「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fuel cell module capable of wiring from the one side of the module, and taking out maximum current per module in the fuel cell module integrally potting both ends of an almost U-shaped hollow fiber type electrolyte cell and installing a current collector layer on the surface of a potting layer.例文帳に追加

ほぼＵ字形の中空糸型電解質セルの両端部を一体的にポッティングし、該ポッティング層表面に集電層を設けることにより構成した燃料電池モジュールにおいて、モジュール片側からの配線が可能で、1モジュール当り最大の電流を取り出すことを可能とした燃料電池モジュールを提供する。 - 特許庁

When growth of a second conductivity type current block layer 7 is completed, the growth is stopped, and the temperature is raised or Group V raw material gas flow rate is increased to put it on standby to deform the surface shape of the second conductivity type current block layer 7 consisting of a (001) surface and a (111) B surface into a curved surface shape.例文帳に追加

第２導電型電流ブロック層７の成長が完了したとき、その成長を停止させ、昇温若しくはＶ族原料ガス流量を増加させて待機を行うことにより、（００１）面と（１１１）Ｂ面からなる第２導電型電流ブロック層７の表面形状を曲面状に変形させる。 - 特許庁

A second conductivity type surface storage layer 25, which restrains a dark current element is formed in a surface of a first conductivity type depletion layer formation region 24 which forms a photoelectric conversion part 23, and the surface storage layer 25 is formed wider than the depletion laver formation region 26.例文帳に追加

光電変換部２３を形成する第１導電型の空乏層形成領域２４の表面に暗電流成分を抑制する第２導電型の表面蓄積層２５を有し、表面蓄積層２５が空乏層形成領域２６より広く形成されて成る - 特許庁

The interposed layer 12 is composed of an oxide of a metal element contained in the positive current collector 11 when an active material of the positive electrode layer 13 is composed of an oxide, and composed of a sulfide of the metal element when the active material of the positive electrode layer is composed of a sulfide.例文帳に追加

この介在層12は、正極層13の活物質が酸化物で構成されているときには、正極集電体11に含有される金属元素の酸化物で構成し、正極層13の活物質が硫化物で構成されているときには、前記金属元素の硫化物で構成する。 - 特許庁

This semiconductor light emitting element is provided with a semiconductor substrate 11, a semiconductor light emitting layer 12 formed on the substrate 11, and a pair of electrodes 13 and 14 which are formed on the substrate 11 and cause the layer 12 to emit light by supplying an electric current to the layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１と、前記半導体基板上に形成された半導体発光層１２と、半導体基板上に形成され、半導体発光層に電流を供給してこの半導体発光層から発光させる１対の電極１３、１４とを備えている。 - 特許庁

A joint (internal layer) between the molded element and an anode lead wire, and the peripheral part (external layer) of the molded element are set higher in density than an intermediate layer, so that a dielectric film can be protected against damage caused by an external force applied in capacitor manufacturing processes, and the capacitor having excellent leakage current characteristics can be obtained.例文帳に追加

成形体素子と陽極リードワイヤーとの接合部（内層）および成形体素子外周部（外層）の密度を中間層より高くすることで、コンデンサ製造工程で加わる外力による誘電体皮膜の損傷を防ぐことができるため、良好な漏れ電流特性が得られる。 - 特許庁

A thermal insulation layer is formed on a surface of a steel frame structure by applying the thermal insulation paint to the coating film object surface of applying the primer, and the finish coat paint is applied to this surface by laminating the heating coating film layer by applying the heating paint on this film, and the electric current is carried to the heating coating film layer.例文帳に追加

鉄骨構造物の表面に、プライマーを塗布した被塗膜面に断熱塗料を塗布して断熱層を形成し、この上に前記発熱塗料を塗布して発熱塗膜層を積層せしめ、この表面に上塗り塗料を塗布して、発熱塗膜層に通電する。 - 特許庁

According to this semiconductor laser device, the free carrier absorption loss of the current block layer 15 can be reduced in the vicinity of the active layer 13 without lowering the withstand voltage of the unit block layer 15, optical output can be increased and high reliability can be obtained.例文帳に追加

この半導体レーザ装置によれば、電流ブロック層１５の耐圧を低下させることなく活性層１３の近傍での電流ブロック層１５によるフリーキャリア吸収損失を低減することができ、光出力の増大及び高い信頼性を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which leak current among wiring portions due to partially selective breakage or the like, in a semiconductor device in which a metal diffusion preventive layer is selectively formed on the upper side of a wiring layer embedded in a groove for wiring formed in an insulating layer.例文帳に追加

絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, which requires no external control circuits against fluctuation in atmospheric temperature by providing a quantum well semiconductor laser layer structure with a carrier supply layer adjacent to a quantum well layer, related to an element structure which reduces the temperature change in threshold current of the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの閾値電流の温度変化を低減する素子構造において，量子井戸型半導体レーザ層構造に量子井戸層に隣接したキャリア供給層を設けることにより，雰囲気温度の変動に対しても外部制御回路を必要としない半導体レーザを提供する． - 特許庁

Or, a buffer conductive film may be formed in the same layer as data lines 62, 66, 68 or pixel electrode 82 above a semiconductor layer 40 between adjacent data lines 62 in order to prevent a leak current generating from the semiconductor layer 40 between adjacent data lines.例文帳に追加

また、互いに隣接するデータ線の間の半導体層４０で発生する漏れ電流を遮断するために、互いに隣接するデータ線６２の間の半導体層４０の上部にデータ配線６２，６６，６８または画素電極８２と同一の層にバッファー導電膜を形成することができる。 - 特許庁

In addition, the cylindrical air electrode of a three-layered structure consists of a catalytic layer 1, a current collector layer 2 and a water-repellent fluororesin porous membrane layer 3, and its lower part is inserted into a resin mold 19 coated with a sealer 18 and sealed by an positive electrode can 11 being pressurized.例文帳に追加

なお、３層構造の円筒状空気極は触媒層１，集電体層２，撥水性フッ素樹脂多孔膜層３からなり、その下部は封止剤１８が塗布された樹脂成形体１９に挿入され、正極缶１１を押圧することで封口されている。 - 特許庁

An insulating layer 9 of a predetermined depth is formed around the n^+ region 4 around the n^+ region 5, and around the n^+ region 6 in the main surface S1 of the epitaxial layer 2; and restricts a current path region A1 formed between the n^+ regions 3 and 4 in the insulating layer 9.例文帳に追加

エピタキシャル層２の主表面Ｓ１においてＮ^+領域４の周り、Ｎ^+領域５の周り、およびＮ^+領域６の周りに所定深さの絶縁層９が形成され、絶縁層９にてＮ^+領域３とＮ^+領域４との間に形成される電流経路領域Ａ１を規制している。 - 特許庁

Since hosts contained in a hole transport layer and a light emitting layer, and a material employed in an electron transport layer have triplet pumping energy higher than that of a light emitting substance, i. e. an organometallic complex, the current efficiency and external quantum efficiency of a light emitting element are enhanced.例文帳に追加

ホール輸送層、発光層に含まれるホスト及び電子輸送層に用いる材料が発光物質である有機金属錯体の三重項励起エネルギーより大きい三重項励起エネルギーを有することで、発光素子の電流効率及び外部量子効率を向上させることができる。 - 特許庁

A second board with a second gas passage formed in an emitting device 20l and in a spewing device 20m is disposed on the second reaction layer to complete the manufacture of this fuel cell with the current collection layer formed of the substance constituting the catalyst used in the reaction layer.例文帳に追加

そして、吐出装置２０ｌ及び吐出装置２０ｍにおいて第２のガス流路が形成された第２の基板を第２の反応層上に配置して反応層において用いられる触媒を構成する物質で集電層が形成された燃料電池の製造を完了する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device with high reliability and high pressure resistance by forming a buffer layer with high resistance for complete suppression of off-leak current while retaining the crystal quality of a compound semiconductor of an upper layer without doping impurities with high resistance during crystal growth of the buffer layer.例文帳に追加

バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。 - 特許庁

A distortion compensation superlattice multiplication layer 103 is used as a superlattice multiplication layer, thus thinning the film thickness of the superlattice multiplication layer without decreasing a multiplication rate and increasing the dark current, quickening a response speed, and, in addition, reducing an operating voltage.例文帳に追加

超格子増倍層として歪み補償超格子増倍層１０３を用いることにより、増倍率を低下させることなく、さらには暗電流を増やすことなく、超格子増倍層の膜厚を薄くすることが可能となり、応答速度を速くできる上に動作電圧も低くできる。 - 特許庁

malfunctionS of the photodetection element are prevented by the light-shielding layer 112, and the electric potential of the light-shielding layer 112 is kept fixed by a capacitor constituted of the light-shielding layer 112, the insulating layers 114, 118 and the electrode pattern 120b so that the output current characteristics of the photodetection element D are stabilized and maintained.例文帳に追加

遮光層１１２により光検知素子の誤動作が防止され、遮光層１１２、絶縁層１１４，１１８、及び電極パターン１２０ｂからなるキャパシタにより、遮光層１１２の電位が一定に維持されることにより、光検知素子Ｄの出力電流特性が安定して維持される。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a high performance HBT wherein doping can be applied to an InGaAs base layer to provide a required acceptor concentration as the base layer, even when In is added to GaAs and the InGaAs base layer provides an excellent current amplification factor and an excellent high frequency characteristic.例文帳に追加

ＧａＡｓにＩｎを添加してもベース層として必要なアクセプタ濃度を示すＩｎＧａＡｓベース層へのドーピングが可能で、さらに該ＩｎＧａＡｓベース層によって電流増幅率および高周波特性に優れた高性能ＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

A negative electrode 30 includes: a negative current collector 31 in which a negative active material layer 33 containing an active material capable of absorbing and releasing lithium is formed on the surface 32; and a conductive member 35 formed on the negative active material layer and extending in the thickness direction within the negative active material layer.例文帳に追加

負極３０は、リチウムを吸蔵、放出可能な活物質を含む負極活物質層３３が表面３２に形成された負極集電体３１と、負極活物質層に設けられ、負極活物質層内において厚み方向に伸びる導電性部材３５と、を有している。 - 特許庁

By making a thickness of the inside craft paper layer 6 at 1/3 to 2/3 of that of the total paper layer constituting the oil-immersed insulation layer 3, the manufacturing time needed of the cable 1 can be shortened without deteriorating direct-current breakdown voltage during the cooling period of the heat cycle test.例文帳に追加

内側クラフト紙層６の厚さを、油浸絶縁層３を構成する全紙層の厚さの１／３〜２／３としたことにより、ヒートサイクル試験の冷却期間中における直流破壊電圧を低下させることなくケーブル１の製造所要時間を短縮することができる。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor in which a dielectric layer, a solid electrolyte layer, and a cathode lead-out layer are successively formed outside an anode member provided with an anode lead pin implanted upright at its one edge, where a reduction in ESR(equivalent series resistance) and a reduction in LC(leakage current) are set compatible with each other.例文帳に追加

一端に陽極リードピンが植立された陽極部材の外側に、誘電体層、固体電解質層及び陰極引出し層を順次形成した固体電解コンデンサにおいて、ＥＳＲ（等価直列抵抗）の低減とＬＣ（漏れ電流）の低減とを両立させる。 - 特許庁

This snow melting roof is constituted by providing a flat heat generation body for generating heat by carrying current so as to transmit heat to a roofing material by bringing it into contact with the roofing material or between each layer or on the outside of each layer in the roof whose sheathing structural body composed of each layer is covered with the roofing material.例文帳に追加

各層からなる下地構造体を外装屋根材で葺いた屋根において、該葺いた外装屋根材に伝熱可能に通電により発熱する面状発熱体を該外装屋根材に接触させて又は上記各層の層間若しくは層外に設けた融雪屋根。 - 特許庁

However, since a large flow of eddy current that the temperature sensing layer 103 attempts to generate is shut down by the slit 109, a heating value due to self-heat generation of the temperature sensing layer 103 can be reduced down to such extent that a heating value of a heat generating layer 140 is not adversely affected.例文帳に追加

しかし、感温層１０３で発生しようとする渦電流の大きな流れがスリット１０９で遮断されるため、感温層１０３の自己発熱による発熱量を抑制できるため、発熱層１４０の発熱量に影響を与えない程度となる。 - 特許庁

The manufacturing method and the inspection method of organic EL element comprise a step for applying a voltage between the upper surface side and the lower surface side of the protection layer 26, and a step for deciding presence or absence of a defect of the protection layer 26 on the basis whether a current flows through the protection layer 26.例文帳に追加

本製造方法および検査方法は、前記保護層２６を挟んで上面側と下面側から電圧を印加する工程と、前記保護層２６に電流が流れたか否かによって該保護層２６の欠陥の有無を判定する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A depletion layer is expanded from the floating-current blocking region 8 towards the n-type GaN layer 6 on turning off the semiconductor device, a potential is lowered in the n-type GaN layer 26 filled in the aperture 28, and the voltage is decreased across the front side and the back side of a gate-insulating film 20.例文帳に追加

半導体装置のオフ時に、浮遊電流ブロック領域８からｎ型のＧａＮ層６に向かって空乏層が広がり、アパーチャー２８を充填しているｎ型のＧａＮ層２６の電位が低下し、ゲート絶縁膜２０の表面と裏面の間にかかる電位差が減少する。 - 特許庁

The cathode 1 includes an active material layer 10 and a current collector 11, and 80 wt.% or more of the total amount of the active material contained in the active material layer 10 are in a form of a primary particle 12a and a conductive coating layer 13 is formed on the surface of the primary particle 12a.例文帳に追加

正極１は、活物質層１０および集電体１１を含み、活物質層１０に含有される活物質全量の８０重量％以上が一次粒子１２ａの形態であり、さらに、一次粒子１２ａの表面には導電性被覆層１３が形成されている。 - 特許庁

The data storage device is provided with a magnetic layer having a plurality of magnetic domains, a write head provided at an end portion of the magnetic layer, a read head to read data written to the magnetic layer, and a current controller connected to the write head and the read head.例文帳に追加

本発明は、複数の磁区を持つ磁性層と、磁性層の一端部に備わった書き込みヘッドと、磁性層に記録されたデータを読み取るための読み取りヘッドと、書き込みヘッド及び読み取りヘッドと連結された電流調節素子と、を備えることを特徴とするデータ保存装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for a dye-sensitized solar cell with high photoelectric conversion efficiency (η), by preventing degradation of short-circuiting current density (Jsc) of an under-coating layer of a metal oxide film between a metal oxide transparent conductive layer and a semiconductor particle layer.例文帳に追加

金属酸化物透明導電層と半導体粒子層との間の金属酸化物膜の下引き層の短絡電流密度（Ｊｓｃ）の低下を防止し、高い光電変換効率（η）を有する色素増感型太陽電池用電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In detail, the electrically floated reflecting plate is extended onto an active layer part formed of amorphous silicon to prevent a thin film transistor including the active layer from inducing a leak current owing to direct incidence of light on the active layer.例文帳に追加

詳細に説明すると、非晶質シリコンで形成されるアクティブ層を含む薄膜トランジスタにおいて、前記アクティブ層に光が直接入射して漏れ電流を誘発することを防止するために、電気的にフローティングさせた反射板を前記アクティブ層上部に延ばして形成する。 - 特許庁

The endless belt for electrophotography generating the heat by an eddy current caused by the electromagnetic induction includes at least a metallic layer, and an elastic layer provided on the outer circumferential side of the metallic layer and having hardness defined by a JIS type A of ≤35.例文帳に追加

電磁誘導を利用して渦電流を発生させることにより発熱する電子写真用の無端ベルトにおいて、該無端ベルトが、少なくとも、金属層と、該金属層の外周側に設けられたＪＩＳタイプＡで規定される硬度が３５度以下の弾性層と、を含むことを特徴とする無端ベルト。 - 特許庁

The reason why large current density is possible is that, under the prescribed voltage drop at both ends of the dielectric layer, effective negative electron affinity is realized at the 'cold' electrons of quasi-equilibrium condition that are accumulated in the depletion layer of the p region adjacent to the dielectric layer.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、誘電体層の両端の所定の電圧降下のもとで、有効な負の電子親和力が、誘電体層に隣接したｐ領域の空乏層に蓄積された準平衡状態の「冷」電子について実現されるからである。 - 特許庁

A function structure configured by a plurality of kinds of semiconductor regions is incorporated into the semiconductor layer 78, and the function structure has a function of switching a current flowing between the front surface electrode layer 88 and the rear surface electrode layer 71 into a conduction state and a non-conduction state.例文帳に追加

半導体層７８には、複数種類の半導体領域で構成される機能構造体が作り込まれており、その機能構造体は表面電極層８８と裏面電極層７１の間を流れる電流の導通状態と非導通状態を切替える機能を有している。 - 特許庁

Since an InP barrier layer 15 is p-type and acts as a potential barrier toward electrons, electron injection from the layer 16-1 is suppressed, and optical phase modulation based on an electrooptic effect is carried out by applying voltage to a core layer 13 in the state of little generation of a leak electric current.例文帳に追加

ＩｎＰバリア層１５はｐ形であり、電子に対するポテンシャルバリアとして働くので、層１６−１からの電子注入が抑制され、リーク電流の発生が少ない状態でコア層１３に電圧を印加して、電気光学効果に基づく光位相の変調を行うことができる。 - 特許庁

In various embodiments, the optical state of small region of the information-storage layer can be determined by exposing the small region to visible light, and determining whether or not a photodiode layer in an information-storage medium below the information-storage layer generates an electrical current in response to illumination.例文帳に追加

種々の実施形態において、情報記憶層の小領域の光学状態は、当該小領域に可視光を適用し、情報記憶媒体内の情報記憶層の下に位置するフォトダイオード層が前記可視光に応答して電流を生成するか否かを検出することで、決定する。 - 特許庁

To provide a layer formation apparatus where the deviation in a solvent vapor concentration around a dipping tank caused by the air current of solvent vapor generated from a coating liquid around the exhaust port of a coating liquid is prevented, and which forms a layer of an electrophotographic photoreceptor having a uniform coating layer with reduced unevenness at high productivity.例文帳に追加

塗布液排出口周辺の塗布液から発生する溶剤蒸気の気流による浸漬槽周辺の溶剤蒸気濃度の偏りを防ぎ、生産性が高く、むらが少なく均一な塗布層を有する電子写真感光体の層を形成する層形成装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the leakage of magnetic flux of an eddy current generated in a thinned metallic conductive layer by an induction heating coil at the time of heating the metallic conductive layer, and to make the metallic conductive layer efficiently generate heat, thereby achieving the speed-up of fixing and energy conservation and attaining economical efficiency and the environment protection.例文帳に追加

薄膜化された金属導電層の加熱時に、誘導加熱コイルにより金属導電層に発生される渦電流の磁束の漏れが少なく、金属導電層を効率良く発熱出来、定着の高速化及び省エネルギー化を図り経済性及び環境の保全を得る。 - 特許庁

In the electric element of a rectangular shape which is composed of a multilayered body obtained by overlapping a dielectric layer and a conductive layer, an inverted heading current is flown into the upper and lower conductive layer, whereby a self-inductance is reduced by utilizing an offset of a magnetic field and an ESL is reduced thereby to reduce the high frequency noise.例文帳に追加

誘電体層、導体層を重ねた多層体からなる直方体形状の電気素子において、上下の導体層に逆向きの電流を流すようにして、磁界の相殺を利用して自己インダクタンスを低減し、それによってＥＳＬを減少させて高周波ノイズを減少させる。 - 特許庁

The processing method involves a process in which a metal film 8 is formed on a silicon layer 5a; and a process in which a current of such a magnitude as to cause electromigration in metal is passed through the metal film 8 and further the metal film 8 is heated to form a silicide layer 8a between the silicon layer 5 and the metal film 8.例文帳に追加

シリコン層５ａ上に金属膜８を形成する工程と、金属がエレクトロマイグレーションを起こす大きさの電流を金属膜８に流すとともに金属膜８を加熱することにより、シリコン層５と金属膜８の間にシリサイド層８ａを形成する工程を含む。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric converter 10 is comprised of mainly a transparent substrate 1 such as glass; a semiconductor layer 3 held with photo-sensitized dye; a current conductive layer (a negative electrode) 12; an electrolyte layer 4; a counter electrode (a positive electrode) 5; a counter substrate 6; and a sealing material (not shown in a figure).例文帳に追加

色素増感型光電変換装置１０を、主として、ガラスなどの透明基板１、光増感色素を保持した半導体層３、集電体層（負極）１２、電解質層４、対向電極（正極）５、対向基板６、および図示省略した封止材などで構成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first p-type guide layer 7 that is formed on a substrate 1 and contains a p-type impurity (Mg); and an n-type current confinement layer 8 that is formed on the first p-type guide layer 7 to contact thereto and contains an n-type impurity (Si) and the p-type impurity (Mg).例文帳に追加

半導体装置は、基板１の上に形成されたｐ型不純物（Ｍｇ）を含む第１のｐ型ガイド層７と、該第１のｐ型ガイド層７の上にそれと接するように形成され、ｎ型不純物（Ｓｉ）及びｐ型不純物（Ｍｇ）を含むｎ型電流狭窄層８とを有している。 - 特許庁

In a self-oscillating type semiconductor laser, having an active layer 104 which has a non-current injection region (at the mesa side) functioning as a saturable absorptive region, a p-side clad layer 105 is set undoped in a first crystal growing stage, and a p-type cap layer 109 is doped to high concentration.例文帳に追加

活性層１０４の電流非注入領域（メサ脇）が可飽和吸収領域として機能する自励発振型半導体レーザにおいて、１回目の結晶成長時にｐ側のクラッド層１０５をアンドープとし、ｐ型キャップ層１０９を高濃度ドープとする。 - 特許庁

In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.例文帳に追加

半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁

A first active material layer 2a made of a member for storing and releasing Li is formed on a current collector 1a, and further, a second active material layer 3a that is an alloy layer containing a metal forming an alloy with lithium, or lithium, and a metal that does not form an alloy with lithium, is formed on top of it.例文帳に追加

集電体１ａ上にＬｉを吸蔵・放出する部材からなる第一活物質層２ａを形成し、さらにその上に、リチウムと合金を形成する金属またはリチウムと、リチウムと合金を形成しない金属とを含む合金層である第二活物質層３ａを形成する。 - 特許庁

At the time of forming at least the boundary side with the outermost high-refractive index layer of the silicon oxide layer 15 in the step of forming the silicon oxide layer 15 by sputtering method, voltage per unit current of 19 V-42 V is applied to a sputtering cathode having a target for forming the silicon oxide film.例文帳に追加

酸化ケイ素層１５をスパッタ法で形成するにあたり、この酸化ケイ素層１５のうちの少なくとも最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり１９Ｖ〜４２Ｖの電圧を印加する。 - 特許庁