| 例文 |
current layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4333件
This element is the photoconductive switching element for performing the switching of the functional element driven by the AC electric field or the AC current, and the photoconductive switching element constituted of successively laminating at least a translucent electrode layer 18, a charge generation layer 14, a charge transfer layer 2 and the charge generation layer 10, the device provided with it, recording device and method are provided on a translucent substrate 19.例文帳に追加
交流電界あるいは交流電流により駆動される機能素子のスイッチングを行うための光導電スイッチング素子であって、光透過性の基板上に少なくとも、光透過性の電極層、電荷発生層、電荷輸送層、および電荷発生層を順次積層することにより構成される光導電スイッチング素子、これを備えたデバイス、装置、記録装置および記録方法。 - 特許庁
In the semiconductor laser element comprising an active layer, a plurality of conductive clad layers sandwiching the active layer, and a current block layer having an opening above a predetermined stripe region of the active layer formed on a conductive semiconductor substrate, the opening has a width of 10-30 μm and the transverse mode is multi-mode oscillation.例文帳に追加
導電型半導体基板の上に、少なくとも、活性層と、該活性層を挟む複数の導電型クラッド層と、前記活性層の所定のストライプ状領域の上方に開口部を有する電流阻止層とが積層されてなる半導体レーザ素子において、前記開口部の幅が10[μm]〜30[μm]であり、横モードがマルチモード発振であることを特徴とする。 - 特許庁
In a negative electrode 12 including a negative electrode current collector 23 and a negative electrode active material layer 24 consisting of a plurality of columnar bodies 32 containing at least one alloy-based negative electrode active material selected from a group consisting of silicon, tin, silicon oxide, and tin oxide are contained, the columnar bodies 32 are formed by sequentially laminating a first layer 35, a second layer 36, and a third layer 37.例文帳に追加
負極集電体23と、珪素、錫、珪素酸化物および錫酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも1つの合金系負極活物質を含有する複数の柱状体32からなる負極活物質層24とを含む負極12において、第1層35、第2層36および第3層37を順次積層して柱状体32を形成する。 - 特許庁
In a solid electrolytic capacitor 5, where a lead 6 is embedded and a conductive high polymer as a solid-state electrolytic layer is formed through chemical polymerization and electrolytic polymerization, resin is applied to an area near a lead embedded part, where a current leakage occurs, after chemical polymerization and prior to electrolytic polymerization, and a resin layer 3 is formed between a chemically polymerized layer 2 and an electrolytically polymerized layer 4.例文帳に追加
リード線6が埋設され、固体電解質層としての導電性高分子を化学重合と電解重合により形成する固体電解コンデンサ5において、漏れ電流の発生するリード埋設部付近への樹脂塗布を化学重合後であって電解重合前に実施して、化学重合層2と電解重合層4との間に樹脂層3を形成する。 - 特許庁
An optical modulation element 1 includes a spin injection magnetization reversal element structure in which a magnetization fixed layer 11 having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 12 and a magnetization free layer 13 having the perpendicular magnetic anisotropy are stacked in this order, and changes a magnetization direction of the magnetization free layer 13 by supplying an electric current through a pair of electrodes 2 and 3 connected in a vertical direction.例文帳に追加
光変調素子1は、垂直磁化異方性を有する磁化固定層11、中間層12、および垂直磁化異方性を有する磁化自由層13、の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、上下に接続された一対の電極2,3を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層13の磁化方向を変化させる。 - 特許庁
This manufacturing method of the surface emitting laser device having a selective oxidation type current constriction layer comprises the lamination step for forming a selectively oxidized layer by alternately laminating AlAs layers and XAs layers containing X which being a group III element with a predetermined thickness ratio on a plurality of semiconductor layers including an active layer, and the selective oxidation step for selectively oxidizing the selectively oxidized layer.例文帳に追加
選択酸化型の電流狭窄層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、活性層を含む複数の半導体層上に、AlAs層と、III族元素であるXを含むXAs層とを所定の厚さ比率で交互に積層して被選択酸化層を形成する積層工程と、前記被選択酸化層を選択酸化する選択酸化工程と、を含む。 - 特許庁
In the spin device 1, since a sub-tunnel barrier wall F blocks the flow of electrons flowing from a non-magnetic metal layer D to a ferroelectric layer E and having a specific polarized spin, spin magnetic moments of electrons of the specific polarized spin to be absorbed in a free layer C increases, the magnetization direction of the free layer C by spin implantation at a low current can be controlled.例文帳に追加
スピンデバイス1においては、副トンネル障壁Fが、非磁性金属層Dから強磁性層Eに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層C内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Cの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。 - 特許庁
The semiconductor light-emitting element in which a plurality of semiconductor layers having an active layer that emits light by electric current injection are stacked on a substrate, comprises a metal dot layer neighboring the active layer, and the dot metal layer is configured so that a plurality of metal dots having a dot diameter to provide localized plasmon resonance for a prescribed wavelength are arranged in parallel to the substrate.例文帳に追加
基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、 前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、 前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 - 特許庁
Thus, the lower layer of the gate regions of the read and read selection transistors Ttx, Tty is controlled to take a negative potential, thereby restraining them from being depleted and hence reducing the leak current.例文帳に追加
これにより、読み出しトランジスタTtxと読み出し選択トランジスタTtyのゲート領域の下層を負電位に制御し、その空乏化を抑制し、リーク電流の減少を図る。 - 特許庁
To provide a solid electrolytic capacitor superior in leakage current yield by decreasing probability of imperfect insulation or dielectric breakdown concerning the formation of a conductive polymer layer.例文帳に追加
導電性高分子層の形成に係る絶縁不良あるいは絶縁破壊の確率を引き下げて、漏れ電流歩留まりの高い固体電解コンデンサを提供することを目的とする。 - 特許庁
In order to prevent an induced voltage from generating current in a cage formed by the rod and the endplate, an oxide layer 56 is disposed in between the rod and the bottomed hole of the endplate.例文帳に追加
誘起電圧がロッドおよび端板によって形成されるかごの中に電流を生じることを防ぐために、酸化物層56がロッドと端板の袋孔との間に配置される。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor laser device which uses a nitride semiconductor containing at least one element selected from among As, P, and Sb as a light emitting layer, has a small threshold current value, and is reduced in noise.例文帳に追加
As、PおよびSbの少なくともいずれかを含む窒化物半導体を発光層に用いた、低閾値電流値および低雑音の窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
To provide a solid electrolytic capacitor which is provided with an insulating separation layer with superior mass-productivity and has a small leak current and high dielectric strength, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
量産性の優れた絶縁分離層を設け、漏れ電流が小さく、耐電圧の高い固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁
To provide a ferromagnetic tunnel junction element of low resistance value and high current density which is required for a magnetic head and magnetic memory by forming a tunnel barrier layer of high quality under good control.例文帳に追加
高品質のトンネルバリア層を制御良く形成することによって、磁気ヘッドや磁気メモリに必要な低抵抗値及び高電流密度の強磁性トンネル接合素子を得る。 - 特許庁
To provide spherical carbon material particles which are superior in processability, each 500 μm or smaller in diameter, used for an aqueous EDLC electrode, and capable of improving an electric double layer in electrostatic capacity in a region of high discharge current density.例文帳に追加
加工性に優れ且つ高放電電流密度領域で高静電容量を与える、500μm以下の球状の水系EDLC電極用炭素材料の提供。 - 特許庁
Therefore, high-frequency power which is carried by a high frequency current flowing on a top face layer of the principal surface of the susceptor 12 is mainly discharged from the top face of the projecting part 70 to the plasma.例文帳に追加
このため、サセプタ12の主面の表面層を流れる高周波電流によって運ばれる高周波電力は主として凸部70の頂面からプラズマに向けて放出される。 - 特許庁
There is provided a control terminal 16A, which is electrically connected to the layer 34 placed in the middle among the plural layers 33, 34, 35 and controls an energizing current running through this device.例文帳に追加
複数層33,34,35のうち中間に挟まれた層34に電気的に接続され、この素子を通して流れる通電電流を制御する制御端子16Aを備える。 - 特許庁
To prevent deterioration in field effect mobility due to a columnar structure existing in a gate insulating layer of a TFT or hysteresis, and reduce a gate leak current and improve mechanical strength.例文帳に追加
TFTのゲート絶縁層に存在する柱状構造に起因した電界効果移動度の低下やヒステリシスを防ぎ、ゲートリーク電流を低減し、機械的強度を向上させる。 - 特許庁
When the STO is used as a magnetic field sensor, the excitation current is oscillated at a base frequency in which magnetization of the free layer is fixed in the absence of an external magnetic field.例文帳に追加
STOが磁界センサとして使用される際には、励起電流は、外部磁界が存在しない状態において自由層の磁化を固定された基底周波数において発振させる。 - 特許庁
As a result, the thermal expansion due to the iron loss by the recording current of the back contact layer can be made smaller and the push out of the floating surface section of the head can be reduced.例文帳に追加
これによりバックコンタクト層の記録電流による鉄損起因の発熱による熱膨張を小さくすることが出来、ヘッドの浮上面部のせり出し現象を低減することができる。 - 特許庁
To provide a fuel cell microporous layer restricting current density loss due to carbon corrosion as a cause of voltage drop occurring during a life operation of a polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加
固体高分子形燃料電池の寿命動作中に起こる電圧低下の一因としての炭素腐食による電流密度損失を限定する燃料電池細孔層を提供する。 - 特許庁
To elevate breakdown strength, in a superjunction semiconductor element which is equipped with a drift layer, consisting of parallel pn layers letting current flow in on conditions and also being depleted in off conditions.例文帳に追加
オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列pn層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、高耐圧化を図る。 - 特許庁
Transistors 201 and 202 of the protection circuit 107 include an oxide semiconductor layer, so that the off current of the transistors 201 and 202 is reduced and the power consumption of the protection circuit 107 is suppressed.例文帳に追加
また、保護回路107のトランジスタ201,202は、酸化物半導体層により構成されており、トランジスタ201,202のオフ電流を下げ、保護回路107での消費電力を抑える。 - 特許庁
Since even a high leak current can be interrupted by the depletion layer, trade-off between the VF and the IR is eliminated and low VF can be realized without taking account of the IR.例文帳に追加
高いリーク電流が発生していても空乏層により遮断できるので、VFとIRのトレードオフの関係が結果的に無くなり、IRを考慮することなく低VFを実現できる。 - 特許庁
Only the MOS transistor 2 proximate to the output terminal 44 is provided with a diffusion layer 60 for extracting a surge current, inputted to the drain 22 from the output terminal 44, into the substrate 10.例文帳に追加
出力端子44に近接するMOSトランジスタ2のみが、ドレイン22に出力端子44から入力されるサージ電流を基板10内に引き抜く拡散層60を備えている。 - 特許庁
To provide an electrode structure applicable to a phase change memory for decreasing an operating power and an operating current, and decreasing a contact area between an electrode and a phase change layer.例文帳に追加
動作電力および動作電流を低減するために、電極と相変化層との間の接触面積を低減するため、相変化メモリに適用可能な電極構造の提供。 - 特許庁
A cause for this dark current is that an etching residue stacks at the end side face of a photoelectric conversion layer as a result of etching and electric conduction occurs via the etching residue.例文帳に追加
この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるものだと考えられる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including a porous insulating layer with which depth control of a wiring groove is facilitated, a dielectric constant is low, and a leak current hardly increases; and to provide manufacturing method thereof.例文帳に追加
配線用溝の深さ制御が容易で、誘電率が低く、かつリーク電流が増加しにくい多孔質の絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Since electrostatic capacity is increased, when the endurance of the process cartridge goes on and the film thickness of the photoreceptive layer of the photoreceptor drum gets small, a transfer current becomes high, when transfer contrast is the same.例文帳に追加
プロセスカートリッジの耐久が進行して感光ドラムの感光層の膜厚が減少すると、静電容量が増加するため、転写コントラストが同じ場合には、転写電流が大きくなる。 - 特許庁
Even if the metallic wiring 16 is formed wide to raise allowable current ability, a wiring area ratio of a first wiring layer in an I/O region can be kept low.例文帳に追加
前記金属配線16の幅を、許容電流能力を高めるように広く形成した場合であっても、I/O領域における第1配線層の配線面積率を低く維持できる。 - 特許庁
To provide a capacitor which has stable characteristics and is capable of improving energy density while sufficiently securing the bonding strength between a polarizable electrode layer and a current collector.例文帳に追加
分極性電極層と集電体の接着強度を十分に確保しつつ、安定した特性を有し、エネルギー密度を向上させることができるキャパシタの提供を、目的の一とする。 - 特許庁
The negative electrode is formed by installing, on a negative electrode current collector 101, a negative electrode active material layer 102 having a first layered region 102A and a second layered region 102B in this order.例文帳に追加
負極は、負極集電体101の上に、層状の第1の領域102Aと第2の領域102Bとを順に有する負極活物質層102が設けられたものである。 - 特許庁
With use of a thin film transistor using a highly purified oxide semiconductor layer with sufficiently reduced hydrogen concentration, a semiconductor device with low power consumption due to leakage current can be achieved.例文帳に追加
水素濃度が十分に低減されて高純度化された酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタは、リーク電流による消費電力の少ない半導体装置を実現できる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a positive electrode including a positive electrode active material layer which suppresses an increase in viscosity of electrode paste, and improves dispersibility and current collection properties of positive electrode active material.例文帳に追加
電極ペーストの粘度の上昇を抑制し、正極活物質の分散性と集電性を向上させた正極活物質層を備える正極の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this case, a dose of a boron ion required to form the type P+ type embedded layer 2 is adjusted to a range not causing the increase of the leak current between the collector and an emitter of the NPN transistor 60 in the control part.例文帳に追加
この場合、P+型埋め込み層2形成のためのボロンイオンのドーズ量を制御部のNPNトランジスタ60のコレクタ−エミッタ間リーク電流が増大しない範囲に調節する。 - 特許庁
To develop a contact layer plate composed from the support band which clearly allows a large tolerance without decreasing a current transfer capacity, and an electrical connection element to be mounted on it.例文帳に追加
電流伝達容量を減少させることなく明らかに大きな公差の許容する支持バンドからなる接触層板と、それに取り付けられる電気接続要素を開発する。 - 特許庁
The negative electrode 22 has a negative electrode film 22C on a negative electrode active material layer 22B installed on a negative electrode current collector 22A, and the negative electrode film 22C contains a radical capture compound.例文帳に追加
負極22は、負極集電体22Aに設けられた負極活物質層22B上に負極被膜22Cを有しており、その負極被膜22Cは、ラジカル捕捉化合物を含んでいる。 - 特許庁
Since holes are not diffused easily to a part directly under the n+ base layer 15, electrons emitted from the base are prevented from being recombined and the gain is not lowered even in a region of high current density.例文帳に追加
これにより、n^+ベース層15直下までホールが拡散し難くなり、ベースから放出される電子の再結合が防止され、電流密度が高い領域でも、ゲインが低下しなくなる。 - 特許庁
To provide a battery pack and a PTC element which can be used at a large current load without anxiety by making an area large, and an internal resistance small, of an incorporated PTC layer.例文帳に追加
内蔵するPTC層の面積を大きくして、PTC層の内部抵抗を小さくし、大きな電流負荷に安心して使用できるパック電池とPTC素子を提供する。 - 特許庁
To provide a non-aqueous electrolyte secondary battery having an increased adhesive strength with a current collector of an active material mixture layer and having an improved productivity of cells, and superior in cycle life characteristics of the battery.例文帳に追加
活物質合剤層の集電体との接着強度を高め、セルの生産性が高いとともに電池のサイクル寿命特性に優れた非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁
A clearance of about 20 mm is set between the surface of an insulating layer 2 on the outer periphery of a central conductor connected to a 60 kV class ultrahigh-voltage circuit and the inner periphery of a through-type current transformer 5A.例文帳に追加
60kV級の超高圧回路に接続される中心導体の外周の絶縁層2の表面と貫通形変流器5Aの内周との間の間隙を約20mmとする。 - 特許庁
In manufacturing the electric double layer capacitor, a square-shaped electrode cell is used which has such a structure that one electrode sheet is inserted into or sealed in a flat separator bag so that the lead of a current collector may be exposed to the outside.例文帳に追加
1枚の電極シートを、集電体のリード部が外部に露出するように、偏平状のセパレータ袋に挿入または封入した角型電極セルを用いる。 - 特許庁
To provide a varactor having a structure which allows an impurity distribution in a depletion layer region to be controlled accurately and is easy to reduce a leak current.例文帳に追加
空乏層領域の不純物分布を精度よく制御できる構造を持ち、しかも容易にリーク電流を削減できる構造を持ったバラクタを提供することを目的とする。 - 特許庁
Since the active region of the second element is formed by avoiding the border surface between the support substrate and the second semiconductor layer, the leak current is suppressed, thereby enhancing the characteristic of the device.例文帳に追加
上記第2の素子の活性領域を、上記支持基板と第2の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁
A thickness t1 of an area 6a with a specified width in the current block layer 6 adjacent to the opening part 20 is larger than that t2 of the other area 6a therein.例文帳に追加
ストライプ状開口部20近傍における電流ブロック層6の一定幅の領域6aの厚さt1は電流ブロック層6の他の領域6bの厚さt2よりも大きい。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting device which has a nitride semiconductor light emitting layer and can speedily supply a current, and to provide high light output with efficiency, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加
窒化物半導体発光層を有し、電流供給が速やかに行え、高光出力を効率的に提供できる半導体発光装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
As electrons are reflected on the surface of the layer 28 between soft magnetic layers when current flows in the laminated body, the path of the electrons in narrowed so that a resistance changing ratio is increased.例文帳に追加
積層体2中を電流が流れる際、電子が軟磁性層間層28の表面で反射されるため、それだけ電子の通路が狭められ、従って抵抗変化率が大きくなる。 - 特許庁
In addition, since the light emitting layer 15 is formed in shape larger than and same as the anode 7, a leak current and the concentration of field can be prevented from occurring at the end part of the anode.例文帳に追加
また、発光層15は、陽極7よりも一回り大きい同一形状であるので、陽極端部に生じるリーク電流や電界集中を防止することができる。 - 特許庁
To provide a surface-emitting type semiconductor laser for reducing the number of oscillation modes of laser light, and increasing output relative to the case where the diameter of a current narrowing layer is simply reduced.例文帳に追加
レーザ光の発振モード数を削減することができ、かつ、単純に電流狭窄層の径を小さくする場合よりも高出力化の可能な面発光型半導体レーザを提供する。 - 特許庁
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