「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

The addition resistance layer 15 works as a resistance equivalent to the serial resistance formed inside the IC, and, as shown in Fig. (b), reduces a peak value of the over-current.例文帳に追加

付加抵抗層１５がＩＣ内部に形成した直列抵抗と同等の抵抗として働き、（ｂ）図のようにオン／オフ時の過電流のピーク値を減少させる。 - 特許庁

In a life decision test period T during non-power failure, a certain amount of charging current Ic is supplied from a buttery charger to an electric double-layer capacitor C.例文帳に追加

電源が非停電状態にあるときの寿命判定用試験期間Ｔにおいて、充電装置から一定の充電電流Ｉcを電気二重層キャパシタＣに流す。 - 特許庁

The layer of the air current heading toward the recessed part bottom side from the recessed part opening side exists between the recessed part 2 and the glass gob, by which the glass gob is held without contact with the recessed part 2.例文帳に追加

凹部２とガラス塊との間に凹部開口側から凹部底側に向かう気流の層が存在する事により、ガラス塊は凹部とは非接触に保持される。 - 特許庁

To provide a producing method of a negative electrode plate for a lithium ion secondary battery capable of easily improving an adhesive property between a current collecting body and an electrode active material layer without changing the current collecting body and the negative electrode active material layer of a conventional negative electrode plate for the lithium ion secondary battery, and thereby achieving an enhanced battery property.例文帳に追加

従来のリチウムイオン二次電池用負電極板の集電体及び負極活物質層自体を変えること無く、簡単に、集電体と電極活物質層との密着性を向上させることができ、それにより優れた電池特性を与えることができるリチウムイオン二次電池用負電極板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Just after peeling off the oxide layer generated on the anode 4 surface by the water flow of a circulating pump 7, the direction of electric current is reversed to completely remove the oxide layer by hydrogen generated from the anode 4 surface, thereby the anode 4 surface can expose a constantly conductive metal surface to facilitate current flow.例文帳に追加

循環ポンプ７の水流が陽極４表面に発生する酸化被膜を剥がし落とし、その直後、電流の向きを反転させ、陽極４表面から発生する水素によって酸化被膜を完全に除去するので、陽極４表面は常に導電性のある金属表面を露出させることができ、電流が流れやすくなる。 - 特許庁

To provide a light-emitting element, in which transparent semiconductors functioning as current diffusing layers can be formed efficiently on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section and the variation of the serial resistance, in which the forward current of the element hardly occurs, and which can suppress the deterioration of the light-emitting layer section caused by the thermal diffusion of a dopant profile.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ発光層部の両主表面側に電流拡散層として機能する透明半導体を効率よく形成でき、また、発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制でき、さらに、素子の直列抵抗ひいては順方向電流のばらつきも生じにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

The battery includes a sheet-like electrode, including a mixture layer, containing an active material on a sheet-like current collector as at least one of a positive electrode and a negative electrode, in which a recessed part exists on the surface of the sheet-like current collector, and the density of the mixture layer located on the recessed part is larger than that in a part other than on the recessed part.例文帳に追加

正極と負極の少なくとも一方に、活物質を含む合剤層をシート状集電体上に保持したシート状電極を備えた電池において、前記シート状集電体の表面に凹部が存在し、前記凹部の上部に位置する合剤層の密度が、前記凹部の上部以外の合剤層の密度よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁

The rectifier element 10 can select a state where the difference in potential between the Schottky electrodes 3, 5 and the cathode electrode 4 changes, thereby applying a current between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 is made into a depletion layer to disconnect a current path.例文帳に追加

ショットキー電極５およびショットキー電極３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

This can reduce the resistance of a current path by a secondary electron gas 8 generated near a contact surface with the AlGaN layer 4 in the GaN layer 3, and resistance between a drain and a source by the reduction of the resistance of the current path between the respective electrodes 5, 6 and the secondary electron gas 8, thereby making compatible the high breakdown strength and the low on-resistance.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ層３におけるＡｌＧａＮ層４との接触面付近に発生する２次元電子ガス８による電流経路の低抵抗化と、各電極５、６と２次元電子ガス８との間の電流経路の低抵抗化によりドレイン・ソース間抵抗を低減でき、高耐圧化と低オン抵抗化を両立できる。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode for an electrochemical element includes the steps of: forming the active material layer having a clearance on a long current collector; forming a wound body 10 by winding up the current collector to which the active material layer is formed; and forming coatings of resin materials on the side faces 10a and 10b of the wound body 10.例文帳に追加

電気化学素子用電極の製造方法は、長尺の集電体上に空隙を有する活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体を巻回して巻回体１０を形成する工程と、巻回体１０の側面１０ａおよび１０ｂに樹脂材料でできた被膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In a rectifying element 10, a state that a current between a Schottky electrodes 5 and a cathode electrode 4 flows by changing a potential difference between Schottky electrodes 5, 3 and a cathode electrode 4, or a state that a current path is cut off by changing an n^-type semiconductor layer 2 existing between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 into a depletion layer is selectable.例文帳に追加

整流素子１０は、ショットキー電極５、３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

To solve the problem that a termination structure provided with a JTE layer greatly deteriorates in breakdown voltage since a level and a defect present in an interface between a semiconductor layer and an insulating film or a fine amount of an external impurity in the insulating film or entering from outside up to the semiconductor interface through the insulating film becomes a generation source for a leakage current and a high current due to breakdown.例文帳に追加

ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が漏れ電流の発生源及び降伏点となってしまい耐圧が大幅に劣化する。 - 特許庁

Thus, since a hot carrier flows within the first embedded layer 110a formed near the first mesa 109 in a low voltage region before starting multiplication, a flat part of M=1 appears in optical current/voltage characteristics, and a leak bus of a current is hardly formed on an interface of a protecting film 113 and the second embedded layer 110b.例文帳に追加

これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。 - 特許庁

This is a negative electrode material for lithium secondary battery having a coating layer at the current collector, and the coating layer is a granular rough plated film of Cu formed on the current collector and an Sn alloy plated film having a minute convex shape part including at least a curved face portion formed on top of it.例文帳に追加

集電体に被覆層を有するリチウム二次電池用負極材料であって、該被覆層が集電体上に形成されたＣｕの粒状粗化めっき被膜および更にその上に形成された少なくとも曲面部分を含む微小凸状部を有するＳｎ合金めっき膜であることを特徴とするリチウム２次電池用負極材料。 - 特許庁

In the upper semiconductor DBR 107, an oxidized layer 108a containing at least an oxide generated by oxidizing part of selected oxidized layer containing aluminum and having 30 nm thickness surrounds a current passing-through region 108b and an oxidized confinement structure capable of simultaneously confining an injected current and a lateral mode of oscillation light is included in the upper semiconductor DBR.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。 - 特許庁

The first unit cell 22a includes an anode electrode catalyst layer 50a and an anode side current collector 50, provided on one surface side of a solid polymer electrolyte membrane 48, and a cathode electrode catalyst layer 52a and a cathode side current collector 52, provided on the other surface side of the solid polymer electrolyte membrane 48, and serves as a water electrolysis cell to electrolyze the water.例文帳に追加

第１単位セル２２ａは、固体高分子電解質膜４８の一方の面側に設けられるアノード電極触媒層５０ａ及びアノード側給電体５０と、前記固体高分子電解質膜４８の他方の面側に設けられるカソード電極触媒層５２ａ及びカソード側給電体５２とを有し、水を電気分解する水電解セルである。 - 特許庁

The manufacturing method of the secondary lithium battery comprises a process of forming the activator layer on a current collector 42a, using a sputtering method, and a process of keeping an electrode (negative electrode) 42, which comprises the current collector having the activator layer formed thereon, at least either in an inactive atmosphere or in a vacuum atmosphere until the battery is manufactured.例文帳に追加

このリチウム二次電池の製造方法は、集電体４２ａ上に、スパッタ法を用いて活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体からなる電極（負極）４２を、電池を作製するまでの間、不活性雰囲気下および真空雰囲気下の少なくともいずれかで保持する工程とを備えている。 - 特許庁

The fuel cell 1A is constituted by laminating a polymer electrolyte membrane 2, a catalyst layer 3A or 3B, a gas diffusion layer 5A or 5B, and a current collector 6A or 6B in this order, and humidity control layers 9A and 9B are arranged on the opposite sides to the gas diffusion layers 5A and 5B of the current collectors 6A and 6B.例文帳に追加

高分子電解質膜２と、触媒層３Ａ又は３Ｂと、ガス拡散層５Ａ又は５Ｂと、集電体６Ａ又は６Ｂとがこの順に積層され、集電体６Ａ及び６Ｂに対してガス拡散層５Ａ及び５Ｂとは反対側に、調湿層９Ａ及び９Ｂが設けられていることを特徴とする燃料電池１Ａ。 - 特許庁

The electrode plate for the nonaqueous electrolyte secondary battery is constituted by containing a metal oxide capable of lithium ion insertion/elimination reaction in an electrode active material layer as a binder for fixing electrode active material particles onto a current collector, and installing a coating layer made of the metal oxide at least at a part of the current collector surface.例文帳に追加

集電体上に電極活物質粒子を固着させるための結着材として、リチウムイオン挿入脱離反応可能な金属酸化物を電極活物質層中に含有させるとともに、上記集電体面の少なくとも一部において、上記金属酸化物からなる被覆層を設けて、非水電解液二次電池用電極板を構成する。 - 特許庁

In the bipolar electrode wherein a positive electrode active material layer is formed on one face of the collector and a negative electrode active material layer is formed on the another face of the collector, the bipolar electrode has a current collection foil including the polymer material, and a conductive member having conductivity higher than that of the current collection foil.例文帳に追加

本発明は、集電体の一方の面に正極活物質層が形成され、かつ、他方の面に負極活物質層が形成されてなる双極型電極であって、前記集電体は高分子材料を含む集電箔と、前記集電箔の導電性より高い導電性を有する導電性部材とを有する双極型電極である。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

Source and control electrodes 6 and 5 are respectively formed on the layer 3 and the film 4, which are formed in such a way, while a drain electrode 7 is formed on the side of the other main surface 1b of the layer 1 and a current between the source and drain electrodes 6 and 7 flows through a space limiting current mechanism.例文帳に追加

こうして形成された第３ダイヤモンド層３および絶縁薄膜４上には、それぞれソースおよび制御電極６、５が形成される一方、第１ダイヤモンド層１の他方主面１ｂ側には、ドレイン電極７が形成されており、ソースおよびドレイン電極６、７の間の電流は空間制限電流機構により流れる。 - 特許庁

A contact resistance between SAL film 5a and the 1st electrode layer 7 is sufficiently larger than that between MR film 5c and the 1st electrode layer 7, and while a current flowing through SAL film 5a becomes sufficiently small as compared with a current flowing through MR film 5c, the ratio of currents becomes constant, and the variations in reproduced outputs are controlled.例文帳に追加

ＳＡＬ膜５ａと第１の電極層７との接触抵抗は、ＭＲ膜５ｃと第１の電極層７との接触抵抗よりも十分大きく、ＳＡＬ膜５ａを流れる電流はＭＲ膜５ｃを流れる電流に比べて十分小さくなると共に、両者の比は一定となり、再生出力のばらつきが抑制される。 - 特許庁

This method for manufacturing the polycrystalline compound semiconductor solar battery has a process for composing a sub module by forming each semiconductor layer for forming a p-n junction and an electrode layer that is continuous to the p-n junction, and then allowing a current to flow to the sub module in a forward or backward direction from an external power supply while a light-inducing current does not flow.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合を形成する各半導体層とそれらに連なる電極層を形成してサブモジュールを構成した後、このサブモジュールに、光誘起電流が流れない状態で外部電源から順方向または逆方向に電流を流す工程を有する多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The secondary battery includes an electrode body, and the electrode body is formed by: superimposing a positive electrode in which a positive active material layer is formed on the surface of a belt-shaped positive current collector and a negative electrode in which a negative active material layer is formed on the surface of a belt-shaped negative current collector with a belt-shaped separator interposed between the electrodes; and spirally winding them.例文帳に追加

二次電池は電極体を備え、この電極体は、帯状の正極集電体の表面に正極活物質層を形成した正極と帯状の負極集電体の表面に負極活物質層を形成した負極とを、帯状のセパレータを挟んで重ね合わせ、渦巻状に捲回して形成されている。 - 特許庁

In the field-effect transistor, electric charges can be implanted into an interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 by applying the pressure acting in its surface direction (in a horizontal direction) to the gate insulating layer 1, so that a current between a drain electrode 3 and a source electrode 4 is controlled.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層１にその面方向（水平方向）に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層１と有機半導体層２との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極３及びソース電極４間の電流が制御される。 - 特許庁

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid.例文帳に追加

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

A luminous layer formed by a composition containing a conjugated polymer and the compound represented by formula (1) gives an organic electroluminescent device having higher current density than that given by a luminous layer formed by a composition not containing the compound represented by formula (1) or a luminous layer containing CBP.例文帳に追加

共役系高分子と式（１）で表される化合物とを含有する組成物を用いて形成させた発光層は、式（１）で表される化合物を含有しない組成物を用いて形成させた発光層、またはＣＢＰを含有する発光層に比べて、得られた有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度が向上した。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a thin film transistor having no protrusion on the peripheral edge of a semiconductor layer, because there is a problem that protrusions on the semiconductor layer which exist along the pattern peripheral edge of the semiconductor layer may become leak current routes in the thin film transistor of a display device, and thereby adverse effects may be exerted on display quality.例文帳に追加

表示装置の薄膜トランジスタにおいて、半導体層のパターン周縁部に沿って存在する半導体層の隆起がリーク電流経路となり、表示品質に悪影響を与えるという問題があったため、半導体層周縁部に隆起の無い薄膜トランジスタの製造方法を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory device that has an oxide layer formed of a resistance converted material to reduce and stabilize the reset current comprises a step of, after forming a lower electrode and an oxide layer on a lower structure, irradiating one region of the oxide layer with an electric beam or ion beam.例文帳に追加

抵抗変換物質から形成された酸化層を備えるメモリ素子の製造方法において、下部構造体上に下部電極及び酸化層を形成した後、酸化層の一領域に電子ビームまたはイオンビームを照射するステップを含むリセット電流の安定化のためのメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

In the method for separating in a direct current manner the dispersed layer on the surface of the work piece, in particular, the dispersed layer in a bearing layer in a flat bearing shell, electrolytes having the finely distributed and dispersed phases form a flow component parallel to the surface, and are moved with respect to the surface of the work piece to be coated.例文帳に追加

加工片の表面における、とくに平軸受シェルにおける軸受層における分散層を直流的に分離する方法が記載され、その際、その中に細かく分配して分散した相を有する電解質が、表面に平行な流れ成分を形成して、被覆すべき加工片表面に対して動かされる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-junction photoelectric conversion device which restrains current leakage from an intermediate contact layer by dividing the intermediate contact layer without affecting an underlying layer so as to suppress deterioration in power generation efficiency and reduces an ineffective area generating no electric power so as to enhance power generation efficiency.例文帳に追加

下側層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できるとともに発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has such a structure that satisfies a relation, V_max1<V_max2, wherein V_max1 is the maximum voltage value of current/voltage characteristic of a source layer arranged inside the element area in a semiconductor substrate, and V_max2 is that of a source layer adjacent to a drain layer arranged on the outermost side of the element area.例文帳に追加

半導体基板内の素子領域の内部に配置されるソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max１と、同素子領域の最も外側に配置されるドレイン層に隣接するソース層の電流電圧特性の最大電圧値Ｖ_max２とが、「Ｖ_max１＜Ｖ_max２」なる関係式を満足するような構造とする。 - 特許庁

The compound semiconductor field effect transistor includes: a semiconductor part 43 in a rectangular column shape or a truncated pyramid shape, where a current flows in an axial direction in an ON state; and a peripheral part where a first insulating layer 50, a control electrode layer 60 and a second insulating layer 72 are laminated in order along the axial direction of the semiconductor part, around the semiconductor part.例文帳に追加

角柱状又は角錐台状の、オン状態のときに軸方向に電流が流れる半導体部４３と、半導体部の周囲に、第１絶縁層５０、制御電極層６０及び第２絶縁層７２が、半導体部の軸方向に沿って順に積層された周辺部とを備える。 - 特許庁

The cable for discharge crushing is made by twisting a required number of coaxial power cables 11, each of which has an internal conductor 1, an insulating layer 3, an external conductor 5, and an anti-corrosive layer 6 in this order from the center and has not a reinforcing layer outside of the external conductor 5, so as to pass at least a maximum instantaneous current required for crushing.例文帳に追加

放電破砕用ケーブル10は、中心から順に内部導体1、絶縁層3、外部導体5及び防食層6を具え、外部導体5の外側に補強層を具えていない同軸電力ケーブル11を破砕に必要な最大瞬間電流値以上となるように所要本数撚り合わせて構成される。 - 特許庁

The superconducting film has a substrate and a superconductor layer formed on the substrate, and nano-grooves are formed on the surface of the substrate on which the superconducting layer is formed in parallel with the current flowing direction, and a planar crystal defect is introduced in the superconductor layer on the nano-groove.例文帳に追加

基板と該基板上に形成された超伝導体層とを有する超伝導膜であって、該超電導層が形成される基板表面に電流通電方向と平行にナノグルーブが形成されており、該ナノグルーブの上の該超伝導体層に面状結晶欠陥が導入されていることを特徴とする超伝導膜。 - 特許庁

To provide an AlGaInP LED, which is of high brightness and capable of diffusing an operating current over the wide region of a light-emitting part, where the AlGaInP LED is equipped with a light-emitting layer, a III-V compound semiconductor layer, ohmic electrodes which are split and arranged, a light-transmitting window layer, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

The field effect transistor controls the conductivity of the semiconductor layer provided between a source electrode and a drain electrode by a gate electrode provided via an insulating layer and the semiconductor layer is formed by the organic polymer semiconductor in which carbon nano-tubes are dispersed and the current is controlled in the depletion mode.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極間に設けた半導体層の導電性を絶縁層を介して設けられたゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタであって、該半導体層がカーボンナノチューブを分散した有機高分子半導体で形成され、ディプレッションモードで電流を制御することを特徴とするトランジスタ。 - 特許庁

The photoelectric conversion element 1 includes a photoelectric conversion semiconductor layer 10 that generates a current through light absorption, a first electrode 30 formed in contact with a top surface 10s of the semiconductor layer 10 which serves as a light absorbing surface, and a second electrode 40 formed in contact with a reverse surface 10r of the semiconductor layer 10.例文帳に追加

光電変換素子１は、光吸収により電流を発生する光電変換半導体層１０と、半導体層１０の光吸収面となる表面１０ｓに接して形成された第１の電極３０と、半導体層１０の裏面１０ｒに接して形成された第２の電極４０とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing an electrode with a separator includes: a coating step of coating a coating liquid for a separator on an active material layer of an electrode having the active material layer on a current collector, the coating liquid containing nanofibers dispersed therein; and a step of drying the coated coating liquid for a separator to form a separator layer.例文帳に追加

集電体上に活物質層を有する電極の該活物質層上に、ナノファイバーを分散して含有するセパレータ用塗布液を塗布する塗布工程、および塗布された該セパレータ用塗布液の乾燥を行いセパレータ層を形成する乾燥工程を有することを特徴とするセパレータ付き電極の製造方法。 - 特許庁

Thereby, a battery electrode 13 is obtained which has an inner electrode layer 11 that is formed on the surface and inside of the porous current collector and contains the second electrode material and the binder and an outer electrode layer 12 that is formed on the surface of the inner electrode layer and contains the first electrode material and the binder.例文帳に追加

多孔質集電体の表面、および内部に形成され、第２の電極材料および結着材を含有する内部電極層１１と、内部電極層の表面に形成され、第１の電極材料および結着材を含有する外部電極層１２とを有する電池電極１３を得る。 - 特許庁

A composite substrate formed with an intermediate layer on an oriented Ni-W substrate having a predetermined area is coated thereon with a YBCO oxide superconductive layer and a stabilizing layer by a TFA-MOD method to prepare an oxide superconductor, and the oxide superconductor is punched to form current paths of meander shape.例文帳に追加

所定の面積を有する配向ＮｉーＷ基板上に中間層を形成した複合基板上に、ＴＦＡ−ＭＯＤ法によりＹＢＣＯ酸化物超電導層及び安定化層を被覆して酸化物超電導体を作成した後、これに打ち抜き加工を施してミアンダ形状の電流経路を形成する。 - 特許庁

Since holes are discharged at a high rate from the acceptor level, the resistance of that base layer drops, and a region where the positive poles are accumulated becomes an effective base layer; and since the width Weff is smaller than the width Wb of the structural base layer, the current gain rises (Wb/Weff)^2 times (this magnification is larger than 1).例文帳に追加

アクセプタ準位から高い割合で正孔が放出されるので、該ベース層の抵抗が低下し、正孔が蓄積された領域が実効的ベース層となり、その幅Ｗ_ｅｆｆが構造上のベース層幅Ｗ_ｂよりも小であるので、電流利得が（Ｗ_ｂ/Ｗ_ｅｆｆ)^２倍（この倍率は１よりも大）に向上する。 - 特許庁

The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１７は、Ｂｅの濃度が、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６側端が１．８×１０^18ｃｍ^-3であり、エッチングストップ層１８側端が１．０×１０^18ｃｍ^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。 - 特許庁

An injection current is supplied in the extent at which the semiconductor laser element is not excited, light wave is turned toward a recording layer of the optical recording medium from the surface emitting semiconductor laser element, and a plurality of beam spots are formed, and this recording layer is retrieved by that the beam spots plot loci being not overlapped on the recording layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子が励起されない程度に注入電流が供給されて表面発光半導体レーザ素子から光記録媒体の記録層に光波を向けて複数のビームスポットを形成され、ビームスポットが記録層上で重なり合わない軌跡を描いてこの記録層が検索される。 - 特許庁