「current layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

When the main lateral HVFET and the sense FET are in an on-state, a voltage potential is produced at a second source metal layer that is proportional to a first current flowing through the lateral HVFET.例文帳に追加

主横型ＨＶＦＥＴおよびセンスＦＥＴがオン状態である場合、横型ＨＶＦＥＴを通って流れる第１の電流に比例する電圧電位が第２のソース金属層において生成される。 - 特許庁

Between the first magnetic thin film 1 and the second magnetic thin film 2, an insulating layer 3 is formed to control (suppress) a current flowing the entire magnetic storage element 10.例文帳に追加

また、第１の磁性体薄膜１と第２の磁性体薄膜２との間には、磁気記憶素子１０全体を通じて流れる電流値を制御（抑制）するための絶縁層３が形成されている。 - 特許庁

The doping distribution of proper reproducibility which is extremely close to actual distribution than that of a conventional method is obtained by forming the contact layer at the bottom surface of the test piece, to thereby supply the hole current.例文帳に追加

試片の底面にコンタクト層を形成して、これより正孔電流を供給させることによって従来の方法に比べて実際と非常に近接で、再現性の良好なドーピング分布が得られる。 - 特許庁

Slits are formed on the positive electrode 122 connected to the drain wiring 120 of the current control TFT 202 and a transparent hole- generating layer 124 is formed on the positive electrode 122.例文帳に追加

電流制御ＴＦＴ２０２のドレイン配線１２０に接続された陽極１２２にはスリットが形成されており、陽極１２２上に透明な正孔発生層１２４を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Meanwhile, a gate electrode 4b of a transistor Tr2 of high performance wherein a rapid and large driving current is required, is formed of a small grain diameter polycrystalline silicon layer of a small average crystal grain diameter.例文帳に追加

一方、高速かつ大きな駆動電流が要求される高性能なトランジスタＴｒ２のゲート電極４ｂは、平均結晶粒径が小さい小粒径多結晶シリコン層により形成されている。 - 特許庁

To obtain stable operation characteristics of an embedded type nitride semiconductor laser device having an internal current constriction layer by suppressing a rise in operating voltage accompanying an increase in electric resistance.例文帳に追加

内部電流狭窄層を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置において、電気抵抗の上昇に伴う動作電圧の増大を抑制して、安定な動作特性が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonaqueous electrolyte secondary battery electrode plate which has high adhesion between a current collector and an electrode active material layer and high long-term storage ability and excels in output-input characteristics.例文帳に追加

集電体と電極活物質層との密着性、長期保存性が高く、かつ出入力特性に優れる、非水電解液二次電池用電極板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

If the ESD enters from a first front electrode 5, a current path is limited by the depletion layer DL, and as a result the ESD can be discharged from the back electrode 7.例文帳に追加

なお、第１の表面電極５からＥＳＤが侵入した場合には、空乏層ＤＬによって電流経路が制限されるため、裏面電極７から外部にＥＳＤを逃すことができる。 - 特許庁

The semiconductor laser having a ridge stripe 11 in a clad layer is provided with an insulating film 14 for current constriction on both side surfaces of the ridge stripe 11 and extendedly on bottom surfaces on both sides of the ridge stripe 11.例文帳に追加

クラッド層にリッジストライプ１１を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１の両側面およびリッジストライプ１１の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜１４を設ける。 - 特許庁

To improve the large current discharge property and the cycle property of a nonaqueous electrolyte secondary battery using covered graphite particles as a negative electrode active material wherein a carbonaceous matter with a low crystallinity is used as the covering layer.例文帳に追加

結晶化度の低い炭素質を被覆層とする被覆黒鉛粒子を負極活物質として用いた非水電解質二次電池の大電流放電特性やサイクル特性を改善する。 - 特許庁

The magnetic head device 1A includes a first magnetic head 10A for recording direct current erasing signals, a second magnetic head 20A for recording servo signals, and a junction layer 30.例文帳に追加

本発明の一形態に係る磁気ヘッド装置１Ａは、直流消去信号記録用の第１の磁気ヘッド１０Ａと、サーボ信号記録用の第２の磁気ヘッド２０Ａと、接合層３０とを具備する。 - 特許庁

The coating layer includes a conductive material configured to produce eddy current distortion so as to cancel at least part of a distortion caused by the core in a magnetic field of the magnetic position tracking system.例文帳に追加

外側被覆層は、磁気ポジション検出システムの磁場内でコアによって生じた歪みの少なくとも一部を相殺するように渦電流歪みを生成するように構成された導電性材料を含む。 - 特許庁

When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.例文帳に追加

下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁

The side of the ridge shaped clad layer 6 forms the light guide between the current blocking layers 8 of a semiconductor laser diode, and its side parallel with the output direction is covered with a dielectric film 7 such as SiO_2.例文帳に追加

半導体レーザダイオードの電流ブロック層８に挟まれた光導波路を構成するリッジ状のクラッド層６の出力方向に平行な側面をＳｉＯ_２などの誘電膜７で被覆する。 - 特許庁

The surface of the p-type group III nitride semiconductor layer 8 exposed on a side surface of the semiconductor device forms a cleavage surface having reduced crystal defects, thus preventing a leak current from flowing along the side surface.例文帳に追加

半導体装置の側面に露出するｐ型のIII族窒化物半導体層８の表面はへき開面となり、結晶欠陥が少なく、側面に沿ってリ−ク電流が流れることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device capable of uniforming the density of injection current into an active layer and capable of improving light extraction efficiency, and to provide a semiconductor package having the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

活性層への注入電流の密度を均一化でき、その上、光取り出し効率を向上させることもできる半導体発光装置およびそれを備えた半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

To improve MOS transistor characteristic by finding an ion implantation condition which retrieves concentration of the electric field on an LDD diffusion layer while suppressing threshold voltage (Vth) increase and drive current (Ids) drop.例文帳に追加

しきい値電圧（Ｖth）の増加、駆動電流（Ｉds）の低下を抑えつつ、ＬＤＤ拡散層の電界集中を緩和するイオン注入条件を見出し、ＭＯＳトランジスタ特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor wafer for an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) in which a current gain does not largely depend on the carrier concentration of a sub-collector layer, and to provide a semiconductor device produced using this method.例文帳に追加

電流利得がサブコレクタ層のキャリア濃度により大きく依存しないようにしたＨＢＴ用化合物半導体ウェーハの製造方法及びこれを利用した半導体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonaqueous electrolyte battery in which a negative electrode active material layer and a negative electrode current collector are firmly joined, and the nonaqueous electrolyte battery obtained by this manufacturing method.例文帳に追加

負極活物質層と負極集電体とが強固に接合している非水電解質電池を製造する方法、およびこの製造方法により得られた非水電解質電池を提供する。 - 特許庁

In the optical modulation element 5, the magnetization direction of a magnetization reversal layer 53 is reversed by current from electrodes 2 and 3 connected to upper and lower parts of the optical modulation element 5, respectively and thereby an incident light is emitted so that the direction of the light is changed and the light is rotated.例文帳に追加

光変調素子５は、上下に接続された電極２，３からの電流で磁化反転層５３の磁化方向を反転させ、入射光を向きを変えて旋光させて出射する。 - 特許庁

To provide a transistor element capable of securing excellent electrical junction between a source region and a drain region, and a channel layer, and preventing drop of on-current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shielded cable which is excellent in bending durability and twisting durability and includes a shielded layer capable of restraining temperature rise at the time of flowing noise current of several amperes or more.例文帳に追加

屈曲耐久性及び捩り耐久性に優れ、且つ数アンペア以上のノイズ電流が流れた際の温度上昇を抑制したシールド層を備えるシールドケーブルを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetector, having a light-receiving layer which provides a wide detecting sensitivity in the long-wavelength zone and suppresses dark current by reducing defect density, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

長波長域に検出感度が広くあり、欠陥密度を小さくして暗電流を抑制することが可能な受光層を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical sensor element which reduces current variance due to shape variance of an edge part of a semiconductor layer and also suppresses characteristic deterioration, and further prevents an influence of disturbance.例文帳に追加

半導体層のエッジ部分の形状バラツキに起因する電流バラツキを低減すると共に特性劣化を抑制し、更に外乱の影響を防止する光センサ素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

The present invention provides the high-speed nonvolatile optical memory element utilizing inversion in magnetization by a current injected in the free layer through irradiation with optical pulses of circular or elliptic polarized light.例文帳に追加

又本発明は、円偏光または楕円偏光の光パルスを照射することにより、自由層に注入された電流が磁化を反転させることを利用した高速メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The sealing member 56 has a cured resin layers 50 formed on the pair of current collectors 70, 70, respectively, and a thermoplastic polymer layer 52 for adhering the cured resin layers 50 to each other.例文帳に追加

そして、封口材５６は、一対の集電体７０，７０上に各々形成された硬化した樹脂層５０、及び、硬化した樹脂層５０同士を接着する熱可塑性高分子層５２を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor composite device which reduces deterioration in characteristics even when a large current flows into a conduction layer supplying a common potential, and also to provide a print head and an image forming apparatus.例文帳に追加

共通電位を供給する導通層に大きな電流が流れる場合にも、装置の特性の低下を軽減することができる半導体複合装置、プリントヘッド、画像形成装置を提供する。 - 特許庁

After bonding, the sapphire growth substrate is removed by the substrate removing technology, and the InAlGaN layer is patterned and etched and a current injection type light emitting element is completed.例文帳に追加

ボンディングの後、サファイア成長基板（３０）は、基板除去技術を使って除去され、その後それらのＩｎＡｌＧａＮ層がパターニング及びエッチングされて電流注入型発光素子が完成する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a thin-film solar cell module with high efficiency by reducing an unnecessary current pass at the exposed surface of a semiconductor, which is removed at the same time of scribing a second electrode layer.例文帳に追加

第２電極層のスクライブと同時に除去される半導体の露出面での不要な電流パスを低減して、効率の高い薄膜太陽電池モジュールを製造できる方法を提供する。 - 特許庁

The electrode active material layer has an active material fixed on the surface of the current collector by jointing the active materials containing lithium, cobalt, nickel, and manganese without using a resin binder.例文帳に追加

樹脂製結着材を用いずにリチウム、コバルト、ニッケルおよびマンガンを含む活物質同士を接合させることにより該活物質を集電体表面に固着させてなる電極活物質層を構成する。 - 特許庁

The electron accelerated and incident to a semiconductor detector 11 reaches a sensitive layer of the detector and generates an electric charge carrier in proportion to energy of the incident electron, and a signal electric current Is flows.例文帳に追加

半導体検出器１１に加速して入射した電子は、検出器の有感層に到達し、入射電子のエネルギーに比例した電荷担体を発生させ、信号電流Ｉｓが流れる。 - 特許庁

A high pulsed voltage and current compress the plasma cylinder 90 and its interior magnetic field to create a magnetic insulating layer at the same time as propelling a working gas from each side toward the space between the electrode tips.例文帳に追加

高パルスの電圧および電流は、プラズマシリンダ９０およびその内部磁場を圧縮し、同時に各側面から電極チップ間の空間に向けて活動ガスを進めるような磁気絶縁層を形成する。 - 特許庁

The lithium/iron disulfide primary battery comprises a positive electrode 2, in which a positive electrode mixture layer is formed on a positive electrode current collector, a negative electrode 3 having lithium as the negative electrode active material, and an electrolytic solution.例文帳に追加

リチウム／二硫化鉄一次電池は、正極集電体上に正極合剤層が形成されてなる正極２と、リチウムを負極活物質とする負極３と、電解液とを備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device and a nitride based semiconductor device having a new structure capable of uniformly dispersing a flow of current over an entire area of an active layer and improving a light emitting efficiency.例文帳に追加

電流の流れを活性層の全体面積に均一に分散させ発光効率を向上させることが可能である新たな構造の窒化物半導体素子窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

Between the terminals 5 and 6 for conduction, current flows via wiring 11, and an external power supply for heating the gate insulating film and the semiconductor layer 2 adjacent to the gate electrode 1 is provided.例文帳に追加

これら通電用端子５、６間に、配線１１を介して電流を通してゲート電極１に隣接するゲート絶縁膜及び半導体層２を加熱する外部電源が設けられている。 - 特許庁

Especially, since the broadening of the depletion layer in a lower part of the drain region toward the well side can be suppressed, the current flowing through a deeper path than the channel is suppressed effectively.例文帳に追加

とくに、ドレイン領域の下部における空乏層のウエル側への広がりを抑制できるため、チャネルよりも深い領域を通して流れる電流を抑制することに対する効果が大きい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MISFET having higher current driving capability in a device structure using an Si_1-xGe_x layer on a silicon substrate, and further provide its manufacturing method.例文帳に追加

シリコン基板上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を用いた素子構造において、電流駆動能力の高いＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To plan reduction of unit size and equipment cost by making an appropriate tensile stress layer in a neck tube for a cathode-ray tube without using a current large scale annealing furnace.例文帳に追加

従来のような大規模な徐冷炉を使用することなく、陰極線管用ネック管に存在する引張応力層を適切化することを可能にして、装置の小規模化や設備費の削減を図る。 - 特許庁

The lead storage battery uses an expanded grid as a current collector, wherein an active substance layer in the electrode end surface of at least either a positive or negative electrode contains an organic binder.例文帳に追加

エキスパンド式の格子を集電体として用いる鉛蓄電池であって、正極および負極のうち少なくとも一方の電極端面の活物質層に、有機バインダを備えることを特徴とする。 - 特許庁

An active mesa stripe, including an active layer, is formed like an inverted mesa shape by the selective growth, and the current path width specified by the width of the active mesa stripe top is broadened to lower the element resistance.例文帳に追加

選択成長によって、活性層を含む活性メサストライプを逆メサ形状に形成し、活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor wafer for HBT so that a current profit does not largely depend on the carrier concentration of a subcollector layer, and to provide a semiconductor device using it.例文帳に追加

電流利得がサブコレクタ層のキャリア濃度により大きく依存しないようにしたＨＢＴ用化合物半導体ウェーハの製造方法及びこれを利用した半導体素子を提供すること。 - 特許庁

The P-type guard band layer 14 is formed so as to at least comprises the entire semiconductor substrate part below a bird's beak of an LOCOS film 12a, thus effectively preventing a leakage current.例文帳に追加

このＰ−型ガードバンド層１４は、少なくともＬＯＣＯＳ酸化膜１２ａのバーズビーク１５下の半導体基板部分を全て含むように形成されていることにより、効果的にリーク電流が防止される。 - 特許庁

The lithium micro-battery is formed by a laminate of thin layers on a substrate 1, and includes two current collectors 2, 3, a positive electrode 4, a solid electrolyte 6, a negative electrode 5, and the encapsulating layer.例文帳に追加

リチウム・マイクロバッテリは、薄膜層の積層体により基板１上に形成され、２つの電流コレクタ２及び３と、正電極４と、固体電解質６と、負電極５と、封止層とを備える。 - 特許庁

In a holding circuit of the semiconductor device, a transistor that includes a semiconductor layer (at least a channel formation region) including an oxide semiconductor material with which sufficiently small off-state current can be achieved is used.例文帳に追加

半導体装置の保持回路に、オフ電流を十分に小さくすることができる酸化物半導体材料を用いて半導体層（少なくともチャネル形成領域）を形成したトランジスタを用いる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a negative electrode for a battery, an active material layer including a metal element M and an element A which is at least either oxygen, nitrogen, or carbon is formed on a current collector 11.例文帳に追加

本発明の電池用負極の製造方法では集電体１１上に金属元素Ｍと酸素、窒素、炭素の少なくともいずれかである元素Ａからなる活物質層を形成する。 - 特許庁