「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The n-type distribution Bragg reflection layer 3 is partially exposed in the vicinity of the laser light reflection face, and an electrode 16 for injecting a current into the reflection layer 3 is formed on the exposed region.例文帳に追加

また、ｎ型分布ブラッグ反射層３は、レーザ光反射面の近傍でその一部が露出しており、その露出した領域上に、分布ブラッグ反射層へ電流を注入するための電極１６が形成されている。 - 特許庁

Thus, the density of the p^+ semiconductor layer 12 is lowered effectively, and the injecting quantity of a positive hole from a collector layer 9 is reduced in an off state to reduce the current leakage.例文帳に追加

そのため、ｎ^+不純物領域１１上のｐ^+半導体層１２の濃度が実効的に低くなり、オフ状態において、コレクタ層９からの正孔の注入量が低減され、漏れ電流を低減することができる。 - 特許庁

The semiconductor laser device of this invention is equipped with a semiconductor multilayer film containing an active layer 24, and a first and a second electrode which are used for injecting a current into the active layer 24 to emit laser beams 61 to 64.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ装置は、活性層２４を含む半導体多層膜と、活性層２４に電流を注入するための第１および第２の電極とを備え、複数のレーザ光６１〜６４を出射する。 - 特許庁

To provide a current collecting foil or the like, in which formation of interfacial delamination between a carbon coated layer and an active material layer formed on a metal foil can be suppressed and the battery characteristics of which can be improved.例文帳に追加

金属箔上に形成されたカーボンコート層と活物質層との間で界面剥離が生じるのを抑制できると共に、電池特性を向上させることができる集電箔等を提供すること。 - 特許庁

To provide a coil-insulating layer evaluating device and its evaluating method for evaluating the soundness of coil insulating layers by measuring the dielectric loss tangent of the insulating layers or a coil-insulating layer charging current in part of windings.例文帳に追加

巻線の一部分のコイル絶縁層の誘電正接またはコイル絶縁層充電電流を測定し、コイル絶縁層の健全性を評価するコイル絶縁層評価装置及び評価方法を提供する。 - 特許庁

The electrode for the non-aqueous electrolyte secondary battery is obtained by filling a positive electrode active material in a current collector which is obtained by laminating a nickel plating layer and a chrome plating layer in order on a porous non-woven fabric.例文帳に追加

多孔質不織布にニッケルめっき層及びクロムめっき層を順次積層して得られる集電体に、正極活物質を充填することにより得られる、ことを特徴とする非水電解質二次電池用正極。 - 特許庁

To make a high speed operation possible with small power consumption by reducing the junction capacitance of a diffusion layer region and a shallow well region, related to a DTMOS wherein lengthening of a gate depletion layer is suppressed and driving current is increased.例文帳に追加

ゲート空乏層の伸びを抑制して駆動電流を大きくしたＤＴＭＯＳにおいて、拡散層領域と浅いウエル領域の接合容量を低減し、より低消費電力で、高速動作を可能にする。 - 特許庁

The negative electrode for nonaqueous electrolyte secondary batteries is provided, where it is made of a current collector sheet and an active material layer deposited on the surface, the active material layer is made of SiO_x satisfying 0.7≤x≤1.3, and does not include a binder.例文帳に追加

集電体シートおよびその表面に担持された活物質層からなり、活物質層が、０．７≦ｘ≦１．３を満たすＳｉＯ_xからなり、かつ結着剤を含まない非水電解質二次電池用負極を提供する。 - 特許庁

The ridge 8 is fitted into the opening 30a of the n-type current block layer 30, and the light emitting area 13 and the light emitting area 34 are arranged on the same line in the laminating direction of a semiconductor layer.例文帳に追加

そして、リッジ部８は、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａに嵌め込まれており、発光領域１３と発光領域３４とは、半導体層の積層方向の同一線上に配置されている。 - 特許庁

The structure is such that a gold wire 23 is bonded to a heat sink 22 extending from the gold-plated layer, one of the electrodes provided farther away from the active layer is bonded onto a sub-mount 21, and a wire 25 is bonded to a lead 24 extending from the sub-mount 21 for current flow.例文帳に追加

この金メッキ層からヒートシンク22に金ワイヤー23によりボンディングし、活性層に遠い電極をサブマウント21上に接着し、サブマウント21からワイヤー25によりリード部24にボンディングし電流を流す構造とする。 - 特許庁

The negative electrode 22 has a negative electrode active material layer 22B on a negative current collector 22A, the negative electrode active material layer 22B contains a negative electrode active material containing silicon and has two or more pores.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａ上に負極活物質層２２Ｂを有しており、その負極活物質層２２Ｂは、ケイ素を含有すると共に複数の細孔を有する負極活物質を含んでいる。 - 特許庁

An n-electrode 6 which makes an ohmic contact with the n-type layer 2 is provided nearly at the center in planar view, and a p-electrode 7 which is connected to the current diffusion layer 5 is formed at an end in plan view.例文帳に追加

平面視で略中心の位置には、ｎ型層２へのオーミックコンタクトをなすｎ電極６が設けられ、平面視で端の部分に、電流拡散層５に接続するｐ電極７が形成されている。 - 特許庁

On the housing, an electrode 30 for supplying current to the sealing layer and flowing assisting members 40 which are provided in contact with the sealing layer and flow a part of the melted sealing material to the outside of the housing are fitted.例文帳に追加

外囲器には、封着層に通電するための電極３０と、封着層に接触して設けられ溶融した封着材の一部を外囲器の外部に流出させる流出補助部材４０と、が取付けられている。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

A recess 70 is formed at a place displaced on the inside, in the widthwise direction from a border line 52 in the current passage region 51 of the p-type semiconductor layer 40, and a refractive index in the recess 70 is made lower than the p-type semiconductor layer 40.例文帳に追加

ｐ型半導体層４０の電流通過領域５１に、境界線５２から幅方向内側にずれた位置に凹部７０を設け、この凹部７０内の屈折率をｐ型半導体層４０よりも低くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an insulated metal substrate with an anodized film serving as an insulating layer, good insulation characteristics being provided by making the withstand voltage of the insulating layer high and reducing variation of leakage current.例文帳に追加

陽極酸化膜を絶縁層とした絶縁層付金属基板を用いた半導体装置において、絶縁層の耐電圧を高くし、漏れ電流の変動を低減して良好な絶縁特性を実現する。 - 特許庁

In the storage battery provided with the positive electrode plate in which a corrosion-resistant conductive material layer is formed on the positive electrode current collector surface, the corrosion-resistant conductive material layer contains conductive diamond.例文帳に追加

正極集電体表面に耐食性導電材層を形成した正極板を備えた蓄電池において、前記耐食性導電材層が導電性ダイヤモンドを含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

In this case, the ridge unit 8 is fitted into the opening 30a of the n-type current block layer 30 while the light emitting region 13 and the light emitting region 34 are arranged on the same line in the laminating direction of a semiconductor layer.例文帳に追加

そして、リッジ部８は、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａに嵌め込まれており、発光領域１３と発光領域３４とは、半導体層の積層方向の同一線上に配置されている。 - 特許庁

The thickness of each of a positive mix layer and a negative mix layer is made 5 μm or less and almost equal, and since the distance between the active material and a current collector is made short, internal resistance is lowered.例文帳に追加

吹き付けにより初めて正極合剤層及び負極合剤層の厚さを５μｍ以下かつ略均等とすることができ、活物質と集電体との距離が短くなるため、内部抵抗が低減する。 - 特許庁

When the magnetic direction of the free layer 7 is switched by a vertical critical current, the magnetization of the free layer 7 is stabilized against the thermal agitation because it has a substantial amount of the switching magnetic field.例文帳に追加

垂直方向の臨界電流によってフリー層７の磁化方向が切り替えられた際、スイッチング磁界がある程度の大きさをもっていることから、フリー層７の磁化は熱的擾乱に対して安定化する。 - 特許庁

Multilayered inductors 11 and 14 are arranged, they are connected with each other, and using a part of the second layer of wiring layer 1r as an inductor, a series resistance component is reduced by increasing the cross sectional area where the current of inductor flows.例文帳に追加

多層にインダクタ１１、１４を配置してその間を接続し、２層目の配線層１４の１部もインダクタとして使用し、インダクタの電流の流れる断面積を増やすことにより直列抵抗成分を削減する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor which can suppress a cycle degradation, because the increase in the concentration of an electrolytic solution in a separator can be suppressed, even at time the electric double-layer capacitor is discharged with a large current density.例文帳に追加

大きな電流密度での放電時であっても、セパレータ中の電解液濃度の上昇を抑制することができるため、サイクル劣化を抑制することができる電気二重層コンデンサを提供する。 - 特許庁

That is to say, the conductive film pattern parts 21 constituting the current limiting resistance are formed in a part of the conductive film layer 20, and have a structure without needing a separate resistance member other than the conductive film layer 20.例文帳に追加

すなわち、電流制限抵抗を構成する導電膜パターン部２１は、導電膜層２０の一部に形成されており、導電膜層２０以外の別途の抵抗部材を必要としない構成である。 - 特許庁

Accordingly, a photosensor 151 can suppress an increase of leakage current that is caused by the employment of microcrystal semiconductor such as μC-Si or the like in the light receiving layer 151c thanks to the first intermediate layer 151b.例文帳に追加

したがって、フォトセンサ１５１は、第１中間層１５１ｂの存在によって、受光層１５１ｃにμＣ−Ｓｉ等の微結晶半導体を用いることによって生じるリーク電流の増大を抑制できる。 - 特許庁

The positive electrode tab is at least larger than a projected area of a positive electrode active material layer 22 of the positive electrode end pole and arranged on the current collector to cover the projected surface of positive electrode active material layer.例文帳に追加

正極タブは、正極末端極の少なくとも正極活物質層２２の投影面積よりも大きい大きさを有し、正極活物質層の投影面を覆うように集電体上に重ねて配置されている。 - 特許庁

An end ED of the source electrode 110 or drain electrode 111 is formed inside an end ES of the semiconductor layer, so that a leakage current at the end ED of the semiconductor layer is eliminated.例文帳に追加

ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１の端部ＥＤは、半導体層の端部ＥＳよりも内側に形成されているので、半導体層の端部ＥＳにおけるリーク電流を無くすことが出来る。 - 特許庁

A mesa-shaped protrusion 11 is formed on the substrate 10 by utilizing a mask layer 17, and a current block layer 15 is formed on sides of the mesa-shaped protrusion 11 by utilizing a difference in crystal growth rate.例文帳に追加

そして、そのような基板１０上に、マスク層１７を利用してメサ状突起１１が形成され、さらに結晶成長速度の違いを利用して、メサ状突起１１の両脇に電流ブロック層１５が形成される。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a light-receiving element, having superior lattice matching with an L-Band InGaAs light-receiving layer for decreasing the dark current, and also having a window layer exhibiting full incident light transmissivity.例文帳に追加

受光素子用エピタキシャルウェーハにおいて、Ｌ−Ｂａｎｄ用ＩｎＧａＡｓ受光層との優れた格子整合性を有して暗電流を低減でき、かつ入射光の透過率も十分な窓層を有するようにする。 - 特許庁

On the position after a toner thin layer is uniformly flattened by the flattening blade, an optical sensor which detects the concentration in the toner thin layer is disposed and a detector which detects the current flowing through the flattening blade is disposed.例文帳に追加

均しブレードによりトナー薄層を均一に均した後の位置において、トナー薄層の濃度を検出する光学センサが備えられ、また、均しブレードに流れる電流を検出する検出器が備えられる。 - 特許庁

By absorbing the light transmitting the first substrate 1 by the light-absorbing layer 14, the reflected light is prevented from entering the semiconductor layer of the active matrix element 16 to reduce a current caused by leaked light.例文帳に追加

第一の基板１を透過した光を光吸収層１４によって吸収することによって、アクティブマトリックス素子１６の半導体層に入射する反射光を防止し、光リーク電流を低減する。 - 特許庁

To uniformly epitaxially grow an Si layer at low temps. to make semiconductor elements of a high current density at a high rate by forming steps on a substrate and forming a single crystal Si layer of specified thickness on the substrate including the steps by the catalytic CVD method.例文帳に追加

歪点が比較的低い大型のガラス基板であっても低温で均一にシリコン層をエピタキシャル成長させ、高速で大電流密度の半導体素子を作り込むことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

Since the electrical resistance between the copper wires making up the wire shield layer 6 can be decreased, the ground fault current flowing through the wire shield layer 6 can be prevented from being one-sided, and the cable can be prevented from being damaged at the time of ground fault.例文帳に追加

ワイヤーシールド層６を構成する各銅線間の電気抵抗を小さくできるので、ワイヤーシールド層６に流れる地絡電流の片寄りを防止して、地絡時のケーブル損傷を防止することができる。 - 特許庁

In the block 1, an individual element can be formed but in order to drive it individually from the compound semiconductor element, a high resistance layer 23 and a current blocking layer 24 are interposed in the intermediate parts 22 of both of them.例文帳に追加

Ｓｉ製ブロック１には個別の素子を形成してもよいが、化合物半導体素子と個別に駆動するために、両者の中間層２２に高抵抗層２３や電流阻止層２４などを介装する。 - 特許庁

Thus, the bias layer 18A can surely be insulated from both of the MR element 15 and the pair of electrode layers 17 and the degradation or the like of a resistive variation rate by shunting a sense current to the bias layer 18A can be suppressed.例文帳に追加

これにより、バイアス層１８Ａを、ＭＲ素子１５および一対の電極層１７の双方と確実に絶縁し、センス電流のバイアス層１８Ａへの分流による抵抗変化率の劣化等を抑制できる。 - 特許庁

A storage element 3 is configured to store information in a storage layer 16 by applying current in a lamination direction, injecting a spin-polarized electron, and changing the direction of magnetization M1 of the storage layer 16.例文帳に追加

積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１６の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１６に対して情報の記憶が行われる記憶素子３を構成する。 - 特許庁

To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加

内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁

The negative electrode 22 has a negative active material layer 22B containing a negative active material and a negative electrode binder on a negative current collector 22A, and the negative active material layer 22B has a plurality of pores on the inside.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａ上に、負極活物質および負極結着剤を含む負極活物質層２２Ｂを有しており、その負極活物質層２２Ｂは、その内部に複数の細孔を有している。 - 特許庁

To reliably suppress light leakage current without reducing a pixel aperture ratio necessary for projecting transmitted light on a screen, in a liquid crystal display device 42 provided with an active layer 35 in the position corresponding to a part where a metal wiring layer 33 including a source wiring layer 33a for inputting a data signal to the active layer 35 and a gate wiring layer 32 are crossing each other.例文帳に追加

活性層３５にデータ信号を入力するためのソース配線層３３ａを含むメタル配線層３３と、ゲート配線層３２とが交差する部位に対応する位置に活性層３５を備えた液晶表示装置４２において、透過した光をスクリーン上などに投影するために必要な画素開口率を低下させることなく、光リーク電流を確実に抑制する。 - 特許庁

A thin-film metal layer is formed which is laminated on a semiconductor layer, Schottky-junctioned with the semiconductor layer and has a film thickness of ≤100 nm, a modulated voltage or modulated light is applied to the thin-film metal layer to generate a response current responding to the modulated voltage or modulated light between a first electrode and a second electrode which are ohmic-connected with the thin-film metal layer.例文帳に追加

半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。 - 特許庁

Provided are a nitride semiconductor light emitting element containing a first n type nitride semiconductor layer, a light emitting layer, a p type nitride semiconductor layer and a second n type nitride semiconductor layer in this order, having a current preventing region formed at least by removing a part of the second n type nitride semiconductor layer, and a production thereof.例文帳に追加

第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can reduce contact resistance between a silicon layer and a metal layer and leakage current by forming on the silicon layer an epitaxial C49-TiSi_2 layer having an interfacial energy so small that a phase change does not occur in a high-temperature heat treatment, thus preventing the TiSi_2 layer from being agglomerated and grouped.例文帳に追加

高温の熱処理工程で相変化が発生しない程度の低い界面エネルギーを有するエピタキシャルＣ４９−ＴｉＳｉ_2層をシリコン層上に形成することによって、ＴｉＳｉ_2層の凝集及びグルービング現象を防止してシリコン層と金属層とのコンタクト抵抗及びリーク電流を減少させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bipolar secondary battery is formed by laminating a bipolar electrode in which a positive active material layer is formed on one surface of a current collector and a negative active material layer on the other surface through an electrolyte layer, and an insulating material section is formed in the end part of at last one of the positive active material layer and the negative active material layer.例文帳に追加

集電体の一方の面に正極活物質層が形成されかつ他方の面に負極活物質層が形成されてなる双極型電極が電解質層を介して積層されてなる双極型二次電池であって、前記正極活物質層及び負極活物質層の少なくとも一方の端部上に絶縁材料部を有する、双極型二次電池。 - 特許庁

A negative electrode for the lithium secondary battery uses material electrochemically storing/releasing lithium as an active material, and comprises: a first layer 2 mainly comprising the active material formed on a current collector 1; a second layer 3 mainly comprising a conductive material formed on the first layer; and a third layer 4 mainly comprising the active material formed on the second layer.例文帳に追加

電気化学的にリチウムを吸蔵・放出可能な材料を活物質とするリチウム二次電池用負極であって、この活物質を主剤として集電体１上に形成された第１の層２と、導電剤を主剤として第１の層上に形成された第２の層３と、活物質を主剤として第２の層上に形成された第３の層４とからなる。 - 特許庁

The magnetic head includes a laminate 10 composed of a main magnetic pole 61, a first magnetic layer, a second magnetic layer, and an intermediate layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer laminated in the almost vertical direction with respect to a medium movement direction, and a pair of electrodes 41, 42 which supply current to the laminate 10.例文帳に追加

主磁極６１と、第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と、が、媒体移動方向に対して略垂直な方向に積層されてなる積層体１０と、前記積層体１０に電流を通電可能とした一対の電極４１，４２と、を備えたことを特徴とする磁気記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

There are provided an active layer, a clad layer formed adjacently to the active layer, and a diffraction grating periodically formed at predetermined intervals, and the diffraction grating is constituted by a nonconductor generated by oxidization of a semiconductor material, and a distribution of a gain coefficient of the active layer is fluctuated by partly blocking a current injected into the active layer.例文帳に追加

活性層と、活性層に隣接して形成されたクラッド層と、クラッド層内に、互いに所定の間隔で離隔して周期的に形成された回折格子とを備え、回折格子は、半導体物質を酸化して生成された不導体により構成され、活性層に注入される電流を部分的に遮断して、活性層の利得係数の分布を変動させることを特徴とする。 - 特許庁