「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that forms a Schottky gate electrode on a group III nitride semiconductor layer and is intended to reduce a gate leak current of the Schottky gate electrode.例文帳に追加

III族窒化物半導体層上にショットキゲート電極を形成するとともに，ショットキゲート電極のゲートリーク電流の低減が図られた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A drain off current is prevented from flowing from the insulating film 16 side surface of one source-drain electrode 14 to the other source-drain electrode 14 through the semiconductor layer 15.例文帳に追加

一方のソース／ドレイン電極１４の絶縁膜１６側表面から半導体層１４を介して他方のソース／ドレイン電極１４にドレイン・オフ電流が流れることを防止する。 - 特許庁

That is, the electron compass 1c is mounted on the basal so as to make the direction of bias application which does not weaken bias field of the hard bias layer to the direction X of the direct-current magnetic field.例文帳に追加

すなわち、直流磁界の方向Ｘに対してハードバイアス層のバイアス磁界を弱めないようなバイアス印加方向となるように電子コンパス１ｃを基板上に実装する。 - 特許庁

As a result, current constriction structure can be formed also in a P-type layer.例文帳に追加

電流抑制部分には、アンドープでＡｌ組成比の高いものや、改質によって高抵抗としたものが好ましく、これによって、電流狭窄構造をｐ型層内にも形成できるようになる。 - 特許庁

To provide spherical carbon material particles which are superior in processability, each 500 μm or smaller in diameter, used for an aqueous EDLC electrode, and capable of improving an electric double layer in electrostatic capacity in a region of low discharge current density.例文帳に追加

加工性に優れ且つ低放電電流密度領域で高静電容量を与える、５００μｍ以下の球状の水系ＥＤＬＣ電極用炭素材料の提供。 - 特許庁

To provide a Mg sputtering target used when manufacturing a thin film of MgO with a reactive sputtering method, which is a protective coating of a dielectric layer for the plasma display panel of an alternating current type.例文帳に追加

交流型プラズマディスプレイパネルにおける誘電体層の保護膜であるＭｇＯ薄膜を反応性スパッタリング法により製造するときに用いるＭｇスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

By this constitution, the axial magnetic field is applied to the superconducting wire rod constituting the inner superconducting layer 12 in energization, so as to reduce deterioration of a critical current due to application of a parallel magnetic field.例文帳に追加

この構成により、内側超電導層12を構成する超電導線材には、通電時、軸方向磁場が印加され、平行磁場の印加による臨界電流の低下を低減できる。 - 特許庁

On a p- first clad layer 106 on a ridge side face and at the side of a ridge, the optical reflection structure 111 of a DBR mirror structure is formed and a current non-injection region 121 is constituted.例文帳に追加

リッジ側面、及びリッジ脇のｐ−第一クラッド層１０６上には、ＤＢＲミラー構造の光反射構造部１１１が形成され、電流非注入領域１２１を構成する。 - 特許庁

A bias magnetic field can be applied to the tunnel magnetoresistive effect element at the reduced power consumption in comparison with a case that a wiring layer for the bias current is separately provided.例文帳に追加

これによって、別途バイアス電流用の配線層を設ける場合に比べて、より少ない消費電力でバイアス磁界をトンネル磁気抵抗効果素子に印加することができる。 - 特許庁

To precisely control the thickness of a depletion layer as well as suppress an increase of dark current in an energy line detection element for identifying the type of energy lines.例文帳に追加

エネルギー線の種類を弁別するためのエネルギー線検出素子において、空乏層の厚みを精度良く調整できるようにすると共に暗電流の増加を抑制できるようにすること。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of preventing the service life from being shortened by a DC current component generated in a liquid crystal layer due to electric signals applied to control bus lines.例文帳に追加

制御バスラインに印加される電気信号に起因して液晶層内に発生する直流成分による寿命の低下を防止することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Also, on the substrate part 42U, in a region between the pair of side faces of the substrate part 42U and the pair of side faces of the semiconductor device structure 10U, a current block layer 21 is formed.例文帳に追加

また、基板部分４２Ｕ上で、基板部分４２Ｕの一対の側面と半導体素子構造１０Ｕの一対の側面との間の領域には、電流ブロック層２１が形成されている。 - 特許庁

To provide a flat panel display of which the white balance can be adjusted even when the same driving voltage is applied without changing the size of an active layer of TFTs for driving, which realizes appropriate brightness by supplying the optimum current to each sub-pixel and of which the life is lengthened.例文帳に追加

駆動用ＴＦＴの活性層の大きさを変更せずに、同じ駆動電圧を加えた状態でもホワイトバランスを合わせられるフラットパネルディスプレイを提供する。 - 特許庁

The method for processing the metallic plate characterized by the feature that an air current layer intervenes between the metallic plate surface and a die surface and the metallic plate is deformed plastically with rigid body tools.例文帳に追加

金属板の表面とダイスの表面との間に、気流層を介在させつつ、剛体工具で金属板を塑性変形させることを特徴とする金属板の加工方法。 - 特許庁

To obtain a photoelectric conversion device having proper spectral sensitivity characteristics and no variations in the output current, without causing contaminants to mix into a photoelectric conversion layer, and to obtain a highly reliable semiconductor device having a photoelectric conversion device.例文帳に追加

光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばらつきのない光電変換装置を得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

An electrically closed circuit 8, formed from the electrodes 3a and 3b, a dielectrics layer 2, a substrate 6, and a ground member 5 is applied with a Johnson-Rahbek current, so that the dielectrics layer 2 and the substrate 6 accumulate electric charges of polarities which are opposite to each other, generating a Johnson-Rahbek force.例文帳に追加

各電極３ａ，３ｂ、誘電体層２、基板６、接地部材５で形成される電気的閉回路８にジョンソン・ラーベック電流を流し、誘電体層２および基板６に互いに反対の極性の電荷を蓄積させてジョンソン・ラーベック力を発生させる。 - 特許庁

In the negative electrode for non-aqueous electrolytic solution secondary battery, a first covering layer containing tin, tin alloy, aluminum, or aluminum alloy is formed on the current collector surface and a second covering layer containing a metal that has low formation ability of lithium compound is formed on the top of it.例文帳に追加

集電体表面に、スズ、スズ合金、アルミニウム又はアルミニウム合金を含む第１被覆層が形成され、その上に、リチウム化合物の形成能の低い金属を含む第２被覆層が形成されていることを特徴とする非水電解液二次電池用負極。 - 特許庁

A second semiconductor laser element 20 via an electrode 8 for a wiring and a metallic wire 35, or the like, via a pad electrode 6 are jointed on the surface of the current blocking layer 5 (a region 5b) that corresponds to the region, forming at least the adherence layer 30.例文帳に追加

そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 - 特許庁

In manufacturing a mold for molding an optical element using a hard carbon film as a mold release layer and an amorphous silicon carbide film as an intermediate layer, direct current pulse bias is applied to the mold when the hard carbon film and the amorphous silicon carbide film are formed.例文帳に追加

離型層として硬質炭素膜、中間層として非晶質炭化けい素膜を用いる光学素子成形用型材の製造方法において、硬質炭素膜及び非晶質炭化けい素膜の形成時に、型材に直流パルスバイアスを印加して形成する。 - 特許庁

Thereby, by removing only the hole transporting layer 3 covering the barrier rib 11 after forming the hole transporting layer 3 batchly on the whole display region, an organic EL element is formed in which printing coming-off at the fringe of the pixel portion and occurrence of leakage current are prevented.例文帳に追加

このように、正孔輸送層３を表示領域全体に一括形成した後、隔壁１１を覆う正孔輸送層３のみを除去することで、画素部位辺縁の印刷抜けおよびリーク電流発生が防止された有機ＥＬ素子を形成する。 - 特許庁

Since a length L2 of a silicide layer 20a1 in the structure 4 is as long as to cause a thin wire effect, most (or all) of the current flows not through the silicide layer 20a1 but from an n+ type impurity zone 26a to a p type zone 15a.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ構造体４のシリサイド層２０ａ１の長さＬ２は、細線効果を生じる大きさなので、電流の大部分（または全部）は、シリサイド層２０ａ１を経由することなく、ｎ^+型不純物領域２６ａからｐ型領域１５ａへと流れる。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor that enables the base width W of a ridge and the thickness d of a residual film to be set high in dimensional accuracy and a current block layer formed sandwiching in the ridge of a second clad layer to grow, and prevents generation of a void.例文帳に追加

リッジ底辺の幅Ｗおよび残し膜厚ｄを高寸法精度で形成でき、さらにリッジの側壁にも電流ブロック層が成長するとともに、ボイドの発生も抑制可能なIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To reduce a leakage current of a nitride-based compound semiconductor layer in a method of manufacturing the nitride-based compound semiconductor layer on a different substrate by removing part of a nitride-based compound semiconductor substrate laminated on the different substrate from the different substrate.例文帳に追加

異種基板と貼り合わせた窒化物系化合物半導体基板の一部を異種基板から除去することにより窒化物系化合物半導体層を異種基板上に製造する方法において、窒化物系化合物半導体層におけるリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

The surface-treated copper foil is manufactured by performing electrolysis at the predetermined current density by using cobalt plating liquid containing cobalt sulfide (7-hydrate) to form the rustproof layer on the coarse surface of an electrolytic copper foil or the like, and a method for water-rinsing and drying the rustproof layer is employed.例文帳に追加

また、当該表面処理銅箔の製造は、電解銅箔等の粗面上に、硫酸コバルト（７水和物）を含むコバルトメッキ液を用いて、所定の電流密度で電解し、防錆処理層を形成し、水洗し、乾燥する手法等を採用する。 - 特許庁

Voltage is applied to the exposed conductive layer 116 and the electrolyte 126 for allowing a current to flow through an electrochemical cell, thus removing a copper ion from the electrolyte or the anode, and depositing copper onto a cathode surface, namely the conductive layer 116.例文帳に追加

露呈された導体層１１６と電解質１２６に電圧を引加して電流が電気化学的セルを通じて流れ、その結果、電解質から、又は、陽極から銅イオンが取り除かれ、陰極表面、すなわち、導電層１１６上に銅が堆積される。 - 特許庁

This field effect transistor having an organic semiconductor layer including at least one type of organic semiconductor materials on a substrate, MnO_2 particles are contained in the semiconductor layer so that it is possible to obtain a field effect transistor whose current density is improved.例文帳に追加

基板上に、少なくとも一種の有機半導体材料を含む有機半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、該半導体層にＭｎＯ_２微粒子を含有することにより、電流密度が向上した電界効果トランジスタを得ることができる。 - 特許庁

A nickel base material coated with a dielectric body layer and a metal layer is immersed in a basic solution held in a stainless steel container and dc currents are given to the solution, The polarity of dc current is reversed to remove the coating.例文帳に追加

誘電体層および金属層で被覆されたニッケル基材を、ステンレス鋼の容器に入れられている塩基性溶液に浸漬し、その溶液に直流電流を流し、そしてその直流電流の極性を転極することにより、上記被覆が除去される。 - 特許庁

In the heat generating layer 53, a set of electrodes 59 are formed in parallel to the axial direction of the fixing roller 41 so that the flowing direction of the current which flows to the heat generating layer 53 is in the direction which is approximately orthogonal to the axial direction of the fixing roller 41.例文帳に追加

そして、発熱層５３には、発熱層５３に流れる電流の流れ方向が定着ローラ４１の軸線方向と略直交する方向となるように、一組の電極部５９が定着ローラ４１の軸線方向と平行に形成される。 - 特許庁

Quantum dots 11 on the upper layer have a tunnel coupling shape showing a nonlinear current-voltage characteristic with the adjoining quantum dots, and receive inputs of initial data/bias currents 3, and are coupled with the lower layer quantum dots 12 to have a gate function having a time constant.例文帳に追加

上の層の量子ドット１１は隣接する量子ドットと非線形の電流−電圧特性を示すトンネル結合で、初期データ／バイアス電流３の入力を受け、下の層の量子ドット１２とは時定数を持ったゲート機能を持つ結合をしている。 - 特許庁

After forming the hole transport layer 3 on the anode of the display region like this, by removing only the hole transport layer 3 to cover the barrier rib 11, an organic EL element in which printing coming-off of a pixel site fringe and leakage current generation are prevented is formed.例文帳に追加

このように、正孔輸送層３を表示領域の陽極上にストライプ状に形成した後、隔壁１１を覆う正孔輸送層３のみを除去することで、画素部位辺縁の印刷抜けおよびリーク電流発生が防止された有機ＥＬ素子を形成する。 - 特許庁

A curved form part 3a of the linear sacrifice anode material 3 is sandwiched between an elastic spring fixture 4 and a surface layer part reinforcement 62a, and is fixed in a state of directly contacting with an outer peripheral surface of the surface layer part reinforcement 62a so that an electric current can be carried.例文帳に追加

線状犠牲陽極材３の湾曲形態部３ａが弾性バネ固定具４と表層部鉄筋６２ａとの間に挟持されて、表層部鉄筋６２ａの外周表面に通電可能に直接接触した状態で固定されている。 - 特許庁

Consequently, the impurity concentration of the support substrate 2 is made low on the side of a high-potential reference circuit unit HV to make a depletion layer spread and have larger depletion layer capacitance, and the composite capacitance with the buried oxide film 3 is made small to suppress the displacement current.例文帳に追加

これにより、高電位基準回路部ＨＶ側では、支持基板２の不純物濃度を低くして空乏層が広がるようにすることで空乏層容量を大きくし、埋込酸化膜３との合成容量を小さくすることで変位電流を抑制できる。 - 特許庁

In the electrode for a battery provided with a current collector, and an active material layer containing active material formed on the surface of the collector, a low-density area with comparatively low density and a high-density area with comparatively high density are made to exist in the active material layer.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極において、活物質層に、比較的密度の小さい低密度領域と、比較的密度の大きい高密度領域とを存在させる。 - 特許庁

A high-resistance III-V compound semiconductor layer is provided under a pedestal electrode, and it is preferable that a low-resistance III-V compound semiconductor layer be provided under the ohmic electrodes, by which an operating current is effectively distributed through an open light- emitting region.例文帳に追加

台座電極の直下に高抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設け、さらに好ましくはオーミック電極の直下に低抵抗ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を設けることにより、動作電流を開放発光領域に有効的に配分する。 - 特許庁

A hard magnetic film of out-of-plane having a cobalt-platinum-phosphorous (CoPtP) composition doped with a tungsten (W) is formed by electroplating of dc constant current electrodeposition, and laminated into a multi-layer structure with an intermediate layer of Au between, and then annealed in air.例文帳に追加

タングステン（Ｗ）をドープ（ｄｏｐｅｄ）したコバルト−白金−リン（ＣｏＰｔＰ）組成のアウト・オブ・プレーンな固い磁気膜を、直流定電流電着の電気メッキによって形成し、Ａｕの中間層を介して多層構造に積層した後、空気中でアニールする。 - 特許庁

Consequently, propagation of the defect to a P^+ diamond semiconductor layer 11 and a P^- diamond semiconductor layer 12 is suppressed, so hillock density and abnormal particle density can be made low and generation of a leakage current can be deterred at a level lower than the level of a Schottky barrier.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１及びＰ^−ダイヤモンド半導体層１２への欠陥の伝播が抑制されるので、ヒロック密度や異常粒子密度を低くでき、ショットキー障壁のレベルよりも低いレベルでのリーク電流の発生を抑止できる。 - 特許庁

It is also preferable that the semiconductor light-emitting element includes: a first electrode electrically connected to the substrate or the n-type semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the current introducing layer, wherein an anode electrode serves as the first electrode and a cathode electrode serves as the second electrode.例文帳に追加

また、基板またはｎ型半導体層に電気的に接続する第１の電極と、電流導入層に電気的に接続する第２の電極とを含み、第１の電極がアノード電極であり、第２の電極がカソード電極であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated element in which no climbing growth up to a mask occurs during selective growth even if the film thickness of a layer is increased when different layer structures are butted for joint, especially such a narrow irradiation semiconductor laser element that can operate at a low threshold current.例文帳に追加

異なる層構造をバットジョイント接合するときに、選択成長時にその膜厚を厚くしてもマスクへの這い上がり成長が起こらない半導体集積素子、とりわけ、低しきい値電流で動作する狭出射半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide the interlayer connection hole of a printed wiring board such that a plating layer formed on the inner surface of the interlayer connection hole is large in cross section and a large current can be supplied to a circuit layer, and to provide a method of making the interlayer connection hole.例文帳に追加

この発明は、層間接続穴の内面に形成されるメッキ層の断面積が大きく、回路層に対し大電流を通電することができるプリント配線板の層間接続穴及びその層間接続穴の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

An injection current is supplied in the extent at which the semiconductor laser element is not excited, a plurality of beam spots are formed by turning toward a recording layer of the optical recording medium with light wave and the recording layer is retrieved by plotting loci at which the beam spots are not overlapped.例文帳に追加

半導体レーザ素子が励起されない程度に注入電流が供給され、光記録媒体の記録層に光波を向けて複数のビームスポットが形成され、ビームスポットが記録層上で重なり合わない軌跡を描いて記録層が検索される。 - 特許庁

High voltage is applied across a discharge electrode 60 and the catalyst layer of a dust collecting electrode 70 to ionize dust contained in air by the discharge current flowing across both electrodes and the ionized dust is attracted to the catalyst layer 79 of the dust collecting electrode 70.例文帳に追加

放電極６０と集塵極７０の触媒層７９との間に高電圧が印加されることにより、両極間に流れる放電電流によって空気中に含まれる塵埃はイオン化され、集塵極７０の触媒層７９上に吸着される。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a power converter with an electric double-layer capacitor applied, and its charging method by which the capacitor is charged without the energizing current of a reactor diverging, even from a state where the voltage of the electric double-layer capacitor is 0V or nearly 0V.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの電圧が０Ｖあるいは０Ｖに近い低電圧の状態からでも、リアクトルの通電電流が発散することなく充電を可能とする電気二重層コンデンサを適用した電力変換装置およびその充電方法を提供する。 - 特許庁