「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate with a built-in coil wherein a high current can flow without a malfunction of a packaged IC caused by heat generated in a plane coil conductor layer.例文帳に追加

平面コイル導体層で発生した熱に起因して搭載されるＩＣが誤動作することなく、高電流を流すことができるコイル内蔵基板を提供すること。 - 特許庁

Then, in a contact part 62, a current flows from a conductive member 58 to the secondary transfer roll 36, so that the electrification occurring in the high resistance layer 54 is eliminated.例文帳に追加

そして、接触部６２では、導電性部材５８から二次転写ロール３６に電流が流れているため、高抵抗層５４に生じた帯電は除電される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device adopting a salicide process and suppressing the increase of current leakage generated due to a metal silicide layer.例文帳に追加

サリサイドプロセスを採用した半導体装置において、金属シリサイド層に起因して生ずるリーク電流の増大を抑止することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the case of the granular layer 14, the electrically conductive fine particles 22 exist in the film and, therefore, if electrons tunnel through gaps among the electrically conductive fine particles 22, a current is made to flow therethrough.例文帳に追加

グラニュラ層１４の場合、膜中に導電性微粒子２２が存在するため、導電性微粒子２２の隙間を電子がトンネルすれば電流が流れるようになる。 - 特許庁

The width of current collecting plate 10 is the width of the body section 5 or less in the direction wherein the positive electrode plate 1, a porous insulated layer 3, and a negative electrode plate 2 are arranged in order.例文帳に追加

そして、正極板１、多孔質絶縁層３および負極板２が順に配置された方向において、集電板１０の幅は本体部５の幅以下である。 - 特許庁

An electric voltage or an electric current is shut to an organic thin film light emitting layer of pixels in which a light amount is lower than in a normal element characteristics and/or a temperature is higher than in its surroundings.例文帳に追加

正常素子特性の光量以下、または／および、周辺より温度の高い画素の有機薄膜発光層に対し、電圧、または、電流を遮断する - 特許庁

By the current magnetic field, the magnetic field with sufficient intensity is established at the free side magnetic layer as long as the heat generation i.e. electric energy is maintained to be constant.例文帳に追加

電流磁界によれば、発熱すなわち電力量が一定に維持される限り、自由側磁性層で十分な強度の磁界が確立されることができる。 - 特許庁

To provide activated carbon enabling an electric double-layer capacitor to output a high power both at a normal temperature and at a low temperature and to have excellent charge and discharge properties even in a case a large current is applied.例文帳に追加

常温下でも低温下においても高出力を有し、かつ大電流下での充放電特性に優れた電気二重層キャパシタ用活性炭を提供する。 - 特許庁

To prevent an increase in leak current resulting from the formation of a depletion layer in a semiconductor device whose life time is controlled by irradiating radioactive rays such as electron rays or the like.例文帳に追加

電子線などの放射線を照射することによりライフタイム制御を施している半導体装置で、空乏層が形成されリーク電流が増加することを防止する。 - 特許庁

A width of a current path of the variable resistor R12 is controlled by a depletion layer which is expandable in accordance with a drain-source voltage Vds of the transistor 20.例文帳に追加

その可変抵抗体Ｒ１２の電流経路の幅が、トランジスタ２０のドレイン・ソース間電圧Vdsに応じて伸縮する空乏層によって調整されることを特徴としている。 - 特許庁

Since the dielectric film 7 is formed at both side of the ridge shaped clad layer 6, the leakage current from this area does not increase at high temperatures (about +70°C or higher).例文帳に追加

リッジ状のクラッド層６の両脇には誘電膜７が形成されているので高温（＋７０℃程度以上）でもこの部分からのリーク電流が増大しない。 - 特許庁

A tunnel current flowing through a tunnel junction 21 composed of the magnetic layers 17 and 18 and insulating barrier layer 20 flows in parallel with the main surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

磁性層１７、１８及び絶縁障壁層２０からなるトンネル接合部２１を流れるトンネル電流は、基板１１の主面１１ａと平行に流れる。 - 特許庁

An opening pattern is in a stripe shape, wherein a contact hole 8a formed in a current block layer 8 is divided into a plurality in parallel with the output direction of laser light.例文帳に追加

電流ブロック層８に形成したコンタクトホール８ａをレーザ光の出力方向に対して平行に複数に分割したストライプ状に並べた開口パターンとする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer, in which an attempt is made to prevent a current gain from lowering by decreasing a recombination near an emitter layer; and a heterobipolar transistor.例文帳に追加

エミッタ層近傍における再結合を減少させることにより電流利得の低下防止を図った化合物半導体エピタキシャルウェハおよびヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

Since the auxiliary capacitance semiconductor layer 37 of the auxiliary capacitance 24 contains the impurities at a high concentration, a leakage current is lowered to suppress the rate of dot defect generation.例文帳に追加

補助容量24の補助容量半導体層37の不純物が高濃度であるためリーク電流を低く抑え、点欠不良の点欠陥の発生率を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a driver transistor is arranged under electrode pads so as to prevent shortage between the source and the drain of the driver transistor and relax current crowding in a metal wiring layer.例文帳に追加

電極パッド下にドライバートランジスタを配置し、ドライバートランジスタのソース及びドレイン間の短絡を防止し、かつメタル配線層における電流集中を緩和する。 - 特許庁

To provide a production method for a semiconductor device, having a reliable silicide layer of low resistance, by eliminating leakage current of path by a residual metal on a sidewall through siliciding.例文帳に追加

シリサイド化でサイドウォール上の残留金属が経路のリーク電流をなくし信頼性ある低抵抗のシリサイド層を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type offset layer 20 is formed at the site that serves as an electric current path provided by a trench gate electrode 16 between a channel formation region 10 and a drain region 13.例文帳に追加

ｎ型のオフセット層２０が、チャネル形成領域１０とドレイン領域１３との間のトレンチゲート電極１６による電流経路となる部位に形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing activated carbon as an electrode for an electric double-layer capacitor having a stable quality equalizing the flow of a current, and damaging no separator, inexpensively.例文帳に追加

電流の流れが均一で、セパレーターの破損のない安定した品質の電気二重層キャパシタ用電極としての活性炭を低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a nitride system semiconductor layer is formed on a silicon substrate to suppresses a leak current, and at the same time, to make high-speed operation possible.例文帳に追加

シリコン系基板上に窒化物系半導体層が形成され、漏れ電流を抑制するとともに高速動作を可能にする半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a nonvolatile memory device having a charge trapping layer, which prevents device characteristic deterioration due to etching damage and restrains leak current.例文帳に追加

エッチングダメージから生じる素子特性の劣化を防止し、漏洩電流の発生を抑制する電荷トラップ層を有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A surface of a second electrode layer and a current collection hole are coated with adhesive resin, and then the adhesive resin is heated by a heater device to a temperature which does not damage the thin film solar cell.例文帳に追加

接着性樹脂を第二電極層の表面及び集電孔を被覆した後、加熱装置で、薄膜太陽電池を損傷させない温度まで加熱する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display free from leak current generation due to an attached foreign material to an organic layer or damage to the electrodes or sealing films caused by the foreign material.例文帳に追加

有機層に付着した異物によるリーク電流の発生や、異物による電極や封止膜へダメージがない有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve reliability of an organic EL display device which prevents current leakage between electrodes on an upper surface side of the organic EL layer, and uses a sealing plate formed of conductive material.例文帳に追加

有機ＥＬ層上面側の電極間の電流リークを防ぎ、導電性材料からなる封止板を使用する有機ＥＬ表示装置の信頼性を高める。 - 特許庁

A cathode including a cathode current collector on which a cathod active material layer containing a cathod active material and a carbonate of an alkaline earth metal having a regular shape is formed is provided.例文帳に追加

正極集電体上に、正極活物質と定形のアルカリ土類金属からなる炭酸塩とを含む正極活物質層が形成された正極を用いる。 - 特許庁

To provide a highly reliable capacitor by improving adhesion between a current collector and a polarizable electrode layer of an electrode body for a capacitor to reduce internal resistance of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタ電極体の集電体と分極性電極層との密着性を向上させることでキャパシタの内部抵抗を低減し、信頼性の高いキャパシタを提供する。 - 特許庁

The spacer layer is formed by the mixture of copper and magnesium oxide, which is heat-treated to form the copper current confined paths within the magnesium oxide matrix.例文帳に追加

スペーサ層は、銅と酸化マグネシウムとの混合物によって形成され、この混合物は、銅電流狭窄を酸化マグネシウム母材内に形成するために熱処理される。 - 特許庁

The thin film transistor having the oxide semiconductor layer is high in field effect mobility and can reduce the off-state current, and hence can be favorably operated without problems.例文帳に追加

酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作させることができる。 - 特許庁

To provide a current collector for a positive electrode of a nonaqueous electrochemical cell having a superior cycle life, particularly, of an electric double-layer capacitor and a lithium-ion capacitor.例文帳に追加

サイクル寿命に優れる非水系電気化学セル、特に、電気二重層型キャパシタおよびリチウムイオンキャパシタの正極用集電体を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element which has an organic photoelectric conversion layer of high external quantum efficiency, low dark current, and high response speed, and can be manufactured at a low cost, and to provide an image pickup element.例文帳に追加

高い外部量子効率、低い暗電流、速い応答速度の有機光電変換層を備える光電変換素子，撮像素子を低コストで製造する。 - 特許庁

An electrode body 31, where an electrode layer 35 is formed on a metallic current collecting foil 33, with an end part band-like part 33a left, is made to face, and a separator 2 is interposed therebetween.例文帳に追加

端部帯状部３３ａを残して金属集電箔３３上に電極層３５を形成した電極体３１を対向させ、間にセパレータ２を介在させる。 - 特許庁

Consequently, even if a bias is applied, the field strength of the n-InGaAsP optical absorption layer 23 is suppressed, and generation of tunnel current can be prevented.例文帳に追加

従って、バイアスを印加しても、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３における電界強度を抑制して、トンネル電流の発生を防止することができる。 - 特許庁

The current density between an anode material and the material to be plated is controlled so as to be different per part, thus a uniform metal layer is formed on the material to be plated.例文帳に追加

陽極材及び被メッキ材間の電流密度を部分ごとに異なるように調節することによって、被メッキ材上に均一な金属層を形成する。 - 特許庁

To provide an electrode in which adhesion between a mixture layer and a current collector is obtained even with a small amount of a binder used, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

使用するバインダーが少量でも、合材層と集電体の密着性が得られる電極およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Also, since the luminescent layer 15 has almost the same shape with a little bigger size than the anode 7, a leakage current and a field concentration produced at the end part of the anode can be prevented.例文帳に追加

また、発光層１５は、陽極７よりも一回り大きい同一形状であるので、陽極端部に生じるリーク電流や電界集中を防止することができる。 - 特許庁

To cure a winding habit wound on a drum by increasing electric resistance of a reinforcing layer, and heating a flexible fluid transport pipe by flowing an electric current to this electric resistance.例文帳に追加

補強層の電気抵抗を大きくし、それに電流を流して可撓性流体輸送管を加熱することにより、ドラムに巻き付けた巻き癖がとれるようにする。 - 特許庁

To raise image quality by enlarging an electric field formed in a photoconductive layer, while suppressing the occurrence of a dark current in a radiation image detector.例文帳に追加

放射線画像検出器において、暗電流の発生を抑制するとともに、光導電層に形成される電界を大きくすることにより画質を向上させる。 - 特許庁

OR data obtained by performing an OR arithmetic processing for all pieces of the slice data of the respective quantitatively offset layers is defined as quantitative offset data of the current layer (steps S25, S26, S27).例文帳に追加

定量オフセットした各層のスライスデータの全部につきＯＲ演算処理を行って得たＯＲデータを、カレント層の定量オフセットデータとする（ステップＳ２５、Ｓ２６、Ｓ２７）。 - 特許庁

This structure optimizes the thickness of the clad layer and the size of the current pouring region while permitting the expansion of the horizontal spreading angle independently from the optimization.例文帳に追加

この構造は、クラッド層の厚みや電流注入領域の大きさを最適化した上で、それとは独立して、水平拡がり角を拡大することを可能にする。 - 特許庁

In an etching process, etching treatment is applied by using the resist layer 34 as a mask, and through-holes 20a, 23a are formed against respective current collector materials 31, 32.例文帳に追加

エッチング工程では、レジスト層３４をマスクとして用いてエッチング処理が施され、各集電体材料３１，３２に対して貫通孔２０ａ，２３ａが形成される。 - 特許庁

This locates the interface charge sufficiently distant from the lower layer doped by the n-type impurity serving passage of the current even though the interface charge exists.例文帳に追加

これにより、たとえ界面電荷が存在する場合であっても、電流の通り道であるｎ型不純物によりドープされた下層とは充分離れた位置にあることとなる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which suppresses the occurrence of leak current and exhibits a high reliability and to provide a semiconductor optical device which uses it as an embedded layer.例文帳に追加

リーク電流の発生を抑制するとともに、信頼性の高い化合物半導体及びそれを埋め込み層として使用した半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electrical double layer capacitor of a flat type, capable of leading out a positive and negative electrodes from one side, by suppressing leakage current, without increasing the thickness of a separator.例文帳に追加

扁平型においてセパレーターの厚みを増すことなく漏れ電流を抑制し、正負の電極を片側から引き出すことが可能な電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

To improve close contact property of a current block layer provided in a semiconductor light emitting element consisting of the III-V group nitride semiconductor and also make small the pin-hole density.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体発光素子に設ける電流ブロック層の密着性を向上し且つピンホール密度を小さくできるようにする。 - 特許庁

To provide a resonance tunnel-diode oscillation element capable of improving the injection current density of an active layer, and improving the output power of oscillation.例文帳に追加

活性層の注入電流密度を向上させ発振の出力パワーを向上させることができる共鳴トンネルダイード型の発振素子を提供することである。 - 特許庁