「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cold electron emitting element which enables preventing the leakage current flowing without going through the channel and allows a stable driving of the FET controlling the emitted electron weight and a manufacturing method which enables forming in the same process a semiconductor layer of the emitter and a semiconductor layer of the FET.例文帳に追加

チャネルを介さずに流れるリーク電流を防ぎ、放出電子量を制御するＦＥＴの安定駆動を可能とした冷電子放出素子、及びエミッタの半導体層とＦＥＴの半導体層を同一プロセスで形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The MIS transistor dynamically memorizes a first data state in which the silicon layer 12 is set to a first potential by causing impact ionization in the vicinity of the drain junction; and a second data state in which the silicon layer 12 is set to a second potential by passing forward current to the drain junction.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

The photoelectric conversion agent composed of the azine-based compound, partially substituted with N-aryl, expressed by formula (I), the photosensitive body of the electrophotography having the agent in the charge- generating layer, and the organic solar cell having the agent in the optical current layer, are provided.例文帳に追加

本発明の光電変換剤は、物質の光電変換作用を本質的に利用する素子、すなわち電子写真感光体の電荷発生層、有機太陽電池の光電流発生層、光センサー、光スイッチング素子などにおける光活性物質として有効に利用できるものである。 - 特許庁

To provide a deposited film forming system by which a deposited film having excellent current/voltage characteristics and photoelectric conversion efficiency, in particular, a photovolatic element in which the joined boundary between an amorphous (i) type layer and an fine-crystal electrically conductive layer has good lattice consistency.例文帳に追加

優れた電流電圧特性と光電変換効率を有する堆積膜、特に非晶質ｉ型層と微結晶の導電型層との間の接合界面が良好な格子整合性を有する光起電力素子を形成することが可能となる堆積膜形成装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第２導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁

Thus, both ends of the resonator 30 in the direction A of the resonator are non-injection areas of current, which correspond to the p-side contact layer 43 in the other areas excluding both ends of the active layer 30 in the direction A of the resonator.例文帳に追加

これにより、活性層３０の共振器方向Ａにおける両端部は電流不注入領域となっており、電流注入領域は共振器方向Ａにおける両端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３に対応した部分となっている。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

In a recording and reproducing method, the magnetization direction of the first magnetic layer is initialized in the prescribed direction, a current is made to flow in the write line, the magnetization direction of the second magnetic layer of the magnetic resistive element is decided and information is recorded, an absolute value of resistance of the magnetic resistance element is detected, and recorded information is reproduced.例文帳に追加

記録再生方法は、第１の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第２磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。 - 特許庁

Diffraction gratings 13a, 13b are disposed on the partial region of the layer 4, an insulating film 16 is disposed on the layer 8 corresponding to the grating 13a to prevent the injection current from flowing to the grating 13a.例文帳に追加

また、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４の一部領域において回折格子１３ａ、１３ｂを配置し、回折格子１３ａに対応するｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８上には絶縁膜１６を配置して回折格子１３ａに対して注入電流が流入することを防止する構造とする。 - 特許庁

The maximum temperature reached (phase change temperature from a phase to an α phase) of the phase change material is lowered to reduce the rewriting current by utilizing an electrostrictive effect of the piezoelectric material layer 122 to apply the compressive stress to the phase change material (the memory layer 124) during the operation of a memory cell MC.例文帳に追加

メモリセルＭＣの動作時に、圧電材料層１２２の電歪効果を利用して相変化材料（記憶層１２４）に圧縮応力を印加することにより、相変化材料の最高到達温度（相からα相への相変化温度）を下げ、書き換え電流を低減する。 - 特許庁

The sliding member 1 includes a stainless steel base material 3 in the surface layer of which a nitrided layer 20 is formed by a plasma nitriding treatment, a DLC film 21 which is formed on the surface of the base material 3 by a direct current plasma CVD method, and a sliding surface 22 formed from the DLC film 21.例文帳に追加

摺動部材１は、プラズマ窒化処理により表層に窒化層２０が形成されたステンレス鋼製の基材３と、直流プラズマＣＶＤ法により基材３の表面に形成されたＤＬＣ被膜２１と、ＤＬＣ被膜２１により形成された摺動面２２とを含む。 - 特許庁

To provide a composition for secondary battery capable of forming an electrode layer in which the adhesion strength between the electrode layer and a current collector is excellent and which has electric conductivity, an electrode for secondary battery using the composition for secondary battery, and a secondary battery using the same.例文帳に追加

本発明は、電極層と集電体との接着強度が優れ、かつ電気導電性を有する電極層を形成することができる二次電池用組成物、該二次電池用組成物を用いた二次電池用電極、及びそれを用いた二次電池の提供を課題とする。 - 特許庁

The electrode contains a spherical multi-layer structure carbon material for electrode, and the density of the active material layer on the electrode is 0.5-1.6 g/cm^3 and the rapid discharge capacity at a current density 5.0 mA/cm^2 is 283 mAh/g or more.例文帳に追加

電極用球状複層構造炭素材料を含む電極であって、電極上の活物質層の密度が０．５〜１．６ｇ／ｃｍ^3であり、電流密度５．０ｍＡ／ｃｍ^2における急速放電容量が２８３ｍＡｈ／ｇ以上である非水系二次電池用電極。 - 特許庁

A part of a second oxidized layer is oxidized to form a second current constriction layer containing a second insulating region and a second conductive region containing a border between the first conductive region and the first insulating region in the in-plane direction of the substrate in its inside.例文帳に追加

第２の被酸化層の一部を酸化し、基板の面内方向において第１の導電性領域と第１の絶縁性領域の境界を内側に含む第２の導電性領域と、第２の絶縁性領域とを有する第２の電流狭窄層を形成する。 - 特許庁

The ceramic circuit substrate can carry a large current because the inner-layer metal circuit board 4 is formed of a metal plate like the surface-layer metal circuit board 3, can prevent thermal stress from being applied to the inner wall surface of each circuit through-hole 1a, is high in reliability, and can reduce the size and thickness thereof.例文帳に追加

内層金属回路板４も表層金属回路板３と同様に金属板からなるので大電流を流すことができ、回路貫通孔１ａの内壁面に熱応力が加わらないようにすることができ、信頼性が高く、小型化や薄型化できるセラミック回路基板となる。 - 特許庁

According to this constitution, it is possible to prevent a leakage current from flowing in a P-N junction by the second gate region 6 and the channel layer 4 by means of the high resistance layer 6b and to realize good operation of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

このような構成とすることで、高抵抗層６ｂによって第２ゲート領域６とチャネル層４とによるＰＮ接合部にリーク電流が流れることを防止することが可能となり、炭化珪素半導体装置の動作が良好に行えるようにすることが可能である。 - 特許庁

When the temperature exceeds the magnetic permeability change starting point 200°C in the paper non-passage areas B and D of the fixing roll 102 relative to recording paper P, the magnetism of the temperature sensitive layer 130 dissipates and also eddy current generated by electromagnetic induction decreases, and accordingly an amount of heat generated in the heat generation layer 128 decreases.例文帳に追加

ここで、定着ロール１０２の記録用紙Ｐの非通過領域Ｂ、Ｄで、温度が透磁率変化開始温度２００℃を超えたとき、感温層１３０の磁性が消失すると共に電磁誘導による渦電流が減少し、発熱層１２８の発熱量が低減される。 - 特許庁

To provide a resistance element and inverting circuit that can reduce the change in resistance caused by a potential on a power supply line and signal line, etc, passing through a semiconductor substrate around a resistance element layer or passing above the resistance element layer without producing wasted current or distortion of signals.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪みを発生させることなく、抵抗素子層の周辺の半導体基板や、抵抗素子層の上部を通過する電源線、信号線等の電位によって抵抗値が変化するのを抑えることのできる抵抗素子及び反転バッファ回路を提供する。 - 特許庁

The arrangement of the thin-film transistor array is optimized so that (1) the direction of an electric current flowing in a semiconductor layer 12 coincides with the direction of a source wiring 28, (2) the source and drain electrodes 27, 26 are made in an interdigital configuration, and the like, and an organic semiconductor layer 12 formed by a printing process is stripe-shaped.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 - 特許庁

The printed board 1 used for current detection uses coiled wire 10 formed by alternately connecting a surface layer and a rear surface layer of the board while passing through the board along circumference of nearly semicircular notch section 101 provided on the board.例文帳に追加

電流検出に用いる電流検出用プリント基板１は、基板に設けた略半円形の切欠部１０１の周囲に沿って、基板を貫通しながら基板の表面層と裏面層とを交互に接続することによって形成されたコイル状の配線１０を用いたものである。 - 特許庁

In the inspection method of the semiconductor device, leakage current is measured by applying a voltage between a first electrode pad connected with the wiring layer and a second electrode pad which is not connected with the wiring layer of the semiconductor device.例文帳に追加

また本発明における半導体装置の検査方法は前述の半導体装置において配線層に接続された第１の電極パッドと配線層に接続されていない第２の電極パッド間で電圧を印加し、リーク電流を測定することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which water distribution from a cathode side electrode layer to an anode side electrode layer can be carried out effectively, thereby uniformity of moisture (humidified atmosphere) in an MEA of each unit cell for constituting a fuel cell is fully assured even at power generation, in a high-current region.例文帳に追加

カソード側電極層からアノード側電極層への水配分が効果的に実行でき、もって高電流域における発電時においても燃料電池を構成する各単セルのＭＥＡにおける水分（加湿雰囲気）の均一性が十分に担保される燃料電池を提供する。 - 特許庁

A biased magnetic field Hb1 along the magnetization direction J13A of the free layer, when the current magnetic field HmA is zero is applied to the MR element 51A by the magnetic substrate, thereby enhancing the unidirectional anisotropy of the free layer, without using shape anisotropy.例文帳に追加

ここでは、磁性基板によって電流磁界ＨｍＡが零のときの自由層の磁化方向Ｊ１３Ａに沿ったバイアス磁界Ｈｂ１をＭＲ素子５１Ａに対して印加するようにしたので、形状異方性を利用しなくとも自由層の一軸異方性を強めることができる。 - 特許庁

To provide a solid polymer type fuel cell which promotes elimination of water out of the vicinity of a catalyst layer of the fuel cell, and can present reduction of cell performance caused by excessive water leakage of an electrode layer in a long-time operation or a large current output.例文帳に追加

燃料電池の触媒層近傍からの水の排除を促進するためのもので、長期間の運転時や大電流出力時における電極層の過剰な水漏れに起因する電池性能の低下を防止することのできる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

The MIS transistor dynamically stores a first data status wherein impact-ionization takes place near a drain junction to set the silicon layer 12 to a first electric potential, and a second data status wherein a forward current is allowed to flow the drain junction to set the silicon layer 12 to a second electric potential.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁

Although the power is also used for charging an electric double-layer capacitor 8, as a charging current is limited by a limiting resistor 7, even if the electric double-layer capacitor 8 is empty (completely discharged), the sufficient power is supplied to the motor 9.例文帳に追加

上記電力は電気二重層コンデンサ８の充電にも用いられるが、この充電電流は制限抵抗７により制限されるので、たとえ電気二重層コンデンサ８が空（完全放電）になっていたとしても、モータ９側にも十分な電力が供給できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the cathode Cath has a positive potential and electrons are attracted thereto, the depletion layer spreads on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and the p-GaN region 4 to block the two-dimensional electron gas, and thereby no current flows between the cathode Cath and the anode An.例文帳に追加

陰極Ｃａｔｈが正電位となり電子が吸引されると、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が拡大して２次元電子ガスが阻止され、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間には電流が流れない。 - 特許庁

Consequently, the DC resistance of the element can be reduced and the reproducing characteristic of the element can be improved, because a sense current from the electrode layer 18 can be made to effectively flow to the multilayered film 16 and, in addition, the joint area of the electrode layer 18 with the film 16 can be increased.例文帳に追加

これにより、前記電極層１８からのセンス電流を多層膜１６に有効に流すことができ、しかも多層膜１６との接合面積を大きくできるので、直流抵抗を低減させることができ、再生特性を向上させることが可能である。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 313 has diffusion layer regions 35 and 36, a gate electrode 15 and memory function parts 25 and 26, and the quantity of current between the diffusion layer regions 35 and 36 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of charges being held in the memory function parts 25 and 26.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子３１３は、拡散層領域３５，３６、ゲート電極１５、メモリ機能部２５，２６を備え、メモリ機能部２５，２６が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３５，３６間の電流量を変化させる。 - 特許庁

Then, after a power supply layer 45 is formed by a conductive material on the insulating film 44 and in the inner surface of the groove 44a, a magnetic film 36a is formed on the power supply layer 45 by an electric plating method by a pulse current, and the groove 44a is filled with the magnetic film 36a.例文帳に追加

次いで、絶縁膜４４上及び溝４４ａの内面に導電性材料により給電層４５を形成した後、給電層４５上にパルス電流による電気めっき法により磁性膜３６ａを形成し、磁性膜３６ａを溝４４ａ内に充填する。 - 特許庁

The segments-sequentially-joined stator coil type rotary electric machine, which enables current increase, having a coil end on the side of a simple structure of head, becomes possible, while reducing the dispersion of the eletromotive voltage of among each layer coil 201-204 by connecting each layer coil 201-204 with one another in parallel.例文帳に追加

更に、各層コイル２０１〜２０４を並列接続することにより、各層コイル２０１〜２０４間の起電圧のばらつきを良好に低減しつつ、簡素な構造の頭部側コイルエンドをもち、大電流化が可能なセグメント順次接合ステータコイル型回転電機が可能となる。 - 特許庁

Further, the emitter electorode 11 is forme din two-layered structure comprising a non-doped polysilicon film 12 as a lower layer and the phosphorus-doped silicon film as an upper layer and then the bipolar transistor is realized which has small emitter resistance, the small variance in the current amplification factor of the adjacent transistor, and high performance.例文帳に追加

また、エミッタ電極１１を下層がノンドープポリシリコン膜１２と上層が燐ドープポリシリコン膜１３からなる２層構造とすることにより、エミッタ抵抗が低く、且つ隣接したトランジスタの電流増幅率のばらつきが小さい高性能のバイポーラトランジスタを実現する。 - 特許庁

The window-type current transformer includes annular secondary winding 1 that the main circuit conductor 10 penetrates substantially at its center part, the annular insulating layer 2 formed over the entire circumference of the secondary winding 1 by molding, and a shield cylinder 3 molded integrally on the inner peripheral surface of the insulating layer 2 to be held at a ground potential.例文帳に追加

主回路導体１０が略中央部を貫通する環状の二次巻線１と、二次巻線１の全周にモールドで形成された環状の絶縁層２と、絶縁層２の内周面に一体でモールドされた接地電位となるシールド筒３とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Plate-like circuit pattern plates 14, 18, 24, 28 which are made of metal, thick, and large in cross section are used, and the upper-layer circuit patterns and lower-layer circuit patterns are connected to each other through metal plates 16 of large cross section, so the large current of ≥100A is caused to flow.例文帳に追加

金属製で厚く断面積の大きい板状の回路パターン板１４、１８、２４、２８を用い、上層の回路パターン板と下層の回路パターン板とを断面積の大きい金属板１６を介して接続してあるため、１００Ａ以上の大電流を流すことができる。 - 特許庁

If a Vcc is supplied to the n-type semiconductor lower layer 105a, a pn joint normal current does not run in the p-type semiconductor upper layer 105b, even when the potential is made to vary from the ground potential to Vcc, the structure can be made to function as a signal wiring.例文帳に追加

ｎ型半導体下部層１０５ａにＶｃｃを供給した場合には、ｐ型半導体上部層１０５ｂは、グランド電位からＶｃｃまで電位を変動させても、ｐｎ接合順方向電流は流れないので、信号配線として機能させることができる。 - 特許庁

Each of a plurality of memory regions 3 provided to a magnetic memory 1 comprises TMR elements 4a and 4b, including a first magnetic layer 41 whose magnetization direction changes, depending on the external magnetic field, and a writing wiring 31, in which the external magnetic field is presented to the first magnetic layer 41 by a writing current.例文帳に追加

磁気メモリ１が備える複数の記憶領域３のそれぞれは、外部磁界によって磁化方向が変化する第１磁性層４１を含むＴＭＲ素子４ａ及び４ｂと、書き込み電流によって第１磁性層４１に外部磁界を提供する書き込み配線３１とを有する。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

Thus, only a light passed through the vicinity of the focus of the second optical member is transmitted by the pinhole, and thereby a stray light from other than the vicinity of the focus of the first optical member (especially reflected light from a recoding layer other than a current reading recording layer performing reading) is removed.例文帳に追加

このため、ピンホールによって第２の光学部財の焦点付近を通る光のみを通過させるようにすることで、第１の光学部材の焦点近傍以外からの迷光（特に、読み出しを行っている記録層意外の記録層からの反射光）を除外することが可能となる。 - 特許庁

When the voltage of the capacitor drops to a predetermined value, the power converter 6 is stopped and the switch 11 for capacitor discharge is switched on so as to let a current flow from the electric double layer capacitor 10 to a discharge resistor 12 and discharge the power charged in the electric double layer capacitor 10.例文帳に追加

そしてキャパシタ電圧が予め決めた値まで低下したら、電力変換器６を停止し、キャパシタ放電用スイッチ１１を投入して、電気二重層キャパシタ１０から放電抵抗１２に電流を流し、電気二重層キャパシタ１０に充電されていた電力を放電する。 - 特許庁

The window layer doesn't include Al, and the light absorption caused by Al at the deep level or the influence of non-luminescence re-coupling current can be prevented, so the output can be obtained as compared with a case of the window layer made of semiconductor material like AlGaInP and the like.例文帳に追加

また、窓層は材料にＡｌを含まないので、これによる結晶中の深い準位等の光吸収や、非発光再結合電流による影響がなく、ＡｌＧａＩｎＰ等の半導体材料を窓層とした場合に比べ更に高出力が得られる。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b and zinc diffusion source layers 17a, 17b are formed in the vicinity of a laser output side end surface 15 and a reflection side end surface 16, respectively, which are both end surfaces of an element in the length direction.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、素子の長さ方向の両端面であるレーザ出射側端面１５および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂおよび亜鉛拡散源層１７ａ，１７ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the external wiring voltage exceeds the upper limit voltage, regenerative power is absorbed by the electric double layer capacitor, while simultaneously, the electric vehicle takes regenerative current restricting action to prevent the terminal voltage of the electric double layer capacitor from exceeding the maximum voltage (prevention of loss of effect of regeneration).例文帳に追加

外線電圧が定格電圧範囲の上限電圧を越えたときには、回生電力を電気二重層キャパシタで吸収し、これに並行して、電気車が回生電流絞り動作によって、電気二重層キャパシタの端子電圧がその最大電圧を超えないようにする（回生失効防止）。 - 特許庁