正孔が誘起されるが、この正孔はａ−Ｓｉ層１０８を通過することができないので、ドレイン電流は流れない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an elastic roller for electrophotography for preventing oxidation of a surface of coated layer formed by an addition liquid-like silicone rubber composition when heating and reducing flow of surface current on an elastic layer to achieve satisfactory unevenness in density.例文帳に追加

加熱時の付加型液状シリコーンゴム組成物の塗布層表面の酸化を低減し、弾性層の表面電流の低下を小さくすることで濃度ムラが良好な電子写真用弾性ローラの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first layer 12B which contains an element capable of electrochemical reaction with Li and having a coefficient of expansion different from Sn at the time of alloy-forming with Li is provided between the tin-contained layer 12A and a negative electrode current collector 11.例文帳に追加

スズ含有層１２Ａと負極集電体１１との間には、Ｌｉと電気化学的に反応可能であり、Ｌｉとの合金形成時の膨張率がＳｎとは異なる元素を含む第１層１２Ｂが設けられている。 - 特許庁

In the light-emitting element 100 in which a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate as the substrate 1, a substrate having an off-angle is used.例文帳に追加

単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成した発光素子１００において、単結晶基板１としてオフアングルを有するものを使用する。 - 特許庁

A communication device 100 generates an electromagnetic field by flowing current or emitting light between the first signal layer 20 and the second signal layer 30, the adjacent communication device 100 observes the signal by change of the electromagnetic field.例文帳に追加

通信素子１００は、第１信号層２０および第２信号層３０の間で電流を流すかまたは光を放出することにより電磁場を発生させ、隣接する通信素子１００は、電磁場の変化により信号を観測する。 - 特許庁

To provide a collector for lithium ion battery with a high discharge capacity and superior cycle characteristics, whose a current collector layer does not delaminate and detach from a substrate and an active material layer in spite of repeated charge and discharge, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高い放電容量を有しながら、充放電を繰り返しても、集電層が基材及び活物質層と剥離、脱落しない、サイクル特性に優れたリチウムイオン電池用集電体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of a lateral semiconductor device by making thin a silicon semiconductor layer of an SOI substrate, and to prevent the time up to thermal breakage of the silicon semiconductor layer during supply of a large current from becoming short.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン半導体層を薄膜化することによって横型の半導体装置の耐圧を高め、しかも大電流の通電時にシリコン半導体層が熱破壊されるまでの時間が短くなることを防止する。 - 特許庁

To prevent an increase in a leakage current and deterioration in a withstand voltage caused by the exposure of a pn junction in a semiconductor device, having a drift layer where adjacent impurities are at low concentration and a high-concentration layer where impurities are at high concentration.例文帳に追加

隣接する不純物が低濃度のドリフト層及び不純物が高濃度の高濃度層を有する半導体装置において、ｐｎ接合の露出によるリーク電流の増大及び耐圧の劣化を防ぐことである。 - 特許庁

When the lattice mismatching coefficient is lower than -0.20%, the n-type Al_xIn_zP current block layer 50 alleviates the lattice for the n-type GaAs substrate 41 and the p-type Al_xGa_yIn_zP second clad layer 45 in order to eliminate the effect of distortion.例文帳に追加

尚、上記格子不整合率が−０.２０％よりも下の場合には、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０がｎ型ＧaＡs基板４１およびｐ型Ａl_xＧa_yＩn_zＰ第２クラッド層４５に対して格子緩和して歪みの効果が無くなる。 - 特許庁

Consequently, the flow of the gate-source current can be suppressed, because the hole which is supplied from the gate layer 7 when this semiconductor device is actuated can be prevented from directly flowing to a source S1 through the source layer 8.例文帳に追加

これにより、半導体装置の作動時にｐ^+型ゲート層７から供給されるホールがｎ^+型ソース層８を通じて直接ソースＳ１に流れることを防止することができ、ゲート−ソース電流が流れることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor substrate capable of forming an SOI layer and a BOX layer in a uniform thickness as a whole by suppressing temperature drop of a part in contact with a stopper from which an ion current flows out.例文帳に追加

本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a transistor using an oxide layer containing Zn, while not containing rare metals, such as In and Ga, and to stabilize electrical properties by reducing an off-state current in the transistor that uses the oxide layer containing the Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａなどのレアメタルを含まず、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタを提供し、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、オフ電流を低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly and a fuel cell in which voltage drop is small on current collection from a gas diffusion layer to a separator and electrode reaction is hardly blocked on a catalyst layer in the vicinity of a gas passage and power generation capability is excellent.例文帳に追加

ガス拡散層からセパレータへの集電における電圧降下が小さく、ガス流路付近での触媒層での電極反応が阻害され難く、発電能力にすぐれた膜電極接合体及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element capable of controlling the value of a current flowing in an electron accelerating layer and an amount of electron emission by adjusting the resistance value of the electron accelerating layer and a generated amount of ballistic electrons, and excellent in energy efficiency.例文帳に追加

電子加速層の抵抗値及び弾道電子の生成量を調整することで、電子加速層を流れる電流値と電子放出量の制御が可能であり、かつ、エネルギー効率の良好な電子放出素子を提供する。 - 特許庁

A mesa portion 18 has a columnar portion 18A formed from on a lower DBR layer 11 at least to an upper surface of a current restriction layer 15, and a truncated-cone portion 18B formed thereabove.例文帳に追加

メサ部１８は、下部ＤＢＲ層１１の上部から少なくとも電流狭窄層１５の上面にかけて形成された円柱部分１８Ａと、それよりも上の部分に形成された円錐台部分１８Ｂとを有している。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode and its manufacturing method whereby a metal layer and a low-resistance epitaxial layer form a Schottky junction, thereby improving the backward current characteristic, without degrading the forward voltage characteristic.例文帳に追加

金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the Ni plating liquid 37 contacts the inner surface of the core shroud 2 and the current runs from the counter electrode 13 to the core shroud 2, an Ni plating layer is formed in such a manner as to cover the Cr plating layer that has sealed the crack 5.例文帳に追加

Ｎｉめっき液３７が炉心シュラウド２の内面に接触し、対極１３から炉心シュラウド２に電流が流れているので、き裂５を封止したＣｒめっき層を覆うようにＮｉめっき層が形成される。 - 特許庁

To provide a technology by which desired superconductive characteristics (for example, critical current characteristics) can be attained by improving a film forming process of an intermediate layer, and productivity of a superconducting wire rod can be improved by thinning of the intermediate layer.例文帳に追加

中間層の成膜工程を改善することで、所望の超電導特性（例えば臨界電流特性）を実現できるとともに、中間層の薄膜化により超電導線材の生産性を向上できる技術を提供する。 - 特許庁

A current path in the semiconductor layer 13 at the time of on operation goes through a region close to a side surface of the trench groove 30 without substantially going through a surface region of the semiconductor layer 13 between the source electrode 52 and the drain electrode 53.例文帳に追加

半導体層１３におけるオン動作時の電流経路は、ソース電極５２とドレイン電極５３の間の半導体層１３の表面領域を実質的に経由せず、上記トレンチ溝３０の側面近傍を経由する。 - 特許庁

The light-emitting semiconductor laser device comprises a first reflection mirror 12, an active layer 13, the current blocking layer 16 made of a material containing aluminum, and a second reflection mirror 17, which are formed on a substrate 11 in this order from bottom.例文帳に追加

面発光半導体レーザ装置は、基板１１の上に下側から順次形成された第１反射鏡１２と、活性層１３と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層１６と、第２反射鏡１７とを備えている。 - 特許庁

Consequently, the breakdown voltage near the end section 3b of the N type emitter layer 3 becomes higher than that near the central section 3a of the N type emitter layer 3, thus preventing concentration of current in an SI thyristor.例文帳に追加

そのため、前記Ｎ型エミッタ層３の端部３ｂ付近の降伏電圧は、前記Ｎ型エミッタ層３の中央部３ａ付近における降伏電圧と比較して高くなり、ＳＩサイリスタにおける電流集中を防止することができる。 - 特許庁

When a surge is applied to a pad electrode 16 arranged on a surface of the semiconductor layer 13, a surge current flowing from the semiconductor layer 13 to the semiconductor substrate 10 is directed to the metal island 51 through the metal thin film 30.例文帳に追加

半導体層１３の表面に配置されたパッド電極１６にサージが印加されると、半導体層１３から半導体基板１０に流れるサージ電流は、金属薄膜３０を通って金属のアイランド５１に向かう。 - 特許庁

The upper semiconductor DBR 107 includes an oxidized narrow structural body in which an oxidized layer 108a containing an oxide generated by oxidizing a portion of a selected oxidized layer containing Al surrounds a current passing-through region 108b.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、Ａｌを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲む酸化狭窄構造体を含んでいる。 - 特許庁